Продукція > BSZ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 50, Qg, нКл = 15, Rds = 16 мОм, Ugs(th) = 1,7 В, Р, Вт = 52, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TSDSON-8 Очікується: 450 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+72.03 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1
Код товару: 208437
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.47 грн
250+59.74 грн
1000+42.57 грн
3000+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3 GInfineonMOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 4562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+136.69 грн
108+132.05 грн
250+128.06 грн
500+120.12 грн
1000+108.50 грн
2500+101.87 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.87 грн
92+153.78 грн
100+148.56 грн
250+138.91 грн
500+125.12 грн
1000+117.18 грн
2500+114.59 грн
5000+112.31 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
на замовлення 12759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+71.10 грн
201+70.40 грн
236+60.07 грн
250+57.34 грн
500+48.67 грн
1000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 19250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.22 грн
10+106.73 грн
100+72.20 грн
500+53.89 грн
1000+49.43 грн
2000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.015 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.81 грн
50+95.92 грн
250+67.55 грн
1000+47.63 грн
3000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.06 грн
10000+41.69 грн
15000+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.57 грн
11+71.10 грн
25+70.40 грн
100+57.93 грн
250+53.10 грн
500+46.72 грн
1000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.015 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.92 грн
250+67.55 грн
1000+47.63 грн
3000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KD HInfineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 14558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.95 грн
171+83.05 грн
201+70.39 грн
250+65.96 грн
500+52.61 грн
1000+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.39 грн
500+47.48 грн
1000+33.65 грн
5000+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.05 грн
10+86.95 грн
25+83.05 грн
100+67.87 грн
250+61.08 грн
500+50.50 грн
1000+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.65 грн
10+86.88 грн
100+58.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, 25W, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 3.2 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.87 грн
10+91.04 грн
100+60.39 грн
500+46.04 грн
1000+37.14 грн
5000+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+92.06 грн
162+87.81 грн
181+78.38 грн
200+72.63 грн
500+67.04 грн
1000+60.01 грн
2000+57.48 грн
5000+56.37 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz160HBEFuse: time-lag; glass type; current: 160mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.160MXP; 179120.0.16; 0034.3109 Fuse: time-lag; 160mA Bsz160
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3 G
Код товару: 66694
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GInfineon technologies
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.27 грн
500+59.25 грн
1000+42.78 грн
5000+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.69 грн
10000+55.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.69 грн
10000+55.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.45 грн
122+116.24 грн
166+85.59 грн
250+81.71 грн
500+61.14 грн
1000+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
на замовлення 5038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.30 грн
10+86.42 грн
100+58.50 грн
500+43.67 грн
1000+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.93 грн
10+101.61 грн
100+75.27 грн
500+59.25 грн
1000+42.78 грн
5000+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.65 грн
10+118.45 грн
25+116.24 грн
100+82.53 грн
250+75.66 грн
500+58.69 грн
1000+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NS G
Код товару: 217024
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NSG
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NSGATMA1InfineonMOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ165N04NSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 20768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.69 грн
102+139.08 грн
120+117.86 грн
200+107.62 грн
500+99.34 грн
1000+86.18 грн
2000+81.22 грн
5000+79.20 грн
10000+76.78 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.97 грн
500+62.27 грн
1000+49.12 грн
5000+48.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.55 грн
10+99.03 грн
100+73.92 грн
500+55.87 грн
1000+55.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.50 грн
10+113.80 грн
100+86.97 грн
500+62.27 грн
1000+49.12 грн
5000+48.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3 GInfineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3E GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.49 грн
38+20.16 грн
100+13.39 грн
250+11.90 грн
500+8.79 грн
1000+7.32 грн
3000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
702+20.16 грн
1019+13.89 грн
1062+13.32 грн
1379+9.89 грн
1656+7.63 грн
3000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 702 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -39.6A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 40W
Gate-source voltage: ±25V
Case: PG-TSDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.30 грн
500+16.61 грн
1000+12.75 грн
5000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.10 грн
24+34.55 грн
100+24.30 грн
500+16.61 грн
1000+12.75 грн
5000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -39.6A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 40W
Gate-source voltage: ±25V
Case: PG-TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.90 грн
50+36.01 грн
250+29.99 грн
1000+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.01 грн
250+29.99 грн
1000+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 7639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+42.42 грн
100+28.94 грн
500+22.02 грн
1000+19.07 грн
2000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 (BSZ180P03NS3 G)
Код товару: 191392
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz200HBEFuse: time-lag; glass type; current: 200mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.200MXP; 179120.0,2 Fuse: time-lag; 200mA Bsz200
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 687 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.35 грн
250+56.82 грн
1000+36.00 грн
3000+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 7127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.31 грн
10+85.35 грн
100+56.57 грн
500+38.64 грн
1000+33.16 грн
5000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.60 грн
10+82.80 грн
100+55.76 грн
500+41.46 грн
1000+37.96 грн
2000+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 12916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GInfineon TechnologiesDescription: BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.68 грн
10+80.16 грн
100+53.46 грн
500+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ240N12NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 37A TSDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ240N12NS3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ240N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ240N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 37A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ240N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 60 V
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.03 грн
10+100.01 грн
100+67.46 грн
500+50.21 грн
1000+46.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]