Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF9Z14PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 P-CH 60V 6.7A
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14PBF-BE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 12, Rds = 500 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 43, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Очікується: 1000 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z14PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.7 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 P-CH 60V 6.7A
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.34 грн
50+33.31 грн
100+32.95 грн
500+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.34 грн
10+114.36 грн
50+87.03 грн
100+73.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+33.40 грн
428+33.02 грн
500+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 423 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBFD2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.34 грн
10+114.36 грн
50+87.03 грн
100+73.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 P-CH 60V 6.7A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRRVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -27A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z14STRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20
на замовлення 15035 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRF9Z20PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -9.7A; Idm: -39A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -9.7A
Pulsed drain current: -39A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z20PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 9.7 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.42 грн
10+121.67 грн
50+92.76 грн
100+78.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 50V 9.7 Amp
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24
Код товару: 1329
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,175 Ом
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SiliconixP-MOSFET 11A 60V IRF9Z24 IRF9Z24 IRF9Z24 TIRF9Z24
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24LVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NUMWDescription: MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB
Packaging: Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.79 грн
10+43.81 грн
100+28.55 грн
500+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NIR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NInternational RectifierP-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24N-MLMOSLEADERTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm; 20A; 90W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z24; IRF9Z24-BE3; IRF9Z24N; SP001555934; IRF9Z24N-ML MOSLEADER TIRF9Z24n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 12A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 12A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+34.48 грн
2000+31.57 грн
5000+29.29 грн
10000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.85 грн
12+66.40 грн
100+47.18 грн
500+36.42 грн
1000+29.74 грн
2000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+34.48 грн
2000+31.57 грн
5000+29.29 грн
10000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.92 грн
11+71.17 грн
100+48.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.96 грн
11+73.66 грн
100+50.15 грн
500+37.93 грн
1000+30.63 грн
2000+27.98 грн
5000+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF
Код товару: 40284
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,175 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
у наявності: 141 шт
  • 92 шт - склад
  • 43 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 16 шт
  • 16 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+95.08 грн
215+65.87 грн
302+46.80 грн
500+36.12 грн
1000+29.51 грн
2000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.82 грн
20+38.74 грн
100+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.43 грн
11+38.85 грн
25+34.37 грн
50+31.66 грн
100+29.04 грн
500+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+71.17 грн
291+48.51 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1145+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 1145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9Z24NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 27046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
на замовлення 8725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.42 грн
10+75.27 грн
50+56.45 грн
100+47.27 грн
500+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 12 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+22.71 грн
100+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+72.70 грн
286+49.50 грн
500+38.82 грн
1000+32.64 грн
2000+28.76 грн
5000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSInternational RectifierP-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9Z24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
565+62.46 грн
Мінімальне замовлення: 565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9Z24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFIRF9Z24PBF Транзисторы MOS FET
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.45 грн
5+118.51 грн
10+101.58 грн
50+71.95 грн
100+65.18 грн
250+59.26 грн
500+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+181.76 грн
110+129.08 грн
121+117.22 грн
250+101.61 грн
500+90.55 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z24PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 P-CH 60V 11A
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 450-459 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 P-CH 60V 11A
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.58 грн
10+123.42 грн
50+94.18 грн
100+79.54 грн
500+64.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.78 грн
10+135.23 грн
50+103.54 грн
100+87.57 грн
500+70.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.88 грн
10+190.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayMOSFET P-CH 60V 11A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.13 грн
118+119.86 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+133.89 грн
107+132.54 грн
129+109.92 грн
500+92.98 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 P-CH 60V 11A
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+139.48 грн
10+73.65 грн
50+70.26 грн
100+66.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+269.88 грн
10+135.83 грн
50+134.47 грн
100+107.54 грн
500+87.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]