Продукція > SSM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3J378R,LFToshibaMOSFET P-CHAMMEL VDSS:-20V VGSS:-8/+6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 13676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
17+17.72 грн
100+8.92 грн
500+7.42 грн
1000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
675+21.03 грн
678+20.91 грн
834+17.01 грн
1000+15.38 грн
2000+14.13 грн
3000+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J378R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.04 грн
12+26.77 грн
100+17.14 грн
500+12.17 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHFToshibaMOSFETs P Channel -20V -6A AECQ MOSFET
на замовлення 86515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.28 грн
6000+9.03 грн
9000+8.59 грн
15000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHFToshibaAECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF(BToshibaSSM3J378R,LXHF(B
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
481+29.47 грн
500+28.42 грн
1000+27.49 грн
2500+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF(BToshibaSSM3J378R,LXHF(B
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
481+29.47 грн
500+28.42 грн
1000+27.49 грн
2500+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF(BToshiba SOT23 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J378R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J378R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378RLXHF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J46CTB(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
на замовлення 25072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J46CTB(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J46CTB(TPL3)ToshibaMOSFET Small Sig FET 1.5V Low RDS 250mOhm
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1406+10.08 грн
1420+9.99 грн
1432+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 1406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3FToshibaMOSFETs Nch MOSFET
на замовлення 15576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 4151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
16+18.77 грн
100+11.84 грн
500+8.29 грн
1000+7.38 грн
2000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.00 грн
38+19.91 грн
39+19.76 грн
100+9.72 грн
250+8.92 грн
500+8.49 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F(BToshibaSSM3J56ACT,L3F(B
на замовлення 9078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
725+19.55 грн
753+18.84 грн
1000+18.23 грн
2500+17.06 грн
5000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 725 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F(TToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
на замовлення 6875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.63 грн
39+19.43 грн
48+16.03 грн
57+12.84 грн
100+9.89 грн
250+7.99 грн
500+6.45 грн
1000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J56ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 11125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F(TToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
на замовлення 6875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
730+19.43 грн
885+16.03 грн
1065+13.32 грн
1280+10.68 грн
1522+8.32 грн
1885+6.45 грн
2184+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 730 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J56ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 11125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACTL3F(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 36153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
18+16.68 грн
50+12.04 грн
100+9.87 грн
500+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3FToshibaMOSFET P-CH 20V 800MA VESM Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3FToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 17012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1309+10.83 грн
1323+10.72 грн
1337+10.60 грн
2200+6.21 грн
3000+5.70 грн
6000+4.53 грн
15000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 1309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.28 грн
24000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 17012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.33 грн
29+26.11 грн
30+25.86 грн
100+10.44 грн
250+9.57 грн
500+9.09 грн
1000+5.52 грн
3000+5.47 грн
6000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.31ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 7351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 7351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J64CTC,L3FToshibaMOSFETs X34 Small Low Ron Pch MOSFETs Vdss:-12V, Id:-1A, Pd: 0.5W
на замовлення 10790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J64CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 1A CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J64CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 1A CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 17897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
18+17.13 грн
100+10.78 грн
500+7.54 грн
1000+6.71 грн
2000+6.01 грн
5000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J65CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.7A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J65CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 10 V
на замовлення 26774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
17+18.47 грн
100+9.30 грн
500+7.74 грн
1000+6.02 грн
2000+5.39 грн
5000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J65CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.7A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J65CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J65CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.7A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.81 грн
30+25.86 грн
31+24.49 грн
100+12.32 грн
500+10.01 грн
1000+7.40 грн
2500+6.55 грн
5000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J65CTC,L3FToshibaMOSFETs X34 Small Low Ron Pch MOSFETs Vdss:-20V, Id:-0.7A, Pd: 0.5W
на замовлення 18756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 6611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
24+12.79 грн
100+8.00 грн
500+5.56 грн
1000+4.93 грн
2000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3FToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm a. 4.5V, in VESM package
на замовлення 15112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3XHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
23+13.09 грн
100+8.18 грн
500+5.68 грн
1000+5.04 грн
2000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3XHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3XHFToshibaMOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723
на замовлення 11918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3XHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3XHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3XHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3XHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3KTOSHIBASOP23
на замовлення 2782 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K01FTOSHIBASOT23
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K01F(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K01TTOSHIBA
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K01T(TE85L)SOT23-KWTOSHIBA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K01T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K01T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K01T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K02FTOSHIBA
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K02F(TE85L
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K02F/KU
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K02TTOSHIBA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K03FETOSHIBA
на замовлення 38200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K03FE TPL3.F DOT416-DA PB-FREETOSHIBA
на замовлення 14200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K03FE(TPL3.F)TOSHIBASOT416-DA PB-FRE
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K03FE(TPL3.F) SOT416TOSHIBA
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K03FE(TPL3.F)SOT416-DAPB-FREE
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K03FE/DATOSHIBA
на замовлення 768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K03FETPL3.FDOT416-DAPB-FREETOSHIBA
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K03TETOSHIBASOT423
на замовлення 98471 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K03TE(TE85L,F)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K04FSTOSHIBASOT423
на замовлення 71945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K04FS(DC)TOSHIBA00+ SOT-323
на замовлення 6999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K04FS/DCTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K05FUTOSHIBASOT323
на замовлення 68640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K05FU(T5LTORIF)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 5974 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K05FU/DF
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FUTOSHIBASOT323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FUToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU(TE85LF)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 400MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
на замовлення 33255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
17+18.32 грн
100+11.57 грн
500+8.10 грн
1000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V
на замовлення 50811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 400MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.55 грн
6000+4.84 грн
9000+4.58 грн
15000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LF(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 400mA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
460+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
772+18.37 грн
801+17.70 грн
1000+17.12 грн
2500+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 772 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+33.36 грн
873+16.25 грн
1000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K09FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
на замовлення 11660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.