Продукція > IMB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2017.52 грн
50+1872.66 грн
100+1616.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 189A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1471.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2127.20 грн
10+2126.25 грн
25+2125.30 грн
100+2048.49 грн
250+1895.91 грн
500+1819.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2641.70 грн
5+2330.02 грн
10+2017.52 грн
50+1872.66 грн
100+1616.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1415.89 грн
50+1314.01 грн
100+1106.62 грн
250+1084.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 144A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 56.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1718.69 грн
10+1199.51 грн
100+1141.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1623.51 грн
10+1447.74 грн
25+1426.95 грн
100+1372.34 грн
250+1267.31 грн
500+1212.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1912.82 грн
5+1664.76 грн
10+1415.89 грн
50+1314.01 грн
100+1106.62 грн
250+1084.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 144A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 56.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+968.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1737.24 грн
10+1288.49 грн
100+1087.98 грн
500+1087.29 грн
1000+900.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 144A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1623.51 грн
10+1447.74 грн
25+1426.95 грн
100+1372.34 грн
250+1267.31 грн
500+1212.57 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1219.05 грн
10+1057.46 грн
25+1046.97 грн
100+989.16 грн
250+876.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1420.72 грн
5+1295.08 грн
10+1169.44 грн
50+1050.76 грн
100+937.48 грн
250+918.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 107A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 40.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 800 V
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1269.80 грн
10+870.82 грн
100+776.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1219.05 грн
14+1057.46 грн
25+1046.97 грн
100+989.16 грн
250+876.07 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1169.44 грн
50+1050.76 грн
100+937.48 грн
250+918.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 107A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 40.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+658.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 107A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 87A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1083.26 грн
10+753.40 грн
100+599.22 грн
1000+508.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+833.77 грн
10+826.69 грн
25+819.60 грн
100+783.58 грн
250+719.21 грн
500+684.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+826.69 грн
25+819.60 грн
100+783.58 грн
250+719.21 грн
500+684.37 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+869.83 грн
50+769.56 грн
100+570.91 грн
250+559.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 87A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1008.07 грн
10+683.63 грн
100+618.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1097.76 грн
5+943.93 грн
10+790.10 грн
50+681.31 грн
100+580.58 грн
250+568.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+694.25 грн
50+643.92 грн
100+550.89 грн
250+539.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 75A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+796.26 грн
21+694.39 грн
25+691.36 грн
100+657.19 грн
250+599.74 грн
500+567.32 грн
1000+558.90 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+796.26 грн
10+694.39 грн
25+691.36 грн
100+657.19 грн
250+599.74 грн
500+567.32 грн
1000+558.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+878.69 грн
10+639.08 грн
100+498.43 грн
500+472.19 грн
1000+415.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+957.62 грн
5+826.34 грн
10+694.25 грн
50+643.92 грн
100+550.89 грн
250+539.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 75A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+862.84 грн
10+579.67 грн
100+505.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+996.98 грн
100+947.36 грн
500+897.75 грн
1000+816.71 грн
10000+711.91 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1019.63 грн
10+706.56 грн
100+553.65 грн
500+552.96 грн
1000+470.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1151.72 грн
5+989.03 грн
10+826.34 грн
50+709.73 грн
100+588.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 56A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+514.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1064.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+751.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1398.60 грн
15+973.35 грн
50+954.45 грн
100+759.98 грн
1000+617.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+828.75 грн
50+679.07 грн
100+543.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 56A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1047.68 грн
10+710.33 грн
100+605.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+641.90 грн
50+587.83 грн
100+495.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+792.94 грн
10+572.34 грн
100+522.33 грн
500+350.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+792.48 грн
25+787.47 грн
100+754.33 грн
250+693.90 грн
500+661.69 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+797.58 грн
10+792.48 грн
25+787.47 грн
100+754.33 грн
250+693.90 грн
500+661.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+728.08 грн
5+685.39 грн
10+641.90 грн
50+587.83 грн
100+495.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC DISCRETE
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+726.47 грн
10+560.49 грн
100+405.92 грн
500+375.55 грн
1000+318.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+717.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+719.22 грн
5+668.48 грн
10+616.93 грн
50+525.00 грн
100+440.44 грн
250+431.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 52A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+842.65 грн
10+559.56 грн
100+416.90 грн
500+350.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+709.56 грн
10+547.79 грн
100+396.26 грн
500+366.57 грн
1000+311.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+490.46 грн
30+485.64 грн
100+463.64 грн
250+425.00 грн
500+403.87 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+616.93 грн
50+525.00 грн
100+440.44 грн
250+431.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+349.66 грн
2000+320.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+495.27 грн
10+490.46 грн
25+485.64 грн
100+463.64 грн
250+425.00 грн
500+403.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+939.90 грн
10+667.66 грн
100+489.45 грн
500+468.74 грн
1000+423.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+963.90 грн
100+954.45 грн
200+830.15 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1044.55 грн
25+996.32 грн
50+956.23 грн
100+889.57 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+658.01 грн
50+607.27 грн
100+483.93 грн
250+477.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+480.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+828.67 грн
10+579.60 грн
100+530.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+647.42 грн
25+637.12 грн
100+604.43 грн
250+550.46 грн
500+519.53 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+486.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+805.40 грн
5+732.11 грн
10+658.01 грн
50+607.27 грн
100+483.93 грн
250+477.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+777.26 грн
100+738.28 грн
500+699.30 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+449.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+657.72 грн
10+647.42 грн
25+637.12 грн
100+604.43 грн
250+550.46 грн
500+519.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+471.96 грн
50+394.13 грн
100+322.39 грн
250+316.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+419.11 грн
35+406.44 грн
100+385.82 грн
250+351.59 грн
500+332.10 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 41A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52.6mOhm @ 13.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+419.11 грн
10+412.78 грн
25+406.44 грн
100+385.82 грн
250+351.59 грн
500+332.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.57 грн
10+419.97 грн
100+290.63 грн
1000+247.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+690.23 грн
5+581.50 грн
10+471.96 грн
50+394.13 грн
100+322.39 грн
250+316.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52.6mOhm @ 13.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+544.42 грн
10+357.63 грн
100+278.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+547.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+617.74 грн
10+465.22 грн
100+316.18 грн
1000+298.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+721.64 грн
5+622.57 грн
10+522.70 грн
50+446.48 грн
100+306.51 грн
250+300.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+565.82 грн
100+537.47 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 36A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 13A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+966.64 грн
25+922.01 грн
50+884.91 грн
100+823.22 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+522.70 грн
50+446.48 грн
100+306.51 грн
250+300.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+622.38 грн
22000+571.46 грн
33000+534.51 грн
44000+488.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 36A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 13A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+634.51 грн
10+419.41 грн
100+338.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+555.72 грн
10+395.45 грн
100+289.14 грн
500+228.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+335.76 грн
46+311.28 грн
100+299.35 грн
250+276.41 грн
500+264.63 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]