Продукція > STP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP11NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600V, 10A FDMesh II
на замовлення 433 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+385.85 грн
10+249.06 грн
100+161.78 грн
500+136.33 грн
1000+117.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60NDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+270.78 грн
10+153.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+137.65 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60ZFP
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+158.96 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+158.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80STN-MOSFET 11A 800V 150W STP11NM80 TSTP11NM80
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+181.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80
Код товару: 36380
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 400 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1630/50
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 15 шт
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+150.00 грн
10+127.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.39 грн
50+211.29 грн
100+208.38 грн
500+171.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+271.31 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80STMN-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET Транзистори
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
4+235.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+364.54 грн
10+219.80 грн
100+180.69 грн
500+180.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.54 грн
10+267.62 грн
100+129.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+333.03 грн
54+267.22 грн
111+129.41 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80NSTMN-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247 MDmesh™ Power MOSFET Транзистори
на замовлення 23 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
4+222.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP1200---PRT-STP1200 Подставка для печатных плат, ESD, 265x205x95мм, цвет черный Різні некласифіковані вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP1200STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB stand; ESD; 265x205x95mm; black
Type of antistatic accessories: conductive PCB stand
Material: electrically conductive material
Colour: black
Body dimensions: 265x205x95mm
Version: ESD
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+852.43 грн
5+750.19 грн
10+706.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP1201---PRT-STP1201 Подставка для печатных плат, ESD, 355x270x130мм, цвет черный Різні некласифіковані вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP1201STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB stand; ESD; 355x270x130mm; black
Type of antistatic accessories: conductive PCB stand
Material: electrically conductive material
Colour: black
Body dimensions: 355x270x130mm
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP1203STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB stand; ESD; 484x175x50mm; black
Type of antistatic accessories: conductive PCB stand
Material: electrically conductive material
Colour: black
Body dimensions: 484x175x50mm
Version: ESD
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+678.74 грн
5+594.69 грн
10+559.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP120F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N10F4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6STMTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A
Mounting: THT
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 110W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Technology: STripFET™ H6
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 4.3mΩ
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+117.58 грн
10+91.81 грн
50+73.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI
на замовлення 605 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+191.78 грн
10+109.52 грн
100+82.19 грн
500+67.19 грн
1000+51.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.24 грн
2000+69.70 грн
5000+67.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.24 грн
2000+69.70 грн
5000+67.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+228.31 грн
76+188.36 грн
113+126.52 грн
200+96.32 грн
500+85.79 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF04STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 40 Volt 120 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+229.76 грн
500+191.78 грн
1000+162.35 грн
2000+155.63 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STMTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+247.34 грн
10+159.04 грн
100+100.46 грн
500+84.15 грн
1000+78.28 грн
2000+73.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+229.76 грн
500+191.78 грн
1000+162.35 грн
2000+155.63 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+146.64 грн
111+128.90 грн
117+122.78 грн
500+110.37 грн
1000+95.14 грн
2000+91.08 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 110 А, Ptot, Вт = 312, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5200 @ 25, Qg, нКл = 233 @ 10 В, Rds = 10,5 мОм @ 60 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Mounting: THT
Power dissipation: 312W
Polarisation: unipolar
Technology: STripFET™ II
Drain current: 77A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 10.5mΩ
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.24 грн
10+138.13 грн
25+125.72 грн
50+115.79 грн
100+105.87 грн
150+100.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 17658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.67 грн
10+279.22 грн
50+219.67 грн
100+188.16 грн
500+156.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10,5mOhm; 110A; 312W; -55°C ~ 175°C; STP120NF10 TSTP120NF10
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+99.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 9000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.91 грн
10+129.13 грн
100+123.00 грн
500+110.57 грн
1000+95.31 грн
2000+91.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP120NH03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP120P07MersenIndustrial Surge Protectors STP T1 75kA 120V 1P
на замовлення 3 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+20762.69 грн
5+18947.74 грн
10+15762.01 грн
25+15758.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP120P07MMersenIndustrial Surge Protectors STP T1 75kA 120V 1P ALM
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+25359.37 грн
5+21674.60 грн
10+17881.40 грн
25+17878.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP120WF10
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP122153AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP122153BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP1290STATICTECCategory: Antistatic Protection Others
Description: Tool: tape applicator; ESD; 50mm
Colour: black
Tape width: 50mm
Type of tool: tape applicator
Related items: ATS-154-0140; ATS-054-0109; ATS-054-0114; ATS-054-0007; ERS-420050005; ERS-420050035; ERS-421150115; ESD-TAPE1; PRT-STP1300; PRT-STP1312; PRT-STP1410; PRT-STP1412; SCS-242210; SCS-242271; SCS-242275; SCS-242276; SCS-242293; SCS-242294; SCS-242295
Version: ESD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1031.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP12A60
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12IE90F4STMicroelectronicsDescription: TRANS BIPO EMITTER SW TO-220FP-4
Packaging: Tube
Voltage - Rated: 900V
Package / Case: TO-220-4 Full Pack
Current Rating (Amps): 12A
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Emitter Switched Bipolar
Applications: Gate Driver
Supplier Device Package: TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N120K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N120K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N120K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+656.30 грн
10+431.15 грн
50+345.25 грн
100+298.07 грн
500+252.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N120K5STMN-Channel 1200 V 12A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N120K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1.2kV; 7.6A; Idm: 48A
Mounting: THT
Technology: MDmesh™ K5
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.6A
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate charge: 44.2nC
On-state resistance: 690mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+546.02 грн
5+413.55 грн
10+365.58 грн
25+320.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP12N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.325 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.24 грн
50+74.38 грн
100+66.68 грн
500+49.91 грн
1000+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
Technology: MDmesh™ M2
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+148.75 грн
10+86.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 405 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+153.73 грн
10+73.52 грн
100+57.80 грн
500+45.79 грн
1000+41.94 грн
2000+38.81 грн
5000+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N60
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Technology: MDmesh™ M2
Kind of package: tube
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.79 грн
10+95.94 грн
16+62.86 грн
25+62.03 грн
42+58.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 943 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+165.91 грн
10+94.52 грн
100+62.82 грн
500+52.25 грн
1000+45.53 грн
2000+44.36 грн
5000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 40 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+197.87 грн
10+126.03 грн
100+75.02 грн
500+63.93 грн
1000+53.88 грн
5000+52.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N65M2STMicroelectronicsDescription: POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 5.4A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V 0.370ohm 8.5A Mdmesh
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+248.86 грн
10+159.79 грн
100+101.76 грн
500+88.72 грн
1000+75.02 грн
5000+74.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NB30
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK30ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.70 грн
50+107.61 грн
100+106.83 грн
500+100.71 грн
1000+89.75 грн
2000+83.62 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK30ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3; ESD
Version: ESD
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.6A
Drain-source voltage: 300V
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.94 грн
10+87.67 грн
50+79.40 грн
100+76.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK30ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+217.66 грн
10+110.27 грн
100+84.80 грн
500+70.45 грн
1000+67.84 грн
2000+64.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK30ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK30ZSTTrans MOSFET N-CH 300V 9A STP12NK30Z TSTP12NK30Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK30ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+108.50 грн
133+107.41 грн
134+106.64 грн
500+100.52 грн
1000+89.59 грн
2000+83.46 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK30ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP12NK30Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK30ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.26 грн
50+100.94 грн
100+92.13 грн
500+71.72 грн
1000+66.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK30ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+192.63 грн
112+128.44 грн
121+118.29 грн
500+98.08 грн
1000+85.58 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK50Z
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK60ZSTTO220
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 V 0.53 Ohm Zener SuperMESH 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK60ZF
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK60ZFP
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.90 грн
50+169.54 грн
100+154.20 грн
500+119.49 грн
1000+111.39 грн
2000+104.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+323.87 грн
77+187.15 грн
100+172.21 грн
500+151.28 грн
1000+138.67 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.