Продукція > DMG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.47 грн
10000+11.72 грн
25000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM
на замовлення 5572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.47 грн
10000+11.72 грн
25000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+29.24 грн
500+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 322 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.47 грн
10000+11.72 грн
25000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.47 грн
10000+11.72 грн
25000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
484+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 5913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 121900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.48 грн
100+27.21 грн
500+19.72 грн
1000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.77 грн
5000+15.04 грн
7500+14.98 грн
12500+13.68 грн
17500+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4812SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4812SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4812SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDams OSRAMams OSRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 57468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.40 грн
7500+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K
на замовлення 5157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 57468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+48.53 грн
25+40.70 грн
50+33.65 грн
100+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
648+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 648 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+21.85 грн
500+20.44 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 575000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 582500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.44 грн
5000+21.76 грн
7500+20.86 грн
12500+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 589853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+52.31 грн
100+36.18 грн
500+28.37 грн
1000+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48270C043_04WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; RS232; SD; UART
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Related items: HDL662B
Screen size: 4.3"
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Touchpad: none
Operating temperature: -10...60°C
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm
Kind of display: graphical; matrix TN
Display resolution: 480x272
Luminosity: 300cd/m2
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x10
Dimensions: 121.92x73.15x13.8mm
Connection: 10pin; SD
No. of colours: 262k
Illumination: LED
Type of display: TFT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1051.28 грн
3+975.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48270C043_04WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Type of display: TFT
Kind of display: graphical; matrix TN
Screen size: 4.3"
Display resolution: 480x272
Illumination: LED
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm
Dimensions: 121.92x73.15x15.6mm
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; SD; UART
Luminosity: 250cd/m2
Connector pinout layout: 1x10
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Touchpad: capacitive
Related items: HDL662B
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Operating temperature: -10...60°C
Memory: 16MB FLASH
Connection: 10pin; SD
No. of colours: 262k
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1538.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48270C043_04WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 200cd/m2
Type of display: TFT
Kind of display: graphical; matrix TN
Screen size: 4.3"
Display resolution: 480x272
Illumination: LED
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm
Dimensions: 121.92x73.15x15.3mm
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; RS232; SD; UART
Luminosity: 200cd/m2
Connector pinout layout: 1x10
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Touchpad: resistance
Related items: HDL662B
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Operating temperature: -10...60°C
Memory: 16MB FLASH
Connection: 10pin; SD
No. of colours: 262k
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1176.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48270C043_05WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 8MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; RS232; SD; UART
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Related items: HDL662B
Screen size: 4.3"
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Touchpad: none
Operating temperature: -20...70°C
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm
Kind of display: graphical; matrix TN
Display resolution: 480x272
Luminosity: 300cd/m2
Memory: 8MB FLASH
Connector pinout layout: 1x10
Dimensions: 121.92x73.15x13.8mm
Connection: 10pin; SD
No. of colours: 262k
Illumination: LED
Type of display: TFT
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+963.67 грн
3+836.97 грн
10+800.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48270C043_05WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 8MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Type of display: TFT
Kind of display: graphical; matrix TN
Screen size: 4.3"
Display resolution: 480x272
Dimensions: 121.92x73.15x15.6mm
Colour: RGB
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; SD; UART
Connection: 10pin; SD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Related items: HDL662B
Touchpad: capacitive
Connector pinout layout: 1x10
No. of colours: 262k
Illumination: LED
Kind of controller: T5L0
Operating temperature: -20...70°C
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm
Luminosity: 250cd/m2
Memory: 8MB FLASH
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1306.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48270C043_05WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 8MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; RS232; SD; UART
Dimensions: 121.92x73.15x13.8mm
Related items: HDL662B
Screen size: 4.3"
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Touchpad: resistance
Operating temperature: -20...70°C
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm
Kind of display: graphical; matrix TN
Display resolution: 480x272
Luminosity: 250cd/m2
Memory: 8MB FLASH
Connector pinout layout: 1x10
Connection: 10pin; SD
No. of colours: 262k
Illumination: LED
Type of display: TFT
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+997.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48320C035_03WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 3.5"; 320x480; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Connection: 10pin; SD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of display: TFT
Related items: HDL662B
Screen size: 3.5"
Colour: RGB
Kind of controller: T5L1
Touchpad: none
Operating temperature: -20...70°C
Window dimensions (H x W): 49x73.4mm
Kind of display: graphical; matrix IPS
Display resolution: 320x480
Luminosity: 300cd/m2
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x10
Dimensions: 61.1x103.3x10.5mm
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; SD; UART
No. of colours: 16.7M
Illumination: LED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48320C035_03WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 3.5"; 320x480; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Type of display: TFT
Kind of display: graphical; matrix IPS
Screen size: 3.5"
Display resolution: 320x480
Illumination: LED
Window dimensions (H x W): 49x73.4mm
Dimensions: 61.1x103.3x12.3mm
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; SD; UART
Luminosity: 250cd/m2
Connector pinout layout: 1x10
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Touchpad: capacitive
Related items: HDL662B
Colour: RGB
Kind of controller: T5L1
Operating temperature: -20...70°C
Memory: 16MB FLASH
Connection: 10pin; SD
No. of colours: 16.7M
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1869.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48320C035_03WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 3.5"; 320x480; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; SD; UART
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Related items: HDL662B
Screen size: 3.5"
Colour: RGB
Kind of controller: T5L1
Touchpad: resistance
Operating temperature: -20...70°C
Window dimensions (H x W): 49x73.4mm
Kind of display: graphical; matrix IPS
Display resolution: 320x480
Luminosity: 250cd/m2
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x10
Dimensions: 61.1x103.3x12.1mm
Connection: 10pin; SD
No. of colours: 16.7M
Illumination: LED
Type of display: TFT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1206.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4932LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.19W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4932LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.19W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4932LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N60SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N60SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N60SJ3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N60SJ3Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 651V-800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N60SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N60SK3-13Diodes IncorporatedMOSFET 600V N-Ch Enh Mode 2.3Ohm 10V 3.7A
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N60SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N65CTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.19W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N65CTDiodes IncorporatedMOSFET N-CH MOSFET 650V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N65CTIDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.35W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N65CTIDiodes IncorporatedMOSFET N-CH MOSFET 650V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG504010RPanasonic IndustryDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6-F3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG504010RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG50401RPANASOT26
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563010RPANASONICSOT353
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563010RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMini5-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563010RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563020RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMini5-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563020RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563H10RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563H10RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SMini5-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563H40RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563H40RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms, 510Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, 5.1kOhms
Supplier Device Package: SMini5-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563H50RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563H50RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMini5-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563H50RPANASONICSOT25/SOT353
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564010RPanasonicBipolar Transistors - BJT Composite Transistor w/ Built n Resistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564010RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564020RPANASONICSOT26/SOT363
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564030RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564030RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564040RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564040RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564050RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564050RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564060RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564060RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG5640N0RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG5640N0RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564H20RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564H20RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564H30RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG564H30RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG5802LFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066.4pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: W-DFN5020-6
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+45.06 грн
100+29.43 грн
500+21.33 грн
1000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG5802LFX-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch 24V Mosfet 0.98W PD
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG5802LFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066.4pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: W-DFN5020-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG600LOVATODescription: LOVATO - DMG600 - Einbauinstrument, Multifunktion, 25mA-6A, 50-720V, 45-66Hz, 50-720V Versorgung
tariffCode: 90283019
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Funktionsumfang: Strom, Spannung, Frequenz, Leistung, Energie, Leistungsfaktor
Höhe des Frontplattenausschnitts: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Versorgungsspannung, min.: 50V
Breite des Frontplattenausschnitts: -
euEccn: NLR
Messbereich: 25mA bis 6A, 50V bis 720V, 45Hz bis 66Hz
Ziffernhöhe: -
Produktpalette: DMG Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 720V
Betriebstemperatur, max.: 60°C
Anzahl der Ziffern / Zeichen: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG611R0100LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD
Mounting: on panel
Standard equipment: Rogowski coil
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
AC current measuring range: 10...100A
Diameter: 50mm
Dimensions (W x H x D): 96x96x73.5mm
Mounting hole dimensions: 92x92mm
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
Cable length: 2m
AC voltage measuring range: 50...415V
Maximum current: 100A
Supply voltage: 100...440V AC; 120...250V DC
Frequency measuring range: 45...65Hz
Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Related items: EXP8000
Measuring instrument features: multilanguage menu
Kind of measurement: with a rogowski coil
IP rating: IP20 at terminal side; IP54 (from the front)
Kind of display used: LCD
Communictions protocol: Modbus ASCII; Modbus RTU
Type of meter: network parameters
Interface: optical port; RS485
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG611R6300LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD
Mounting: on panel
Communictions protocol: Modbus ASCII; Modbus RTU
Measuring instrument features: multilanguage menu
Type of meter: network parameters
Interface: optical port; RS485
Standard equipment: Rogowski coil
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Kind of measurement: with a rogowski coil
Diameter: 240mm
Mounting hole dimensions: 92x92mm
Dimensions (W x H x D): 96x96x73.5mm
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
Cable length: 2m
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring range: 50...415V
Supply voltage: 100...440V AC; 120...250V DC
Maximum current: 6300A
AC current measuring range: 315...6.3kA
Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Related items: EXP8000
IP rating: IP20 at terminal side; IP54 (from the front)
Kind of display used: LCD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 190mA; Idm: 1.5A; 370mW; SOT363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SOT363
On-state resistance: 5Ω
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.37W
Gate charge: 0.36nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.19A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.