Продукція > C2M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+5044.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D
Код товару: 117277
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+6021.72 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5336.82 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 52200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1369.80 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2788 pF @ 1000 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6875.52 грн
30+5426.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7654.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 25 mOhm
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7375.76 грн
10+7167.99 грн
30+5854.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5620.28 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4535.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeed(CREE)C2M0025120D THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7591.00 грн
5+7093.63 грн
10+6286.43 грн
25+5653.07 грн
50+5096.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0025120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7578.82 грн
5+6962.56 грн
10+6346.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D-AWolfspeedC2M0025120D-A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120KWolfspeedC2M0025120K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedSiC MOSFETs SiC Power MOSFET 1200V, 60A
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4199.37 грн
10+3971.90 грн
30+2711.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3546.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 54ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3584.81 грн
10+3324.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+3649.90 грн
10+3567.78 грн
25+3166.80 грн
100+2975.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2594.46 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4197.00 грн
5+3987.07 грн
10+3789.83 грн
50+2732.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3546.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120D
Код товару: 173103
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5741.17 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 54ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2987.34 грн
10+2667.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4242.17 грн
120+3067.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1893 pF @ 1000 V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4148.33 грн
30+2888.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0045170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9479.24 грн
5+9272.69 грн
10+9066.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170D
Код товару: 125314
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8690.92 грн
30+7112.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170DWolfspeedMOSFET SiC Power MOSFET 1700V, 72A
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9796.78 грн
30+8964.33 грн
60+7786.77 грн
120+7779.22 грн
270+7503.79 грн
510+7252.51 грн
1020+7233.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170DWolfspeed(CREE)C2M0045170D THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+6500.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170PWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8085.24 грн
30+6525.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170PWolfspeedMOSFET DMOSFET 1.7kV 45mOHMS 4PLUS
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9413.82 грн
30+8081.78 грн
270+6568.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+6199.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170PWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0045170P - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8673.36 грн
5+8361.00 грн
10+8047.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns
Technology: SiC; Z-FET™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...25V
Gate charge: 62nC
Reverse recovery time: 32ns
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2271.36 грн
2+2071.72 грн
3+1994.04 грн
10+1979.89 грн
30+1917.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0080120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2383.78 грн
5+2343.99 грн
10+2303.36 грн
50+1883.37 грн
100+1502.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DCree/WolfspeedN-канальний ПТ SIC MOSFET; Udss, В = 1 200; Id = 31,6 А; Ptot, Вт = 208; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 950 @ 1000; Qg, нКл = 49,2 @ 20; Rds = 98 мОм @ 20А, 20В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2.2 В @ 1 мА; TO-247-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns
Technology: SiC; Z-FET™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...25V
Gate charge: 62nC
Reverse recovery time: 32ns
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1892.80 грн
2+1662.49 грн
3+1661.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2250.39 грн
10+1826.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2335.37 грн
30+1463.85 грн
120+1414.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120D
Код товару: 166109
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
у наявності 3 шт:
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120DWolfspeedSiC MOSFETs ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170DWolfspeed / CreeMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 80OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170PWolfspeed / CreeMOSFET DMOSFET 1.7kV 80mOHMS 4PLUS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170PCree/WolfspeedDescription: SICFET N-CH 1700V 40A TO247-4
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080170P
Код товару: 162267
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120D
Код товару: 84501
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17.7A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 196mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 23ns
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1067.45 грн
2+815.13 грн
4+771.11 грн
10+770.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DCREEN-MOSFET 1200V 17.7A C2M0160120D Cree/Wolfspeed TC2M0160120D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+661.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+746.05 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1325.84 грн
10+1046.56 грн
120+786.30 грн
510+785.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17.7A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 196mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 23ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1280.94 грн
2+1015.78 грн
4+925.33 грн
10+924.39 грн
30+889.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+799.34 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1311.25 грн
5+1233.37 грн
10+1154.64 грн
50+804.13 грн
100+727.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+635.63 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 800 V
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1345.23 грн
30+803.55 грн
120+702.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
на замовлення 5406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+946.40 грн
10+607.46 грн
120+450.50 грн
510+402.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0280120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 10 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+691.60 грн
5+653.51 грн
10+614.57 грн
50+540.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1011.05 грн
50+736.27 грн
100+419.91 грн
200+379.75 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+413.77 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.25mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 259 pF @ 1000 V
на замовлення 6886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+908.52 грн
30+524.95 грн
120+448.18 грн
510+367.86 грн
1020+361.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120D
Код товару: 173651
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DCREEN-MOSFET 1200V 10A C2M0280120D Wolfspeed TC2M0280120D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+428.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+535.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M1000170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+876.99 грн
5+799.95 грн
10+711.92 грн
50+626.48 грн
100+550.72 грн
250+525.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+404.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 191 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 69W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+759.34 грн
25+724.28 грн
50+695.14 грн
100+646.68 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 69W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 20ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170DWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170D 1700V 4.9A TO247
Код товару: 82643
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+751.91 грн
25+751.11 грн
100+534.45 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5.3A; 78W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+695.83 грн
5+670.00 грн
10+627.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+608.29 грн
25+486.77 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5.3A; 78W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+579.86 грн
5+537.66 грн
10+522.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 5170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+802.90 грн
10+767.13 грн
50+468.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+719.96 грн
18+705.29 грн
50+417.46 грн
100+393.91 грн
200+363.27 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M1000170J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.3 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+775.40 грн
5+756.78 грн
10+737.31 грн
50+482.63 грн
100+435.35 грн
250+430.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JCREEN-MOSFET 1700V 5.3A C2M1000170J-TR C2M1000170J Cree/Wolfspeed TC2M1000170J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+444.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+427.86 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+893.83 грн
50+478.64 грн
100+462.24 грн
500+407.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J
Код товару: 144493
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+567.74 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 3196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+875.09 грн
10+719.40 грн
25+624.81 грн
50+606.70 грн
100+516.90 грн
250+516.15 грн
500+472.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+440.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+451.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+911.78 грн
10+612.02 грн
100+462.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M10028ASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C2M6028RASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C2M7028RASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.