Продукція > IXF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFH20N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+533.77 грн
5+427.71 грн
10+384.94 грн
30+327.07 грн
60+301.08 грн
120+296.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+593.35 грн
30+332.63 грн
60+304.15 грн
120+262.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N60IXYSMOSFETs 600V 20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N60QIXYSMOSFETs 20 Amps 600V 0.35 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1141.85 грн
15+1008.53 грн
30+906.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+886.96 грн
10+827.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 25 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.03 грн
30+383.56 грн
120+381.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+883.66 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Gate charge: 86nC
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+711.69 грн
10+488.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80PIXYSMOSFETs 20 Amps 800V 0.52 Rds
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80P (TO-247-3)
Код товару: 107942
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80QIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N80Q - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 20 A, 0.42 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80QIXYSMOSFET 800V 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80QIXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N80Q
Код товару: 129296
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N85XIXYSMOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N85XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO247-3; 190ns
Mounting: THT
Power dissipation: 540W
Gate charge: 63nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.33Ω
Reverse recovery time: 190ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N85XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+700.73 грн
30+538.49 грн
120+481.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50MOSFET, TO-247AD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50
Код товару: 188991
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50IXYSMOSFETs 500V 21A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50FIXYSMOSFETs IXFH21N50F F-Class HiPerRF Power MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50QIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1078.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH21N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N06T3IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 220A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N06T3IXYSMOSFETs 60V/220A TrenchT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N06T3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO247-3; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N20X3IXYSMOSFETs TO247 200V 220A N-CH X3CLASS
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 220A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N20X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH220N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 220 A, 0.0052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PТранзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
3+268.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50P
Код товару: 214500
Додати до обраних Обраний товар
IXYSТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 22 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 270 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2880/50
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+290.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PIXYSMOSFETs 500V 22A
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+674.45 грн
24+601.24 грн
30+496.96 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 350W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 350W
Gate charge: 50nC
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+579.83 грн
5+446.16 грн
10+396.68 грн
30+328.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N55MFET, N-CH,300W,550V,22A, 0.27Om, TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N55IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 22A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 400W
Kind of package: tube
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+566.28 грн
3+464.61 грн
10+417.65 грн
30+410.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60PIXYSMOSFETs 600V 22A
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+642.73 грн
30+360.86 грн
60+330.08 грн
120+285.49 грн
510+246.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3IXYSMOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+506.67 грн
10+322.88 грн
30+283.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+596.99 грн
5+349.72 грн
10+335.46 грн
30+317.01 грн
60+304.43 грн
120+291.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
на замовлення 5642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+616.86 грн
30+347.15 грн
120+292.86 грн
510+237.51 грн
1020+228.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+545.18 грн
30+517.46 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2 транзистор
Код товару: 203348
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N075T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+598.83 грн
30+357.84 грн
120+307.82 грн
510+281.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N075T2IXYSMOSFET 230 Amps 75V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10TIXYSMOSFETs 230Amps 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 230A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+828.49 грн
30+478.38 грн
120+408.25 грн
510+337.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+663.82 грн
10+509.90 грн
30+415.13 грн
120+410.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH23N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH23N80QIXYSMOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH23N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 23A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH240N15X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH240N15X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 240A; Idm: 420A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 97ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH240N15X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 240A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50
Код товару: 76962
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50IXYSMOSFETs 500V 24A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N50 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50QIXYSMOSFETs 500V 24A Q-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N60FAIRCHILD2002 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+542.73 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 24 A, 0.4 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 650
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PIXYSMOSFETs DIODE Id24 BVdass800
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+542.73 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PMOSFET N-CH 800V 24A TO247AD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+865.33 грн
30+504.35 грн
120+432.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.