Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF9956TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9956TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: HEXFET Series
Bauform - Transistor: SOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.38 грн
13+65.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBFInternational Rectifier/InfineonСдвоенный N-канальный ПТ (Vds=30V, Id=3.5A@t=25C, 2.8A@t=70C, Rds=0.1Ohm, P=2W, -55 to +150C)... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 3.5A
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.06 грн
10+50.75 грн
100+30.58 грн
500+28.14 грн
1000+26.88 грн
2000+24.93 грн
4000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBFInternational RectifierDual N-ch MOSFET, 30V, 100mOm, SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9956TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBF Транзистор
Код товару: 126786
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,8 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 190/6,9
Монтаж: SMD
у наявності: 2 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+54.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8DSO-902
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10IR2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.34 грн
10+72.51 грн
100+54.81 грн
500+45.04 грн
1000+41.34 грн
2000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z10PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+99.03 грн
167+84.97 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.12 грн
50+67.43 грн
100+65.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.66 грн
10+99.03 грн
100+84.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 P-CH 60V 6.7A
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.00 грн
10+92.35 грн
100+61.87 грн
500+49.44 грн
1000+42.46 грн
2000+40.92 грн
5000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRF9Z14PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14
Код товару: 40267
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Id,A: 6,7 A
Rds(on),Om: 0,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/12
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+11.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14L
на замовлення 853 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A I2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14LPBFVishay / SiliconixMOSFETs P-Chan 60V 6.7 Amp
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.89 грн
10+122.86 грн
100+72.62 грн
500+61.87 грн
1000+49.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 P-CH 60V 6.7A
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.23 грн
10+78.05 грн
100+47.90 грн
500+37.71 грн
1000+36.31 грн
10000+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.81 грн
50+105.92 грн
100+94.93 грн
500+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 4065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.48 грн
50+47.81 грн
100+46.72 грн
500+38.58 грн
1000+35.30 грн
2000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+218.81 грн
134+105.92 грн
150+94.93 грн
500+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z14PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.7 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.97 грн
12+69.33 грн
100+51.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14PBFTO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 P-CH 60V 6.7A
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.06 грн
10+69.78 грн
100+41.90 грн
500+35.26 грн
1000+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.27 грн
50+36.20 грн
100+35.27 грн
500+30.54 грн
1000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z14PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.7 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.06 грн
12+68.68 грн
100+47.66 грн
500+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14PBF-BE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 12, Rds = 500 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 43, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Очікується: 1000 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
416+34.09 грн
421+33.75 грн
422+33.61 грн
500+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 416 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.26 грн
50+70.11 грн
100+66.21 грн
500+54.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 P-CH 60V 6.7A
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.89 грн
10+90.74 грн
100+64.24 грн
500+57.68 грн
1000+45.25 грн
2000+44.34 грн
5000+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBFD2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.09 грн
50+33.75 грн
100+33.61 грн
500+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 P-CH 60V 6.7A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.91 грн
10+83.82 грн
100+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRRVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs P-Chan 60V 6.7 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20
на замовлення 15035 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRF9Z20PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z20PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 9.7 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.74 грн
10+92.06 грн
100+83.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.63 грн
50+67.14 грн
100+65.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 50V 9.7 Amp
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.96 грн
10+96.36 грн
100+75.41 грн
500+61.87 грн
1000+55.37 грн
2000+53.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -9.7A; Idm: -39A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -9.7A
Pulsed drain current: -39A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24
Код товару: 1329
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 12 A
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SiliconixP-MOSFET 11A 60V IRF9Z24 IRF9Z24 IRF9Z24 TIRF9Z24
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24LVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NUMWDescription: MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB
Packaging: Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.27 грн
10+43.50 грн
100+28.35 грн
500+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NIR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NInternational RectifierP-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24N-MLMOSLEADERTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm; 20A; 90W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z24; IRF9Z24-BE3; IRF9Z24N; SP001555934; IRF9Z24N-ML MOSLEADER TIRF9Z24n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 12A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 12A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF
Код товару: 40284
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
у наявності: 184 шт
  • 130 шт - склад
  • 48 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
2+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
на замовлення 5481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.98 грн
10+67.05 грн
100+38.41 грн
500+30.17 грн
1000+25.77 грн
2000+23.39 грн
5000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.11 грн
10+89.41 грн
100+59.94 грн
500+44.40 грн
1000+40.58 грн
2000+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.94 грн
12+64.18 грн
100+44.52 грн
500+36.66 грн
1000+29.63 грн
2000+27.06 грн
5000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.65 грн
21+37.33 грн
100+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.03 грн
11+38.58 грн
25+34.12 грн
50+31.44 грн
100+28.83 грн
500+23.53 грн
1000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
955+37.13 грн
1036+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+64.39 грн
318+44.67 грн
500+38.14 грн
1000+32.10 грн
2000+28.28 грн
5000+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9Z24NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 28211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.65 грн
13+64.68 грн
100+43.42 грн
500+31.54 грн
1000+26.26 грн
5000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]