Продукція > BTS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BTS244ZE3062ANTMA1 | Infineon Technologies | Description: BTS244 - TEMPFET, AUTOMOTIVE LOW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-5-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB Packaging: Bulk | на замовлення 24500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS244ZNKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-5-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Power Dissipation (Max): 170W (Tc) FET Feature: Temperature Sensing Diode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-5 Formed Leads Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS245A | Essentra Components | Description: HEX STANDOFF 8-32 BRASS 1-1/2" | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS247Z | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 12634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS247Z | INF | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS247Z Код товару: 103956
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні УКТЗЕД: 8541290010 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BTS247Z | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive 5-Pin(5+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS247Z | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 55V 44A TO220-5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS247Z | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive 5-Pin(5+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 10815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS247Z | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive 5-Pin(5+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS247Z | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive 5-Pin(5+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS247Z E3043 | Infineon Technologies | MOSFETs TEMPFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS247Z E3062A | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 55V 44A D2PAK-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS247Z E3062A | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-5-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) FET Feature: Temperature Sensing Diode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS247ZAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-5-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) FET Feature: Temperature Sensing Diode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-5 Formed Leads Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS247ZE3043AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5-43 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: P-TO220-5-43 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) FET Feature: Temperature Sensing Diode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-5 Packaging: Tube | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS247ZE3043AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5-43 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: P-TO220-5-43 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) FET Feature: Temperature Sensing Diode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-5 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS247ZE3043AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(5+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS247ZE3062AATMA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-5-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS247ZE3062AATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 55V 19A D2PAK-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS247ZE3062AATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS247ZE3062AATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS247ZE3062AATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO263-5-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS247ZE3062AATMA2 | Infineon | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BTS247ZE3062AATMA2 Код товару: 133040
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BTS247ZE3062AATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS247ZE3062ANTMA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-5-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Packaging: Bulk | на замовлення 80650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS247ZE3062ANTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) TO-220AB SMD T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS247ZE3062ANTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) TO-220AB SMD T/R | на замовлення 119650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS2510 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BTS2540 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BTS2821J | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS282Z Код товару: 119862
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BTS282Z | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 49V 6.7A TO220-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS282Z E3180A | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 49V 13A TO220-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS282Z E3180A | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-7-180 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS282Z E3230 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-7 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Supplier Device Package: P-TO220-7-230 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS282Z E3230 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 49V 80A TO220-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS282ZAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-7 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Supplier Device Package: P-TO220-7-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS282ZDELCO | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: P-TO220-7-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-7 Formed Leads Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS282ZE3180A | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS282ZE3180AATMA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS282ZE3180AATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 49V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TEMPFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm | на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS282ZE3180AATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS282ZE3180AATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 49V 36A D2PAK-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS282ZE3180AATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 36A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-TO263-7-1 On-state resistance: 6.5mΩ Kind of package: reel; tape Output voltage: 49V Technology: TEMPFET® Integrated circuit features: internal temperature sensor Operating temperature: -40...175°C Power dissipation: 300W | на замовлення 75 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS282ZE3180AATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 49V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TEMPFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm | на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS282ZE3180AATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS282ZE3180AATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS282ZE3180ANTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-220 SMD T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS282ZE3180ANTMA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS282ZE3230 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-7-12 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-7 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS282ZE3230 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BTS282ZE3230 - BTS282 TEMPFET, AUTOMOTIVE LOW-SIDE TEM tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS282ZE3230AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HITFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS282ZE3230AKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; THT; tube; 300W Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 36A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: THT Case: PG-TO220-7-12 On-state resistance: 6.5mΩ Kind of package: tube Output voltage: 49V Technology: TEMPFET® Integrated circuit features: internal temperature sensor Operating temperature: -40...175°C Power dissipation: 300W | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS282ZE3230AKSA2 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BTS282ZE3230AKSA2 - BTS282 TEMPFET, AUTOMOTIVE LOW-SIDE TEM tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS282ZE3230AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 49V 80A 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS282ZE3230AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-7 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-7-12 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS282ZE3230AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 49V 80A 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS282ZE3230AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-7 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-7-12 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 49 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS282ZE3230AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 49V 80A 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS282ZE3230AKSA2 Код товару: 163635
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BTS30-LDTL | Autonics USA | Description: SENSOR, PHOTO, CONVERGENT REFLEC Packaging: Box Adjustment Type: Adjustable Sensing Distance: 0.197" ~ 1.181" (5mm ~ 30mm) Sensing Method: Reflective Operating Temperature: -20°C ~ 55°C (TA) Output Configuration: NPN - Open Collector/Light-ON Voltage - Supply: 12V ~ 24V Response Time: 1ms Ingress Protection: IP67 Cable Length: 78.74" (2m) Connection Method: Cable Light Source: Red (650nm) Part Status: Active | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS30-LDTL | Autonics | Description: SENSOR CONVERGENT 5-30MM NPN Packaging: Bag Sensing Distance: 0.197" ~ 1.181" (5mm ~ 30mm) Sensing Method: Reflective, Convergent Operating Temperature: -20°C ~ 55°C (TA) Output Configuration: NPN - Open Collector/Light-ON Voltage - Supply: 12V ~ 24V Response Time: 1ms Ingress Protection: IEC IP67 Cable Length: 78.74" (2m) Connection Method: Cable Light Source: Red (650nm) Part Status: Active | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS30-LDTL-P | Autonics | Description: SENSOR CONVERGENT 5-30MM PNP Part Status: Active Light Source: Red (650nm) Connection Method: Cable Cable Length: 78.74" (2m) Ingress Protection: IEC IP67 Response Time: 1ms Voltage - Supply: 12V ~ 24V Output Configuration: PNP - Open Collector/Light-ON Operating Temperature: -20°C ~ 55°C (TA) Sensing Method: Reflective, Convergent Sensing Distance: 0.197" ~ 1.181" (5mm ~ 30mm) Packaging: Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS30-LDTL-P | Autonics USA | Description: SENSOR, PHOTO, CONVERGENT REFLEC Packaging: Box Adjustment Type: Adjustable Sensing Distance: 0.197" ~ 1.181" (5mm ~ 30mm) Sensing Method: Reflective Operating Temperature: -20°C ~ 55°C (TA) Output Configuration: PNP - Open Collector/Light-ON Voltage - Supply: 12V ~ 24V Response Time: 1ms Ingress Protection: IP67 Cable Length: 78.74" (2m) Connection Method: Cable Light Source: Red (650nm) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS3011TEATMA1 | Infineon Technologies | Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.3V to 5.5V 10A Automotive AEC-Q100 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R | на замовлення 5025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3011TEATMA1 | Infineon Technologies | Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.3V to 5.5V 10A Automotive AEC-Q100 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3011TEATMA1 | Infineon Technologies | Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Low Side Rds On (Typ): 10.7mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 3V ~ 28V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V Current - Output (Max): 10A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: PG-TO252-5 Fault Protection: Over Current, Over Voltage, Short Circuit Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3011TEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BTS3011TEATMA1 - LEISTUNGSSCHALTER LOW-SIDE -40 BIS 150°C tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.0107ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Strombegrenzung: 10A IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: Low-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3011TEATMA1 | Infineon Technologies | Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.3V to 5.5V 10A Automotive AEC-Q100 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS3011TEATMA1 | Infineon Technologies | Power Switch ICs - Power Distribution HITFET | на замовлення 7806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3011TEATMA1 | Infineon Technologies | Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.3V to 5.5V 10A Automotive AEC-Q100 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R | на замовлення 5025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3011TEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BTS3011TEATMA1 - LEISTUNGSSCHALTER LOW-SIDE -40 BIS 150°C tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.0107ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Strombegrenzung: 10A IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: Low-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3011TEATMA1 | Infineon Technologies | Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Low Side Rds On (Typ): 10.7mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 3V ~ 28V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V Current - Output (Max): 10A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: PG-TO252-5 Fault Protection: Over Current, Over Voltage, Short Circuit Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 29162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3011TEATMA1 | Infineon | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BTS3011TEDEMOBOARDTOBO1 | Infineon Technologies | BTS3011TEDEMOBOARDTOBO1 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS3011TEDEMOBOARDTOBO1 | INFINEON | Description: INFINEON - BTS3011TEDEMOBOARDTOBO1 - Demoboard, Power-Management, BTS3011TE, Low-Side-Leistungsschalter tariffCode: 84733020 Prozessorkern: BTS3011TE Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Demoboard BTS3011TE euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: Low-Side-Leistungsschalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3011TEDEMOBOARDTOBO1 | Infineon Technologies | Power Management IC Development Tools IPD_OTHER | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3011TEDEMOBOARDTOBO1 | Infineon Technologies | BTS3011TEDEMOBOARDTOBO1 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3011TEDEMOBOARDTOBO1 | Infineon Technologies | Description: BTS3011TE DEMOBOARD Packaging: Bulk Function: Switch Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: BTS3011TE Platform: Arduino Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3011TEDEMOBOARDTOBO1 | Infineon Technologies | BTS3011TEDEMOBOARDTOBO1 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3018TC | Infineon Technologies | Power Switch ICs - Power Distribution HITFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS3018TCATMA1 | Infineon Technologies | Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Low Side Rds On (Typ): 18mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 60V (Max) Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 6A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage Part Status: Active | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3018TCATMA1 | Infineon | IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO263-3 Інтелектуальні силові ключі (IPS) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS3018TCATMA1 | Infineon Technologies | Current Limit SW 1-IN 1-OUT 2V to 10V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS3018TCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BTS3018TCATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, Low-Side, MOSFET, AEC-Q100, 1 Ausgang, 10V, 6A, 0.018 Ohm, TO-263-3 tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.018ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N Strombegrenzung: 6A IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK) MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: Low-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 10V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3018TCATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS3018TCATMA1 | Infineon Technologies | Current Limit SW 1-IN 1-OUT 2V to 10V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q100 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3018TCATMA1 | Infineon Technologies | Power Switch ICs - Power Distribution HITFET | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3018TCATMA1 Код товару: 192490
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BTS3018TCATMA1 | Infineon | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BTS3018TCATMA1 | Infineon Technologies | Current Limit SW 1-IN 1-OUT 2V to 10V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS3018TCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BTS3018TCATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, Low-Side, MOSFET, AEC-Q100, 1 Ausgang, 10V, 6A, 0.018 Ohm, TO-263-3 tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.018ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y Strombegrenzung: 6A IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK) MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: Low-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 10V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3018TCATMA1 | Infineon Technologies | Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Low Side Rds On (Typ): 18mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 60V (Max) Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 6A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage Part Status: Active | на замовлення 1738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3018TCATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; low-side; 6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263 Type of integrated circuit: power switch Kind of output: N-Channel Case: PG-TO263 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -40...150°C On-state resistance: 18mΩ Number of channels: 1 Output current: 6A Technology: HITFET® Output voltage: 60V Kind of integrated circuit: low-side | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS3018TCATMA1 | Infineon Technologies | Current Limit SW 1-IN 1-OUT 2V to 10V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q100 | на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3018TCATMA1 | Infineon Technologies | Current Limit SW 1-IN 1-OUT 2V to 10V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q100 | на замовлення 741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BTS3028SDL | Infineon Technologies | Description: BTS3028 - HITFET, AUTOMOTIVE SMA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 237 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BTS3028SDL | Infineon Technologies | Power Switch ICs - Power Distribution HITFET | на замовлення 1355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

