Продукція > ZXM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXMN2F30FH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.91 грн
15+21.20 грн
100+8.97 грн
3000+6.63 грн
6000+6.21 грн
9000+5.94 грн
24000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2F30FHQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.89 грн
35+23.44 грн
100+11.36 грн
500+9.87 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
12+26.10 грн
100+17.77 грн
500+12.50 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2F30FHQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.36 грн
500+9.87 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1776+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 1776 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.53 грн
23+18.36 грн
100+11.88 грн
500+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.45 грн
6000+7.80 грн
9000+7.02 грн
30000+6.49 грн
75000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1167+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 1167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADIODES/ZETEXTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ZXMN2F30FHTA TZXMN2f30fh
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.61 грн
10+37.47 грн
100+20.99 грн
500+15.88 грн
1000+14.29 грн
3000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 184462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
13+23.41 грн
100+14.03 грн
500+12.20 грн
1000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 112155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
12+26.10 грн
100+17.76 грн
500+12.50 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.21 грн
50+18.52 грн
100+13.13 грн
500+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.51 грн
6000+8.60 грн
15000+8.05 грн
30000+6.93 грн
75000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+33.14 грн
597+23.78 грн
642+22.11 грн
784+17.45 грн
1107+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET
на замовлення 45658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.85 грн
11+30.33 грн
100+16.91 грн
500+12.84 грн
1000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.95 грн
22+35.79 грн
25+33.14 грн
100+22.93 грн
250+19.74 грн
500+15.51 грн
1000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34MATADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34MATADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2N02
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3804
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.53 грн
10+41.04 грн
100+23.26 грн
500+17.95 грн
1000+16.15 грн
3000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.106 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.85 грн
20+41.72 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 282397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
10+32.61 грн
100+22.56 грн
500+17.69 грн
1000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TA
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.106 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.84 грн
6000+13.53 грн
9000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A01F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.85 грн
500+22.66 грн
1500+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A01F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.95 грн
50+43.17 грн
100+31.65 грн
500+22.06 грн
1500+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.21 грн
24+32.24 грн
25+31.92 грн
100+25.64 грн
250+23.53 грн
500+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
на замовлення 508393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
12+26.85 грн
100+18.90 грн
500+13.50 грн
1000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.33 грн
6000+12.08 грн
9000+11.91 грн
15000+11.32 грн
30000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.84 грн
6000+12.95 грн
15000+12.06 грн
30000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
на замовлення 507000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.78 грн
6000+8.63 грн
9000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.41 грн
10+36.92 грн
100+21.61 грн
500+15.53 грн
1000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+31.92 грн
Мінімальне замовлення: 445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.22 грн
11+30.80 грн
100+17.53 грн
500+13.39 грн
1000+11.60 грн
2000+9.94 грн
5000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
на замовлення 13792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.97 грн
100+18.89 грн
500+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 970mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.02 грн
500+14.96 грн
1000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1143+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 1143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+12.29 грн
2000+9.81 грн
3000+9.66 грн
5000+8.70 грн
7000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 970mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.75 грн
26+31.57 грн
100+21.02 грн
500+14.96 грн
1000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02N8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02N8TA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A02X8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.025 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.73 грн
10+83.76 грн
100+58.71 грн
500+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TA
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A02X8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.025 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.71 грн
500+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N Chnl UMOS
на замовлення 13642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.23 грн
10+78.52 грн
100+50.46 грн
500+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A02X8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A03E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.04 грн
10+91.82 грн
100+61.69 грн
500+42.11 грн
1000+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A03E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.49 грн
500+24.08 грн
1000+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V N Chnl UMOS
на замовлення 20954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.36 грн
10+52.16 грн
100+20.64 грн
500+18.92 грн
1000+18.43 грн
3000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.27 грн
6000+19.86 грн
9000+19.61 грн
15000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+30.78 грн
500+28.22 грн
1000+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 37420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.77 грн
10+52.72 грн
100+34.82 грн
500+25.43 грн
1000+23.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN/A
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A04DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.49 грн
10+124.03 грн
100+85.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.81W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.31 грн
10+102.91 грн
100+69.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN3A04DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 30V N-Chnl UMOS
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.47 грн
10+104.00 грн
100+64.20 грн
250+64.06 грн
500+50.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.81W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+52.50 грн
1000+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.81W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TC
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KTCDiodes IncorporatedMOSFET N-Ch 30 Volt 18.4A
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.86 грн
10+140.52 грн
100+98.03 грн
500+80.77 грн
1000+66.82 грн
2500+61.92 грн
10000+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.59 грн
10+124.00 грн
100+85.39 грн
500+64.64 грн
1000+61.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KTC
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]