Продукція > SUD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SUD50P08-25L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V
на замовлення 77424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 80V 50A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+102.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3
Код товару: 133983
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+100.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+77.21 грн
6000+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 6546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VishayP-Channel 80V 50A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+258.31 грн
81+175.65 грн
89+158.94 грн
109+125.85 грн
250+115.37 грн
500+102.03 грн
1000+93.30 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-26
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-26-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 38A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.69 грн
10+155.26 грн
100+108.02 грн
500+82.43 грн
1000+81.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 100V 37.1A P-CH MOSFET
на замовлення 17008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+78.81 грн
4000+71.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+78.81 грн
4000+71.32 грн
6000+70.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 37A 136W 43mohm @ 10V
на замовлення 14227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3VishayTrasistor P-MOSFET; 100V; 20V; 48mOhm; 37,1A; 136W; -55°C ~ 175°C; Substitute: SUD50P10-43L-GE3; SUD50P10-43L-E3; SUD50P10-43L TSUD50P10-43L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 41950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.69 грн
10+155.26 грн
100+108.02 грн
500+82.43 грн
1000+81.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+150.87 грн
10+131.95 грн
25+108.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P10-43L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 10465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 37A P-Channel
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+124.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+71.27 грн
4000+68.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 8731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.17 грн
10+140.39 грн
100+97.68 грн
500+78.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD54P04-23-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 23mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD5N03-11
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+55.93 грн
100+50.89 грн
500+47.54 грн
1000+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 19077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+78.06 грн
183+77.29 грн
208+68.17 грн
250+65.61 грн
500+59.13 грн
1000+55.22 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 8900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.98 грн
10+78.06 грн
25+77.29 грн
100+65.74 грн
250+60.75 грн
500+56.77 грн
1000+55.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N02
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N02-03PVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N02-049-E3
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N02-04PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N02-05+P
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N02-05PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N02-05P-T4
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N03-04PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N03-06PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 150V 42A N-CH MOSFET
на замовлення 19780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD80460E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42 A, 0.0447 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0447ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.54 грн
4000+21.69 грн
6000+20.90 грн
10000+18.64 грн
14000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.
на замовлення 5376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 42A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 65.2W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 42A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 44.7mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
на замовлення 18869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.81 грн
10+54.80 грн
100+36.31 грн
500+26.60 грн
1000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 200V (D-S)
на замовлення 26124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 10980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+95.93 грн
100+65.00 грн
500+48.58 грн
1000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.61 грн
4000+40.91 грн
6000+39.38 грн
10000+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-BE3VishaySUD90330E-BE3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 35.8A; Idm: 70A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 35.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 42.2mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 8106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+95.93 грн
100+65.00 грн
500+48.58 грн
1000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-GE3VishayN-Channel 200 V MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD90330E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35.8 A, 0.0312 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-252
на замовлення 23209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.61 грн
4000+40.91 грн
6000+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD90330E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35.8 A, 0.0312 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm
на замовлення 15346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUDAC0-1201UD40Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells CIRCULAR ASSEMBLY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUDAC0-1202UD1SSunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells CIRCULAR ASSEMBLY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUDAC0-1202UD40Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells CIRCULAR ASSEMBLY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUDAC0-1206UD40Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells CIRCULAR ASSEMBLY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUDAC1-1002UD40Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells CIRCULAR ASSEMBLY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUDB05RX794P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUDC208V42PTripp LiteRacks & Rack Cabinets Tripp Lite 208V 3-Phase Distribution Cabinet for 20k-60kVA UPS 42 Pole TAA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUDC208V42PTripp LiteDescription: 3-PHASE DISTRIBUTION CABINET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SudoProc 128SudoSystem-On-Modules - SOM System on Module 128GB
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SudoProc 256SudoSystem-On-Modules - SOM System on Module 256GB
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SudoProc 32SudoSystem-On-Modules - SOM System on Module 32GB
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SudoProc 64SudoSystem-On-Modules - SOM System on Module 64GB
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.