Продукція > SIH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 15 18 21 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIHD5N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET DPAK (TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.99 грн
10+73.13 грн
50+54.78 грн
100+45.83 грн
500+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD690N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD690N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V DPAK (TO-252) N-CHANNEL
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 620V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHD6N62E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 620 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 620
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 78
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 78
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.78
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62ET1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62ET1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N62ET1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 620V Vds E Series DPAK TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHD6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65E-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.88 грн
10+106.65 грн
75+75.89 грн
150+64.19 грн
525+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHD6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65ET1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65ET1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65ET4-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65ET4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65ET5-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds E Series DPAK TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65ET5-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80AE-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80AE-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.14 грн
10+84.53 грн
75+59.54 грн
150+50.15 грн
525+41.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80AET1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 800V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80AET1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 800V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80AET4-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 800V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80AET4-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 800V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80E-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; Idm: 15A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.56 грн
10+131.74 грн
50+100.75 грн
100+85.19 грн
500+68.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHD7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 40nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 3172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.09 грн
10+116.30 грн
100+79.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-GE3-XVishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60ET-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60ET1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60ET4-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 600V Vds E Series DPAK TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60ET4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60ET5-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60ET5-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 600V Vds E Series DPAK TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD9N60E-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 368mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 52nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD9N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD9N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 368mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHDGGA120A01Amphenol SocapexRectangular Mil Spec Connectors THERMAL CLAMP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF065N60E-GE3VishaySIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF065N60E-GE3VishaySIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF065N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 40A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+590.47 грн
10+386.31 грн
50+308.47 грн
100+265.98 грн
500+224.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF065N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF065N60E-GE3VishaySIHF065N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab ) TO-220FP - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 115A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.068 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.43 грн
10+296.92 грн
50+234.51 грн
100+201.24 грн
500+168.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF074N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF074N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.079 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF074N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF074N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.079 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF074N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2904 pF @ 100 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+612.57 грн
10+403.57 грн
100+322.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF074N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF080N60EVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF080N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.59 грн
10+248.72 грн
50+195.03 грн
100+166.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF080N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 14A Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF080N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 96A; 35W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 35W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF080N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 14A Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF080N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.08 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF080N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 14A E SERIES
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF085N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF085N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF085N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs EF Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 84 mohm a. 10V
на замовлення 1581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF085N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+236.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF085N60EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF085N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF10N40D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF10N40D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF10N40D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.42 грн
10+124.42 грн
100+90.97 грн
500+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF10N40D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF110N65SF-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.92 грн
10+202.20 грн
50+157.23 грн
100+133.98 грн
500+110.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF110N65SF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N50C-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.33 грн
50+207.10 грн
100+189.27 грн
500+148.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N50C-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+329.16 грн
65+217.56 грн
80+176.25 грн
100+153.15 грн
500+116.44 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-E3
Код товару: 171580
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+329.16 грн
10+217.56 грн
50+176.25 грн
100+153.15 грн
500+116.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.71 грн
10+163.28 грн
50+125.96 грн
100+106.91 грн
500+87.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 15 18 21 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]