Продукція > FFS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FFSM1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 11A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.83 грн
10+253.98 грн
50+199.28 грн
100+170.51 грн
500+151.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 11A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 13.5A 4PQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065BonsemiSiC Schottky Diodes SIC SBD GEN1.5 650V 10A PQFM88
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065BONSEMICategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PQFN8x8; SiC; SMD; 650V; 13.5A
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.7V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 13.5A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: PQFN8x8
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1065BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 13.5A 4PQFN
на замовлення 4294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.39 грн
10+197.07 грн
50+153.22 грн
100+130.54 грн
500+110.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 12.5A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.99 грн
10+210.06 грн
100+148.90 грн
500+120.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSM1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, QFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: QFN
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 12.5A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 12.5A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 12.5A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSM1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, QFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: QFN
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 12A SIC SBD
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSM1265A - SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 12A, QFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: QFN
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
Anzahl der Pins: 4 Pin
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 12.5A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 12.5A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.77 грн
10+337.62 грн
100+273.13 грн
500+227.83 грн
1000+195.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265AONSEMICategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PQFN8x8; SiC; SMD; 650V; 12.5A
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12.5A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: PQFN8x8
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM2065BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 23.4A
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.40 грн
10+294.37 грн
50+232.65 грн
100+199.68 грн
500+184.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM2065BonsemiSiC Schottky Diodes SIC SBD GEN1.5 650V 20A PQFM88
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM2065BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 23.4A
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSMC10ASensata-Cynergy3Description: SENSOR LEVEL SWITCH SGL HORIZ
Mounting Type: Cable Mount
Voltage Rating: 110VDC, 250VAC
Output Type: Switch (Single Float)
Packaging: Bag
Current: 10 A
Material - Housing & Prism: High Density Polyethylene (PEHD)
Output Configuration: SPST-NO
Operating Temperature: 0°C ~ 55°C
Type: Liquid
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSMC10ACynergy3Liquid Level Sensors SPNO, 10Amp switch with PVC cable & protective earth
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSMC10AUSensata-Cynergy3Description: SENSOR LEVEL SWITCH SGL HORIZ
Packaging: Bag
Output Type: Switch (Single Float)
Voltage Rating: 110VDC, 250VAC
Mounting Type: Cable Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: 0°C ~ 55°C
Output Configuration: SPST-NO
Material - Housing & Prism: High Density Polyethylene (PEHD)
Current: 10 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSMC10AUCynergy3Liquid Level Sensors SPNO, 10Amp switch with PUR cable, for diesel etc.& protective earth
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSMC10AWCynergy3Level Sensors - Industrial SPNO, 10Amp switch with PVC cable & protective earth WRAS approved
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSMC10AWSensata-Cynergy3Description: SENSOR LEVEL SWITCH SGL HORIZ
Packaging: Bag
Output Type: Switch (Single Float)
Voltage Rating: 110VDC, 250VAC
Mounting Type: Cable Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: 0°C ~ 55°C
Output Configuration: SPST-NO
Material - Housing & Prism: High Density Polyethylene (PEHD)
Current: 10 A
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16696.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSMC10BSensata-Cynergy3Description: SENSOR LEVEL SWITCH SGL HORIZ
Current: 10 A
Material - Housing & Prism: High Density Polyethylene (PEHD)
Output Configuration: SPST-NC
Operating Temperature: 0°C ~ 55°C
Type: Liquid
Mounting Type: Cable Mount
Voltage Rating: 110VDC, 250VAC
Output Type: Switch (Single Float)
Packaging: Bag
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14288.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSMC10BCynergy3Liquid Level Sensors SPNC, 10Amp switch with PVC cable & protective earth
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSMC10BUSensata-Cynergy3Description: SENSOR LEVEL SWITCH SGL HORIZ
Packaging: Bag
Output Type: Switch (Single Float)
Voltage Rating: 110VDC, 250VAC
Mounting Type: Cable Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: 0°C ~ 55°C
Output Configuration: SPST-NC
Material - Housing & Prism: High Density Polyethylene (PEHD)
Current: 10 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSMC10BUCynergy3Liquid Level Sensors SPNC, 10Amp switch with PUR cable, for diesel etc.& protective earth
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSMC10BWSensata-Cynergy3Description: SENSOR LEVEL SWITCH SGL HORIZ
Packaging: Bag
Output Type: Switch (Single Float)
Voltage Rating: 110VDC, 250VAC
Mounting Type: Cable Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: 0°C ~ 55°C
Output Configuration: SPST-NC
Material - Housing & Prism: High Density Polyethylene (PEHD)
Current: 10 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSMC10BWCynergy3Liquid Level Sensors SPNC, 10Amp switch with PVC cable & protective earth WRAS approved
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSMC10CSensata-Cynergy3Description: SENSOR LEVEL SWITCH SGL HORIZ
Current: 10 A
Material - Housing & Prism: High Density Polyethylene (PEHD)
Output Configuration: SPDT
Operating Temperature: 0°C ~ 55°C
Type: Liquid
Mounting Type: Cable Mount
Voltage Rating: 110VDC, 250VAC
Output Type: Switch (Single Float)
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSMC10CCynergy3Liquid Level Sensors SPCO, 10Amp switch with PVC cable
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSMC10CUCynergy3Liquid Level Sensors SPCO, 10Amp switch with PUR cable, for diesel etc.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSMC10CUSensata-Cynergy3Description: SENSOR LEVEL SWITCH SGL HORIZ
Packaging: Bag
Output Type: Switch (Single Float)
Voltage Rating: 110VDC, 250VAC
Mounting Type: Cable Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: 0°C ~ 55°C
Output Configuration: SPDT
Material - Housing & Prism: High Density Polyethylene (PEHD)
Current: 10 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSMC10CWSensata-Cynergy3Description: SENSOR LEVEL SWITCH SGL HORIZ
Packaging: Bag
Output Type: Switch (Single Float)
Voltage Rating: 110VDC, 250VAC
Mounting Type: Cable Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: 0°C ~ 55°C
Output Configuration: SPDT
Material - Housing & Prism: High Density Polyethylene (PEHD)
Current: 10 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSMC10CWCynergy3Liquid Level Sensors SPCO, 10Amp switch with PVC cable WRAS approved
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0465AonsemiDescription: SIC DIODE - 650V, 4A, TO-220-2
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+118.94 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0465AonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 650V 4A SIC SBD
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP05120AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSP05120A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.2 kV, 9.2 A, 37 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 37nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9.2A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP05120AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 9.2A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.73 грн
10+288.76 грн
25+285.83 грн
50+272.90 грн
100+207.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP05120AonsemiDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Supplier Device Package: TO-220-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.17 грн
10+251.87 грн
100+203.75 грн
500+169.97 грн
1000+145.54 грн
2000+137.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP05120Aonsemi / FairchildSchottky Diodes & Rectifiers 1200V SiC SBD 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0665AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 8.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.46 грн
10+210.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0665AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 8.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0665AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 8.8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8.8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.66 грн
50+141.08 грн
100+127.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0665AonsemiSiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 6A 650V
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0665AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 8.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0665AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 8.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0665AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSP0665A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 22 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 22
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0665AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 8.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.81 грн
10+112.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0665BonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODE TO220 650V
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0665BON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP08120AonsemiSiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 8A
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP08120Aonsemi / FairchildSiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 8A
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP08120AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+508.70 грн
50+262.94 грн
100+240.99 грн
500+190.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0865AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 13A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0865AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 13A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0865AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSP0865A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 27 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0865AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 13A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0865AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 13A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 13A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 66355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.20 грн
10+209.23 грн
100+148.27 грн
800+109.27 грн
1600+102.30 грн
2400+98.75 грн
5600+96.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0865AONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 13A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 13A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: tube
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+241.14 грн
3+204.63 грн
10+176.96 грн
15+166.89 грн
30+161.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0865AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 13A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0865AonsemiSiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 8A 650V
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0865BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSP0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0865BonsemiDescription: SIC DIODE TO220 650V
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0865BonsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE TO220 650V
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0865BON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 10.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP10120AONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP10120AonsemiSiC Schottky Diodes TranSic_HV
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP10120AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 13629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.99 грн
50+261.88 грн
100+240.31 грн
500+190.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP10120Aonsemi / FairchildSiC Schottky Diodes TranSic_HV
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+269.13 грн
10+239.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.99 грн
50+195.49 грн
100+178.26 грн
500+138.98 грн
1000+129.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+196.12 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065AONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065BonsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE 650V 10A
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSP1065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11A TO220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 11A
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
на замовлення 27003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.93 грн
50+129.57 грн
100+117.41 грн
500+90.22 грн
1000+83.80 грн
2000+80.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSP1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 11 A, 25 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085ONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.7V
Technology: SiC
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.93 грн
10+186.36 грн
100+131.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085onsemiSiC Schottky Diodes Auto SiC Schottky Diode, 650 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+197.73 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.77 грн
10+249.08 грн
50+195.31 грн
100+167.05 грн
500+138.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+229.83 грн
500+218.05 грн
1000+205.08 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 12A SIC SBD
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+197.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+229.83 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+229.83 грн
500+218.05 грн
1000+205.08 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSP1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1265AONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP15120AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 936pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+517.32 грн
50+269.04 грн
100+246.97 грн
500+197.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP15120AonsemiSiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 15A
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP15120AONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.