Продукція > SQJ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQJ488EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T2_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T2_BE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 100V(D-S)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.45 грн
10+112.73 грн
25+92.51 грн
100+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T2_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T2_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T2_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T2_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.84 грн
6000+34.70 грн
9000+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.64 грн
10+72.09 грн
100+56.05 грн
500+44.59 грн
1000+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ500AEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ500AEP-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N and P CH 40V (D-S)
на замовлення 42034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.47 грн
10+100.82 грн
100+59.37 грн
500+47.29 грн
1000+43.42 грн
3000+40.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ500AEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ500AEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ500AEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ500AEP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ500AEP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 55037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.47 грн
10+100.82 грн
100+59.37 грн
500+47.29 грн
1000+43.42 грн
3000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ500EP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 8A 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PowerPAK SO-8L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.90 грн
10+87.87 грн
100+59.35 грн
500+44.25 грн
1000+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.71 грн
6000+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.11 грн
6000+38.84 грн
9000+37.48 грн
15000+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ504EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6100µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6100µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.08 грн
500+48.09 грн
1000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.00 грн
10+94.38 грн
100+64.01 грн
500+47.86 грн
1000+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40/-40V Vds; SO-8L +/-20V Vgs
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.47 грн
10+100.82 грн
100+59.37 грн
500+47.29 грн
1000+43.42 грн
3000+40.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ504EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6100µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6100µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.80 грн
10+95.84 грн
100+65.08 грн
500+48.09 грн
1000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1-BE3VishayMOSFETs POWRPK DUAL CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1/BE3VishayArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.09 грн
6000+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1_BE3VishayMOSFETs N- AND P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.26 грн
10+76.13 грн
100+51.25 грн
500+38.11 грн
1000+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.90 грн
10+88.10 грн
100+59.54 грн
500+44.40 грн
1000+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 49684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.59 грн
10+88.12 грн
100+57.44 грн
500+45.63 грн
1000+41.21 грн
3000+37.00 грн
6000+36.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.65 грн
10+77.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.87 грн
6000+35.88 грн
9000+34.60 грн
15000+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ560EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0099 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.28 грн
500+57.96 грн
1000+39.83 грн
5000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ560EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 9900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.44 грн
10+100.67 грн
100+71.44 грн
500+52.72 грн
1000+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ570EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ570EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 15 A, 15 A, 0.0365 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0365ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0365ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.90 грн
10+86.18 грн
100+63.14 грн
500+51.00 грн
1000+40.11 грн
3000+32.86 грн
6000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ570EP-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 27W; SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36.5mΩ
Drain current: 15A
Power dissipation: 27W
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: SO8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ570EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 100V 15A/9.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ570EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 9.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+65.36 грн
100+50.86 грн
500+40.46 грн
1000+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ570EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 9.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ570EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 43402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.90 грн
10+71.69 грн
100+48.53 грн
500+39.83 грн
1000+33.48 грн
3000+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ570EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ570EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 15 A, 15 A, 0.0365 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0365ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0365ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.14 грн
500+51.00 грн
1000+40.11 грн
3000+32.86 грн
6000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ570EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 100V 15A/9.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ740EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL, 3.4 mohm a. 10V
на замовлення 3566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.58 грн
10+119.88 грн
100+72.49 грн
500+58.96 грн
1000+54.54 грн
3000+52.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ740EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.63 грн
10+118.39 грн
100+81.35 грн
500+55.94 грн
1000+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ740EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 93W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.11 грн
10+128.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ740EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 93W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ740EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.35 грн
500+55.94 грн
1000+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ742EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 88W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2449pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.14 грн
10+78.53 грн
100+52.97 грн
500+39.44 грн
1000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ742EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 88W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2449pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ746ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.95 грн
10+70.34 грн
100+40.59 грн
500+33.27 грн
1000+31.55 грн
3000+26.85 грн
6000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ746EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.64 грн
10+77.80 грн
100+44.32 грн
500+35.14 грн
1000+31.27 грн
3000+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ748EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.20 грн
10+74.39 грн
100+43.08 грн
500+35.35 грн
1000+33.41 грн
3000+28.44 грн
6000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ764ELP-T1_GE3VishayMOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.41 грн
10+95.27 грн
100+56.19 грн
500+44.67 грн
1000+40.94 грн
3000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ768ELP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.56 грн
10+88.92 грн
100+50.53 грн
500+40.11 грн
1000+36.73 грн
3000+31.20 грн
9000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ840EP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ840EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ840EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 9300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ840EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ840EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 9300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.33 грн
10+89.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ840EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 30A 46W AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ844AEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ844AEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ844AEP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 23688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+67.80 грн
100+41.42 грн
500+37.14 грн
1000+32.03 грн
3000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ844AEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ844AEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ844EP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ848AEP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ848EP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ848EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ848EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ848EPT1-GE3
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ850EP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ850EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQJ4
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.09 грн
10+112.73 грн
100+65.38 грн
250+65.17 грн
500+53.57 грн
1000+49.77 грн
3000+49.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ850EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: PowerPAK® SO-8
на замовлення 7949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.09 грн
10+106.87 грн
100+78.55 грн
500+59.77 грн
1000+55.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ850EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ850EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ850EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ850EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.94 грн
10+84.36 грн
100+62.61 грн
500+48.01 грн
1000+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ850EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 51235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.00 грн
10+94.47 грн
100+55.02 грн
500+43.70 грн
1000+40.11 грн
3000+38.11 грн
6000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ850EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+77.85 грн
100+52.45 грн
500+39.01 грн
1000+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
на замовлення 5666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.63 грн
10+64.17 грн
100+48.10 грн
500+35.66 грн
1000+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 58A 48W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.28 грн
10+82.56 грн
100+47.98 грн
500+37.90 грн
1000+34.66 грн
3000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_JB3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_JB3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_NE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.25 грн
10+77.80 грн
100+44.32 грн
500+34.86 грн
1000+30.65 грн
3000+25.96 грн
6000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SQJ858AEP-T1_GE3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ860EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.79 грн
10+56.16 грн
100+38.86 грн
500+30.47 грн
1000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ860EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.56 грн
6000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]