Продукція > C2M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+5117.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D
Код товару: 117277
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+6108.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 52200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1389.56 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0025120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7778.58 грн
5+7146.07 грн
10+6513.57 грн
50+5946.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2788 pF @ 1000 V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7225.14 грн
30+5431.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7765.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 25 mOhm
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6346.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5477.48 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5701.34 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4601.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7700.49 грн
5+7195.94 грн
10+6377.10 грн
25+5734.60 грн
50+5169.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D-AWolfspeedC2M0025120D-A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120KWolfspeedC2M0025120K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1893 pF @ 1000 V
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4033.98 грн
30+2674.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3177.61 грн
5+3080.72 грн
10+2890.39 грн
20+2611.95 грн
50+2453.72 грн
100+2406.71 грн
250+2365.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 54ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4926.23 грн
3+4191.32 грн
10+3506.52 грн
30+3434.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC Power MOSFET 1200V, 60A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3971.22 грн
10+3057.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4237.81 грн
10+4205.02 грн
25+3088.41 грн
100+2953.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 54ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4105.19 грн
3+3363.40 грн
10+2922.10 грн
30+2862.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+3453.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2787.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120D
Код товару: 173103
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2662.84 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3979.21 грн
5+3780.25 грн
10+2855.82 грн
50+2598.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170D
Код товару: 125314
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+6672.01 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0045170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9524.04 грн
5+8836.80 грн
10+8149.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8770.87 грн
30+6835.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170DWolfspeedSiC MOSFETs SiC Power MOSFET 1700V, 72A
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9866.15 грн
10+7814.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+10008.15 грн
10+8850.18 грн
25+7551.61 грн
50+6580.04 грн
450+5501.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+6362.99 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170PWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0045170P - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8901.97 грн
5+8581.37 грн
10+8259.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170PWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8298.35 грн
30+6697.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170PWolfspeedMOSFET DMOSFET 1.7kV 45mOHMS 4PLUS
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9661.94 грн
30+8294.79 грн
270+6741.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2655.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns
Technology: SiC; Z-FET™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...25V
Reverse recovery time: 32ns
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2523.06 грн
3+2186.64 грн
10+1993.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0080120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2446.61 грн
5+2405.77 грн
10+2364.07 грн
50+1933.01 грн
100+1542.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DCree/WolfspeedN-канальний ПТ SIC MOSFET; Udss, В = 1 200; Id = 31,6 А; Ptot, Вт = 208; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 950 @ 1000; Qg, нКл = 49,2 @ 20; Rds = 98 мОм @ 20А, 20В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2.2 В @ 1 мА; TO-247-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2396.93 грн
30+1502.44 грн
120+1451.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120D
Код товару: 166109
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
у наявності 3 шт:
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWolfspeedSiC MOSFETs ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns
Technology: SiC; Z-FET™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...25V
Reverse recovery time: 32ns
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2102.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170DWolfspeed / CreeMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 80OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170PWolfspeed / CreeMOSFET DMOSFET 1.7kV 80mOHMS 4PLUS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170PCree/WolfspeedDescription: SICFET N-CH 1700V 40A TO247-4
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170P
Код товару: 162267
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 800 V
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1380.68 грн
30+824.73 грн
120+721.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120D
Код товару: 84501
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+810.87 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1345.81 грн
5+1265.88 грн
10+1185.08 грн
50+825.32 грн
100+746.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+652.38 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DCREEN-MOSFET 1200V 17.7A C2M0160120D Cree/Wolfspeed TC2M0160120D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+670.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Mounting: THT
Technology: SiC; Z-FET™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...25V
Reverse recovery time: 23ns
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 196mΩ
Power dissipation: 125W
Drain current: 17.7A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1005.23 грн
3+823.71 грн
10+767.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1360.79 грн
10+1074.15 грн
120+807.02 грн
510+806.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+756.81 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Mounting: THT
Technology: SiC; Z-FET™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...25V
Reverse recovery time: 23ns
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 196mΩ
Power dissipation: 125W
Drain current: 17.7A
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1206.27 грн
3+1026.47 грн
10+920.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+424.68 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DCREEN-MOSFET 1200V 10A C2M0280120D Wolfspeed TC2M0280120D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+434.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
на замовлення 5406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+971.34 грн
10+623.47 грн
120+462.37 грн
510+412.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+542.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.25mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 259 pF @ 1000 V
на замовлення 6886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+932.46 грн
30+538.78 грн
120+459.99 грн
510+377.55 грн
1020+370.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120D
Код товару: 173651
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0280120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 10 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+709.83 грн
5+670.73 грн
10+630.77 грн
50+554.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1025.63 грн
50+746.89 грн
100+425.97 грн
200+385.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 191 pF @ 1000 V
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+920.74 грн
30+532.92 грн
120+455.47 грн
510+386.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M1000170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+890.54 грн
5+790.63 грн
10+679.42 грн
50+557.47 грн
100+486.29 грн
250+466.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+554.17 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+414.74 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170D 1700V 4.9A TO247
Код товару: 82643
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M1000170J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.3 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+948.76 грн
5+728.94 грн
10+509.13 грн
50+449.37 грн
100+400.65 грн
250+392.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+439.14 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+575.92 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 5170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+824.06 грн
10+787.35 грн
50+480.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+762.75 грн
25+761.94 грн
100+542.16 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JCREEN-MOSFET 1700V 5.3A C2M1000170J-TR C2M1000170J Cree/Wolfspeed TC2M1000170J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+450.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+617.06 грн
25+493.79 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+964.30 грн
50+527.93 грн
100+489.37 грн
500+411.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J
Код товару: 144493
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+730.35 грн
18+715.46 грн
50+423.49 грн
100+399.59 грн
200+368.51 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 3196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+898.16 грн
10+738.36 грн
25+641.28 грн
50+622.69 грн
100+530.53 грн
250+529.75 грн
500+484.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+463.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+451.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+935.82 грн
10+628.15 грн
100+474.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M10028ASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C2M6028RASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C2M7028RASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.