Продукція > MSR
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|
| MSRT100140(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT100140AD | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD GP 1400V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT100140D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD GP 1400V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT100160(A)D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1600V 100A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT100160(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT100160AD | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD GP 1600V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT100160D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD GP 1600V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT10060(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT10060(A)D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 600V 100A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT10060AD | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT10060D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 600V 100A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT10060D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT10080(A)D | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 800V 100A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT10080(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT10080AD | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 800V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT10080D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 800V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150100(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150100(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150100(A)D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1000V 150A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150100A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150100AD | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150100D | GeneSiC Semiconductor | Description: 1000V 150A THREE TOWER SILICON R Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150100D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1000V 150A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150120(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150120(A)D | GeneSiC Semiconductor | Silicon Standard Recovery Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150120(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150120(A)D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1200V 150A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150120A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150120AD | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150120D | GeneSiC Semiconductor | Description: 1200V 150A THREE TOWER SILICON R Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150120D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1200V 150A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150140(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.4KV 150A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150140(A)D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1400V 150A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150140(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN 1.4KV 150A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150140A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.4KV 150A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150140AD | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN 1.4KV 150A 3 TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150140D | GeneSiC Semiconductor | Description: 1400V 150A THREE TOWER SILICON R Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150140D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1400V 150A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150160(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.6KV 150A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150160(A)D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1600V 150A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150160(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN 1.6KV 150A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150160A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.6KV 150A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150160AD | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN 1.6KV 150A 3 TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150160D | GeneSiC Semiconductor | Description: 1600V 150A THREE TOWER SILICON R Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT150160D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1600V 150A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT15060(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 600V 150A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT15060(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT15060(A)D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 600V 150A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT15060A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 600V 150A 3TOWER Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT15060AD | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT15060D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 600V 150A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT15060D | GeneSiC Semiconductor | Description: 600V 150A THREE TOWER SILICON RE Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT15080(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 800V 150A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT15080(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 800V 150A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT15080(A)D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 800V 150A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT15080A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 800V 150A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT15080AD | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 800V 150A 3 TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT15080D | GeneSiC Semiconductor | Description: 800V 150A THREE TOWER SILICON RE Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT15080D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 800V 150A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200100(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200100(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200100(A)D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1000V 200A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200100A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD GP 1000V 200A 3TOWER Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200100AD | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 1KV 200A 3TOWER Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200100D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1600V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200120(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1200V 200A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200120A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200120AD | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200120D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1200V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200140(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200140(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200140(A)D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1400V 200A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200140A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 1.4KV 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200140AD | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 1.4KV 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200160(A) | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 1600V 200A Std. Recovery | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200160(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 1600V 200A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200160A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD GP 1600V 200A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT200160AD | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD GP 1600V 200A 3TOWER Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT20060(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT20060(A)D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT20060(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT20060A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT20060AD | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT20060D | GeneSiC Semiconductor | Description: 600V 200A THREE TOWER SILICON RE Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT20060D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT20080(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT20080(A)D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 800V 200A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT20080(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT20080AD | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 800V 200A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT20080D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT20080D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 800V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT250100(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT250100A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD GP 1000V 250A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 250 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| MSRT250120(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT250140(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT250160(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |