Продукція > RJK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RJK0660DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 40A 8WPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0701DPN-E0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Supplier Device Package: TO-220AB
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 12407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+285.62 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0701DPP-E0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Supplier Device Package: TO-220FP
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+285.62 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0702DPN-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 14917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+201.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0702DPP-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 75V 90A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Supplier Device Package: TO-220FP
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+190.37 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0703DPN-A0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 75V 70A TO220ABA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0703DPN-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFET POWER TRS1 LV-MOS TO220ABS MOS TRENCH D1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0703DPN-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 75V 70A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0703DPN-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0703DPP-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs POWER TRS1 LV-MOS TO220FP
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0703DPP-A0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 75V 70A TO220FPA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0703DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0703DPP-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 75V 70A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0822SPN
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0822SPN
Код товару: 67008
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0851DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0851DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET, 80V, LFPAK, Pb-F, HF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0851DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0851DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0852DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 80V 30A 12mohm LFPAK56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0852DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0852DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V
на замовлення 3194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.41 грн
10+151.03 грн
100+105.07 грн
500+80.16 грн
1000+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0852DPB-00-J5RENESAS
на замовлення 3879 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0853DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6170 pF @ 10 V
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.31 грн
10+161.90 грн
100+113.48 грн
500+94.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0853DPB-00#J5RENESASDescription: RENESAS - RJK0853DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 8000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.28 грн
10+156.88 грн
100+122.74 грн
500+86.05 грн
1000+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0853DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6170 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0853DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 80V 40A 8mohm LFPAK56
на замовлення 9384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0853DPB-00#J5RENESASDescription: RENESAS - RJK0853DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 8000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.74 грн
500+86.05 грн
1000+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0854DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 80V LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0854DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 80V 25A 13mohm LFPAK56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0854DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 80V LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0854DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 80V LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0855DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0855DPB-00#J5RENESASDescription: RENESAS - RJK0855DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.16 грн
10+160.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0855DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0855DPB-00#J5RENESASDescription: RENESAS - RJK0855DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.16 грн
10+160.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0855DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0855DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 80V 30A 11mohm LFPAK56
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0856DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0856DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1001DPN-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+285.62 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1001DPP-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs POWER TRS1 LV-MOS TO220FP MOS TRENCH D12
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1001DPP-A0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220FPA
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220ABA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1001DPP-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220FP
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1002DPN-A0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO220ABA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1002DPN-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1002DPN-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1002DPP-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs POWER TRS1 LV-MOS TO220FP MOS TRENCH D12
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1002DPP-A0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1002DPP-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1002DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1003DPN-A0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1003DPN-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFET POWER TRANSISTOR 100V POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1003DPN-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1003DPN-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1003DPP-A0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220FPA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220ABA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1003DPP-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs POWER TRS1 LV-MOS TO220FP MOS TRENCH D12
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1003DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1003DPP-E0#T2RenesasDescription: RJK1003DPP - N-CHANNEL MOSFET 10
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V
на замовлення 3408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+171.94 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1008DPN-00#02Renesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1008DPP
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1008DPP-E0#T2Renesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1021DPE-00#J3Renesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1028DNS-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: ABU / MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1028DNS-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: ABU / MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1028DNS-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs MOSFET, 30V, 3x3 pkg
на замовлення 4635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1035
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1051DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1051DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET, 100V, LFPAK, Pb-F, HF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1051DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1052DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 10 V
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.41 грн
10+146.88 грн
100+116.92 грн
500+92.85 грн
1000+78.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1052DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1052DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET, 100V, LFPAK, Pb-F, HF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1053DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1053DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 100V 25A 13mohm LFPAK56
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1053DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1053DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1054DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET, 100V, LFPAK, Pb-F, H
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1054DPB-00#J5Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1054DPB-00#J5Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1054DPB-WS#J5Renesas Electronics America IncDescription: IGBT
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1055DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 7335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.63 грн
10+169.98 грн
100+118.68 грн
500+90.83 грн
1000+84.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1055DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1055DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 100V 23A 17mohm LFPAK56
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1055DPB-WS#J5Renesas Electronics America IncDescription: IGBT
Part Status: Obsolete
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1056DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs Power MOSFET
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1056DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1056DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.20 грн
10+152.47 грн
100+106.59 грн
500+87.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1211DNS-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 1865000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+131.61 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1211DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 120V 5A WPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1212DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 120V 3A WPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1525DPP-MG#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+587.08 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1525DPS
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1525DPS-00#T2RenesasSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.15 грн
500+130.83 грн
1000+121.40 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1525DPS-00#T2Renesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1525DPS-00#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+82.30 грн
Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1526
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1529DPK
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1535DPE-LERENESASTO263/2.5
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK1535DPE-LERenesas Electronics CorporationDescription: 40A, 150V, 0.052OHM, N-CHANNEL M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LDPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 100W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-83
Packaging: Bulk
на замовлення 7899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+235.58 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]