Продукція > SIR

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIR462DPR462
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+79.18 грн
100+54.72 грн
500+40.75 грн
1000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3VISHAY08+ DIP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DPR464
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 10789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+52.03 грн
274+51.77 грн
275+51.49 грн
303+45.10 грн
306+41.34 грн
500+35.61 грн
1000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3VISHAY1041+ QFN-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 20509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
10+76.38 грн
100+51.19 грн
500+37.89 грн
1000+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.86 грн
15+52.03 грн
25+51.77 грн
50+49.65 грн
100+41.76 грн
250+39.69 грн
500+35.61 грн
1000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.86 грн
14+59.26 грн
100+49.50 грн
500+41.74 грн
1000+35.18 грн
5000+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.73 грн
6000+30.26 грн
9000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.42 грн
6000+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR468DP-T1-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR468DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR468DP-T1-GE3VISHAY QFN 12+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR468DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR468DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 40A 50W 5.7mohm @ 10V
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR470DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR470DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.86 грн
10+167.45 грн
100+122.74 грн
500+92.08 грн
1000+83.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR470DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 20 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+77.62 грн
6000+72.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR470DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 29837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR470DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR470DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+268.81 грн
59+243.53 грн
62+229.56 грн
100+187.01 грн
250+170.81 грн
500+134.03 грн
1000+111.68 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR470DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 20 V
на замовлення 26670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.82 грн
10+157.60 грн
100+109.95 грн
500+84.07 грн
1000+83.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR470DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.81 грн
10+243.53 грн
25+229.56 грн
100+186.71 грн
250+170.81 грн
500+134.03 грн
1000+111.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR472ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 6053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.44 грн
100+29.64 грн
500+21.44 грн
1000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR472ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR472ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR472ADP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR472DP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR472DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.06 грн
29+26.24 грн
50+24.89 грн
100+22.70 грн
250+21.43 грн
500+21.07 грн
1000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR472DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR472DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRA18DP-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR472DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR472DP-T1-GE3
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR472DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR472DP-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 20
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 3.9
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474VISHAY09+
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 20A 29.8W
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.54 грн
10+60.23 грн
100+46.21 грн
500+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-GE3VISHAYQFN
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-GE3
Код товару: 100039
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DPR474
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR476DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR476DP-T1-GE3
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR476DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25V 60A 104W 1.7mohm @ 10V
на замовлення 3255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR476DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR482DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR484DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR484DP-T1-GE3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR484DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR484DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR492DP
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR492DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR492DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 40A 36W 3.8mohm @ 4.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR492DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR494EVERLIGHT04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR494DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 60A 104W 1.2mohm @ 10V
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR494DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+72.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR494DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR496DP-T1-E3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR496DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR496DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR500DPVishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 350.8A; Idm: 500A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 0.68mΩ
Power dissipation: 104.1W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 350.8A
Pulsed drain current: 500A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 85.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR500DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 470 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 38002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.00 грн
10+103.23 грн
100+73.16 грн
500+51.48 грн
1000+45.71 грн
5000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR500DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 390µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00039ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 38958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.28 грн
500+60.91 грн
1000+46.68 грн
5000+46.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 4.7 m 10V 6.8 m 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR505ST47ROHM04+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.01 грн
10+168.85 грн
100+120.37 грн
500+94.33 грн
1000+87.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5102DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.69 грн
500+114.73 грн
1000+103.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5102DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.07 грн
10+200.77 грн
100+157.69 грн
500+114.73 грн
1000+103.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 110A; Idm: 300A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 5.6mΩ
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 300A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3VishayMOSFETs SOT669 100V 110A N-CH MOSFET
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR5108DPVishay / SiliconixMOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 10.5 mohm a. 10V 10.1 mohm a. 7.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5108DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs SO8 100V 55.9A N CHAN
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5108DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.45mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5108DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.45mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]