Продукція > IXF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFH220N20X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH220N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 220 A, 0.0052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1030.10 грн
5+1025.27 грн
10+1021.24 грн
50+943.81 грн
100+867.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+535.14 грн
10+393.05 грн
30+317.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+774.90 грн
24+613.69 грн
30+495.85 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PIXYSMOSFETs 500V 22A
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+647.54 грн
10+430.29 грн
120+314.80 грн
510+262.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PТранзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+269.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N50P
Код товару: 214500
Додати до обраних Обраний товар
IXYSТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, V: 500 V
Струм стоку Idd, A: 22 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 270 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2880/50
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+290.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N55MFET, N-CH,300W,550V,22A, 0.27Om, TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N55IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 22A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60PIXYSMOSFETs 600V 22A
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+757.07 грн
10+527.94 грн
120+381.76 грн
510+336.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+513.66 грн
3+421.30 грн
10+378.92 грн
30+373.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+449.23 грн
10+270.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+601.11 грн
30+337.54 грн
120+284.56 грн
510+230.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N60P3IXYSMOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+640.29 грн
10+411.24 грн
120+293.39 грн
510+263.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
на замовлення 5642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+611.21 грн
30+343.97 грн
120+290.18 грн
510+235.33 грн
1020+226.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+546.40 грн
30+518.62 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+532.37 грн
10+305.65 грн
120+235.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 145ns
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+514.56 грн
5+419.64 грн
10+381.41 грн
30+321.58 грн
60+290.01 грн
120+273.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH22N65X2 транзистор
Код товару: 203348
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N075T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO247AD
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+593.35 грн
30+354.56 грн
120+305.00 грн
510+278.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N075T2IXYSMOSFET 230 Amps 75V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+652.37 грн
10+581.92 грн
30+482.55 грн
120+418.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 230A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+820.90 грн
30+474.00 грн
120+404.51 грн
510+334.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 230A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 82ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+657.74 грн
10+505.23 грн
30+411.33 грн
120+407.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10TIXYSMOSFETs 230Amps 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH230N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH23N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH23N80QIXYSMOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH23N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 23A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH240N15X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 240A; Idm: 420A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 97ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH240N15X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 240A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH240N15X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N50 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+604.85 грн
5+592.77 грн
10+580.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50
Код товару: 76962
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50IXYSMOSFETs 500V 24A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50IXYSMODULE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N50QIXYSMOSFETs 500V 24A Q-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N60FAIRCHILD2002 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+543.94 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PIXYSMOSFETs DIODE Id24 BVdass800
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1079.23 грн
10+767.69 грн
120+538.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+543.94 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 24 A, 0.4 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 650
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+475.99 грн
5+466.33 грн
10+456.66 грн
50+415.82 грн
100+375.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+857.40 грн
30+499.73 грн
120+428.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80PMOSFET N-CH 800V 24A TO247AD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80P транзистор
Код товару: 55518
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 24 A, 0.42 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+827.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1339.69 грн
30+805.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 900V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1401.30 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+821.51 грн
30+734.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90PIXYSMOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1394.14 грн
10+862.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N100XIXYSMOSFETs 1000V 26A TO-247 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N100XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 26A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 860W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1317.17 грн
30+834.17 грн
120+791.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50
Код товару: 42816
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+1633.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 26
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50IXYSMOSFETs DIODE Id26 BVdass500
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 300W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+611.99 грн
30+345.79 грн
120+292.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P( N-CH U=500В I= 26 A R= 0.23 Om P=400W TO-247) задержка 200 нсек Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+1081.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+719.32 грн
24+593.69 грн
30+554.77 грн
120+518.87 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHV HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+699.89 грн
5+667.67 грн
10+558.14 грн
50+415.82 грн
100+358.98 грн
250+334.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50PIXYSMOSFETs HiPERFET Id26 BVdass500
на замовлення 3372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+751.44 грн
10+527.14 грн
120+381.76 грн
510+337.58 грн
1020+336.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+686.15 грн
30+489.61 грн
120+417.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+673.27 грн
30+480.43 грн
120+410.10 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P
Код товару: 127550
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+740.97 грн
10+432.67 грн
120+329.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+568.25 грн
5+436.26 грн
10+388.06 грн
30+366.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+602.67 грн
30+340.58 грн
120+287.82 грн
510+242.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3( N-CH U=500В I= 26 A R= 0.23 Om P=400W TO-247) задержка 200 нсек Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+680.40 грн
24+605.92 грн
30+571.45 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar3 HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+666.87 грн
5+575.05 грн
10+483.24 грн
50+363.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50QIXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50Q
Код товару: 149259
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50QIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50Q - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50QIXYSMOSFET 500V 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50QPower MOSFET, N-CH, 500V, 26A, TO-247AD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N55QIXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 26A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60PN-CH 600V 26A 460W 0.27 Om TO-247 задержка 200 нсек Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]