Продукція > EPC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
EPC2101ENGRTEPCDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102EPCDescription: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+799.49 грн
10+532.73 грн
50+431.54 грн
100+392.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102EPCGaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102EPCDescription: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102ENGEPCDescription: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102ENGRTEPCDescription: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103EPCDescription: MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+341.50 грн
1500+327.12 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103EPCGaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103EPCDescription: MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+772.06 грн
10+513.86 грн
50+415.64 грн
100+375.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENGEPCDescription: GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104EPCDescription: MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+355.30 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104EPCDescription: MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+799.49 грн
10+532.73 грн
50+431.54 грн
100+392.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENGEPCDescription: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENGRTEPCDescription: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENGRTEPCDescription: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105EPCDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+361.10 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105EPCDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+776.76 грн
10+515.52 грн
100+384.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENGEPCDescription: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENGRTEPCDescription: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENGRTEPCDescription: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106EPCDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.25 грн
7500+53.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106EPCDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 18384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.22 грн
10+125.52 грн
50+95.75 грн
100+80.84 грн
500+65.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106EPCGaN FETs EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107EPCDescription: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Active
на замовлення 4858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.49 грн
10+129.75 грн
100+89.40 грн
500+67.69 грн
1000+62.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107EPCDescription: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+74.90 грн
1000+66.58 грн
1500+63.75 грн
2500+56.85 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108EPCDescription: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.12 грн
10+116.46 грн
100+79.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108EPCDescription: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110EPCDescription: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110EPCGaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110EPCDescription: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.36 грн
10+146.88 грн
50+112.87 грн
100+95.64 грн
500+77.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110ENGRTEPCDescription: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111EPCDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+138.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111EPCDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 9012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.26 грн
10+253.00 грн
50+198.60 грн
100+169.94 грн
500+141.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111ENGRTEPCDescription: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111ENGRTEPCDescription: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2112ENGRTEPCDescription: IC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 32mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 10A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 160V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2115ENGRTEPCDescription: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2115ENGRTEPCDescription: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2121EPCPower Switch ICs - Power Distribution EPC Bi-directional eGaN Power Switch,100 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.95
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2121EPCDescription: IC BIDIRECT SW 100V .045OHM 4BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2121EPCDescription: IC BIDIRECT SW 100V .045OHM 4BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+60.01 грн
25+54.31 грн
100+45.06 грн
250+42.26 грн
500+40.56 грн
1000+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152EPCDescription: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 6942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+628.62 грн
10+470.38 грн
25+436.63 грн
100+374.96 грн
250+367.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152EPCDescription: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 6925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+385.50 грн
1000+362.46 грн
1500+358.07 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152EPCGate Drivers EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152ENGRTEPCDescription: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 22977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+752.46 грн
10+493.55 грн
25+433.19 грн
100+342.49 грн
250+316.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152ENGRTEPCDescription: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+349.75 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601EPCLaser Drivers IC LASER DRVR 40V 10A 3.3VLOGIC
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601EPCDescription: IC LASER DRVER 40V 10A 3.3VLOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.44 грн
10+144.84 грн
25+132.66 грн
100+111.86 грн
250+105.84 грн
500+103.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601EPCDescription: IC LASER DRVER 40V 10A 3.3VLOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+106.31 грн
5000+100.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603EPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
на замовлення 7512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.36 грн
10+147.94 грн
25+135.47 грн
100+114.25 грн
250+108.10 грн
500+106.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603EPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+108.58 грн
5000+102.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603EPCLaser Drivers IC LASER DRVR 40V 15A LVDS LOGIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.36 грн
10+147.94 грн
25+135.47 грн
100+114.25 грн
250+108.10 грн
500+106.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21701EPCDescription: IC GAN LASER DRVR 80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+130.37 грн
5000+123.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21701EPCLaser Drivers IC LASER DRVR 80V 15A
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21701EPCDescription: IC GAN LASER DRVR 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 31698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.44 грн
10+166.35 грн
25+152.53 грн
100+128.93 грн
250+122.15 грн
500+120.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21702ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR GAN 80V 30A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21702ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR GAN 80V 30A
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.61 грн
10+268.02 грн
25+253.37 грн
100+206.07 грн
250+195.50 грн
500+175.42 грн
1000+145.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21704ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR GAN 80V 75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21704ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR GAN 80V 75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2202EPCDescription: GANFET N-CH 80V 18A DIE
на замовлення 34160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.17 грн
10+178.43 грн
50+138.10 грн
100+117.41 грн
500+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2202EPCDescription: GANFET N-CH 80V 18A DIE
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+90.51 грн
7500+84.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203EPCGaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 80V 1.7A Automotive AEC-Q101 4-Pin Die T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25000+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 25000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203EPCDescription: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.65 грн
10+68.91 грн
50+51.45 грн
100+43.00 грн
500+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203EPCDescription: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.40 грн
7500+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204EPCDescription: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 104767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.33 грн
10+153.90 грн
50+118.30 грн
100+100.25 грн
500+81.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204EPCGaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 14783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204EPCN-Channel 100 V 29A (Ta) Surface Mount Die Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204EPCDescription: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.06 грн
7500+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204AEPCDescription: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+89.26 грн
7500+83.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204AEPCGaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204AEPCDescription: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.39 грн
10+177.07 грн
50+136.83 грн
100+116.24 грн
500+95.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2206EPCDescription: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 383500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+173.75 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2206EPCDescription: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 383859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.66 грн
10+258.89 грн
50+203.10 грн
100+173.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2206Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 80V 90A 30-Pin Die T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+353.21 грн
1000+309.74 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2207EPCDescription: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.98 грн
7500+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2207EPCDescription: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 21366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.66 грн
10+143.86 грн
50+110.52 грн
100+93.64 грн
500+75.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2207EPCGaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2212EPCDescription: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 80907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.42 грн
10+189.30 грн
50+146.65 грн
100+124.75 грн
500+104.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2212EPC
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2212EPCDescription: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+96.34 грн
7500+90.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2214EPCGaN FETs EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
на замовлення 6995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2214EPCDescription: GANFET N-CH 80V 10A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.68 грн
10+117.82 грн
50+89.61 грн
100+75.58 грн
500+60.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2214EPCDescription: GANFET N-CH 80V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.01 грн
7500+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2215EPCDescription: GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+176.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2215EPCGaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
на замовлення 10686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2215EPCDescription: GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 87990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.56 грн
10+308.10 грн
50+243.39 грн
100+208.89 грн
500+194.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.