Продукція > C2M
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
C2M0025120D | Wolfspeed | MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 25 mOhm | на замовлення 306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0025120D | WOLFSPEED | Description: WOLFSPEED - C2M0025120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 463W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm | на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0025120D Код товару: 117277 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
C2M0025120D | Wolfspeed(CREE) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; 463W; TO247-3; 45ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 90A Power dissipation: 463W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 161nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 45ns | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0025120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0025120D | Wolfspeed, Inc. | Description: SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V Power Dissipation (Max): 463W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2788 pF @ 1000 V | на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0025120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0025120D | Wolfspeed(CREE) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; 463W; TO247-3; 45ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 90A Power dissipation: 463W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 161nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 45ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0025120D-A | Wolfspeed | C2M0025120D-A | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0025120K | Wolfspeed | C2M0025120K | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0040120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0040120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0040120D | Wolfspeed, Inc. | Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1893 pF @ 1000 V | на замовлення 1262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0040120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0040120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0040120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0040120D | Wolfspeed(CREE) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 60A Power dissipation: 330W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 54ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 34 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0040120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0040120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0040120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0040120D | Wolfspeed | MOSFET SiC Power MOSFET 1200V, 60A | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0040120D | WOLFSPEED | Description: WOLFSPEED - C2M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm | на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0040120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0040120D Код товару: 173103 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
C2M0040120D | Wolfspeed(CREE) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 60A Power dissipation: 330W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 54ns | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0045170D | Wolfspeed(CREE) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; 520W; TO247-3; 70ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: C2M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 48A Power dissipation: 520W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 188nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 70ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0045170D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 5618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0045170D | Wolfspeed | MOSFET SiC Power MOSFET 1700V, 72A | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0045170D | WOLFSPEED | Description: WOLFSPEED - C2M0045170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0045170D Код товару: 125314 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
C2M0045170D | Wolfspeed(CREE) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; 520W; TO247-3; 70ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: C2M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 48A Power dissipation: 520W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 188nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 70ns | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0045170D | Wolfspeed, Inc. | Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3 | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0045170D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0045170P | WOLFSPEED | Description: WOLFSPEED - C2M0045170P - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 Plus tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: C2M productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0045170P | Wolfspeed, Inc. | Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 50A, 20V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0045170P | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0045170P | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
C2M0045170P | Wolfspeed | MOSFET DMOSFET 1.7kV 45mOHMS 4PLUS | на замовлення 756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0080120D | Wolfspeed, Inc. | Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V | на замовлення 2157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0080120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0080120D Код товару: 166109 | Транзистори > Польові N-канальні | у наявності 3 шт: 3 шт - РАДІОМАГ-Львів | ||||||||||||||||
C2M0080120D | Wolfspeed(CREE) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Power dissipation: 208W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 32ns | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0080120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0080120D | Wolfspeed(CREE) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Power dissipation: 208W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 32ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0080120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0080120D | Wolfspeed | MOSFET ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT | на замовлення 2334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0080120D | WOLFSPEED | Description: WOLFSPEED - C2M0080120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm | на замовлення 3794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0080120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 2873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0080120D | Cree/Wolfspeed | N-канальний ПТ SIC MOSFET; Udss, В = 1 200; Id = 31,6 А; Ptot, Вт = 208; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 950 @ 1000; Qg, нКл = 49,2 @ 20; Rds = 98 мОм @ 20А, 20В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2.2 В @ 1 мА; TO-247-3 | на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0080170D | Wolfspeed / Cree | MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 80OHM | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0080170P | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0080170P | Cree/Wolfspeed | Description: SICFET N-CH 1700V 40A TO247-4 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
C2M0080170P Код товару: 162267 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
C2M0080170P | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0080170P | Wolfspeed / Cree | MOSFET DMOSFET 1.7kV 80mOHMS 4PLUS | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0160120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0160120D | WOLFSPEED | Description: WOLFSPEED - C2M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: C2M productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0160120D | Wolfspeed, Inc. | Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 800 V | на замовлення 1730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0160120D Код товару: 84501 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
C2M0160120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0160120D | Wolfspeed | MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm | на замовлення 2964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0160120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0160120D | CREE | N-MOSFET 1200V 17.7A C2M0160120D Cree/Wolfspeed TC2M0160120D кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0160120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0160120D | Wolfspeed(CREE) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 17.7A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 196mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 23ns | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0160120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0160120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0160120D | Wolfspeed(CREE) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 17.7A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 196mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 23ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 57 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0160120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0280120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0280120D | CREE | N-MOSFET 1200V 10A C2M0280120D Wolfspeed TC2M0280120D кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0280120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M0280120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0280120D | WOLFSPEED | Description: WOLFSPEED - C2M0280120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 10 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0280120D | Wolfspeed, Inc. | Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 6A, 20V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.25mA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 259 pF @ 1000 V | на замовлення 14415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0280120D Код товару: 173651 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
C2M0280120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0280120D | Wolfspeed | MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm | на замовлення 6979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M0280120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M1000170D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 71550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170D | Wolfspeed(CREE) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4.9A Power dissipation: 69W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 20ns | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170D | WOLFSPEED | Description: WOLFSPEED - C2M1000170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm | на замовлення 971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170D | Wolfspeed, Inc. | Description: SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 191 pF @ 1000 V | на замовлення 1899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170D | Wolfspeed | MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm | на замовлення 1330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170D | Wolfspeed(CREE) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4.9A Power dissipation: 69W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 20ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 103 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 71100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170D 1700V 4.9A TO247 Код товару: 82643 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
C2M1000170J Код товару: 144493 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
C2M1000170J | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170J | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170J | Wolfspeed | MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm | на замовлення 5820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170J | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170J | Wolfspeed(CREE) | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5.3A; 78W; D2PAK-7; 20ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 5.3A Power dissipation: 78W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 20ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 70 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170J | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170J | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M1000170J | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170J | MACOM | MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm | на замовлення 5927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170J | Wolfspeed(CREE) | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5.3A; 78W; D2PAK-7; 20ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 5.3A Power dissipation: 78W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 20ns | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170J | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170J | CREE | N-MOSFET 1700V 5.3A C2M1000170J-TR C2M1000170J Cree/Wolfspeed TC2M1000170J кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170J | WOLFSPEED | Description: WOLFSPEED - C2M1000170J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.3 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm | на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170J | Wolfspeed, Inc. | Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V | на замовлення 1261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170J-TR | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
C2M1000170J-TR | Wolfspeed | MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm | на замовлення 3879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170J-TR | Wolfspeed, Inc. | Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170J-TR | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M1000170J-TR | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
C2M10028 | ASI | на замовлення 65 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
C2M6028R | ASI | на замовлення 65 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
C2M7028R | ASI | на замовлення 65 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |