Продукція > NTB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTBGS6D5N15MConsemiMOSFETs Power MOSFET, 150 V, 6.5 mohm, A, Single N-Channel, D2PAK7
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS6D5N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 15A/121A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4745 pF @ 75 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+320.19 грн
1600+260.03 грн
2400+247.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS6D5N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS6D5N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 121 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS6D5N15MCON Semiconductor
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS6D5N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS6D5N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 121 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS6D5N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 15A/121A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4745 pF @ 75 V
на замовлення 12530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+511.02 грн
10+442.07 грн
25+417.91 грн
100+339.90 грн
250+322.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBKBAG156STARTECHDescription: STARTECH - NTBKBAG156 - Laptop-Rucksack für 15.6"-Laptop, abnehmbare Zubehörtasche, robuster IT-Technik-Rucksack
tariffCode: 42021110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 16.7"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Außentiefe - metrisch: 324mm
Außenhöhe - metrisch: 425mm
Außentiefe - imperial: 12.8"
Gehäusefarbe: Schwarz
SVHC: To Be Advised
Außenbreite - metrisch: 203mm
Koffermaterial: 1680d ballistisches Nylon
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Außenbreite - Zoll: 8"
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBKBAG173STARTECHDescription: STARTECH - NTBKBAG173 - Laptop-Rucksack für 17.3"-Laptop, abnehmbare Zubehörtasche, robuster IT-Technik-Rucksack
tariffCode: 42021291
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Außenhöhe - imperial: 17.7"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
Außentiefe - metrisch: 335.3mm
Außenhöhe - metrisch: 450mm
Außentiefe - imperial: 13.2"
Gehäusefarbe: Schwarz
SVHC: To Be Advised
Außenbreite - metrisch: 195.6mm
Koffermaterial: 1680d ballistisches Nylon
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Außenbreite - Zoll: 7.7"
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL012N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 12 MOHM, 650V, M3S, TO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL012N065M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL012N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 12 MOHM, 650V, M3S, TO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL012N065M3SonsemiSiC MOSFETs EliteSiC, 12 mohm, 650V, M3S, TOLL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL016N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 16 MOHM, 650V, M3S, TO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL016N065M3SonsemiSiC MOSFETs EliteSiC, 16 mohm, 650V, M3S, TOLL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL016N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 16 MOHM, 650V, M3S, TO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL016N065M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 103A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL023N065M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL023N065M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1075.64 грн
10+731.34 грн
100+559.88 грн
500+513.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL023N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL023N65GN1TXGonsemiDescription: GAN FET, 650V, 16M, TOLL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL032N065M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1396 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.83 грн
10+374.61 грн
100+275.68 грн
500+224.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL032N065M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+436.31 грн
37+389.15 грн
100+372.15 грн
250+341.72 грн
500+325.22 грн
1000+322.46 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL032N065M3SONN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL032N065M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+436.31 грн
10+390.38 грн
25+389.15 грн
100+372.15 грн
250+341.72 грн
500+325.22 грн
1000+322.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL032N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TOLL 32MOHM 650V M3S
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL032N065M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL035N65GN1TXGonsemiDescription: GAN FET, 650V, 27M, TOLL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+537.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL045N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TOLL 650V
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 73 A, 650 V, 0.05 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+619.35 грн
10+528.07 грн
25+448.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22.6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL045N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 73A, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL045N065SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 51A; Idm: 182A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 182A
Power dissipation: 174W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+788.56 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL045N065SC1ONN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 73 A, 650 V, 0.05 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22.6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+925.75 грн
10+621.93 грн
100+505.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+619.35 грн
27+528.07 грн
32+448.31 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL048N60S5HONN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL048N60S5HonsemiDescription: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5.6mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5277 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL050N65GN1TXGonsemiDescription: GAN FET, 650V, 39M, TOLL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL050N65S3HonsemiDescription: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 400 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+846.53 грн
10+565.76 грн
100+449.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL050N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 49A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL050N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL050N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49 A, 0.0425 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 305W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0425ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL050N65S3HonsemiDescription: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL050N65S3HonsemiMOSFETs SF3 650V FAST 50MOHM TOLL
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL050N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL050N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49 A, 0.0425 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL050N65S3HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 49A; Idm: 132A; 305W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 305W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL050N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 49A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL060N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL060N065SC1onsemiSiC MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL060N065SC1onsemiDescription: M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+693.53 грн
10+458.59 грн
100+346.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+283.59 грн
53+268.29 грн
100+252.42 грн
250+233.21 грн
500+223.32 грн
1000+217.08 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL060N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL060N065SC1onsemiDescription: M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL061N60S5HonsemiDescription: MOSFET - POWERN CHANNEL, SUPERFE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL070N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+643.78 грн
100+611.89 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL070N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL070N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 70MOHM KELVIN SENS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL070N65S3ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; Idm: 110A; 312W; H-PSOF8L
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Gate charge: 82nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 44A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL070N65S3onsemiMOSFETs SF3 650V EASY 70MOHM KELVIN SENSE TOLL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL070N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 3238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+643.78 грн
100+611.89 грн
500+579.99 грн
1000+527.39 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+408.24 грн
36+395.58 грн
100+375.44 грн
250+341.97 грн
500+322.95 грн
1000+317.52 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL075N065SC1onsemiDescription: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+244.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL075N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+408.24 грн
10+401.91 грн
25+395.58 грн
100+375.44 грн
250+341.97 грн
500+322.95 грн
1000+317.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL075N065SC1onsemiSiC MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL075N065SC1onsemiDescription: M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
на замовлення 29877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+603.44 грн
10+395.92 грн
100+291.13 грн
500+270.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL075N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL080N60S5HonsemiDescription: MOSFET - POWERNCHANNEL, SUPERFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 3.3mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 313W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HFonsemiMOSFETs SF3 650V FRFET HF 82MOHM KELVIN SENSE TOLL
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+543.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+489.70 грн
30+474.58 грн
100+450.34 грн
250+410.23 грн
500+387.42 грн
1000+380.94 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HFonsemiDescription: NTBL082N65S3HF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+586.36 грн
10+437.73 грн
25+406.06 грн
100+348.40 грн
250+340.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HFONN
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 11192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+536.29 грн
100+509.12 грн
500+483.13 грн
1000+439.68 грн
10000+382.85 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL082N65S3HFonsemiDescription: NTBL082N65S3HF
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+332.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL095N65S3HonsemiDescription: SUPERFET3 FAST 95MOHM TOLL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL095N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TOLL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL100N60S5HonsemiDescription: MOSFET - POWER,CHANNEL, SUPERFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2616 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL125N60S5HonsemiDescription: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.1mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2036 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS001N06CONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 422A; Idm: 900A; 284W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 422A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 284W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS001N06ConsemiMOSFETs NFET TOLL 60V 1.0MO
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS001N06CON Semiconductor
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS001N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
на замовлення 17342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.55 грн
10+335.72 грн
25+310.46 грн
100+265.30 грн
250+256.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS001N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+251.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS002N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/238A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+315.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS002N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/238A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.18 грн
10+416.79 грн
25+386.35 грн
100+331.26 грн
250+323.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS002N08MConsemiMOSFETs PTNG 80V
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D7N06CON Semiconductor
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D7N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 470A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 314W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]