Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7425TR | JSMicro Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 17mOhm; 14A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7425; IRF7425TR; SP001563588; SP001555316; IRF7425TR JSMICRO TIRF7425 JSM кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TR | International Rectifier | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 13mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7220; IRF7220; IRF7425TR; IRF7425; IRF7425-GURT; IRF7425TR-VB; IRF7425; IRF7425TR-VB; IRF7425TR TIRF7425 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3715 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7425TR-CN | CHIPNOBO | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 20A; 10W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7425; IRF7425TR; SP001563588; SP001555316; IRF7425TR-CN CHIPNOBO TIRF7425 CNB кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TR-VB | VBsemi | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7425TR-VB; IRF7425TR; IRF7425 TIRF7425 c кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF Код товару: 172358
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm | на замовлення 1012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V | на замовлення 3133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 27725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -15A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | на замовлення 4439 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm | на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2900 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Infineon | SO-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -20V -15A 8.2mOhm 87nC | на замовлення 302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 15, Ciss, пФ @ Uds, В = 7980 @ 15, Qg, нКл = 130, Rds = 8,2 мОм, Ugs(th) = 1.2 В @ 250мкА, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 95 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7426TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta) Supplier Device Package: 8-SO Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF743 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7433 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1877 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7433HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7433PBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7433PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1877 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7433PBF Код товару: 172872
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Напруга сток-витік Uds, В: 12 В Струм стоку Id, А: 8,9 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 24 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1877/20 Примітка: Наднизький опір у відкритому стані Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRF7433PBF | Infineon Technologies | MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 24mOhms 20nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7433TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1877 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7433TRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7433TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -12V -8.9A 24mOhm 20nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7433TRPBF Код товару: 190632
Додати до обраних
Обраний товар
| VBSEMI | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Напруга сток-витік Uds, В: 12 В Струм стоку Id, А: 8,9 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 24 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1877/20 Монтаж: SMD | у наявності: 78 шт
|
| ||||||||||||||
| IRF7433TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1877 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7433TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7435 | IOR | 01+ SOP | на замовлення 203 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF744 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 450V 8.8A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF744 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Chan 450V 8.8 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF744 Код товару: 83522
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF744L | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF744L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 450V 8.8A I2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: I2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 5.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF744PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 450V 8.8A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF744PBF | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Chan 450V 8.8 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7450 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7450 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 170mOhm; 2,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7450 TIRF7450 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7450PBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7450PBF Код товару: 32457
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Напруга сток-витік Uds, В: 200 В Струм стоку Idd, А: 2,5 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,17 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 940/26 Примітка: - Монтаж: SMD | на замовлення: 6 шт
|
| ||||||||||||||
| IRF7450PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 170mOhms 26nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7450PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ, Vdss В 200, Id 2.5, Ptot, Вт 2.5,... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 95 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7450PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7450TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7450TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 200V 2.5A 170mOhm 26nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7450TRPBF | International Rectifier | SO-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7450TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7450TRPBF | IR | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7450TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7451 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7451 | IR | SO-8 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7451PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 665 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7451TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7451TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1900 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7451TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 3680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7451TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7451TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7451TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3.6 A, 0.09 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm | на замовлення 3221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7451TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7451TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 3485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7451TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 150V 3.6A SO-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7451TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7451TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 3.6A 90mOhm 28nC | на замовлення 6130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7451TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7451TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3.6 A, 0.09 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm | на замовлення 3221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7451TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | на замовлення 4273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7451TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7451TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7451TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7452 | IR | SO-8 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7452 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7452 | International Rectifier | Силовой MOSFET N-кан., 100V, 4.5A, 0.06Ом, -55...+150, SO-8 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7452HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7452PBF | International Rectifier | Силовой MOSFET N-кан., 100V, 4.5A, 0.06Ом, -55...+150, SO-8 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7452PBF | Infineon / IR | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 33nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7452PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7452QPBF | Infineon / IR | MOSFET AUTO HEXFET SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7452QTRPBF | Infineon / IR | MOSFET AUTO HEXFET SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7452QTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7452QTRPBF | IOR | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7452TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7452TRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7452TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 100V 4.5A 60mOhm 33nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7452TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7452TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7452TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Verlustleistung: 2.5 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7452TRPBF | International Rectifier | Силовой MOSFET N-кан., 100V, 4.5A, 0.06Ом, -55...+150, SO-8 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7452TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7452TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7452TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7452TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 4.5 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7452TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7453 | IR | SO-8 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7453 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7453PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7453TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7453TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7453TRPBF | IOR | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7453TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |