Продукція > BSR
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSR | MPD (Memory Protection Devices) | Description: 9V FASTENING RIVET FOR SNAP | на замовлення 37509000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR-2 0.030X12X12 | Laird Technologies EMI | Description: ECCOSORB BSR-2 12X12X0.030 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR-2 0.080X12X12 | Laird Technologies EMI | Description: ECCOSORB BSR-2 12X12X0.080 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR-44-BT | Bud Industries | Description: STACKRACK ASSEMBLY KIT (19" X12U Packaging: Box Color: Black Material: Metal, Steel Style: Open Rack, Double Frame Type: Open Rack Dimensions - Panel: 17.500" L x 17.850" W x 23.000" H (444.50mm x 453.39mm x 584.20mm) Dimensions - Overall: 21.000" L x 19.000" W x 24.500" H (533.40mm x 482.60mm x 622.30mm) Mounting Rails: Two Pair Ventilation: Non-Vented Part Status: Active Number of Units: 10U | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR-44-BT | Bud Industries | Racks & Rack Cabinets BUDSTACKRACK ASSEMBLY KIT (19"x12U OR 14U) & ACCESSORIES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR106WS-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-323 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR106WS-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD323 | на замовлення 15473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR106WS-TP | Micro Commercial Components | Rectifier Diode Schottky 60V 1A 2-Pin SOD-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR106WS-TP | Micro Commercial Components | Rectifier Diode Schottky 60V 1A 2-Pin SOD-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR106WS-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSR106WS-TP - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 700 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 700mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 60V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 7635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR106WS-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-323 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V | на замовлення 30232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR106WS-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | BSR106WS-TP SMD Schottky diodes | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR106WS-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSR106WS-TP - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 700 mV tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 700mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 60V Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 7635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR10C122J | KOA Speer Electronics | Res Metal Oxide 1.2K Ohm 5% 10W ±300ppm/°C Ceramic AXL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR10CN102J | KOA Speer Electronics | Res Metal Oxide 1K Ohm 5% 10W ±300ppm/C Molded Pin | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR10CN103J | KOA Speer Electronics | Res Metal Oxide 10K Ohm 5% 10W ±300ppm/°C Molded Pin | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR10CN112J | KOA Speer Electronics | Res Metal Oxide 1.1K Ohm 5% 10W ±300ppm/C RDL Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR10CN133J | KOA Speer Electronics | Res Metal Oxide 13K Ohm 5% 10W ±300ppm/C Pin Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR10CN153J | KOA Speer Electronics | Res Metal Oxide 15K Ohm 5% 10W ±300ppm/°C Molded Pin | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR10CN153J | KOA Speer Electronics | Res Metal Oxide 15K Ohm 5% 10W ±300ppm/C Molded Pin | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR10CN153J | KOA Speer | Wirewound Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR10CN302J | KOA Speer Electronics | Res Metal Oxide 3K Ohm 5% 10W ±300ppm/C Molded Pin | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR10CN302J | KOA Speer | Wirewound Resistors - Through Hole 3K OHM 5% 300PPM 10W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR10CN501J | KOA Speer | Wirewound Resistors - Through Hole 500 OHM 5% 300PPM 10W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR10CN822J | KOA Speer Electronics | Res Metal Oxide 8.2K Ohm 5% 10W ±300ppm/C Ceramic RDL Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR10TX821J | KOA Speer | Wirewound Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR12 | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors PNP switching transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR12 | PHILIPS | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR12 | PHILIPS | SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR12,215 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 15V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 1V Frequency - Transition: 1.5GHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 250 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR12,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 15V 0.1A 250mW 3-Pin TO-236AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR12/B5P | PHILIPS | на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR1220JE | Welwyn Components | Res Thick Film 2512 22 Ohm 5% 1W ±100ppm/C Pad SMD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR13 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR13 | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR13 | Rochester Electronics, LLC | Description: TRANS NPN 30V 500MA SOT23-3 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR13/U7 | NATIONAL | 09+ | на замовлення 24018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR13R | на замовлення 581 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSR13\U7 | NATIONAL | SOT-23 | на замовлення 24100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR14 | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 22128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR14 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 23782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR14 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | на замовлення 41392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14 | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR14 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR14 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 23782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14 Код товару: 104952
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR14 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR14 | ONSEMI | BSR14-FAI NPN SMD transistors | на замовлення 2718 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 51509
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 300 MHz Uceo,V: 40 V Ucbo,V: 75 V Ic,A: 0,8 A h21: 300 Монтаж: SMD | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| BSR14(9335 | на замовлення 62500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSR14,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1769 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 68396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 300MHz | на замовлення 1769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 38400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR14,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 800 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 56948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR14,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 800 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR14,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 40V .8A NPN BJT | на замовлення 19602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR14-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSR14-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR14-QR | Nexperia USA Inc. | Description: BSR14-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR14. | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR14. - TRANSISTOR, FULL REEL Transistormontage: Surface Mount DC-Stromverstärkung hFE: 300 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 350 Übergangsfrequenz ft: 300 Bauform - Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 800 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR14/U8 | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSR14D | Bussmann / Eaton | Switch Actuators SELECTOR HANDLE-RED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR14SOT23-U8P | на замовлення 230000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSR14_D87Z | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR15 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR15 | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR15 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR15 | On Semiconductor/Fairchild | на замовлення 2740 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR15 Код товару: 200392
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR15 | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR15R | на замовлення 2469 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSR15_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR16 | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Polarisation: bipolar Mounting: SMD Type of transistor: PNP Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 300MHz Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2091 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR16 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 92850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16 | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16 | CDIL | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS, 60V 800mA BSR16 CDIL TBSR16 c кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16 Код товару: 60930
Додати до обраних
Обраний товар
| Fairchild | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 200 MHz Uке, В: 60 V Uкб, В: 60 V Iк, А: 0,8 A h21,max: 300 | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| BSR16 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR16 | ON-Semicoductor | PNP 60V 600mA 250mW 200MHz BSR16-FAI BSR16 SOT23 TBSR16 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR16 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16 | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 18529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16 | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Polarisation: bipolar Mounting: SMD Type of transistor: PNP Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 300MHz Kind of package: reel; tape | на замовлення 2091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | на замовлення 89002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR16,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR16,215 | NXP | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BSR16,215 BSR16 NXP TBSR16 NXP кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Polarisation: bipolar Mounting: SMD Type of transistor: PNP Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.25W Pulsed collector current: 0.8A Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 50...300 Frequency: 200MHz Kind of package: 7 inch reel; tape | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 60V .6A PNP BJT | на замовлення 8056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Polarisation: bipolar Mounting: SMD Type of transistor: PNP Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.25W Pulsed collector current: 0.8A Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 50...300 Frequency: 200MHz Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR16,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 60 V, 600 mA, PNP switching transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR16-QR | Nexperia USA Inc. | Description: IC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR16-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR16.. | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR16.. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -60V, -800mA, 350mW, SOT-23, SMD tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 25892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16.. | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR16.. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -60V, -800mA, 350mW, SOT-23, SMD tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 25892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16/DG/B3,215 | NXP Semiconductors | BSR16/DG/B3,215 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16/DG/B3215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16/DG/B3215 | NXP | Description: NXP - BSR16/DG/B3215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16/DG/B4,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR16/DG/B4,215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16/DG/B4,215 | NXP Semiconductors | BSR16/DG/B4,215 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16/DG/B4,215 | Nexperia | BSR16/DG/B4,215 | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16/DG/B4215 | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA BSR16 - SMALL SIGNAL BI Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR16/DG/B4VL | Nexperia | BSR16/DG/B4VL | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16/DG/B4VL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16/DG/B4VL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR16/DG/B4VL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR16/LF1R | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR17 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSR17A | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR17A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR17A | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR17A | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR17A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 350 Übergangsfrequenz ft: 300 Bauform - Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR17A | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR17A | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR17A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR17A/U92 | NATIONAL | 09+ | на замовлення 45018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR17A_D87Z | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR17A_D87Z | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR17A_NL | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT23 HI-SPD SWITCH - MARK U92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR17A_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR18/D76 | ON | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR18A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR18A | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR18A | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR18A | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR18A - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -40V, SOT-23-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR18A | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR18A | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR18A | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR18A,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 40V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR18A/T92 | PHILIPS | на замовлення 38671 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR18A_D87Z | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR18A_D87Z | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR18A_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR18B | ON Semiconductor | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR18B | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSR18B | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR18R | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSR19 | PHILIPS | 06+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR19 | PHILIPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR19 | PHILIPS | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR19A | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR19A T/R | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS HV TAPE-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR19A T/R | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR19A,215 Код товару: 158841
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR19A,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR19A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 300mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR19A,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR19A,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR19A,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 180V .6A NPN BJT | на замовлення 6708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR19A,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR19A,215 | NXP Semiconductors | NPN 160V 0.3A SOT-23 | на замовлення 618 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR19A,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR19A,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR19A,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR19A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 300mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR19A,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR19A,215 | NEXPERIA | BSR19A.215 NPN SMD transistors | на замовлення 2611 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR19A-QR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR19A-QR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR19A-QR | Nexperia USA Inc. | Description: BSR19A-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR19A-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 180V .6A NPN B | на замовлення 463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR19A-QR | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR1R27JE | Welwyn Components | Res Thick Film 2512 0.27 Ohm 5% 1W ±100ppm/C Pad SMD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR20 | на замовлення 2390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSR202N | INFINEON | SOT-23 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR202N | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR202N L6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 3.8A SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR202NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 3.8A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1147 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR202NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A Automotive 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR202NL6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.8A Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR202NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR202NL6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSR202NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.033 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR202NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 3.8A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1147 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR202NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR202NL6327HTSA1 Код товару: 142665
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR20A | PHILIPS | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR20A транзистор Код товару: 106410
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR20A,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 150V 0.3A 3-Pin TO-236AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR2CN102J | KOA Speer Electronics | Res Metal Oxide 1K Ohm 5% 2W ±300ppm/°C Pin | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR2CN103J | KOA Speer Electronics | Res Metal Oxide 10K Ohm 5% 2W ±300ppm/C Molded Pin Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR2CN561J | KOA Speer Electronics | Res Metal Oxide 560 Ohm 5% 2W ±300ppm/C Molded Pin | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR30 | KEXIN | 09+ | на замовлення 200018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR30 | PHI | SOT-89 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR30,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR30,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR30,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR30,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR30,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSR30/SOT89/MPT3 | на замовлення 809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR30,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR30-QF | NEXPERIA | BSR30-Q/SOT89/MPT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR30-QF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT89 60V 1A PNP MED PWR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR30-QX | NEXPERIA | BSR30-Q/SOT89/MPT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR30-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSR30-Q/SOT89/MPT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR302KL6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR302N L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A Automotive 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR302N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 3.7A SOT-23-3 | на замовлення 3933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR302NL6327 | Infineon technologies | на замовлення 2351 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR302NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SC59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR302NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 3.7A SOT-23-3 | на замовлення 2952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR302NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR302NL6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 0.5W Drain current: 3.7A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Case: SC59 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR302NL6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSR302NL6327HTSA1 - BSR302 250V-600V SMALL SIGNALOR SMALL tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 20547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR30F | Nexperia USA Inc. | Description: BSR30/SOT89/MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR30F | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR30F | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSR30/SOT89/MPT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR30F | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR31 | Nexperia | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR31 T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR31 T/R | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR31,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR31,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.35 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.35W Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR31,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR31,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR31,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR31,115 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR31,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR31,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.35 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.35W Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR31,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR31,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 4010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR31,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR31,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR31,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A PNP medium power transistor | на замовлення 4549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR31,135 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR31,135 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR31,135 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR31,135 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A PNP medium power transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR31,135 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR31-QF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT89 60V 1A PNP MED PWR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR31-QF | Nexperia USA Inc. | Description: BSR31-Q/SOT89/MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR31-QF | NEXPERIA | BSR31-Q/SOT89/MPT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR31-QF | Nexperia | BSR31-Q/SOT89/MPT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR31-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BSR31-Q/SOT89/MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR31-QX | NEXPERIA | BSR31-Q/SOT89/MPT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR31-QX | Nexperia | BSR31-Q/SOT89/MPT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR31-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT89 60V 1A PNP MED PWR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR315P H6327 | Infineon | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR315P L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A Automotive 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR315PH6327 | Infineon technologies | на замовлення 5300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A Automotive 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59 Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.49A On-state resistance: 1.3Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: SC59 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2398 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59 Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.49A On-state resistance: 1.3Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: SC59 | на замовлення 2398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A Automotive 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 15236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | на замовлення 8857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR315PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 620mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A Automotive 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A Automotive 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR315PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 620mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A Automotive 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR315PH6327XTSA1 Код товару: 165852
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR315PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR315PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.62A Automotive 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR316P H6327 | Infineon | на замовлення 129000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR316P L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 468000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59 Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -100V Drain current: -290mA On-state resistance: 2.2Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: SC59 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1079 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 10215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 468000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | P-Channel 100V 360mA (Ta) 500mW (Tc) Surface Mount PG-SC-59 | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 Код товару: 141413
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59 Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -100V Drain current: -290mA On-state resistance: 2.2Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: SC59 | на замовлення 1079 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | на замовлення 95836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 42530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR316PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR316PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR31TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR32 | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSR33 | PHILIPS | 07+ | на замовлення 737 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33 | PHI | SOT-89 | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33 | PHILIHPS | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR33 | Nexperia | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33 | PHILIPS | 09+ | на замовлення 775 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33 | PHI | SOT89 | на замовлення 52759 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33 T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33,115 Код товару: 114083
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR33,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.35W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.35W Case: SC62; SOT89 Mounting: SMD Frequency: 100MHz Kind of package: reel; tape Current gain: 30...300 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1611 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSR33/SOT89/MPT3 | на замовлення 1092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33,115 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.35W Case: SC62; SOT89 Mounting: SMD Frequency: 100MHz Kind of package: reel; tape Current gain: 30...300 | на замовлення 1611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.35 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.35W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.35 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33,135 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33,135 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.35 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33,135 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.35 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33,135 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSR33/SOT89/MPT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33,135 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33-QF | Nexperia USA Inc. | Description: BSR33-Q/SOT89/MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.35 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33-QF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSR33-Q/SOT89/MPT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33-QF | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33-QF | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSR33-Q/SOT89/MPT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33-QX | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33-QX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BSR33-Q/SOT89/MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.35 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33-TP | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33PAS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BSR33PAS-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 480 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33PAS-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1061/HUSON3 PNP POWER TRANS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33PAS-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR33PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1 W, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33PAS-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR33PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1 W, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN2020D Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33PASX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR33PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1 W, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33PASX | Nexperia USA Inc. | Description: BSR33PAS/SOT1061/HUSON3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 480 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33PASX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR33PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1 W, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN2020D Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33QTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33QTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33QTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33QTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33QTA | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33QTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33QTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33QTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Trans | на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | на замовлення 1191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33TA | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1W Case: SOT89 Mounting: SMD Frequency: 100MHz Kind of package: reel; tape Current gain: 30...300 Quantity in set/package: 1000pcs. | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR33TA | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power | на замовлення 5435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR33TA | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1W Case: SOT89 Mounting: SMD Frequency: 100MHz Kind of package: reel; tape Current gain: 30...300 Quantity in set/package: 1000pcs. кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR34 | KEXIN | 09+ | на замовлення 200018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR39 BLACK 25M.. | PRO POWER | Description: PRO POWER - BSR39 BLACK 25M.. - Aderleitung, Litze, Schaltlitze, Silikonkautschuk, Schwarz, 0.5 mm², 82 ft, 25 m tariffCode: 85444995 Länge auf Rolle (metrisch): 25m Leitermaterial: Verzinntes Kupfer rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Drahtdurchmesser: - Mantelmaterial: Silikonkautschuk usEccn: EAR99 Länge auf Rolle (imperial): 82ft Mantelfarbe: Schwarz Leiterquerschnitt CSA: 0.5mm² euEccn: NLR Max. Anzahl d. Einzeldrähte x Einzeldrahtgröße: 16 x 0.2mm Außendurchmesser: 2.6mm Produktpalette: - productTraceability: No Nennspannung: 300V Zulassungsspezifikation: - Betriebstemperatur, max.: 180°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR40 | PHI | на замовлення 854 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR40 | PHILIPS | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR40(D1615) | PHILIPS | 01+ SOT-89 | на замовлення 1678 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR41 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR41 T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR41,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 3502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR41,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W | на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR41,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT89 60V 1A NPN MED PWR | на замовлення 1666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR41,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 3502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR41,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR41,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR41,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR41,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2270000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR41,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR41,115 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89 Polarisation: bipolar Mounting: SMD Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 1A Power dissipation: 1.35W Pulsed collector current: 2A Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 30...300 Frequency: 100MHz Case: SC62; SOT89 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 709 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR41,115 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89 Polarisation: bipolar Mounting: SMD Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 1A Power dissipation: 1.35W Pulsed collector current: 2A Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 30...300 Frequency: 100MHz Case: SC62; SOT89 | на замовлення 709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR41,115 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR41,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR41-QF | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR41-QF | Nexperia USA Inc. | Description: BSR41-Q/SOT89/MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR41-QF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT89 60V 1A NPN MED PWR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR41-QF | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR41-QX | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR41-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BSR41-Q/SOT89/MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR41-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT89 60V 1A NPN MED PWR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR41-QX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR41F | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 1A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR41F | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT89 60V 1A NPN MED PWR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR41F | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR41F | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR41F - MOSFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR41F | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR42 | KEXIN | 09+ | на замовлення 200018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR42 | PHI | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR42. | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSR43 | KEXIN | 09+ | на замовлення 200018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR43 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR43 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR43 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR43 | PHILIPS | на замовлення 6987 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR43 T/R | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR43,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.35 W | на замовлення 501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43,115 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSR43/SOT89/MPT3 | на замовлення 2357 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43,115 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89 Frequency: 100MHz Mounting: SMD Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Case: SC62; SOT89 Collector current: 1A Power dissipation: 1.35W Current gain: 30...300 Collector-emitter voltage: 80V | на замовлення 1306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR43,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.35W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR43,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.35 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR43,115 Код товару: 111388
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR43,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR43,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.35W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43,115 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89 Frequency: 100MHz Mounting: SMD Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Case: SC62; SOT89 Collector current: 1A Power dissipation: 1.35W Current gain: 30...300 Collector-emitter voltage: 80V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1306 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A NPN medium power transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR43-QX | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89 Frequency: 100MHz Mounting: SMD Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Case: SC62; SOT89 Collector current: 1A Power dissipation: 1.35W Current gain: 30...300 Collector-emitter voltage: 80V Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR43-QX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43-QX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.35 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR43-QX | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR43-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89 Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR43-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR43QTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K | на замовлення 810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43QTA | Diodes Zetex | 80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 143000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43QTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR43TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | на замовлення 68583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR43TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR43TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43TA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89 Frequency: 100MHz Mounting: SMD Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Case: SOT89 Collector current: 1A Quantity in set/package: 1000pcs. Power dissipation: 1W Current gain: 30...300 Collector-emitter voltage: 80V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2056 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | на замовлення 68000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43TA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89 Frequency: 100MHz Mounting: SMD Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Case: SOT89 Collector current: 1A Quantity in set/package: 1000pcs. Power dissipation: 1W Current gain: 30...300 Collector-emitter voltage: 80V | на замовлення 2056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR43TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR43TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR50 | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 45V 1.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR50 | на замовлення 2022 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSR50 | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors NPN Transistor Darlington | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR50 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 45V 1.5A TO92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR50-D74Z | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 45V 1.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR500IL | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSR50_D74Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 45V 1.5A TO92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR50_J35Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 45V 1.5A TO92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR50_Q | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors NPN Transistor Darlington | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR52,126 | NXP Semiconductors | Trans Darlington NPN 80V 1A 830mW 3-Pin SPT Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR52,126 | NXP Semiconductors | на замовлення 50 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR55 | на замовлення 557 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSR56 | onsemi | Description: JFET N-CH 40V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Power - Max: 250 mW Resistance - RDS(On): 25 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 0.5 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR56 | NXP Semiconductors | JFET N-channel FETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR56 | PHILIPS | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR56 | onsemi | Description: JFET N-CH 40V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Power - Max: 250 mW Resistance - RDS(On): 25 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 0.5 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR56 | onsemi / Fairchild | JFET N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR56 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR56 T/R | NXP Semiconductors | JFET TAPE7 FET-RFSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR56,215 | NXP Semiconductors | Trans JFET N-CH 40V 50mA Si 3-Pin TO-236AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR56,215 | NXP Semiconductors | JFET TAPE7 FET-RFSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR56,215 | NXP USA Inc. | Description: JFET N-CH 40V 20MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Current Drain (Id) - Max: 20 mA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Power - Max: 250 mW Resistance - RDS(On): 25 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 0.5 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR56,215-RP100*3902397 | NXP Semiconductors | Trans JFET N-CH 40V 50mA Si 3-Pin TO-236AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR56_Q | onsemi / Fairchild | JFET N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR57 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR57 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR57 - JFET-Transistor, 40 V, 20 mA, 100 mA, 6 V, SOT-23, JFET Betriebstemperatur, max.: 150 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR57 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR57 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 20mA Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: -40V On-state resistance: 40Ω Mounting: SMD Gate current: 50mA Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR57 | onsemi | Description: JFET N-CH 40V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 250 mW Resistance - RDS(On): 40 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 0.5 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR57 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 114530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR57 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 114530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR57 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR57 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR57 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR57 - JFET-Transistor, 40 V, 20 mA, 100 mA, 6 V, SOT-23, JFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20 Durchbruchspannung Vbr: 40 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 100 Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 6 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR57 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR57 | onsemi / Fairchild | JFETs N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR57 | onsemi | Description: JFET N-CH 40V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 250 mW Resistance - RDS(On): 40 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 0.5 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V | на замовлення 9067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR57 T/R | NXP Semiconductors | JFET TAPE7 FET-RFSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR57,215 | NXP Semiconductors | JFET TAPE7 FET-RFSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR57,215 | NXP Semiconductors | Trans JFET N-CH 40V 100mA Si 3-Pin TO-236AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR57,215 | NXP USA Inc. | Description: JFET N-CH 40V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Power - Max: 250 mW Resistance - RDS(On): 40 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 5 V @ 0.5 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR57_Q | onsemi / Fairchild | JFET N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR58 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 8mA Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: -40V On-state resistance: 60Ω Mounting: SMD Gate current: 50mA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 904 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR58 | onsemi | Description: JFET N-CH 40V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 250 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 0.5 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR58 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR58 | NXP Semiconductors | JFETs N-channel FETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR58 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR58 - JFET-Transistor, JFET, 40 V, 80 mA, 4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 40V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 4V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR58 Код товару: 41067
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 40 V Idd,A: 0,5 A Rds(on), Ohm: 60 Ohm Монтаж: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR58 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR58 | onsemi | Description: JFET N-CH 40V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 250 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 0.5 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V | на замовлення 11203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR58 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR58 | onsemi / Fairchild | JFETs N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise | на замовлення 19661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR58 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 8mA Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: -40V On-state resistance: 60Ω Mounting: SMD Gate current: 50mA Kind of package: reel; tape | на замовлення 904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR58 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR58 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR58 T/R | NXP Semiconductors | JFET TAPE7 FET-RFSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR58,215 | NXP USA Inc. | Description: JFET N-CH 40V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Power - Max: 250 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 0.5 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR58,215 | NXP Semiconductors | Trans JFET N-CH 40V 80mA Si 3-Pin TO-236AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR58LT1 | onsemi | Description: JFET CHOPPER TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 0V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Power - Max: 350 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR58LT1 | onsemi | JFET 40V 10mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR58LT1G | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR58LT1G | ON | SOT-23 08+ | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR58LT1G | onsemi | Description: JFET N-CH 40V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Power - Max: 350 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR58LT1G | onsemi | JFET 40V 10mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR58LT1G | ON | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR58_Q | onsemi / Fairchild | JFET N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR59 | на замовлення 625 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSR5CN103J | KOA Speer | Wirewound Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR5CN222J | KOA Speer | Wirewound Resistors - Through Hole 2.2K OHM 5% 300PPM 5W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR5CN223J | KOA Speer | Wirewound Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR5CN511J | KOA Speer | Wirewound Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR606N H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 2.3A SOT-23-3 | на замовлення 2739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR606NH6327 | Infineon technologies | на замовлення 22 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR606NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR606NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 2.3A SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR606NH6327XTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSR606NH6327XTSA1 - BSR606 250V-600V SMALL SIGNALOR SMALL tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR606NH6327XTSA1 LIs. | Infineon | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SC-59 T/R BSR606NH6327XTSA1 TBSR606n кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR62 | PHILIPS | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR62 Код товару: 960
Додати до обраних
Обраний товар
| NXP | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 fT: 200 MHz Uке, В: 80 V Uкб, В: 80 V Iк, А: 1 A h21,max: 2000 Примітка: Дарлінгтон | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| BSR62,126 | NXP Semiconductors | Trans Darlington PNP 80V 1A 830mW 3-Pin SPT Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR62,412 | NXP Semiconductors | Trans Darlington PNP 80V 1A 830mW 3-Pin SPT Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR62,412 | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR69 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSR7CH103J | KOA Speer | Wirewound Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR7CN222J | KOA Speer Electronics | BSR7CN222J | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR7CN513J | KOA Speer | Wirewound Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR802N | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR802N L6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3 | на замовлення 13423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR802N L6327 | Infineon | N-MOSFET 20V 3.7A 23mΩ 500mW BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL INFINEON TBSR802nl кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR802NL6327 | Infineon technologies | на замовлення 1010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.7A Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2346 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 30µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1447 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.7A Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | на замовлення 2346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSR802NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.023 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 30265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 Код товару: 142666
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 30µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1447 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR92P | INFINEON | SC59 10+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR92P | Infineon Technologies | MOSFETs P-Channel MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR92P H6327 | Infineon Technologies | SMALL SIGNAL MOSFETS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR92P L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs P-Ch -250V 140mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR92P L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR92PH6327 | Infineon technologies | на замовлення 95 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.11A; 0.5W; SC59 Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -250V Drain current: -110mA On-state resistance: 20Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: SC59 | на замовлення 578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSR92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 140 mA, 11 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 14840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 Код товару: 155406
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 3326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 11706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 140MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSR92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 140 mA, 11 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 14840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | на замовлення 8244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.11A; 0.5W; SC59 Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -250V Drain current: -110mA On-state resistance: 20Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: SC59 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 578 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 140MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSR92PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 140MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR92PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR92PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -250V 140mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSR92PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSRBC500 | MOT | 90+ | на замовлення 326 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSRBC500ZKHCM | DIP | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSRBC500ZKHCM | 90 | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSRBC50ZKH | MOT | DIP | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSRE160ETC220MF05D | United Chemi-Con | Aluminium Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 22UF 16V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSRR1 | SCHLEGEL | BSRR1 Panel Mount Accessories | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSRR1101 | SCHLEGEL | Category: Panel Mount Accessories Description: Description label; Ø18mm Type of switch accessories: description label Face dimensions: Ø18mm | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSRR1155 | SCHLEGEL | BSRR1155 Panel Mount Switches, Standard 22mm | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSRR41 | SCHLEGEL | BSRR41 Panel Mount Accessories | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSRR43 | SCHLEGEL | Category: Panel Mount Accessories Description: Description label; RONTRON-R-JUWEL Button marking: I Type of switch accessories: description label Manufacturer series: RONTRON-R-JUWEL | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSRR43 | SCHLEGEL | Category: Panel Mount Accessories Description: Description label; RONTRON-R-JUWEL Button marking: I Type of switch accessories: description label Manufacturer series: RONTRON-R-JUWEL кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSRRU | SCHLEGEL | BSRRU Panel Mount Accessories | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|