Продукція > SQJ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQJ461EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ461EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
10+113.37 грн
100+90.26 грн
500+71.68 грн
1000+60.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ463EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -30A, POWERPAK SO
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET SQ Series
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 30A 83W P-Ch Automotive
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1-GE3VishaySQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+261.60 грн
10+223.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ463EP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 18
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1-GE3
Код товару: 170979
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ463EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3VishaySQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3VishaySQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+140.43 грн
6000+135.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ463EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SQJ423EP-T1_GE3
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.47 грн
10+175.86 грн
100+123.95 грн
500+105.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3VishaySQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+99.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3VishaySQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_NE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T1-BE3VishayMOSFETs POWRPK N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T1/BE3VishayArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.21 грн
6000+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+69.59 грн
100+46.34 грн
500+34.13 грн
1000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PowerPAK SO-8L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+69.59 грн
100+46.34 грн
500+34.13 грн
1000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.21 грн
6000+27.04 грн
9000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
на замовлення 75866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.45 грн
10+98.81 грн
100+76.88 грн
500+62.88 грн
1000+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ465EP-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 9869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.28 грн
6000+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 20649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8A; 15W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
Power dissipation: 15W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.22 грн
10+64.58 грн
50+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 9869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ465EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.49 грн
10+72.91 грн
100+56.71 грн
500+45.11 грн
1000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.82 грн
10+176.62 грн
50+136.78 грн
100+116.32 грн
500+96.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+107.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 20922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+154.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 31388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_NE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+53.29 грн
100+41.43 грн
500+32.95 грн
1000+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.96 грн
6000+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Qualification: AEC-Q101
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
на замовлення 3027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+69.59 грн
50+52.02 грн
100+43.47 грн
500+34.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ474EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+54.19 грн
100+37.57 грн
500+29.46 грн
1000+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_BE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 13250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.49 грн
6000+27.55 грн
9000+26.67 грн
24000+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.66 грн
17+44.86 грн
25+44.68 грн
100+35.62 грн
250+32.79 грн
500+27.87 грн
1000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+58.04 грн
50+43.17 грн
100+36.01 грн
500+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.51 грн
6000+27.58 грн
9000+26.70 грн
24000+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 13250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+44.86 грн
317+44.68 грн
383+36.94 грн
386+35.41 грн
500+29.03 грн
1000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 14637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ479EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 32A, POWERPAKSO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 129265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+77.82 грн
50+58.45 грн
100+48.99 грн
500+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.50 грн
9000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.38 грн
13+59.50 грн
25+59.31 грн
100+52.19 грн
250+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 38033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
238+59.50 грн
Мінімальне замовлення: 238 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3
Код товару: 194623
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+99.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+77.82 грн
50+58.45 грн
100+48.99 грн
500+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 4862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_NE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ481EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 16A, POWERPAKSO
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1-BE3VishayMOSFET P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_BE3VishayP-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.