Продукція > FFS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FFSP15120A | ON Semiconductor | на замовлення 590 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FFSP15120A | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220L Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220-2L Current - Average Rectified (Io): 15A Capacitance @ Vr, F: 936pF @ 1V, 100kHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | на замовлення 2232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSP15120A | onsemi / Fairchild | SiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 15A | на замовлення 708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP15120A | ONSEMI | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220-2; tube Max. forward voltage: 1.75V Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 15A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP15120A | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 936pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSP1665A | onsemi | SiC Schottky Diodes 650V 16A SIC SBD | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP1665A | ONSEMI | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220-2; tube Mounting: THT Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Max. forward voltage: 1.75V Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP1665A | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V | на замовлення 1837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSP1665A | ON Semiconductor | на замовлення 368 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FFSP1665A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FFSP1665A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 16 A, 52 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 52nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP20120A | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V | на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSP20120A | ON Semiconductor | на замовлення 580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FFSP20120A | onsemi | SiC Schottky Diodes 1200V 20A Silicon Carbide Schtky Diode | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP20120A | ONSEMI | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.75V Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP2065A | onsemi | SiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 20A 650V | на замовлення 1177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP2065A | ONSEMI | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 25A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 25A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.75V Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP2065A | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V | на замовлення 43734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSP2065A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FFSP2065A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 64 nC, TO-220 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 64 Diodenmontage: Durchsteckmontage Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP2065A | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V | на замовлення 43923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSP2065A | ON Semiconductor | на замовлення 455 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FFSP2065B | ON Semiconductor | на замовлення 680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FFSP2065B | onsemi | SiC Schottky Diodes SIC DIODE 650V 20A | на замовлення 565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP2065B | ONSEMI | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 22.5A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 22.5A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.7V Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP2065B | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 650V 22.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 22.5A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSP2065B-F085 | onsemi | SiC Schottky Diodes Auto SiC Schottky Diode, 650 V | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP2065B-F085 | ONSEMI | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.7V Kind of package: tube Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP2065B-F085 | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSP2065B-F085 | ON Semiconductor | на замовлення 710 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FFSP2065BDN-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FFSP2065BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 25 nC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 25nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP2065BDN-F085 | ONSEMI | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AB; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Kind of package: tube Application: automotive industry Max. forward voltage: 1.7V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP2065BDN-F085 | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSP2065BDN-F085 | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP2065BDN-F085 | ON Semiconductor | на замовлення 760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FFSP2065BDN-F085 | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP2065BDN-F085 | onsemi | SiC Schottky Diodes 650V 20A SIC SBD GEN.15 | на замовлення 483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP3065A | ON Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 26A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP3065A | onsemi | SiC Schottky Diodes 650V SiC SBD 30A | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP3065A | ON Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 26A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSP3065A | ON Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 26A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSP3065A | onsemi / Fairchild | SiC Schottky Diodes 650V SiC SBD 30A | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP3065A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FFSP3065A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 100 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 100 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP3065A | ON Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 26A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSP3065A | ONSEMI | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO220-2; Ir: 600uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 2.4V Kind of package: tube Max. forward impulse current: 150A Power dissipation: 40W Max. load current: 75A Leakage current: 0.6mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP3065A | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1705pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V | на замовлення 752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSP3065A | ON Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 26A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSP3065B | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP3065B | ONSEMI | Description: ONSEMI - FFSP3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 74 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 74nC euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP3065B | ONSEMI | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.7V Kind of package: tube | на замовлення 139 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSP3065B | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSP3065B | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP3065B | onsemi | SiC Schottky Diodes SIC DIODE 650V 30A | на замовлення 354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP3065B-F085 | ON Semiconductor | на замовлення 780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FFSP3065B-F085 | ON Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP3065B-F085 | onsemi | SiC Schottky Diodes Auto SiC Schottky Diode, 650 V | на замовлення 476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP3065B-F085 | ON Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode Automotive AEC-Q101 | на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSP3065B-F085 | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 83968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSP4065BDN-F085 | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP4065BDN-F085 | ON Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP4065BDN-F085 | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSP4065BDN-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FFSP4065BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 40 A, 51 nC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 51nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP4065BDN-F085 | ONSEMI | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO220AB; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 40A Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Kind of package: tube Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP4065BDN-F085 | onsemi | SiC Schottky Diodes 650V 40A SIC SBD GEN.15 | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSPF0665A | onsemi | Description: DIODE SIC 650V 6A TO220F-2FS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220F-2FS Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSPF0665A | onsemi | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A SIC SBD | на замовлення 854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSPF0665A | ONN | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FFSPF0865A | onsemi | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A SIC SBD | на замовлення 838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSPF0865A | ON Semiconductor | на замовлення 749 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FFSPF0865A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FFSPF0865A - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSPF0865A | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220F2FS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220F-2FS Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V | на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSPF1065A | onsemi | Description: DIODE SIC 650V 10A TO220F2FS Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220F-2FS Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSPF1065A | onsemi | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SIC SBD | на замовлення 559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSPF1065A | ON Semiconductor | на замовлення 758 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FFSPF1065A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FFSPF1065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220FP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FP Kapazitive Gesamtladung: 34nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSPF2065A | onsemi | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 20A SIC SBD | на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSPF2065A | ON Semiconductor | на замовлення 930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FFSPF2065A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FFSPF2065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 20 A, 64 nC, TO-220FP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FP Kapazitive Gesamtladung: 64nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSPF2065A | onsemi | Description: DIODE SIC 650V 20A TO220F2FS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220F-2FS Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSRGB2 | OMC | Description: OMC - FFSRGB2 - LED-Lichtband, 200 mm, 36 LED(s), Rot, Grün, Blau, 24 VDC IP-Schutzart: - Farbe der Beleuchtung: Rot, Grün, Blau Länge des Lichtstreifens: 200 Anzahl der LEDs: 36 Eingangsspannung: 24 Eingangsleistung: - Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU03LD | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 03P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU03SA | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 03P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU03SD | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 03P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU06LA | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 06P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU06LD | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 06P Packaging: Bulk | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FFSU06LKA | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 06P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU06LKB | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 06P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU06LKG | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 06P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU06LKM | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 06P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU06LKN | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 06P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU06LKO | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 06P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU06LKP | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 06P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU06LKR | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 06P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU06LKS | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 06P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU06LKV | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 06P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU06LKW | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 06P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU06LKY | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 06P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU06MP | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 06P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU06SA | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 06P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU06SB | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 06P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU06SC | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OS2 06P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSU06SD | Belden Wire & Cable | Fiber Optic Connectors FXU FRAME OS2 06P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

