Продукція > IKW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IKW50N65RH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 305W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Turn-off time: 180ns Technology: Field Stop; Trench | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 305W, To-247, 1.65Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V Verlustleistung: 305W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 305 W | на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | на замовлення 19680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Verlustleistung: 274W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 274 W | на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65WR5 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V Gate Charge: 230 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 282 W | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65WR5XKSA1 Код товару: 208262
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKW50N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW50N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 141W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 79ns Turn-off time: 420ns Technology: TRENCHSTOP™ 5 | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW50N65WR5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V Verlustleistung: 282W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW60N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW60N60H3FKSA1 Код товару: 198550
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 375nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 180A Turn-on time: 64ns Turn-off time: 314ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 60A Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW60N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 375 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 416 W | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N120CH7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 92A; 549W; TO247-3 Mounting: THT Pulsed collector current: 300A Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 92A Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 549W Technology: Field Stop; Trench | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N120CH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N120CH7XKSA1 - IGBT, 92 A, 1.7 V, 549 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 549W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 92A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 92A TO247-3 Power - Max: 549 W Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 92 A Part Status: Active Gate Charge: 535 nC Switching Energy: 4.22mJ (on), 1.66mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 55ns/461ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N60H3 | Infineon technologies | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKW75N60H3 | Infineon Technologies | Description: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Power - Max: 428 W Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Part Status: Active Gate Charge: 470 nC Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A Reverse Recovery Time (trr): 190 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N60H3 | Infineon | IGBTs - Single, 600V, 80A, 428W, TO-247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 190 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N60H3FKSA1 | Infineon | IGBT Trench Field Stop 600V 80A 428W Through Hole PG-TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-off time: 332ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 85ns | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - Verlustleistung: 428W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N60H3FKSA1 Код товару: 138035
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKW75N60T | Infineon | IGBTs - Single, 600V, 80A, TO-247-3 Транзистори | на замовлення 70 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A | на замовлення 1149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N60T Код товару: 40498
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKW75N60T | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N60T | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N60TA | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V 75A 100nA | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N60TA | Infineon Technologies | Description: IKW75N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR Power - Max: 428 W Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Part Status: Active Gate Charge: 470 nC Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Reverse Recovery Time (trr): 121 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V 75A 100nA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 121 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns Switching Energy: 4.5mJ Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N60TFKSA1 Код товару: 169611
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT Корпус: TO-247-3 Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В Напруга насичення Vce, В: 1,5 В Струм колектора Ic при 25°С, А: 80 А Струм колектора Ic при 100°С, А: 75 А Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 33/330 | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||
| IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 121 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns Switching Energy: 4.5mJ Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W | на замовлення 3751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A | на замовлення 555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Транзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic = 80 А, Pmax, Вт = 428, tз, мс = 0,033, Uce(on), В = 2, Р, Вт = 428, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = на плату, td(off), нс = 330,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Очікується: 50 Од. вим: шт кількість в упаковці: 30 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Turn-on time: 69ns Turn-off time: 401ns | на замовлення 99 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N60TFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - Verlustleistung: 428W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 1707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N60TFKSA1 | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N60TFKSA1 | Infineon | IGBTs - Single, 600V, 80A, TO-247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N60TXK | Infineon Technologies | Description: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N65EH5 | Infineon | IKW75N65EH5XKSA1 IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N65EH5 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N65EH5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | на замовлення 474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | на замовлення 2417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKW75N65EH5XKSA1 Код товару: 177738
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. |

