Продукція > BSZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSZ146N10LS5ATMA1
Код товару: 208437
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4940+65.25 грн
Мінімальне замовлення: 4940 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 50, Qg, нКл = 15, Rds = 16 мОм, Ugs(th) = 1,7 В, Р, Вт = 52, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TSDSON-8 Очікується: 450 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
5000+72.03 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 4286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3 GInfineonMOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3 GINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 63W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 63W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 5005 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
35+134.57 грн
50+86.38 грн
100+81.35 грн
300+77.99 грн
500+69.61 грн
1000+68.77 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.87 грн
92+153.78 грн
100+148.56 грн
250+138.91 грн
500+125.12 грн
1000+117.18 грн
2500+114.59 грн
5000+112.31 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+136.69 грн
108+132.05 грн
250+128.06 грн
500+120.12 грн
1000+108.50 грн
2500+101.87 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.57 грн
10+89.67 грн
50+67.58 грн
100+56.72 грн
500+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.015 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+71.10 грн
201+70.40 грн
236+60.07 грн
250+57.34 грн
500+48.67 грн
1000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.015 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 13256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.57 грн
11+71.10 грн
25+70.40 грн
100+57.93 грн
250+53.10 грн
500+46.72 грн
1000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KD HInfineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 14558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.55 грн
10+78.50 грн
50+58.90 грн
100+49.34 грн
500+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, 25W, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.95 грн
171+83.05 грн
201+70.39 грн
250+65.96 грн
500+52.61 грн
1000+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.05 грн
10+86.95 грн
25+83.05 грн
100+67.87 грн
250+61.08 грн
500+50.50 грн
1000+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+92.06 грн
162+87.81 грн
181+78.38 грн
200+72.63 грн
500+67.04 грн
1000+60.01 грн
2000+57.48 грн
5000+56.37 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 63/164mΩ
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 5.1/-3.2A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz160HBEFuse: time-lag; glass type; current: 160mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.160MXP; 179120.0.16; 0034.3109 Fuse: time-lag; 160mA Bsz160
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3 G
Код товару: 66694
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GInfineon technologies
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NS G
Код товару: 217024
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NSG
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NSGATMA1InfineonMOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.55 грн
10+78.35 грн
50+58.86 грн
100+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.69 грн
102+139.08 грн
120+117.86 грн
200+107.62 грн
500+99.34 грн
1000+86.18 грн
2000+81.22 грн
5000+79.20 грн
10000+76.78 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3E GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -39.6A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+40.31 грн
50+29.68 грн
100+24.61 грн
500+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 15994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.49 грн
38+20.16 грн
100+13.39 грн
250+11.90 грн
500+8.79 грн
1000+7.32 грн
3000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
702+20.16 грн
1019+13.89 грн
1062+13.32 грн
1379+9.89 грн
1656+7.63 грн
3000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 702 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+41.21 грн
50+30.31 грн
100+25.14 грн
500+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -39.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 (BSZ180P03NS3 G)
Код товару: 191392
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 16403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.60 грн
10+82.80 грн
100+55.76 грн
500+41.46 грн
1000+37.96 грн
2000+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 16653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GInfineon TechnologiesDescription: BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+68.53 грн
50+51.28 грн
100+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ240N12NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 37A TSDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ240N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.