Продукція > ssm

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3K361TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.29 грн
24+33.67 грн
100+21.94 грн
500+15.52 грн
1000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LF(TToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+24.81 грн
573+24.72 грн
647+21.87 грн
654+20.87 грн
692+18.26 грн
1000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 571 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.97 грн
10+41.56 грн
100+27.07 грн
500+19.57 грн
1000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.96 грн
31+24.81 грн
50+23.84 грн
100+19.52 грн
250+18.55 грн
500+17.53 грн
1000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHFToshibaMOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
на замовлення 5774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHF(BToshibaSSM3K361TU,LXHF(B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+32.79 грн
450+31.48 грн
500+30.34 грн
1000+28.30 грн
2500+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.79 грн
500+13.28 грн
1000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+28.93 грн
40+20.17 грн
100+14.79 грн
500+13.28 грн
1000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FSToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FSTOS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSF N CHANNEL 20V500MA SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSF N CHANNEL 20V500MA SSM
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSF N CHANNEL 20V500MA SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 6465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.05 грн
31+9.85 грн
100+6.12 грн
500+4.21 грн
1000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF
Код товару: 187939
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.40 грн
6000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 4410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2930+4.83 грн
2953+4.79 грн
3025+4.68 грн
3055+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 2930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 4410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.30 грн
65+11.65 грн
157+4.66 грн
250+4.28 грн
500+4.01 грн
1000+3.97 грн
3000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LFToshibaMOSFET Small Signal MOSFET
на замовлення 21883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(BToshibaSSM3K36FS,LF(B
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.42 грн
45+18.08 грн
100+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.42 грн
45+18.08 грн
100+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36FS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1352+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 1352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV(TPL3)ToshibaMOSFET X34 Pb-F VESM S-MOW (LF) TRANSISTOR Pd=150mW F=<1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3FToshibaMOSFETs Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52
на замовлення 52782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 416000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.55 грн
16000+3.12 грн
24000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 23625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.24 грн
34+22.31 грн
100+9.06 грн
250+8.30 грн
500+7.95 грн
1000+5.03 грн
3000+4.98 грн
6000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 23625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1507+9.39 грн
1522+9.30 грн
1525+9.28 грн
2412+5.66 грн
3000+5.19 грн
6000+4.15 грн
15000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 1507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 432430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.02 грн
22+13.95 грн
100+8.72 грн
500+6.06 грн
1000+5.37 грн
2000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM
на замовлення 5804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1654+8.55 грн
1711+8.27 грн
2500+8.02 грн
5000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 1654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K36MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFVL3F(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFVTL3T
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TUToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LFToshibaMOSFETs Sm-signal/Hi-Speed UFM (SOT-323F)
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LF(BToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LF(BToshibaSSM3K36TU,LF(B
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376RToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R LXHFToshiba SOT23 N CHAN 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.56 грн
9000+5.60 грн
24000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.36 грн
6000+4.66 грн
9000+4.40 грн
15000+3.86 грн
21000+3.70 грн
30000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LFToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
на замовлення 29532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.50 грн
29+26.61 грн
100+13.26 грн
250+12.15 грн
500+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.56 грн
9000+5.60 грн
24000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 33559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.80 грн
20+14.92 грн
100+9.34 грн
500+6.50 грн
1000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K376R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+20.65 грн
63+12.94 грн
106+7.63 грн
500+5.75 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LF(TToshibaSilicon N-Channel MOS
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXGF(TToshibaSilicon N-Channel MOS Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
912+15.51 грн
997+14.19 грн
1165+12.14 грн
1220+11.18 грн
2000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 912 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 7792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
15+20.52 грн
100+13.06 грн
500+9.21 грн
1000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.28 грн
6000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHFToshibaN-Channel 30 V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHFToshibaMOSFETs SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W
на замовлення 4744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHF(BToshiba SOT23 N CHAN 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K376R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.83 грн
500+10.97 грн
1000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K376R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.94 грн
33+24.67 грн
100+15.83 грн
500+10.97 грн
1000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376RLF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376RLXHF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 11704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
23+13.51 грн
100+6.59 грн
500+5.16 грн
1000+3.59 грн
2000+3.11 грн
5000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37CT,L3FToshibaMOSFET Small-Signal MOSFET
на замовлення 8717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37CT,L3F(BToshibaSSM3K37CT,L3F(B
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1183+11.97 грн
1222+11.58 грн
2500+11.23 грн
5000+10.54 грн
10000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 1183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 2.2 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
на замовлення 5510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+15.91 грн
82+9.88 грн
250+6.16 грн
1000+3.78 грн
5000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST T/R
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1995+7.09 грн
2061+6.86 грн
2090+6.77 грн
2125+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 1995 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37CTL3F(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37FSToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.73 грн
57+13.32 грн
58+13.20 грн
134+5.44 грн
250+4.98 грн
500+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37FS,LFToshibaMOSFETs Small Low ON Resistane MOSFETs
на замовлення 45783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 122402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.72 грн
36+8.43 грн
100+5.22 грн
500+3.57 грн
1000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.87 грн
6000+2.47 грн
9000+2.32 грн
15000+2.02 грн
21000+1.92 грн
30000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37FS,LF(BToshibaSSM3K37FS,LF(B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2443+5.79 грн
2517+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 2443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.65 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.34 грн
35+23.30 грн
100+13.34 грн
500+8.36 грн
1000+6.53 грн
5000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.65 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.34 грн
500+8.36 грн
1000+6.53 грн
5000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 20147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.05 грн
31+9.85 грн
100+6.14 грн
500+4.22 грн
1000+3.72 грн
2000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3FToshibaN-Channel 20 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.92 грн
16000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3FToshibaMOSFETs Small-signal FET 0.25A 20V 12pF
на замовлення 18737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 28830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3534+2.67 грн
15000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3534 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 28890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5301+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 5301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3FTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.25A; 0.15W; SOT723; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 13096 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.07 грн
47+8.95 грн
100+5.24 грн
500+3.74 грн
1000+3.28 грн
2000+2.91 грн
5000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F(BToshibaTRANSISTOR (SILICON)
на замовлення 3109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1806+7.84 грн
1866+7.58 грн
2500+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 1806 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.65 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
на замовлення 21760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.51 грн
122+6.61 грн
500+4.45 грн
1000+3.51 грн
5000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.65 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
на замовлення 21760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.09 грн
52+15.51 грн
122+6.61 грн
500+4.45 грн
1000+3.51 грн
5000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F(T)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 13780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2919+4.85 грн
2936+4.82 грн
3417+4.14 грн
8000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 2919 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFVL3F(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K389R,LFToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 82 m at 10 V, TSOP6F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K43FSToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]