Продукція > SQJ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQJ464EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+68.95 грн
100+45.92 грн
500+33.82 грн
1000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.93 грн
6000+26.79 грн
9000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ465EP-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.71 грн
10+99.03 грн
100+77.06 грн
500+63.02 грн
1000+48.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.57 грн
500+70.52 грн
1500+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.64 грн
10+72.24 грн
100+56.19 грн
500+44.69 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8A; 15W; PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 15W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+90.38 грн
10+63.98 грн
50+58.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.25 грн
50+104.70 грн
100+84.57 грн
500+70.52 грн
1500+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.92 грн
6000+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 20649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.91 грн
10+104.79 грн
100+62.34 грн
500+49.50 грн
1000+45.49 грн
3000+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.64 грн
500+103.95 грн
1500+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+154.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 31388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.65 грн
10+173.07 грн
25+135.31 грн
100+115.29 грн
250+106.31 грн
500+99.41 грн
1000+91.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.95 грн
10+165.05 грн
100+115.80 грн
500+96.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 22571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+280.28 грн
50+175.58 грн
100+135.31 грн
500+105.45 грн
1500+94.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_NE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.36 грн
10+188.15 грн
100+122.19 грн
500+102.86 грн
1000+99.41 грн
3000+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.70 грн
6000+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.79 грн
10+52.80 грн
100+41.05 грн
500+32.65 грн
1000+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.37 грн
6000+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.37 грн
10+56.60 грн
100+37.35 грн
500+30.79 грн
1000+25.82 грн
3000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Qualification: AEC-Q101
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
на замовлення 26240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.32 грн
10+53.47 грн
100+37.20 грн
500+28.06 грн
1000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+53.70 грн
100+37.22 грн
500+29.19 грн
1000+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_BE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.01 грн
10+58.19 грн
100+34.24 грн
500+26.99 грн
1000+24.71 грн
3000+22.51 грн
6000+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+44.96 грн
317+44.78 грн
383+37.03 грн
386+35.49 грн
500+29.09 грн
1000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.48 грн
6000+20.95 грн
9000+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.55 грн
6000+27.61 грн
9000+26.73 грн
24000+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 13250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.22 грн
500+29.02 грн
1000+24.23 грн
5000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 14637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.74 грн
3000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.78 грн
17+44.96 грн
25+44.78 грн
100+35.70 грн
250+32.86 грн
500+27.93 грн
1000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.58 грн
6000+27.64 грн
9000+26.76 грн
24000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 13250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.59 грн
15+57.18 грн
100+39.22 грн
500+29.02 грн
1000+24.23 грн
5000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+50.93 грн
100+34.94 грн
500+26.72 грн
1000+24.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ479EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 32A, POWERPAKSO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.11 грн
25+103.90 грн
50+86.18 грн
100+63.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 214004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.28 грн
10+82.56 грн
100+47.98 грн
500+37.97 грн
1000+34.66 грн
3000+31.62 грн
6000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
10+66.19 грн
100+51.48 грн
500+40.95 грн
1000+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.75 грн
6000+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+99.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.52 грн
500+43.68 грн
1000+39.83 грн
5000+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.59 грн
10+77.48 грн
100+51.99 грн
500+38.54 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.53 грн
13+59.63 грн
25+59.44 грн
100+52.31 грн
250+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
238+59.63 грн
Мінімальне замовлення: 238 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.39 грн
10+82.96 грн
100+59.52 грн
500+43.68 грн
1000+39.83 грн
5000+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 38033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.67 грн
10+69.15 грн
100+46.87 грн
500+37.07 грн
1000+32.31 грн
3000+29.82 грн
6000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3
Код товару: 194623
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_NE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.23 грн
10+77.17 грн
100+44.73 грн
500+36.66 грн
1000+33.21 грн
3000+28.17 грн
6000+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ481EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 16A, POWERPAKSO
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.56 грн
25+85.37 грн
50+75.14 грн
100+60.28 грн
250+51.22 грн
500+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1-BE3VishayMOSFET P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_BE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.26 грн
10+62.80 грн
25+54.54 грн
100+38.94 грн
250+38.87 грн
500+31.41 грн
1000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_BE3VishayP-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ481EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 16 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.86 грн
500+32.68 грн
1000+27.48 грн
5000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 8329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.76 грн
10+70.97 грн
100+40.87 грн
500+32.03 грн
1000+29.20 грн
3000+25.61 грн
6000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.47 грн
6000+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ481EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 16 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.64 грн
11+79.25 грн
100+52.83 грн
500+38.44 грн
1000+32.45 грн
5000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3
Код товару: 191995
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 16A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.95 грн
10+65.59 грн
100+43.68 грн
500+32.17 грн
1000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T2-GE3VishayVishay MOSFET 80V PCH 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ486EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 37 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.11 грн
6000+31.28 грн
9000+29.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ486EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 37 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.32 грн
10+64.92 грн
100+50.53 грн
500+40.19 грн
1000+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ486EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.32 грн
10+64.92 грн
100+50.53 грн
500+40.19 грн
1000+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ486EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ486EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 21677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.26 грн
10+67.88 грн
100+45.98 грн
500+36.52 грн
1000+31.76 грн
3000+30.03 грн
6000+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ486EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 100V(D-S)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
3+112.76 грн
10+92.89 грн
100+64.20 грн
250+59.51 грн
500+54.05 грн
1000+46.32 грн
3000+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+72.02 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.73 грн
10+86.90 грн
100+69.16 грн
500+54.92 грн
1000+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
на замовлення 20968 шт:
термін постачання 751-760 дні (днів)
3+115.17 грн
10+102.41 грн
100+71.80 грн
500+58.26 грн
1000+48.32 грн
3000+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+157.05 грн
10+140.40 грн
25+135.92 грн
50+124.42 грн
100+103.10 грн
250+95.55 грн
500+82.73 грн
1000+72.86 грн
3000+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]