Продукція > C2M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8028.94 грн
5+7502.88 грн
10+6649.10 грн
25+5979.20 грн
50+5390.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+5335.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D
Код товару: 117277
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+6369.13 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 52200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1448.83 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0025120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5655.52 грн
5+5542.41 грн
10+5445.23 грн
50+5055.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2788 pF @ 1000 V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6624.12 грн
30+4979.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8096.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 25 mOhm
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5594.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5944.52 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4797.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D-AWolfspeedC2M0025120D-A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3648.21 грн
5+3465.80 грн
10+2618.27 грн
50+2382.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1893 pF @ 1000 V
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3698.42 грн
30+2452.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3313.15 грн
5+3212.13 грн
10+3013.68 грн
20+2723.36 грн
50+2558.39 грн
100+2509.37 грн
250+2466.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC Power MOSFET 1200V, 60A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3500.84 грн
10+2695.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4418.57 грн
10+4384.38 грн
25+3220.14 грн
100+3079.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+3600.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2906.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120D
Код товару: 173103
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeed(CREE)C2M0040120D THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3550.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+10435.04 грн
10+9227.68 грн
25+7873.71 грн
50+6860.70 грн
450+5736.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170D
Код товару: 125314
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0045170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8329.54 грн
5+7496.35 грн
10+6184.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8041.28 грн
30+6267.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170DWolfspeedSiC MOSFETs SiC Power MOSFET 1700V, 72A
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8697.55 грн
10+6889.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170PWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0045170P - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8161.47 грн
5+7867.54 грн
10+7572.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170PWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7608.06 грн
30+6140.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170PWolfspeedMOSFET DMOSFET 1.7kV 45mOHMS 4PLUS
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8517.53 грн
30+7312.31 грн
270+5943.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2197.54 грн
30+1377.46 грн
120+1330.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120D
Код товару: 166109
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
у наявності 3 шт:
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWolfspeedSiC MOSFETs ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2768.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DCree/WolfspeedN-канальний ПТ SIC MOSFET; Udss, В = 1 200; Id = 31,6 А; Ptot, Вт = 208; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 950 @ 1000; Qg, нКл = 49,2 @ 20; Rds = 98 мОм @ 20А, 20В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2.2 В @ 1 мА; TO-247-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0080120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2243.09 грн
5+2205.65 грн
10+2167.42 грн
50+1772.21 грн
100+1413.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170DWolfspeed / CreeMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 80OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170PWolfspeed / CreeMOSFET DMOSFET 1.7kV 80mOHMS 4PLUS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170PCree/WolfspeedDescription: SICFET N-CH 1700V 40A TO247-4
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170P
Код товару: 162267
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+789.10 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...25V
Reverse recovery time: 23ns
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-FET™
On-state resistance: 196mΩ
Power dissipation: 125W
Drain current: 17.7A
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+938.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 800 V
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1265.83 грн
30+756.13 грн
120+661.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120D
Код товару: 84501
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+845.46 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1233.86 грн
5+1160.58 грн
10+1086.50 грн
50+756.67 грн
100+684.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DCREEN-MOSFET 1200V 17.7A C2M0160120D Cree/Wolfspeed TC2M0160120D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+723.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...25V
Reverse recovery time: 23ns
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-FET™
On-state resistance: 196mΩ
Power dissipation: 125W
Drain current: 17.7A
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+782.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1199.61 грн
10+946.92 грн
120+711.43 грн
510+710.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0280120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 10 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+875.41 грн
5+794.16 грн
10+712.91 грн
50+625.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1069.38 грн
50+778.75 грн
100+444.14 грн
200+401.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DCREEN-MOSFET 1200V 10A C2M0280120D Wolfspeed TC2M0280120D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+468.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
на замовлення 5406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+856.29 грн
10+549.62 грн
120+407.61 грн
510+363.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+566.13 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.25mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 259 pF @ 1000 V
на замовлення 6886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+854.90 грн
30+493.97 грн
120+421.73 грн
510+346.15 грн
1020+339.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120D
Код товару: 173651
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 191 pF @ 1000 V
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+844.15 грн
30+488.59 грн
120+417.58 грн
510+354.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M1000170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+816.47 грн
5+724.86 грн
10+622.90 грн
50+511.10 грн
100+445.84 грн
250+428.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+577.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170D 1700V 4.9A TO247
Код товару: 82643
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+884.09 грн
50+484.02 грн
100+448.66 грн
500+376.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J
Код товару: 144493
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+761.50 грн
18+745.98 грн
50+441.55 грн
100+416.63 грн
200+384.23 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M1000170J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.3 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+869.83 грн
5+668.31 грн
10+466.78 грн
50+411.99 грн
100+367.32 грн
250+359.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+600.49 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 5170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+726.46 грн
10+694.09 грн
50+423.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+795.29 грн
25+794.44 грн
100+565.29 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JCREEN-MOSFET 1700V 5.3A C2M1000170J-TR C2M1000170J Cree/Wolfspeed TC2M1000170J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+486.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+643.38 грн
25+514.85 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+857.97 грн
10+575.90 грн
100+434.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 3196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+791.77 грн
10+650.91 грн
25+565.32 грн
50+548.94 грн
100+467.69 грн
250+467.01 грн
500+427.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+424.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M10028ASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C2M6028RASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C2M7028RASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.