Продукція > SI7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7121ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.24 грн
6000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3
Код товару: 171550
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 17.8W
Gate-source voltage: ±25V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.36 грн
12+37.39 грн
100+22.14 грн
500+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.59 грн
10+48.80 грн
100+32.01 грн
500+23.26 грн
1000+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.08 грн
18000+29.31 грн
27000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-E3VISHAY 10+ QFN8
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 16A 52W 1.8mohm @ 10V
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3
Код товару: 167442
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3
на замовлення 5816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.81 грн
10+75.14 грн
100+54.82 грн
500+40.72 грн
1000+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7123DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
на замовлення 17508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7123DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 25A 52W 10.6mohm @ 4.5V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7123DN-T1-GE3
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7123DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7123DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
на замовлення 17508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7125DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.42 грн
6000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7129DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0114 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 52.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
на замовлення 8842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3
Код товару: 52238
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3VISHAY09+ QFN-8
на замовлення 914 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 10965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
на замовлення 6766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.71 грн
10+65.67 грн
100+43.66 грн
500+32.14 грн
1000+29.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7129DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0114 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 52.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
на замовлення 8842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7133SI
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135CJSILICONIX00+ DIP28
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+78.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8650 pF @ 15 V
на замовлення 3397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.05 грн
10+122.60 грн
100+84.69 грн
500+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7135DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 3900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 9254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+78.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.37 грн
10+113.38 грн
25+112.70 грн
100+97.31 грн
250+87.53 грн
500+74.86 грн
1000+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135DP-T1-GE3Vishay Siliconixтранзистор полевой,P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8650 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7135DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 3900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 8649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.38 грн
126+112.70 грн
141+100.91 грн
250+94.53 грн
500+77.98 грн
1000+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7136DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7136DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7136DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7136DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7137DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7137DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7137DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+99.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7137DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -60A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 585nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7137DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+99.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7137DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+90.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7137DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
на замовлення 11453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.07 грн
10+137.90 грн
100+95.79 грн
500+76.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7137DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7137DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1950 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
на замовлення 26083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7137DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7137DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7137DP-T1-GE3SiliconixTrans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO SI7137DP-T1-GE3 VISHAY TSI7137dp
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7137DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 14031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7138DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7138DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7138DP-T1-E3VISHAY08+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7138DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7138DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP T1-GE3SiliconixP-MOSFET 30V 40A 5W SI7139DP-GE3 SI7139DP-T1-GE3 SI7139DP smd Vishay TSI7139dp
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
8+82.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 15 V
на замовлення 15385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.88 грн
10+93.50 грн
100+63.26 грн
500+47.24 грн
1000+43.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7139DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 6280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7139DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.48 грн
6000+38.25 грн
9000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7141DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 18484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7141DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 10 V
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.25 грн
10+126.48 грн
100+87.53 грн
500+68.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7141DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7141DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 42.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7141DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7141DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7141DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7143DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2820 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7143DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7143DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 35.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7143DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7143DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 35.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7143DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.36 грн
10+88.05 грн
100+59.37 грн
500+44.18 грн
1000+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7143DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 33087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 13975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7145DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 2600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 75828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.15 грн
10+117.48 грн
25+116.80 грн
100+100.81 грн
250+83.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 36.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.15 грн
121+117.48 грн
122+116.80 грн
136+100.81 грн
250+83.62 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7145DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7145DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 2600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]