Продукція > C2M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
C2M0025120DWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 25 mOhm
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5713.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5931.01 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4786.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8010.70 грн
5+7485.83 грн
10+6633.99 грн
25+5965.61 грн
50+5377.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DCREEN-Channel 1200V 90A (Tc) 463W (Tc) Through Hole TO-247-3 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+5323.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D
Код товару: 117277
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+6354.66 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 52200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1445.54 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0025120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5775.43 грн
5+5659.92 грн
10+5560.68 грн
50+5162.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2788 pF @ 1000 V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6764.58 грн
30+5084.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8078.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D-AWolfspeedC2M0025120D-A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DCree/WolfspeedN-канальний ПТ, Udss, В = 1 200, Id = 60 А, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1893 @ 1000, Qg, нКл = 115 @ 20 В, Rds = 52 мОм @ 40 A, 20 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,8 В @ 10 мA,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-24
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2899.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120D
Код товару: 173103
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3725.56 грн
5+3539.28 грн
10+2673.78 грн
50+2432.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1893 pF @ 1000 V
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3776.84 грн
30+2504.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3305.62 грн
5+3204.83 грн
10+3006.83 грн
20+2717.17 грн
50+2552.57 грн
100+2503.67 грн
250+2460.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC Power MOSFET 1200V, 60A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3575.07 грн
10+2752.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DCREEMOSFET N-CH 1200V 60A TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4408.53 грн
10+4374.42 грн
25+3212.82 грн
100+3072.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+3592.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8211.78 грн
30+6399.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170DWolfspeedSiC MOSFETs SiC Power MOSFET 1700V, 72A
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8881.96 грн
10+7035.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170DCREEMOSFET NCH 1.7KV 72A TO247 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+10411.32 грн
10+9206.71 грн
25+7855.82 грн
50+6845.11 грн
450+5723.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170D
Код товару: 125314
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0045170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8506.15 грн
5+7655.29 грн
10+6315.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170PWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0045170P - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8334.52 грн
5+8034.36 грн
10+7733.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170PWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7769.38 грн
30+6270.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170PWolfspeedMOSFET DMOSFET 1.7kV 45mOHMS 4PLUS
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8698.13 грн
30+7467.36 грн
270+6069.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0080120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2290.65 грн
5+2252.42 грн
10+2213.37 грн
50+1809.79 грн
100+1443.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2244.14 грн
30+1406.67 грн
120+1358.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120D
Код товару: 166109
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності 3 шт:
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWolfspeedSiC MOSFETs ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DCREETrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2762.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DCree/WolfspeedN-канальний ПТ SIC MOSFET, Udss, В = 1 200, Id = 31,6 А, Ptot, Вт = 208, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 950 @ 1000, Qg, нКл = 49,2 @ 20, Rds = 98 мОм @ 20А, 20В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2.2 В @ 1 мА,... Група товару: Транзистори Корпу
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
30+1617.45 грн
120+1386.39 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170DWolfspeed / CreeMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 80OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170PWolfspeed / CreeMOSFET DMOSFET 1.7kV 80mOHMS 4PLUS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170PCree/WolfspeedDescription: SICFET N-CH 1700V 40A TO247-4
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170P
Код товару: 162267
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DCREEMOSFET N-CH 1200V 19A TO-247 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1225.04 грн
10+967.00 грн
120+726.52 грн
510+725.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+787.30 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 800 V
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1292.67 грн
30+772.16 грн
120+675.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120D
Код товару: 84501
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeedSICFET N-CH 1200V 19A TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+843.54 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1260.02 грн
5+1185.18 грн
10+1109.53 грн
50+772.71 грн
100+699.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.25mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 259 pF @ 1000 V
на замовлення 6886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+873.03 грн
30+504.44 грн
120+430.67 грн
510+353.49 грн
1020+347.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120D
Код товару: 173651
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DCREEN-MOSFET 1200V 10A C2M0280120D Wolfspeed TC2M0280120D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+467.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0280120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 10 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+893.97 грн
5+811.00 грн
10+728.03 грн
50+638.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1066.95 грн
50+776.98 грн
100+443.13 грн
200+400.75 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
на замовлення 5406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+874.45 грн
10+561.27 грн
120+416.25 грн
510+371.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+564.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120D WolfspeedCREEКод виробника: C2M0280120D RoHS N-MOSFET 1200V 10A Transistors
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+649.71 грн
4+549.78 грн
10+502.47 грн
40+462.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+576.49 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DCREEN-Ch 4.9A, 1700V, TO-247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 191 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M1000170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+833.78 грн
5+740.23 грн
10+636.11 грн
50+521.94 грн
100+455.29 грн
250+437.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170D 1700V 4.9A TO247
Код товару: 82643
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+793.48 грн
25+792.64 грн
100+564.00 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JCree/WolfspeedN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ptot, Вт = 78, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 1000, Qg, нКл = 13 @ 20 В, Rds = 1,4 Ом @ 2 A, 20 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,1 В @ 500 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-247-3
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+641.92 грн
25+513.68 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+917.74 грн
50+501.89 грн
100+465.22 грн
500+383.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J
Код товару: 144493
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+759.77 грн
18+744.28 грн
50+440.55 грн
100+415.68 грн
200+383.36 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M1000170J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.3 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+885.84 грн
5+696.31 грн
10+506.77 грн
50+456.22 грн
100+420.43 грн
250+412.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JCREEN-MOSFET 1700V 5.3A C2M1000170J-TR C2M1000170J Cree/Wolfspeed TC2M1000170J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+485.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+599.12 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 5170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+741.86 грн
10+708.81 грн
50+432.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J Cree/WolfspeedCREEКод виробника: C2M1000170J RoHS N-MOSFET 1700V 5.3A C2M1000170J-TR Transistors
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+659.66 грн
4+560.34 грн
10+513.78 грн
30+479.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 3196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+808.56 грн
10+664.71 грн
25+577.31 грн
50+560.58 грн
100+477.61 грн
250+476.91 грн
500+436.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M10028ASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C2M6028RASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C2M7028RASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.