Продукція > SiH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIHF12N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.56 грн
10+151.50 грн
50+116.49 грн
100+98.75 грн
500+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N65E-GE3Vishay SiliconixSIHF12N65E-GE3 MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 15A TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF15N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 34
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI71
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-E3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF15N60E-E3
Код товару: 117209
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+234.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3
Код товару: 127335
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+234.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF15N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.76 грн
10+190.34 грн
50+147.68 грн
100+125.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF15N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 34W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF16N50C-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF16N50C-E3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 500V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF16N50C-E3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF18N50C-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF18N50DVishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF18N50DVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF18N50D-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF18N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF18N50D-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 53A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF18N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF18N50D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF18N50D-E3
Код товару: 188008
1 Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 550 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1500/38
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+210.00 грн
10+195.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF18N50D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF18N50D-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 18A TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 21A TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SIR4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-E3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 227W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 227W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+417.68 грн
39+368.21 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+326.54 грн
5+237.34 грн
10+207.78 грн
25+184.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
на замовлення 5136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.28 грн
10+234.21 грн
50+183.23 грн
100+156.54 грн
500+129.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60S-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60S-E3
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF23N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF23N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF23N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 63A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF28N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF28N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF2X0.5
Код товару: 108027
Додати до обраних Обраний товар
Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Кабель
Група: Силовий
Тип: SIHF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF30N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF30N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF30N60E-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 37W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF30N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF30N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.48 грн
10+324.82 грн
50+257.51 грн
100+221.34 грн
500+185.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF30N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 676A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 37W
Gate charge: 130nC
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+400.35 грн
3+387.68 грн
10+316.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF30N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 29
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 37
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 37
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF30N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF30N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+635.99 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF30N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60EF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 32A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 134nC
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF3X0.5
Код товару: 123726
Додати до обраних Обраний товар
Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Провода монтажні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF3X0.75
Код товару: 104161
Додати до обраних Обраний товар
HELUKABELКабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Кабель
Група: Силовий
Тип: SIHF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF3X0.75 23002HELUKABELПровід монтажний, К-сть жил = 3, Uживл, В = 300/500, Колір = коричнево-червоний , Переріз = 3 x 0,75, Тип ізоляції = силіконовий каучук,... Проводи і кабелі Корпус: 3x0.75 mm2 Од. вим: м
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF4X0.5
Код товару: 115638
Додати до обраних Обраний товар
Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Кабель
Група: Силовий
Тип: SIHF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF510S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF510STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF510STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF520S-E3Vishay SiliconixSiHF520S-E3 IRF520SPBF HEXFET N-CH 100V 9.2 A D2PAK=TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF520S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100V
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF520STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF520STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF520STRR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF520STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF530Vishay SiliconixSiHF530 IRF530 TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF530-E3Vishay SiliconixSiHF530-E3 100 В 14 А (TO-220) N-CH 100V 14A TO-220AB Транзистори
на замовлення 55 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF530-E3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF530-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF530-GE3VishaySurface Mount Fast Switching, Low Resistance Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF530-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.41 грн
10+71.91 грн
50+53.86 грн
100+45.06 грн
500+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF530-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF530S-E3Vishay SiliconixSiHF530S-E3 SiHA25N50E-E3 MOSFET 500V 26A 145mOhm TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF530S-E3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF530S-E3Vishay SiliconixSiHF530S-E3 100 В 14 А (TO-263) HEXFET Power MOSFET, 100V, 14A, 0,16 Ohm, D2PAK=TO-263 Транзистори
на замовлення 40 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
19+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]