Продукція > AIM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AIMB-T12310A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers AIMB-T1000A W/AIMB-231 CEL-3765U,BAREBO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-T12313A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers AIMB-T1000A W/AIMB-231 I3-5010U, BAREBO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-T12313A-00Y0EAdvantech CorporationDescription: AIMB-T1000A W/AIMB-231 I3-5010U
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 9.842" x 1.692" (250.00mm x 43.00mm)
Function: Thin Barebone System
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Expansion Site/Bus: Mini-PCIe
Video Outputs: DVI, DP, HDMI, VGA
Ethernet: 10/100/1000Mbps
USB: USB 2.0 (2)
RS-232 (422, 485): 2
Watchdog Timer: No
Power (Watts): 14.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-T12315A-00Y0EAdvantech CorporationDescription: AIMB-T1000A W/AIMB-231 I5-5350
Watchdog Timer: No
RS-232 (422, 485): 2
USB: USB 2.0 (2)
Ethernet: 10/100/1000Mbps
Video Outputs: DVI, DP, HDMI, VGA
Expansion Site/Bus: Mini-PCIe
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Function: Thin Barebone System
Size / Dimension: 9.842" x 1.692" (250.00mm x 43.00mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-T12315A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers AIMB-T1000A W/AIMB-231 I5-5350, BAREBON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-T12317A-00Y0EAdvantech CorpDescription: AIMB-T1000A W/AIMB-231 I7-5650
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-T12317A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers AIMB-T1000A W/AIMB-231 I7-5650, BAREBON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-T12325W-00Y10AdvantechEmbedded Box Computers AIMB-T1000W AIMB-232 i5-6300,Fanless BB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-U117D-S6A2EAdvantech CorpDescription: SBC 1.6GHZ 4 CORE 8GB/32GB RAM
Power (Watts): 7.3W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 4.600" x 4.400" (116.84mm x 111.76mm)
Speed: 1.6GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Core Processor: Intel Atom x7-E3950
Cooling Type: Heat Sink
Form Factor: UTX
Expansion Site/Bus: M.2, mPCIe, mSATA
Video Outputs: DP++, eDP, HDMI, LVDS
Ethernet: 10/100/1000 Mbps, GbE (2), RJ45 (2)
USB: USB 3.0 (4)
Digital I/O Lines: 8
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: eMMC, M.2, mSATA, SATA 3.0 (1)
Number of Cores: 4
RAM Capacity/Installed: 8GB/32GB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-U117NZ-FLA2EAdvantech CorpDescription: SBC 1.3GHZ 2 CORE 8GB/32GB RAM
RAM Capacity/Installed: 8GB/32GB
Number of Cores: 2
Storage Interface: eMMC, M.2, mSATA, SATA 3.0 (1)
Watchdog Timer: Yes
Digital I/O Lines: 8
USB: USB 3.0 (4)
Ethernet: 10/100/1000 Mbps, GbE (2), RJ45 (2)
Video Outputs: DP++, eDP, HDMI, LVDS
Expansion Site/Bus: M.2, mPCIe, mSATA
Form Factor: UTX
Cooling Type: Heat Sink
Core Processor: Intel Atom x5-E3930
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Speed: 1.3GHz
Size / Dimension: 4.600" x 4.400" (116.84mm x 111.76mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-U117NZ-S6A1EAdvantechSingle Board Computers UTX E3930 HDMI/DP/eDP/2GbE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-U117NZ-S6A2EAdvantech CorpDescription: SBC 1.3GHZ 2 CORE 8GB/32GB RAM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 4.600" x 4.400" (116.84mm x 111.76mm)
Speed: 1.3GHz
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Core Processor: Intel Atom x5-E3930
Cooling Type: Heat Sink
Form Factor: UTX
Expansion Site/Bus: M.2, mPCIe, mSATA
Video Outputs: DP++, eDP, HDMI, LVDS
Ethernet: 10/100/1000 Mbps, GbE (2), RJ45 (2)
USB: USB 3.0 (4)
Digital I/O Lines: 8
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: eMMC, M.2, mSATA, SATA 3.0 (1)
Number of Cores: 2
RAM Capacity/Installed: 8GB/32GB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-U117NZ-S6A2EAdvantechSingle Board Computers UTX E3930 HDMI/DP/EDP/2GBE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-U217DZ-FLA1EAdvantech CorpDescription: SBC 2.0GHZ 4 CORE 8GB/32GB RAM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.400" x 4.400" (137.16mm x 111.76mm)
Speed: 2GHz
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Core Processor: Intel Atom x7-E3950
Cooling Type: Heat Sink
Form Factor: UTX
Expansion Site/Bus: CAN, M.2, mPCIe, PCIe, SPI
Video Outputs: DP++, eDP, HDMI, LVDS
Ethernet: 10/100/1000 Mbps, GbE (3), RJ45 (3)
USB: USB 2.0 (2), USB 3.0 (4)
RS-232 (422, 485): 2
Digital I/O Lines: 16
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: eMMC, M.2, SATA 3.0 (1)
Number of Cores: 4
RAM Capacity/Installed: 8GB/32GB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-U217DZ-FLA1EAdvantechIndustrial Motherboards UTX E3950 HDMI/DP/EDP/3GBE/EMMC/CANBUS/
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-U217DZ-S6A1EAdvantech CorpDescription: SBC 2.0GHZ 4 CORE 8GB/32GB RAM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.400" x 4.400" (137.16mm x 111.76mm)
Speed: 2GHz
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Core Processor: Intel Atom x7-E3950
Cooling Type: Heat Sink
Form Factor: UTX
Expansion Site/Bus: CAN, M.2, mPCIe, PCIe, SPI
Video Outputs: DP++, eDP, HDMI, LVDS
Ethernet: 10/100/1000 Mbps, GbE (3), RJ45 (3)
USB: USB 2.0 (2), USB 3.0 (4)
RS-232 (422, 485): 2
Digital I/O Lines: 16
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: eMMC, M.2, SATA 3.0 (1)
Number of Cores: 4
RAM Capacity/Installed: 8GB/32GB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-U217DZ-S6A1EAdvantechIndustrial Motherboards UTX E3950 HDMI/DP/EDP/2GBE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-U217EZ-S6A1EAdvantech CorpDescription: SBC 1.8GHZ 4 CORE 8GB/32GB RAM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.400" x 4.400" (137.16mm x 111.76mm)
Speed: 1.8GHz
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Core Processor: Intel Atom x5-E3940
Cooling Type: Heat Sink
Form Factor: UTX
Expansion Site/Bus: CAN, M.2, mPCIe, PCIe, SPI
Video Outputs: DP++, eDP, HDMI, LVDS
Ethernet: 10/100/1000 Mbps, GbE (3), RJ45 (3)
USB: USB 2.0 (2), USB 3.0 (4)
RS-232 (422, 485): 2
Digital I/O Lines: 16
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: eMMC, M.2, SATA 3.0 (1)
Number of Cores: 4
RAM Capacity/Installed: 8GB/32GB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-U217EZ-S6A1EAdvantechIndustrial Motherboards UTX E3940 HDMI/DP/EDP/2GBE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-U233E-U3A1EAdvantech CorpDescription: SBC 2.2GHZ 1 CORE 16GB/0GB RAM
Power (Watts): 6.25W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.400" x 4.400" (137.16mm x 111.76mm)
Speed: 2.2GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Core Processor: Intel Core i3-8145UE
Cooling Type: Fan
Form Factor: M.2 E-Key 2230
Expansion Site/Bus: M.2, PCIe
Video Outputs: eDP, HDMI, LVDS
Ethernet: 10/100/1000 Mbps, GbE (2), RJ45 (2)
USB: USB 2.0 (2), USB 3.2 (2)
RS-232 (422, 485): 2
Digital I/O Lines: 16
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: M.2, SATA 3.0 (1)
Number of Cores: 1
RAM Capacity/Installed: 16GB/0GB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-U233E-U3A1EAdvantechIndustrial Motherboards UTX Intel i3-8145UE eDP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-U233E-U5A1EAdvantech CorpDescription: SBC 1.6GHZ 4 CORE 16GB/0GB RAM
Power (Watts): 6.25W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.400" x 4.400" (137.16mm x 111.76mm)
Speed: 1.6GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Core Processor: Intel Core i5-8365UE
Cooling Type: Fan
Form Factor: M.2 E-Key 2230
Expansion Site/Bus: M.2, PCIe
Video Outputs: eDP, HDMI, LVDS
Ethernet: 10/100/1000 Mbps, GbE (2), RJ45 (2)
USB: USB 2.0 (2), USB 3.2 (2)
RS-232 (422, 485): 2
Digital I/O Lines: 16
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: M.2, SATA 3.0 (1)
Number of Cores: 4
RAM Capacity/Installed: 16GB/0GB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-U233E-U5A1EAdvantechSingle Board Computers UTX Intel i5-8365UE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-U233E-U7A1EAdvantech CorpDescription: SBC 1.7GHZ 1 CORE 16GB/0GB RAM
Power (Watts): 6.25W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.400" x 4.400" (137.16mm x 111.76mm)
Speed: 1.7GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Core Processor: Intel Core i7-8665UE
Cooling Type: Fan
Form Factor: M.2 E-Key 2230
Expansion Site/Bus: M.2, PCIe
Video Outputs: eDP, HDMI, LVDS
Ethernet: 10/100/1000 Mbps, GbE (2), RJ45 (2)
USB: USB 2.0 (2), USB 3.2 (2)
RS-232 (422, 485): 2
Digital I/O Lines: 16
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: M.2, SATA 3.0 (1)
Number of Cores: 1
RAM Capacity/Installed: 16GB/0GB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-U233L-U3A1EAdvantech CorpDescription: SBC 2.2GHZ 1 CORE 16GB/0GB RAM
Power (Watts): 6.25W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.400" x 4.400" (137.16mm x 111.76mm)
Speed: 2.2GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Core Processor: Intel Core i3-8145UE
Cooling Type: Fan
Form Factor: M.2 E-Key 2230
Expansion Site/Bus: M.2, PCIe
Video Outputs: eDP, HDMI, LVDS
Ethernet: 10/100/1000 Mbps, GbE (2), RJ45 (2)
USB: USB 2.0 (2), USB 3.2 (2)
RS-232 (422, 485): 2
Digital I/O Lines: 16
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: M.2, SATA 3.0 (1)
Number of Cores: 1
RAM Capacity/Installed: 16GB/0GB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB-VGA-00A1EAdvantechInterface Modules ADD2 Card with external VGA (PCIe x16) RoHS(AIMB-554/556/562/564/764/763/762)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB0VENTIONCategory: HDMI, DVI, DisplayPort cables and adapt.
Description: Adapter; HDMI socket,HDMI plug; black
Type of transition: adapter
Cable/adapter structure: HDMI plug; HDMI socket
Connector colour: black
Contact plating: gold-plated
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+70.45 грн
7+67.09 грн
10+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB258G21201E-TAdvantech CorpDescription: CIRCUIT MOD C2D MINI ITX FSB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMB274L00A1E-ESAdvantechSingle Board Computers miniITX LGA1150, L SKU, VGA/DP-HDMI/Sin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R010M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 205A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 93A, 20V
Power Dissipation (Max): 882W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 30mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5703 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1240.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R010M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R010M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 205 A, 1.2 kV, 8700 µohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 882W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2140.22 грн
5+2063.81 грн
10+1987.41 грн
50+1773.74 грн
100+1571.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R010M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R010M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 205 A, 1.2 kV, 8700 µohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 882W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1987.41 грн
50+1773.74 грн
100+1571.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R010M1XTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R010M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 205A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 93A, 20V
Power Dissipation (Max): 882W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 30mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5703 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2133.54 грн
10+1506.32 грн
100+1462.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R020M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R020M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 104A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 43A, 20V
Power Dissipation (Max): 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 15mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2667 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R020M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R020M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1646.01 грн
5+1496.45 грн
10+1346.88 грн
50+1177.46 грн
100+1019.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R020M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R020M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1346.88 грн
50+1177.46 грн
100+1019.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R020M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 104A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 43A, 20V
Power Dissipation (Max): 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 15mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2667 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1286.24 грн
10+884.46 грн
100+845.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R030M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R030M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.038 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+972.98 грн
5+840.48 грн
10+707.18 грн
50+603.83 грн
100+516.97 грн
250+506.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R030M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 70A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1073.04 грн
10+729.95 грн
100+668.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R030M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 70A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+567.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R030M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R030M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.038 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+707.18 грн
50+603.83 грн
100+516.97 грн
250+506.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R030M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R030M1XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 70A; 333W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 70A
Gate-source voltage: -5...23V
Gate charge: 57nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 333W
Application: automotive industry
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+763.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R040M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R040M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+786.02 грн
50+686.10 грн
100+592.22 грн
250+580.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R040M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 54A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+907.66 грн
10+609.71 грн
100+489.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R040M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1262.84 грн
10+883.61 грн
100+778.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R040M1XTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R040M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 54A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+415.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R040M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+919.42 грн
19+750.27 грн
25+737.63 грн
50+704.10 грн
100+607.58 грн
250+579.40 грн
500+566.06 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R040M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R040M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1081.08 грн
5+933.96 грн
10+786.02 грн
50+686.10 грн
100+592.22 грн
250+580.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R060M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC_DISCRETE
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R060M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+879.44 грн
10+588.28 грн
100+525.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R060M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R080M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R080M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+812.03 грн
5+793.34 грн
10+774.64 грн
50+701.19 грн
100+631.23 грн
250+615.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R080M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 30.6A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 671 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R080M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R080M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+774.64 грн
50+701.19 грн
100+631.23 грн
250+615.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R080M1XTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R080M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 30.6A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 671 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+581.59 грн
10+382.37 грн
100+301.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R120M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SIC_DISCRETE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R120M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 22A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R160M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 20V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.16 грн
10+362.30 грн
100+265.18 грн
500+240.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R160M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R160M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 20V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+218.65 грн
2000+209.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R016M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R016M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R016M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1695.39 грн
10+1178.07 грн
100+955.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R020M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R020M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V 81A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 34.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2326 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+598.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R020M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V 81A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 34.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2326 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1113.80 грн
10+760.45 грн
100+705.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET 750V G2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AIMBG75R025M2HXTMA1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.1mA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 36.7A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1729 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AIMBG75R025M2HXTMA1
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1729 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.1mA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 36.7A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R027M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V 64A TO-263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+946.06 грн
10+660.44 грн
100+592.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R027M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V 64A TO-263
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+502.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R027M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R040M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R040M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG75R040M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+616.14 грн
50+504.95 грн
100+404.10 грн
250+395.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AIMBG75R060M1HXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+538.48 грн
10+399.96 грн
25+370.33 грн
100+316.96 грн
250+302.39 грн
500+293.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AIMBG75R060M1HXTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+316.90 грн
2000+298.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AIMBG75R090M1HXTMA1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AIMBG75R090M1HXTMA1
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
FET Type: N-Channel
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+446.77 грн
10+329.54 грн
25+304.42 грн
100+259.80 грн
250+247.46 грн
500+240.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V 17A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R140M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG75R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+196.71 грн
500+165.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V 17A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.01 грн
10+242.66 грн
100+174.33 грн
500+159.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R140M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG75R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.84 грн
10+268.24 грн
100+193.46 грн
500+160.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-0201-10NJ-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 10NH 200MA 800MOHM SMD
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Size / Dimension: 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 800mOhm Max
Q @ Freq: 5 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 5.5GHz
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0201 (0603 Metric)
Height - Seated (Max): 0.014" (0.35mm)
Inductance: 10 nH
Current Rating (Amps): 200 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-0201-10NJ-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 10NH 200MA 800MOHM SMD
Current Rating (Amps): 200 mA
Inductance: 10 nH
Height - Seated (Max): 0.014" (0.35mm)
Supplier Device Package: 0201 (0603 Metric)
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Material - Core: Ceramic
Frequency - Self Resonant: 5.5GHz
Q @ Freq: 5 @ 100MHz
DC Resistance (DCR): 800mOhm Max
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Type: Multilayer
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-0201-10NJ-TABRACONRF Inductors - SMD FIXED IND 10NH 200MA 800 MOHM
на замовлення 11026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-0201-12NJ-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 12NH 150MA 1 OHM SMD
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Size / Dimension: 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 1Ohm Max
Q @ Freq: 5 @ 100MHz
Frequency - Self Resonant: 5GHz
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Supplier Device Package: 0201 (0603 Metric)
Height - Seated (Max): 0.014" (0.35mm)
Part Status: Active
Inductance: 12 nH
Current Rating (Amps): 150 mA
на замовлення 9885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.84 грн
84+3.62 грн
94+3.23 грн
102+2.81 грн
113+2.51 грн
250+2.10 грн
500+1.93 грн
1000+1.74 грн
2500+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-0201-12NJ-TABRACONRF Inductors - SMD FIXED IND 12NH 150MA 1 OHM SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMC-0201-12NJ-TAbracon LLCDescription: FIXED IND 12NH 150MA 1 OHM SMD
Current Rating (Amps): 150 mA
Inductance: 12 nH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.014" (0.35mm)
Supplier Device Package: 0201 (0603 Metric)
Inductance Frequency - Test: 100 MHz
Material - Core: Ceramic
Frequency - Self Resonant: 5GHz
Q @ Freq: 5 @ 100MHz
DC Resistance (DCR): 1Ohm Max
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Type: Multilayer
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]