Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 90 100 102  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3J133TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
839+16.86 грн
846+16.74 грн
883+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 839 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J133TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.0298 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TUToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V
на замовлення 13744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
14+23.02 грн
100+13.79 грн
500+11.98 грн
1000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LF(BToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+22.91 грн
641+22.08 грн
1000+21.36 грн
2500+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J134TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.093 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
872+16.23 грн
878+16.11 грн
920+15.39 грн
1000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 872 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J135TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3A UFM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J135TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3A UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J135TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-3.0A, RDS(ON)=0.103Ohm at 4.5V, in UFM package
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J135TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J135TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J135TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J135TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.103 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J13TTOSHIBA
на замовлення 7080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J13T(TE85L)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J13T(TE85L.F)
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J13T(TE85LF)
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J13T TOSHIBASOT-23 07+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
11+29.36 грн
100+20.42 грн
500+14.96 грн
1000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.17 грн
19+39.92 грн
100+30.93 грн
500+23.96 грн
1000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHFToshibaMOSFETs SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.68 грн
48+15.99 грн
100+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
на замовлення 5275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
12+26.95 грн
100+18.34 грн
500+12.91 грн
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A
на замовлення 6601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHFToshibaMOSFET SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
11+28.15 грн
100+18.64 грн
500+13.51 грн
1000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+16.05 грн
60+12.66 грн
102+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1117+12.66 грн
1904+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 1117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LF
Код товару: 173097
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
13+24.91 грн
100+15.85 грн
500+11.22 грн
1000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LXHFToshibaMOSFETs SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J144TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.093 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J144TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.093 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3A UFM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.31 грн
70+10.82 грн
112+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3A UFM
на замовлення 5827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
14+22.19 грн
100+15.12 грн
500+10.64 грн
1000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A
на замовлення 3455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHFToshibaMOSFETs SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A U
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
14+21.59 грн
100+13.68 грн
500+9.63 грн
1000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J145TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.103 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J145TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.103 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TULXHF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J14TTOSHIBA
на замовлення 7130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J14TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J14T/KDL
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J14TTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 413 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J14TTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 413 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15CT
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15CT(TPL3)ToshibaMOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -1.0A -30V -20VGS
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 60872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.19 грн
100+6.33 грн
500+4.35 грн
1000+3.84 грн
2000+3.40 грн
5000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.92 грн
20000+2.55 грн
30000+2.42 грн
50000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15CT,L3FToshibaMOSFETs Small Low Ron Pch MOSFETs Vdss:-30V, Id:-0.1A, Pd: 0.1W
на замовлення 18745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: S-Mini
на замовлення 15073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
34+9.06 грн
100+5.63 грн
500+3.86 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15F,LFToshibaMOSFETs Sm-signal/Hi-Speed S-Mini (SOT-346)
на замовлення 10588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.11 грн
6000+2.67 грн
9000+2.51 грн
15000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15F,LF(BToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15F,LF(BToshibaSSM3J15F,LF(B
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15F,LF(BToshibaSSM3J15F,LF(B
на замовлення 5939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2703+5.23 грн
2783+5.08 грн
5000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 2703 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: p-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: p-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FSTOSHIBASOT423
на замовлення 83535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FS(TE85L,F)TOSHIBA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 17595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
32+9.43 грн
100+5.86 грн
500+4.02 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 16200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.24 грн
6000+2.79 грн
9000+2.62 грн
15000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FS,LF(BToshibaSSM3J15FS,LF(B
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1725 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FS,LF(BToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FS,LF(BToshibaSSM3J15FS,LF(B
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FU
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.24 грн
6000+2.79 грн
9000+2.62 грн
15000+2.28 грн
21000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 90 100 102  [ Наступна Сторінка >> ]