Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.63 грн
14+56.81 грн
25+56.25 грн
100+47.77 грн
250+43.79 грн
500+39.22 грн
1000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineonMOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.57 грн
10+75.84 грн
100+51.06 грн
500+37.94 грн
1000+35.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
236+59.83 грн
239+59.23 грн
276+51.28 грн
278+48.96 грн
500+41.92 грн
1000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 236 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 8.3A 18mOhm 28nC Qg
на замовлення 3357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854International RectifierN-MOSFET HEXFET 10A 80V 2.5W 0.0134Ω IRF7854 TIRF7854
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+115.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 80V 10A 13.4mOhm 27nC Qg
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+54.38 грн
261+54.10 грн
264+53.53 грн
266+51.26 грн
1000+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.73 грн
25+49.93 грн
100+47.38 грн
250+43.16 грн
500+40.76 грн
1000+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineonMOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
на замовлення 14208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.54 грн
10+98.20 грн
100+66.61 грн
500+49.81 грн
1000+45.73 грн
2000+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 316000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+71.66 грн
160000+65.48 грн
240000+60.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+50.73 грн
283+49.93 грн
288+49.14 грн
292+46.61 грн
500+42.45 грн
1000+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+39.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7854TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.0134 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855IR
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.34 грн
10+113.48 грн
25+105.40 грн
100+95.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 8.3A SOIC-8 Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+281.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7855PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0094 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 97
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 9.4mOhms 26nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 12, Ciss, пФ @ Uds, В = 1560 @ 25, Qg, нКл = 26, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 1 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3800 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3800+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855PBF (транзистор)
Код товару: 49589
Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 9,4 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1560/26
Примітка: -
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+38.50 грн
10+35.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
на замовлення 3088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.18 грн
10+108.22 грн
100+73.84 грн
500+55.47 грн
1000+51.03 грн
2000+50.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+68.87 грн
1000+60.60 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 9400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 14189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+106.96 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+66.74 грн
1000+58.72 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+106.96 грн
500+96.27 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+46.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 12, Ciss, пФ @ Uds, В = 1560, Qg, нКл = 26, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55///+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 9400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 14189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 12A 9.4mOhm 26nC Qg
на замовлення 25913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.69 грн
120+117.60 грн
130+109.13 грн
200+90.54 грн
500+82.07 грн
1000+63.38 грн
2000+59.43 грн
4000+55.16 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.69 грн
8000+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.67 грн
8000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.31 грн
8000+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+69.71 грн
255+55.41 грн
260+54.28 грн
500+40.73 грн
1000+33.77 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg
на замовлення 8051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFInternational RectifierN-Channel 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.19 грн
10+59.80 грн
100+42.32 грн
500+31.14 грн
1000+28.38 грн
2000+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D1IR07+ SO-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D1-TR
на замовлення 875 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D1GPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D1PBFInternational RectifierSO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D1PBFInternational RectifierSO8-118-0.65 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D1TRIR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D1TRPBFIR
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D2
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7902Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7902PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A, 9.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7902PBFInfineon / IRMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7902TRPBF
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7902TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SO
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A, 9.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7902TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904IR05+ SOP-8;
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 30V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904PBFIR05+ QFP
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7904TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.10 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+99.72 грн
195+72.44 грн
210+67.27 грн
500+59.42 грн
1000+51.74 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7904TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 7.6A
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905PBFInternational Rectifier2N-Ch 30V 7.8A 8.9A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]