Продукція > NTH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTHGAV11A2001L0Amphenol Commercial ProductsAmphenol NTHGAV11A2001L0
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL012N065M3Sonsemi SIC MOS TO247-3L 12MOHM 650V M3S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2394.02 грн
10+1617.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 115A; Idm: 484A; 321W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 484A
Power dissipation: 321W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 283nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+2175.74 грн
100+2067.31 грн
500+1957.70 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2073.97 грн
30+1294.05 грн
60+1210.55 грн
120+1086.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 643W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+1681.19 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2394.02 грн
10+1617.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1548.24 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+2175.74 грн
100+2067.31 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL016N065M3Sonsemi SIC MOS TO247-3L 16MOHM 650V M3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL016N065M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 16MOHM 650V M3S
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1021.31 грн
10+689.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL017N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL017N60S5HonsemiMOSFETs SF5 600V FAST 17MOHM WITH
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL017N60S5HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 75A; Idm: 431A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 431A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL019N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 37.5A,10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 400 V
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1192.18 грн
10+816.45 грн
50+675.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL019N60S5FAptina ImagingPower MOSFET, N-Channel
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+1765.58 грн
25+1730.22 грн
100+1659.50 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL019N60S5FonsemiMOSFETs SUPERFET5 FRFET 19MOHM
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL019N65S3HonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1827.86 грн
30+1139.50 грн
60+1123.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL019N65S3HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 73A; Idm: 328A; 625W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 73A
Power dissipation: 625W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 328A
Gate charge: 282nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL019N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 650V TO247
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL019N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N090SC1onsemiSiC MOSFETs 20MOHM 900V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N090SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+2304.21 грн
25+2258.25 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 503W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 503W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2157.06 грн
30+1346.36 грн
60+1259.52 грн
120+1130.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2103.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 535W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2103.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2649.29 грн
30+1688.58 грн
60+1586.27 грн
120+1476.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+2261.72 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1On SemiconductorTO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1onsemiSiC MOSFETs 20MW 1200V
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3134.99 грн
10+2278.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1023.57 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL022N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1243.40 грн
10+1054.26 грн
30+1032.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1425.80 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL022N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1271.35 грн
10+904.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1243.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL022N120M3S.ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL022N120M3S. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 68A, TO-247
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 352W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL023N065M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL023N065M3SONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 49A; Idm: 218A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 218A
Power dissipation: 131W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...22V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL023N065M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.62V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3LD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.1 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1782 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL023N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
на замовлення 2662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 323A
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1473.57 грн
10+1017.90 грн
50+846.78 грн
450+708.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+1529.86 грн
25+1499.21 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1266.31 грн
10+1108.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+1529.86 грн
25+1499.21 грн
100+1437.92 грн
500+1327.47 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1108.85 грн
270+1068.31 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HFonsemiMOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 400 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1526.87 грн
30+936.56 грн
60+894.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL027N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL030N120M3SAptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1106.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1106.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+920.20 грн
30+534.84 грн
60+492.94 грн
120+429.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL030N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 30MOHM 1200V M3
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL030N120M3SONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
60+609.63 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL032N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL032N065M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL032N065M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+642.73 грн
10+424.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL033N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53A; Idm: 175A; 500W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL033N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL033N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6720 pF @ 400 V
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+920.20 грн
30+539.19 грн
60+497.87 грн
120+435.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL033N65S3HFonsemiMOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL033N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3SAptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+718.02 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+790.87 грн
30+454.23 грн
60+417.62 грн
120+363.03 грн
510+316.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3SOn SemiconductorN-Channel 1200 V 54A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+805.61 грн
10+718.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1739.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 348W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1739.65 грн
10+1655.73 грн
30+1214.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1667.17 грн
30+1016.87 грн
60+946.94 грн
120+833.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1243.13 грн
30+749.40 грн
60+696.14 грн
120+646.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO247
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.