Продукція > IMB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+974.28 грн
10+656.13 грн
100+544.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+773.18 грн
100+734.28 грн
500+695.39 грн
1000+634.18 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+773.18 грн
100+734.28 грн
500+695.39 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 205W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 41A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52.6mOhm @ 13.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 205W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52.6mOhm @ 13.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+661.54 грн
10+434.68 грн
50+348.03 грн
100+300.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 36A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 13A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+697.60 грн
10+461.25 грн
100+352.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+539.81 грн
100+512.70 грн
500+485.59 грн
1000+442.11 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 181W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 36A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 13A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+539.81 грн
100+512.70 грн
500+485.59 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R060M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 181W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 29A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78.1mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 800 V
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.18 грн
10+354.52 грн
50+282.12 грн
100+242.93 грн
500+234.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+704.79 грн
30+474.82 грн
100+365.07 грн
500+335.18 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+378.95 грн
42+340.58 грн
44+328.69 грн
100+312.23 грн
250+284.72 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 29A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78.1mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+212.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+378.95 грн
10+340.58 грн
25+328.69 грн
100+312.23 грн
250+284.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+704.79 грн
10+474.82 грн
100+365.07 грн
500+335.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+622.05 грн
10+493.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+468.34 грн
10+391.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+423.13 грн
100+401.91 грн
500+380.70 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+468.34 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 26A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.00 грн
10+386.98 грн
100+284.12 грн
500+265.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+622.05 грн
29+493.36 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+423.13 грн
100+401.91 грн
500+380.70 грн
1000+346.64 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 26A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+234.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 21.2A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115.7mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.9mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 800 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+178.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 123W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+310.21 грн
52+273.91 грн
100+260.13 грн
250+237.07 грн
500+224.03 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 21.2A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115.7mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.9mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 800 V
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.94 грн
10+302.90 грн
50+239.55 грн
100+205.67 грн
500+192.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.21 грн
10+276.65 грн
25+273.91 грн
100+260.13 грн
250+237.07 грн
500+224.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 123W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+339.44 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 18A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 19910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+339.44 грн
500+321.76 грн
1000+304.09 грн
10000+275.04 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+631.37 грн
10+440.24 грн
100+384.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+97.93 грн
147+96.40 грн
150+94.87 грн
152+90.00 грн
250+81.96 грн
500+77.37 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+339.44 грн
500+321.76 грн
1000+304.09 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 18A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+511.05 грн
10+332.33 грн
100+241.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+631.37 грн
33+440.24 грн
100+384.10 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 14.9A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+243.98 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.73 грн
63+224.98 грн
64+222.71 грн
100+211.21 грн
250+192.20 грн
500+181.36 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+253.73 грн
10+224.98 грн
25+222.71 грн
100+211.21 грн
250+192.20 грн
500+181.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 14.9A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.75 грн
10+256.70 грн
50+201.57 грн
100+172.54 грн
500+155.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+592.23 грн
35+411.01 грн
100+325.25 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 13A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+444.42 грн
10+286.82 грн
100+206.86 грн
500+181.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+271.56 грн
10+251.66 грн
25+249.11 грн
100+239.22 грн
250+220.57 грн
500+210.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+280.51 грн
500+266.37 грн
1000+251.05 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 13A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+168.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+592.23 грн
10+411.01 грн
100+325.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+271.56 грн
57+249.11 грн
100+239.22 грн
250+220.57 грн
500+210.78 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 6004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 233.9mOhm @ 3A, 18V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 800 V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.34 грн
10+230.59 грн
50+180.33 грн
100+154.06 грн
500+135.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+426.74 грн
10+297.77 грн
100+219.58 грн
500+188.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]