Продукція > DS1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 20 40 60 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 100 120 140 160 180 200 205  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DS1230WP-150+MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICESDescription: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES - DS1230WP-150+ - NVRAM IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230WP-150+MaximPWRCP/CIVIL/3.3V 256K NONVOLATILE SRAM DS1230
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230YDALLAS0545+
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100DALLASDIP
на замовлення 19224 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32K x 8
Access Time: 100 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 28-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100Maxim IntegratedSRAM 256 Kb 5 V +-10% 100 нсек расческа 28 PIN Мікросхеми пам'яті
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100Analog Devices / Maxim IntegratedNVRAM 256k Nonvolatile SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ANALOG DEVICESDescription: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: DIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+Maxim256K Nonvolatile SRAM DS1230
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+
Код товару: 30908
Додати до обраних Обраний товар
DSМікросхеми > Пам'ять
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+2912.09 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+Analog Devices / Maxim IntegratedNVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3011.42 грн
12+2661.87 грн
36+2558.38 грн
60+2356.42 грн
108+2305.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+Maxim IntegratedSRAM 256 Kb 5 V +-10% 100 нсек расческа 28 PIN Мікросхеми пам'яті
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100INDDALLASDIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100IND+DALLAS09+
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120Analog Devices / Maxim IntegratedNVRAM 256k Nonvolatile SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32K x 8
Access Time: 120 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 28-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120DALLASDIP
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+Analog Devices (MAXIM INTEGRATED)Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256bSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 120ns; DIP28
Mounting: THT
Case: DIP28
Operating voltage: 4.5...5.5V
Kind of memory: NV SRAM
Kind of interface: parallel
Access time: 120ns
Memory: 256b SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+Maxim256K Nonvolatile SRAM DS1230
кількість в упаковці: 12 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+Analog Devices / Maxim IntegratedNVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+ANALOG DEVICESDescription: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 120ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2727.68 грн
12+2412.48 грн
36+2318.82 грн
60+2135.83 грн
108+2090.03 грн
252+2025.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+3112.67 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120INDAnalog Devices / Maxim IntegratedNVRAM 256k Nonvolatile SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120INDAnalog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32K x 8
Access Time: 120 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 28-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120INDDALLASDIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120IND
Код товару: 176779
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Пам'ять
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120IND+Maxim IntegratedNVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP Мікросхеми пам'яті
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120IND+Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3022.39 грн
12+2671.81 грн
36+2567.88 грн
60+2365.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120IND+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120IND+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120IND+ANALOG DEVICESDescription: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Zugriffszeit: 120ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120IND+Maxim256K Nonvolatile SRAM DS1230 DLSDS1230Y120IND
кількість в упаковці: 12 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120IND+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+3005.38 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120IND+Analog Devices / Maxim IntegratedNVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-150Analog Devices / Maxim IntegratedNVRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-150
Код товару: 49317
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-150DALLASDIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-150Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 150ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 150 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-150+Maxim256K Nonvolatile SRAM DS1230
кількість в упаковці: 12 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-150+Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 150ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 150 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3143.88 грн
12+2778.80 грн
36+2670.66 грн
60+2459.82 грн
108+2406.96 грн
252+2332.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-150+Maxim IntegratedМікросхеми пам'яті
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-150+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-150+ANALOG DEVICESDescription: ANALOG DEVICES - DS1230Y-150+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 150 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 150ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-150+Analog Devices / Maxim IntegratedNVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-150+   
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-150INDDALLASDIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200Analog Devices / Maxim IntegratedNVRAM 256k Nonvolatile SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200DALLASDIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32K x 8
Access Time: 200 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 28-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+3138.34 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200+Analog Devices / Maxim IntegratedNVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200+
Код товару: 211347
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Інші мікросхеми
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200+Maxim256K Nonvolatile SRAM DS1230
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200+Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2749.62 грн
12+2431.41 грн
36+2337.02 грн
60+2152.59 грн
108+2106.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200+ANALOG DEVICESDescription: ANALOG DEVICES - DS1230Y-200+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 200 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 200ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200INDAnalog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+1171.67 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200INDAnalog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32K x 8
Access Time: 200 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 28-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200INDAnalog Devices / Maxim IntegratedNVRAM 256k Nonvolatile SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200INDDALLASDIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200IND+ANALOG DEVICESDescription: ANALOG DEVICES - DS1230Y-200IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 200 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 200ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200IND+Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32K x 8
Access Time: 200 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 28-EDIP
Memory Format: NVSRAM
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2677.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200IND+Analog Devices / Maxim IntegratedNVRAM 256k Nonvolatile SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200IND+MaximMOD 28/I°/256K NONVOLATILE SRAM DS1230MOD
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70
Код товару: 44640
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+1144.06 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70Analog Devices / Maxim IntegratedNVRAM 256k Nonvolatile SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70DALLASDIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70+Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3005.15 грн
12+2656.65 грн
36+2553.35 грн
60+2351.79 грн
108+2301.30 грн
252+2229.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+3302.04 грн
300+3269.03 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+3302.04 грн
300+3269.03 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70+Analog Devices / Maxim IntegratedNVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70+Maxim256K Nonvolatile SRAM DS1230
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70+ANALOG DEVICESDescription: ANALOG DEVICES - DS1230Y-70+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+2864.27 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70INDAnalog Devices / Maxim IntegratedNVRAM 256k Nonvolatile SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70INDDALLASDIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70IND
Код товару: 128415
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Пам'ять
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70INDAnalog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32K x 8
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 28-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70INDMaxim IntegratedМікросхеми пам'яті
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70IND+Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3020.82 грн
12+2670.55 грн
36+2566.69 грн
60+2364.06 грн
108+2313.30 грн
252+2241.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70IND+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70IND+ANALOG DEVICESDescription: ANALOG DEVICES - DS1230Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70IND+Maxim256K Nonvolatile SRAM DS1230
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70IND+Analog Devices, Inc.NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 20 40 60 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 100 120 140 160 180 200 205  [ Наступна Сторінка >> ]