Продукція > IRL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRL3803VSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803VSPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 140A 5.5mOhm 50.7nC LogLv
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803VSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803VSPBFIR
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803VSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3803VSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B209Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B209
Код товару: 168507
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 414A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+247.98 грн
90+157.46 грн
111+128.23 грн
500+115.47 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B209Infineon TechnologiesMOSFETs 40V, 195A, 1.25 mOhm 180 nC Qg, Logic Lv
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B209ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL40B209 - IRL40B209 - TRENCH < 40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B209InfineonMOSFET N-CH 40V 195A TO-220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B212Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B212Infineon TechnologiesMOSFETs 40V, 195A, 1.9 mOhm 91 nC Qg, Logic Lvl
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B212INFINEONDescription: INFINEON - IRL40B212 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 195
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 231
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 231
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B212Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B212Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B215ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL40B215 - IRL40B215 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B215Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.07 грн
103+138.58 грн
250+133.01 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B215Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 98A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5225 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B215International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
1000+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B215International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
1000+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B215Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 98A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5225 pF @ 25 V
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+119.15 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B215Infineon TechnologiesMOSFET 40V, 120A, 2.7 mOhm 56 nC Qg, Logic Lvl
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B215Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
1000+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40DM247Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40DM247XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-8-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.63 грн
10+151.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40DM247XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40DM247XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 10-Pin Direct-FET ME T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40DM247XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-8-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40DM247XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 44A 10-Pin Direct-FET ME T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212Infineon TechnologiesMOSFET 40V, 195A, 1.9 mOhm 91 nC Qg, Logic Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRL40S212ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212ARMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+49.36 грн
1600+43.91 грн
2400+42.06 грн
4000+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212ARMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212ARMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRL40S212ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212ARMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
на замовлення 14364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.20 грн
10+95.48 грн
100+65.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.85 грн
10+246.74 грн
50+193.51 грн
100+165.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+404.99 грн
54+261.92 грн
100+205.04 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+174.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209INFINEONDescription: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209InfineonMOSFET N-CH 40V 478A D2PAK-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+168.40 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+174.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209INFINEONDescription: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 7485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+404.99 грн
10+261.92 грн
100+205.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 478A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 478A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 0.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 267nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 478A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+168.40 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228InfineonN-Channel 557A (Tc) 416W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+167.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+171.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 557A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 307 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19680 pF @ 25 V
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.85 грн
10+246.81 грн
50+193.74 грн
100+165.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+413.34 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+279.48 грн
62+229.31 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesMOSFETs HEXFET Power MOSFET N-Channel 40V, D2PAK-7
на замовлення 5679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+171.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.48 грн
10+229.31 грн
25+172.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+362.17 грн
10+228.11 грн
50+187.86 грн
100+171.08 грн
250+151.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228INFINEONDescription: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 650 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 557A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 307 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19680 pF @ 25 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+145.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+413.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+264.37 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+352.98 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228
Код товару: 204213
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228INFINEONDescription: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 650 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 586A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRL40T209ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 586A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRL40T209ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 586A; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 586A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 586A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510SiliconixN-MOSFET 100V 5.6A IRL510 TIRL510
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRL5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510AONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 2.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510LVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510L
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
427+33.20 грн
431+32.88 грн
436+32.45 грн
500+29.29 грн
1000+26.79 грн
2000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRL510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.39 грн
156+91.14 грн
250+77.53 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 392 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.38 грн
10+69.02 грн
50+56.27 грн
100+51.33 грн
250+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.84 грн
10+112.39 грн
50+85.50 грн
100+72.11 грн
500+57.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.18 грн
50+32.85 грн
100+32.43 грн
500+29.27 грн
1000+26.77 грн
2000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
10+85.06 грн
50+64.07 грн
100+53.76 грн
500+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.