Продукція > DMG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMG4511SK4-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4511SK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 35 V, 35 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 35V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.54W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 35V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.54W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.85 грн
15+57.22 грн
100+37.72 грн
500+27.25 грн
1000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4511SK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 35 V, 35 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 35V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.54W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 35V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.54W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.72 грн
500+27.25 грн
1000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4710SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4710SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4710SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+54.19 грн
100+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4712SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4712SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4712SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4712SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.55W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2296 pF @ 15 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
15+21.28 грн
100+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.26 грн
23+36.50 грн
100+23.49 грн
500+16.61 грн
1000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.42 грн
6000+10.95 грн
9000+10.44 грн
15000+9.26 грн
21000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A
на замовлення 35972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+31.70 грн
100+20.39 грн
500+14.56 грн
1000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.44 A, 0.011 ohm, DFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.49 грн
500+16.61 грн
1000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.44A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A
на замовлення 8176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.02 грн
21+39.02 грн
100+25.69 грн
500+18.42 грн
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.00 грн
5000+13.67 грн
7500+13.31 грн
12500+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
на замовлення 35006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+37.06 грн
100+24.39 грн
500+17.60 грн
1000+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.69 грн
500+18.42 грн
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSDDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.47 грн
10000+11.72 грн
25000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+34.72 грн
100+22.46 грн
500+16.13 грн
1000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.44 грн
500+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.47 грн
10000+11.72 грн
25000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM
на замовлення 5572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
484+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.28 грн
10000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.54 грн
50+60.39 грн
100+37.55 грн
500+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.25 грн
10000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.75 грн
5000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.47 грн
10000+11.72 грн
25000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.47 грн
10000+11.72 грн
25000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 8.4A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.90 грн
11+39.00 грн
50+27.00 грн
100+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+29.24 грн
500+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 322 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.17W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.77 грн
5000+15.04 грн
7500+14.98 грн
12500+13.68 грн
17500+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.17W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 121900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.48 грн
100+27.21 грн
500+19.72 грн
1000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 5913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4812SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4812SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4812SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.54W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDams OSRAMams OSRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 52614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+45.21 грн
100+29.54 грн
500+21.41 грн
1000+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K
на замовлення 5157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+21.85 грн
500+20.44 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.54 грн
500+20.61 грн
1000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.00 грн
5000+16.84 грн
7500+16.10 грн
12500+14.33 грн
17500+13.87 грн
25000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.27 грн
17+48.28 грн
100+31.54 грн
500+20.61 грн
1000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
648+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 648 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 575000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.42W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 589853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+52.31 грн
100+36.18 грн
500+28.37 грн
1000+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.90 грн
500+25.59 грн
1000+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.42W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 582500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.44 грн
5000+21.76 грн
7500+20.86 грн
12500+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG4822SSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.66 грн
16+51.86 грн
100+36.90 грн
500+25.59 грн
1000+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48270C043_04WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; RS232; SD; UART
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Memory: 16MB FLASH
Operating temperature: -10...60°C
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Type of display: TFT
Dimensions: 121.92x73.15x13.8mm
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm
Screen size: 4.3"
Luminosity: 300cd/m2
Display resolution: 480x272
Connector pinout layout: 1x10
No. of colours: 262k
Connection: 10pin; SD
Touchpad: none
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662B
Illumination: LED
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1070.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48270C043_04WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; SD; UART
Dimensions: 121.92x73.15x15.6mm
Connection: 10pin; SD
Screen size: 4.3"
Luminosity: 250cd/m2
Display resolution: 480x272
No. of colours: 262k
Connector pinout layout: 1x10
Memory: 16MB FLASH
Touchpad: capacitive
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662B
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Type of display: TFT
Operating temperature: -10...60°C
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48270C043_04WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 200cd/m2
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; RS232; SD; UART
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Memory: 16MB FLASH
Operating temperature: -10...60°C
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Type of display: TFT
Dimensions: 121.92x73.15x15.3mm
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm
Screen size: 4.3"
Luminosity: 200cd/m2
Display resolution: 480x272
Connector pinout layout: 1x10
No. of colours: 262k
Connection: 10pin; SD
Touchpad: resistance
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662B
Illumination: LED
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1179.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48270C043_05WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 8MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; RS232; SD; UART
Dimensions: 121.92x73.15x13.8mm
Connection: 10pin; SD
Screen size: 4.3"
Luminosity: 300cd/m2
Display resolution: 480x272
No. of colours: 262k
Connector pinout layout: 1x10
Memory: 8MB FLASH
Touchpad: none
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662B
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...70°C
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+955.54 грн
3+830.26 грн
10+821.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48270C043_05WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 8MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; I2C; RS232; SD; UART
Dimensions: 121.92x73.15x15.6mm
Connection: 10pin; SD
Screen size: 4.3"
Luminosity: 250cd/m2
Display resolution: 480x272
No. of colours: 262k
Connector pinout layout: 1x10
Memory: 8MB FLASH
Touchpad: capacitive
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662B
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Type of display: TFT
Operating temperature: -20...70°C
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1241.85 грн
3+1088.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48270C043_05WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; 8MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Interface: 18bit RGB; CMOS/TTL; RS232; SD; UART
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Memory: 8MB FLASH
Operating temperature: -20...70°C
Colour: RGB
Kind of controller: T5L0
Type of display: TFT
Dimensions: 121.92x73.15x13.8mm
Window dimensions (H x W): 95.04x53.86mm
Screen size: 4.3"
Luminosity: 250cd/m2
Display resolution: 480x272
Connector pinout layout: 1x10
No. of colours: 262k
Connection: 10pin; SD
Touchpad: resistance
Kind of display: graphical; matrix TN
Related items: HDL662B
Illumination: LED
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1124.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48320C035_03WNDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 3.5"; 320x480; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 300cd/m2
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -20...70°C
Touchpad: none
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL662B
Illumination: LED
Colour: RGB
Kind of controller: T5L1
Type of display: TFT
Window dimensions (H x W): 49x73.4mm
Dimensions: 61.1x103.3x10.5mm
Screen size: 3.5"
Luminosity: 300cd/m2
Display resolution: 320x480
No. of colours: 16.7M
Memory: 16MB FLASH
Connector pinout layout: 1x10
Connection: 10pin; SD
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; SD; UART
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1187.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48320C035_03WTCDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 3.5"; 320x480; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; I2C; SD; UART
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Memory: 16MB FLASH
Operating temperature: -20...70°C
Colour: RGB
Kind of controller: T5L1
Type of display: TFT
Dimensions: 61.1x103.3x12.3mm
Window dimensions (H x W): 49x73.4mm
Screen size: 3.5"
Luminosity: 250cd/m2
Display resolution: 320x480
Connector pinout layout: 1x10
No. of colours: 16.7M
Connection: 10pin; SD
Touchpad: capacitive
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL662B
Illumination: LED
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1811.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG48320C035_03WTRDwin TechnologyCategory: Intelligent displays modules
Description: Display: TFT; 3.5"; 320x480; Illumin: LED; 16MBFLASH; RGB; 250cd/m2
Interface: 24bit RGB; CMOS/TTL; SD; UART
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Memory: 16MB FLASH
Operating temperature: -20...70°C
Colour: RGB
Kind of controller: T5L1
Type of display: TFT
Dimensions: 61.1x103.3x12.1mm
Window dimensions (H x W): 49x73.4mm
Screen size: 3.5"
Luminosity: 250cd/m2
Display resolution: 320x480
Connector pinout layout: 1x10
No. of colours: 16.7M
Connection: 10pin; SD
Touchpad: resistance
Kind of display: graphical; matrix IPS
Related items: HDL662B
Illumination: LED
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1229.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4932LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4932LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.19W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4932LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
Power - Max: 1.19W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N60SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N60SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N60SJ3Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 651V-800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N60SJ3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO251
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-251
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N60SK3-13Diodes IncorporatedMOSFET 600V N-Ch Enh Mode 2.3Ohm 10V 3.7A
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N60SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N60SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N65CTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.19W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N65CTDiodes IncorporatedMOSFET N-CH MOSFET 650V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N65CTIDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ITO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 8.35W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N65CTIDiodes IncorporatedMOSFET N-CH MOSFET 650V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG504010RPanasonic IndustryDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6-F3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG504010RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG50401RPANASOT26
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563010RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMini5-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563010RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563010RPANASONICSOT353
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563020RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563020RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMini5-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563H10RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI5
Supplier Device Package: SMini5-F3-B
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563H10RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG563H40RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms, 510Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, 5.1kOhms
Supplier Device Package: SMini5-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]