Продукція > IMB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IMBG120R078M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+395.45 грн
100+289.14 грн
500+228.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+440.37 грн
50+428.08 грн
100+427.14 грн
200+410.97 грн
500+335.81 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 29A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78.1mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 800 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.29 грн
10+352.49 грн
100+233.34 грн
500+231.95 грн
1000+196.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+555.72 грн
10+395.45 грн
100+289.14 грн
500+228.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+335.76 грн
46+311.28 грн
100+299.35 грн
250+276.41 грн
500+264.63 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+414.78 грн
50+341.03 грн
100+274.07 грн
250+273.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+452.42 грн
100+429.98 грн
500+407.53 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+632.18 грн
10+415.29 грн
100+305.93 грн
500+249.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.83 грн
10+335.02 грн
100+250.59 грн
500+239.55 грн
1000+213.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+349.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+550.89 грн
5+483.24 грн
10+414.78 грн
50+341.03 грн
100+274.07 грн
250+273.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+650.16 грн
50+632.20 грн
100+630.32 грн
200+605.98 грн
500+495.28 грн
1000+474.66 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+276.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+498.73 грн
6000+457.94 грн
9000+428.33 грн
12000+391.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+336.66 грн
100+244.04 грн
500+189.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+278.87 грн
55+258.27 грн
100+247.50 грн
250+227.73 грн
500+217.24 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 21.2A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115.7mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.9mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 800 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.94 грн
10+272.22 грн
100+196.72 грн
500+184.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.87 грн
10+258.93 грн
25+258.27 грн
100+247.50 грн
250+227.73 грн
500+217.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+498.54 грн
10+336.66 грн
100+244.04 грн
500+189.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+357.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 21.2A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115.7mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.9mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.86 грн
10+300.09 грн
100+189.84 грн
1000+171.89 грн
2000+161.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.58 грн
10+323.47 грн
25+318.46 грн
50+302.17 грн
100+275.23 грн
250+259.93 грн
500+255.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+464.00 грн
50+456.44 грн
100+455.49 грн
500+403.68 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+269.81 грн
500+219.87 грн
1000+202.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+491.29 грн
10+327.88 грн
100+212.62 грн
1000+180.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+528.11 грн
10+344.24 грн
100+251.26 грн
500+199.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+323.47 грн
45+318.46 грн
50+302.17 грн
100+275.23 грн
250+259.93 грн
500+255.56 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+382.72 грн
100+363.82 грн
500+344.92 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+413.97 грн
10+330.21 грн
100+269.81 грн
500+219.87 грн
1000+202.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+220.37 грн
69+206.86 грн
100+197.65 грн
250+181.24 грн
500+172.37 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+231.95 грн
500+186.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.85 грн
10+250.08 грн
100+156.02 грн
500+150.49 грн
1000+128.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 14.9A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.37 грн
10+207.71 грн
25+206.86 грн
100+197.65 грн
250+181.24 грн
500+172.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+284.05 грн
4000+260.81 грн
6000+243.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+386.59 грн
10+281.08 грн
100+231.95 грн
500+186.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 14.9A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.14 грн
10+227.13 грн
100+162.35 грн
500+146.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+428.08 грн
50+416.74 грн
100+415.80 грн
200+400.04 грн
500+326.53 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+334.16 грн
10000+306.82 грн
15000+286.99 грн
20000+262.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+460.69 грн
10+305.25 грн
100+223.10 грн
500+204.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+180.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+622.07 грн
25+595.34 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.92 грн
10+343.70 грн
25+331.32 грн
100+251.41 грн
250+230.18 грн
500+202.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+442.92 грн
42+343.70 грн
43+331.32 грн
100+251.41 грн
250+230.18 грн
500+202.82 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.36 грн
10+269.92 грн
100+171.20 грн
500+168.44 грн
1000+143.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+288.22 грн
500+272.87 грн
1000+257.51 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+231.95 грн
500+213.89 грн
1000+160.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.99 грн
10+296.38 грн
100+214.03 грн
500+167.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+253.55 грн
4000+232.82 грн
6000+217.77 грн
8000+199.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+183.63 грн
500+141.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 233.9mOhm @ 3A, 18V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 800 V
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.13 грн
10+231.02 грн
100+164.70 грн
500+128.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+264.13 грн
10+221.41 грн
25+220.56 грн
100+183.25 грн
250+168.67 грн
500+157.95 грн
1000+153.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+348.74 грн
10+228.64 грн
100+142.21 грн
500+134.62 грн
1000+113.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+354.38 грн
10+256.92 грн
100+183.63 грн
500+141.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 233.9mOhm @ 3A, 18V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+132.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+264.13 грн
65+220.56 грн
100+183.25 грн
250+168.67 грн
500+157.95 грн
1000+153.90 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+379.89 грн
50+370.44 грн
200+369.50 грн
500+355.39 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+201.35 грн
500+155.56 грн
1000+136.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.26 грн
10+224.36 грн
100+160.34 грн
500+144.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+281.73 грн
14000+258.68 грн
21000+241.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+378.54 грн
10+280.28 грн
100+201.35 грн
500+155.56 грн
1000+136.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.91 грн
10+300.09 грн
100+191.91 грн
500+170.51 грн
1000+151.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1164.61 грн
5+994.67 грн
10+823.92 грн
50+741.89 грн
100+585.41 грн
250+573.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1117.09 грн
10+851.85 грн
100+703.46 грн
1000+610.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+935.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 133A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1038.36 грн
10+734.63 грн
100+716.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1107.54 грн
42000+1031.99 грн
63000+974.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+823.92 грн
50+741.89 грн
100+585.41 грн
250+573.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 133A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+641.90 грн
50+548.19 грн
100+407.99 грн
250+399.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+899.63 грн
10+619.24 грн
100+445.27 грн
1000+416.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1117.84 грн
25+1106.78 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+834.88 грн
10+560.08 грн
100+484.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1128.90 грн
10+1117.84 грн
25+1106.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+919.76 грн
5+781.24 грн
10+641.90 грн
50+548.19 грн
100+407.99 грн
250+399.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+410.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+574.47 грн
10+570.50 грн
25+566.53 грн
100+542.38 грн
250+498.66 грн
500+475.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+695.86 грн
5+587.13 грн
10+477.60 грн
50+408.34 грн
100+285.80 грн
250+280.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+670.09 грн
10+500.95 грн
100+363.12 грн
500+336.20 грн
1000+285.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+477.60 грн
50+408.34 грн
100+285.80 грн
250+280.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+570.50 грн
26+566.53 грн
100+542.38 грн
250+498.66 грн
500+475.23 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+385.79 грн
100+281.89 грн
500+227.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+544.45 грн
10+378.69 грн
100+274.07 грн
500+244.38 грн
1000+218.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]