Продукція > STP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 22 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP11NM80STN-MOSFET 11A 800V 150W STP11NM80 TSTP11NM80
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+178.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.38 грн
10+263.48 грн
100+127.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+327.88 грн
54+263.09 грн
111+127.41 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80STMN-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET Транзистори
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+234.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+267.12 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.12 грн
50+210.39 грн
100+207.49 грн
500+170.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80NSTMN-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247 MDmesh™ Power MOSFET Транзистори
на замовлення 23 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+221.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP1200---PRT-STP1200 Подставка для печатных плат, ESD, 265x205x95мм, цвет черный Різні некласифіковані вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP1200STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB stand; ESD; 265x205x95mm; black
Material: electrically conductive material
Colour: black
Body dimensions: 265x205x95mm
Version: ESD
Type of antistatic accessories: conductive PCB stand
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+848.79 грн
5+746.99 грн
10+703.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP1201---PRT-STP1201 Подставка для печатных плат, ESD, 355x270x130мм, цвет черный Різні некласифіковані вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP1201STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB stand; ESD; 355x270x130mm; black
Material: electrically conductive material
Colour: black
Body dimensions: 355x270x130mm
Version: ESD
Type of antistatic accessories: conductive PCB stand
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP1203STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB stand; ESD; 484x175x50mm; black
Material: electrically conductive material
Colour: black
Body dimensions: 484x175x50mm
Version: ESD
Type of antistatic accessories: conductive PCB stand
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+675.84 грн
5+592.15 грн
10+557.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP120F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N10F4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+73.09 грн
2000+68.62 грн
5000+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+224.78 грн
76+185.45 грн
113+124.57 грн
200+94.83 грн
500+84.46 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6STMTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+73.09 грн
2000+68.62 грн
5000+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A
Mounting: THT
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 110W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Technology: STripFET™ H6
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 4.3mΩ
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+117.08 грн
10+91.42 грн
50+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF04STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40 Volt 120 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+144.38 грн
111+126.91 грн
117+120.89 грн
500+108.67 грн
1000+93.67 грн
2000+89.67 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10,5mOhm; 110A; 312W; -55°C ~ 175°C; STP120NF10 TSTP120NF10
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+97.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
Power dissipation: 312W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+168.52 грн
10+137.54 грн
25+125.18 грн
50+115.30 грн
100+105.42 грн
150+100.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 17733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.73 грн
50+206.85 грн
100+188.79 грн
500+147.51 грн
1000+137.99 грн
2000+131.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STMTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.64 грн
10+127.13 грн
100+121.10 грн
500+108.87 грн
1000+93.84 грн
2000+89.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 9000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+226.21 грн
500+188.82 грн
1000+159.84 грн
2000+153.23 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 110 А, Ptot, Вт = 312, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5200 @ 25, Qg, нКл = 233 @ 10 В, Rds = 10,5 мОм @ 60 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+226.21 грн
500+188.82 грн
1000+159.84 грн
2000+153.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NH03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A TO220AB
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP120P07MersenIndustrial Surge Protectors STP T1 75kA 120V 1P
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP120P07MMersenIndustrial Surge Protectors STP T1 75kA 120V 1P ALM
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP120WF10
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP122153AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP122153BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP1290STATICTECCategory: Antistatic Protection Others
Description: Tool: tape applicator; ESD; 50mm
Related items: ATS-154-0140; ATS-054-0109; ATS-054-0114; ATS-054-0007; ERS-420050005; ERS-420050035; ERS-421150115; ESD-TAPE1; PRT-STP1300; PRT-STP1312; PRT-STP1410; PRT-STP1412; SCS-242210; SCS-242271; SCS-242275; SCS-242276; SCS-242293; SCS-242294; SCS-242295
Colour: black
Version: ESD
Tape width: 50mm
Type of tool: tape applicator
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1191.15 грн
3+1045.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP12A60
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12IE90F4STMicroelectronicsDescription: TRANS BIPO EMITTER SW TO-220FP-4
Supplier Device Package: TO-220FP
Applications: Gate Driver
Transistor Type: NPN - Emitter Switched Bipolar
Mounting Type: Through Hole
Current Rating (Amps): 12A
Package / Case: TO-220-4 Full Pack
Voltage - Rated: 900V
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N120K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N120K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.21 грн
50+291.40 грн
100+268.08 грн
500+218.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N120K5STMN-Channel 1200 V 12A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N120K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N120K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1.2kV; 7.6A; Idm: 48A
Mounting: THT
Technology: MDmesh™ K5
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.6A
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate charge: 44.2nC
On-state resistance: 690mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+543.69 грн
5+411.79 грн
10+364.02 грн
25+319.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
Technology: MDmesh™ M2
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+148.12 грн
10+85.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP12N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.325 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.56 грн
50+74.06 грн
100+66.40 грн
500+49.70 грн
1000+45.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N60
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.94 грн
10+72.48 грн
25+66.71 грн
50+62.59 грн
100+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N65M2STMicroelectronicsDescription: POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 5.4A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V 0.370ohm 8.5A Mdmesh
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NB30
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK30ZSTTrans MOSFET N-CH 300V 9A STP12NK30Z TSTP12NK30Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK30ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.43 грн
50+100.51 грн
100+91.73 грн
500+71.41 грн
1000+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK30ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK30ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP12NK30Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK30ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.65 грн
112+126.46 грн
121+116.47 грн
500+96.56 грн
1000+84.26 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK30ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.02 грн
50+105.95 грн
100+105.18 грн
500+99.16 грн
1000+88.37 грн
2000+82.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK30ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK30ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3; ESD
Version: ESD
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.6A
Drain-source voltage: 300V
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.14 грн
10+87.30 грн
50+79.06 грн
100+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK30ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+106.82 грн
133+105.75 грн
134+104.99 грн
500+98.97 грн
1000+88.21 грн
2000+82.17 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK50Z
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK60ZSTTO220
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 V 0.53 Ohm Zener SuperMESH 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK60ZF
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK60ZFP
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.15 грн
10+210.40 грн
100+183.88 грн
500+147.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.41 грн
50+134.16 грн
100+122.05 грн
500+103.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+350.50 грн
67+210.01 грн
100+183.54 грн
500+146.77 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+247.45 грн
10+161.42 грн
25+154.83 грн
50+148.24 грн
100+138.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK80Z
Код товару: 174528
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+318.87 грн
77+184.26 грн
100+169.55 грн
500+148.94 грн
1000+136.53 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK80ZSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.35Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+283.31 грн
10+205.89 грн
50+136.71 грн
100+128.48 грн
250+121.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.65 грн
10+208.52 грн
100+195.19 грн
500+157.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50STMN-кан. MOSFET 500V, 12A, 0.35Ом, -55...+150, TO-220 (MDmesh) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 22 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]