Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 90 100  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3J66MFV,L3XHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.21 грн
100+8.26 грн
500+5.74 грн
1000+5.09 грн
2000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3XHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3KTOSHIBASOP23
на замовлення 2782 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K01FTOSHIBASOT23
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K01F(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K01TTOSHIBA
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K01T(TE85L)SOT23-KWTOSHIBA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K01T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K01T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K01T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K02FTOSHIBA
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K02F(TE85L
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K02F/KU
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K02TTOSHIBA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K03FETOSHIBA
на замовлення 38200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K03FE TPL3.F DOT416-DA PB-FREETOSHIBA
на замовлення 14200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K03FE(TPL3.F)TOSHIBASOT416-DA PB-FRE
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K03FE(TPL3.F) SOT416TOSHIBA
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K03FE(TPL3.F)SOT416-DAPB-FREE
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K03FE/DATOSHIBA
на замовлення 768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K03FETPL3.FDOT416-DAPB-FREETOSHIBA
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K03TETOSHIBASOT423
на замовлення 98471 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K03TE(TE85L,F)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K04FSTOSHIBASOT423
на замовлення 71945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K04FS(DC)TOSHIBA00+ SOT-323
на замовлення 6999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K04FS/DCTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K05FUTOSHIBASOT323
на замовлення 68640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K05FU(T5LTORIF)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 5974 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K05FU/DF
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FUTOSHIBASOT323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FUToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU(TE85LF)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 400MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
17+18.49 грн
100+11.68 грн
500+8.18 грн
1000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V
на замовлення 7617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 400MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.60 грн
6000+4.89 грн
9000+4.63 грн
15000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
772+18.33 грн
801+17.66 грн
1000+17.09 грн
2500+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 772 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+33.28 грн
873+16.22 грн
1000+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K09FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.60 грн
50+53.73 грн
100+33.81 грн
500+23.32 грн
1500+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2095+6.75 грн
2500+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 2095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K09FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.48 грн
500+21.51 грн
1500+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K09FU,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.68 грн
50+19.51 грн
100+16.34 грн
500+12.15 грн
1500+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K09FU,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.34 грн
500+12.15 грн
1500+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FUDTC114EE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FULF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K101TUTOSHIBASOT-23 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K102TUTOSHIBA09+
на замовлення 75018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K104TUTOSHIBASOT-323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K104TU,LF(BToshibaSSM3K104TU,LF(B
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1707+16.58 грн
10000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 1707 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K105TUTOS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K105TUTE85L
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K106TU(T5L,T)ToshibaMOSFETs Small-signal FET 1.2A 20V 0.53Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K106TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K106TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K106TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=20V Id=1.2A 3Pin
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K106TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TUTOSHIBASOT-323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=30V Id=2.2A 3Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 39100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
11+28.61 грн
100+17.15 грн
500+14.90 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+20.37 грн
55+13.85 грн
56+13.58 грн
100+11.67 грн
250+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.32 грн
6000+9.52 грн
9000+8.57 грн
30000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 2923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
547+25.86 грн
568+24.93 грн
1000+24.12 грн
2500+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 547 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.46 грн
32+26.09 грн
100+17.56 грн
500+11.70 грн
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+54.88 грн
529+26.78 грн
577+24.52 грн
1000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.57 грн
500+12.53 грн
1000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K119TU
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K119TU,LF(BToshibaSSM3K119TU,LF(B
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
587+48.22 грн
1000+44.46 грн
10000+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 587 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K121TUToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K121TUTOSHIBA09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K121TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=20V Id=3.2A 3Pin
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K121TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal Mosfet
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K121TU,LF(BToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K121TU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+20.24 грн
725+19.52 грн
1000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K121TU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K121TU,LXGF(TToshibaSilicon N Channel MOS Type Automotive AEC-Q101
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+38.00 грн
762+18.58 грн
1000+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU(TE85L)TOSHIBASOT23
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 5698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
15+21.44 грн
100+13.60 грн
500+9.58 грн
1000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm at 4V, in UFM package
на замовлення 15667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU,LF(BToshibaSSM3K122TU,LF(B
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU,LF(BToshibaSSM3K122TU,LF(B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+23.36 грн
629+22.51 грн
1000+21.77 грн
2500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K122TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.36 грн
500+10.64 грн
1000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K122TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.77 грн
34+24.06 грн
100+15.44 грн
500+10.72 грн
1000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TUToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LFToshibaMOSFETs UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.15 грн
6000+8.22 грн
9000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.91 грн
43+17.72 грн
44+17.37 грн
100+10.96 грн
250+10.09 грн
500+8.99 грн
1000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 12928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
12+25.21 грн
100+16.22 грн
500+11.88 грн
1000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
815+17.37 грн
1245+11.36 грн
1252+11.31 грн
1349+10.11 грн
1462+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 815 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF(BToshibaSSM3K123TU,LF(B
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 17799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
725+19.52 грн
926+15.27 грн
1200+11.79 грн
3000+11.27 грн
6000+9.34 грн
12000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 725 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K123TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.91 грн
500+13.36 грн
1000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K123TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.50 грн
26+32.03 грн
100+22.68 грн
500+15.55 грн
1000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 90 100  [ Наступна Сторінка >> ]