Продукція > si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 18 24 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4136DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 11151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.31 грн
10+88.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136M-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4136
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136M-EVBSilicon LabsRF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136M-EVBSilicon LabsMLP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4136
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136XM-BTSILICON
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136XM-BTR
на замовлення 652 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136XM-GT
на замовлення 626 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4137-BM09+
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4137BMSILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.58 грн
10+46.40 грн
100+30.48 грн
500+22.19 грн
1000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6630 @ 15, Qg, нКл = 167 @ 10 В, Rds = 6,2 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 2500 Од.
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 426 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.79 грн
5000+17.58 грн
7500+16.83 грн
12500+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 108035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4148DY-T1
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI415SIEMENS01+ SOP
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.08 грн
10+79.98 грн
100+53.72 грн
500+39.83 грн
1000+36.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00625ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs SO8 P-CH 30V 15.2A
на замовлення 7908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch Enh FET 20Vdss 6Vgss 0.9215A 150mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 14.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.3A (Ta), 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
на замовлення 9914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.82 грн
10+42.92 грн
100+28.12 грн
500+20.41 грн
1000+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 14.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SO8 P CHAN 30V
на замовлення 14340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.3A (Ta), 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.15 грн
5000+16.10 грн
7500+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.77 грн
5000+38.06 грн
7500+37.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3
Код товару: 184243
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 22941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+67.99 грн
208+67.60 грн
233+60.32 грн
250+58.14 грн
500+48.20 грн
1000+44.27 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
на замовлення 11334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.83 грн
10+69.01 грн
100+55.28 грн
500+46.29 грн
1000+42.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4230 @ 20, Qg, нКл = 105 @ 10, Rds = 3,3 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 7,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Очікується: 10000 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 359 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.16 грн
12+67.99 грн
25+67.60 грн
100+58.16 грн
250+53.84 грн
500+46.27 грн
1000+44.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4155DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 4.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 3673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4155DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4155DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4155DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 4.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 3673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4155DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.75 грн
10+53.15 грн
100+48.20 грн
500+44.04 грн
1000+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-E3
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 4627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.90 грн
10+54.48 грн
100+40.08 грн
500+31.63 грн
1000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 24A 8SO Транзистори
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+104.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 56734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4158DY-T1-E3
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4158DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 36.5A 6.0W 2.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4158DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-EG3
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 14229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4160DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.92 грн
10+77.09 грн
100+42.96 грн
500+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3Vishay
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-TI-GE3
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 7900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
на замовлення 69542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 20884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+52.55 грн
100+34.78 грн
500+25.46 грн
1000+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15.4A; 3.2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.8nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Power dissipation: 3.2W
Drain current: 15.4A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.15 грн
7+62.59 грн
10+54.44 грн
50+38.63 грн
100+33.60 грн
500+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.85 грн
5000+20.35 грн
7500+19.52 грн
12500+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.46 грн
30000+26.92 грн
45000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 7900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 69562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 9156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4164DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 3200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.95 грн
10+94.80 грн
100+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Gate charge: 95nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 3.9mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 18 24 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]