Продукція > MSR

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MSRSF5930P-1L00-F2P0SusumuDescription: CURRENT SENSING RESISTORS, 5930,
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Current Sense
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5930 (15078 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.591" L x 0.295" W (15.00mm x 7.50mm)
Composition: Metal Element
Operating Temperature: -55°C ~ 170°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 5930
Height - Seated (Max): 0.069" (1.76mm)
Resistance: 1 mOhms
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRSF5930P-1L00-J2P0SusumuDescription: CURRENT SENSING RESISTORS, 5930,
Power (Watts): 10W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Current Sense
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5930 (15078 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.591" L x 0.295" W (15.00mm x 7.50mm)
Composition: Metal Element
Operating Temperature: -55°C ~ 170°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 5930
Height - Seated (Max): 0.069" (1.76mm)
Resistance: 1 mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRSF5930P-1L00-J2P0SusumuCurrent Sense Resistors - SMD Current Sensing Resistors, 5930, 10W, 0.001 ohms, 5%, 25ppm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRSF5930P-2L00-D2P0SusumuDescription: CURRENT SENSING RESISTORS, 5930,
Power (Watts): 8W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Current Sense
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5930 (15078 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.591" L x 0.295" W (15.00mm x 7.50mm)
Composition: Metal Element
Operating Temperature: -55°C ~ 170°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 5930
Height - Seated (Max): 0.049" (1.25mm)
Resistance: 2 MOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRSF5930P-2L00-D2P0SusumuCurrent Sense Resistors - SMD Current Sensing Resistors, 5930, 10W, 0.002 ohms, 0.5%, 25ppm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRSF5930P-2L00-F2P0SusumuCurrent Sense Resistors - SMD Current Sensing Resistors, 5930, 10W, 0.002 ohms, 1%, 25ppm
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSRSF5930P-2L00-F2P0SusumuDescription: CURRENT SENSING RESISTORS, 5930,
Power (Watts): 8W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Current Sense
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5930 (15078 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.591" L x 0.295" W (15.00mm x 7.50mm)
Composition: Metal Element
Operating Temperature: -55°C ~ 170°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 5930
Height - Seated (Max): 0.049" (1.25mm)
Resistance: 2 MOhms
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.06 грн
10+97.29 грн
25+83.99 грн
50+70.96 грн
100+64.29 грн
250+56.98 грн
500+51.55 грн
1000+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRSF5930P-2L00-F2P0SusumuDescription: CURRENT SENSING RESISTORS, 5930,
Power (Watts): 8W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Current Sense
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5930 (15078 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.591" L x 0.295" W (15.00mm x 7.50mm)
Composition: Metal Element
Operating Temperature: -55°C ~ 170°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 5930
Height - Seated (Max): 0.049" (1.25mm)
Resistance: 2 MOhms
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRSF5930P-2L00-J2P0SusumuDescription: CURRENT SENSING RESISTORS, 5930,
Power (Watts): 8W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Current Sense
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5930 (15078 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.591" L x 0.295" W (15.00mm x 7.50mm)
Composition: Metal Element
Operating Temperature: -55°C ~ 170°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 5930
Height - Seated (Max): 0.049" (1.25mm)
Resistance: 2 MOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRSF5930P-2L00-J2P0SusumuCurrent Sense Resistors - SMD Current Sensing Resistors, 5930, 10W, 0.002 ohms, 5%, 25ppm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRSF5930P-3L00-D2P0SusumuCurrent Sense Resistors - SMD Current Sensing Resistors, 5930, 10W, 0.003 ohms, 0.5%, 25ppm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRSF5930P-3L00-D2P0SusumuDescription: CURRENT SENSING RESISTORS, 5930,
Power (Watts): 6W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Current Sense
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5930 (15078 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.591" L x 0.295" W (15.00mm x 7.50mm)
Composition: Metal Element
Operating Temperature: -55°C ~ 170°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 5930
Height - Seated (Max): 0.042" (1.06mm)
Resistance: 3 mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRSF5930P-3L00-F2P0SusumuDescription: CURRENT SENSING RESISTORS, 5930,
Power (Watts): 6W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Current Sense
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5930 (15078 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.591" L x 0.295" W (15.00mm x 7.50mm)
Composition: Metal Element
Operating Temperature: -55°C ~ 170°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 5930
Height - Seated (Max): 0.042" (1.06mm)
Resistance: 3 mOhms
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRSF5930P-3L00-F2P0SusumuCurrent Sense Resistors - SMD Current Sensing Resistors, 5930, 10W, 0.003 ohms, 1%, 25ppm
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSRSF5930P-3L00-F2P0SusumuDescription: CURRENT SENSING RESISTORS, 5930,
Power (Watts): 6W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Current Sense
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5930 (15078 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.591" L x 0.295" W (15.00mm x 7.50mm)
Composition: Metal Element
Operating Temperature: -55°C ~ 170°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 5930
Height - Seated (Max): 0.042" (1.06mm)
Resistance: 3 mOhms
на замовлення 3919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.06 грн
10+97.29 грн
25+83.99 грн
50+70.96 грн
100+64.29 грн
250+56.98 грн
500+51.55 грн
1000+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRSF5930P-3L00-J2P0SusumuCurrent Sense Resistors - SMD Current Sensing Resistors, 5930, 10W, 0.003 ohms, 5%, 25ppm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRSF5930P-3L00-J2P0SusumuDescription: CURRENT SENSING RESISTORS, 5930,
Power (Watts): 6W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Current Sense
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5930 (15078 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.591" L x 0.295" W (15.00mm x 7.50mm)
Composition: Metal Element
Operating Temperature: -55°C ~ 170°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 5930
Height - Seated (Max): 0.042" (1.06mm)
Resistance: 3 mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT-116-100OMEGADescription: OMEGA - MSRT-116-100 - RELIEF TUBE, MINI STRAIN,1/16 INC DIA
tariffCode: 39269097
Art des Zubehörs: Miniature Strain Relief Tube
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
RoHS Compliant: Yes
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Omega SMPW, HMPW, GMP and HGMP Series Thermocouple Connectors
Produktpalette: MSRT Series
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT-332-100OMEGADescription: OMEGA - MSRT-332-100 - Zubehör für Sensorsteckverbinder, Miniatur-Zugentlastungstülle
tariffCode: 85369010
Art des Zubehörs: Miniatur-Zugentlastungstülle
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Miniatur-Thermoelementsteckverbinder SMPW, HMPW, GMP, HGMP
Produktpalette: -
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100100(A)DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100100(A)DGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1000V 100A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100100ADGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MOD GP 1000V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100100DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MOD GP 1000V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100120(A)DGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 100A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100120(A)DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100120ADGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MOD GP 1200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100120DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MOD GP 1200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100140(A)DGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1400V 100A Forward
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100140(A)DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100140ADGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MOD GP 1400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100140DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MOD GP 1400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100160(A)DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100160(A)DGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1600V 100A Forward
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100160ADGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MOD GP 1600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100160DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MOD GP 1600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT10060(A)DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT10060(A)DGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 600V 100A Forward
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT10060ADGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT10060DGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 600V 100A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT10060DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT10080(A)DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT10080(A)DGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 800V 100A Forward
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT10080ADGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 800V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT10080DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 800V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150100(A)GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150100(A)DGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1000V 150A Forward
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150100(A)DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150100AGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150100ADGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150100DGeneSiC SemiconductorDescription: 1000V 150A THREE TOWER SILICON R
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150100DGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1000V 150A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150120(A)GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150120(A)DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150120(A)DGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1200V 150A Forward
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150120(A)DGeneSiC SemiconductorSilicon Standard Recovery Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150120AGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150120ADGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150120DGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1200V 150A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150120DGeneSiC SemiconductorDescription: 1200V 150A THREE TOWER SILICON R
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150140(A)GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 1.4KV 150A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150140(A)DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN 1.4KV 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150140(A)DGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1400V 150A Forward
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150140AGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 1.4KV 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150140ADGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN 1.4KV 150A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150140DGeneSiC SemiconductorDescription: 1400V 150A THREE TOWER SILICON R
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150140DGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1400V 150A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150160(A)GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 1.6KV 150A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150160(A)DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN 1.6KV 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150160(A)DGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1600V 150A Forward
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150160AGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 1.6KV 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150160ADGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN 1.6KV 150A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150160DGeneSiC SemiconductorDescription: 1600V 150A THREE TOWER SILICON R
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT150160DGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1600V 150A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15060(A)GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 600V 150A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15060(A)DGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 600V 150A Forward
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15060(A)DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15060AGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 600V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15060ADGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15060DGeneSiC SemiconductorDescription: 600V 150A THREE TOWER SILICON RE
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15060DGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 600V 150A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080(A)GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 800V 150A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080(A)DGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 800V 150A Forward
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080(A)DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 800V 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080AGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 800V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080ADGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 800V 150A 3 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080DGeneSiC SemiconductorDescription: 800V 150A THREE TOWER SILICON RE
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT15080DGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 800V 150A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200100(A)GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200100(A)DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200100(A)DGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1000V 200A Forward
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200100AGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MOD GP 1000V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200100ADGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 1KV 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200100DGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1600V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200120(A)GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200120(A)DGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1200V 200A Forward
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200120(A)DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200120AGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200120ADGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200120DGeneSiC SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules 1200V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT200140(A)GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.