Продукція > FDZ

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDZ09PG1MMolexD-Sub Dualport Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ09SG1MMolexD-Sub Dualport Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ09SG1SMolexD-Sub Dualport Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1040LFairchild SemiconductorDescription: SPST
Features: Load Discharge
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 48mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1V ~ 4V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.80x0.80)
Part Status: Obsolete
на замовлення 10310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
757+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1323NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.3x2.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1323NZonsemi / FairchildMOSFETs 20V Common Drain N-Channel 2.5 V PowerTrench WL-CSP MOSFET
на замовлення 4714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.53 грн
10+83.36 грн
100+51.15 грн
500+41.56 грн
1000+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1323NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ1323NZ - Dual-MOSFET, WLCSP
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1323NZonsemiMOSFETs 20V Common Drain N-Channel 2.5 V PowerTrench WL-CSP MOSFET
на замовлення 8816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.78 грн
10+73.04 грн
100+42.25 грн
500+33.21 грн
1000+27.82 грн
2500+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1323NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.3x2.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.67 грн
10+91.31 грн
100+60.22 грн
500+45.01 грн
1000+38.58 грн
2000+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1323NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WLCSP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1416NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 4WLCSP
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1416NZonsemi / FairchildMOSFET COMMONDRAIN N-CH. 2.5 V P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1416NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ1416NZ - Dual-MOSFET, WLCSP
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1416NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.4)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1827NZON SemiconductorFDZ1827NZ
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.55 грн
10000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1827NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.3x2.3)
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1514+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 1514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1827NZ-PonsemiDescription: RECTIFIERS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.3x2.3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1827NZ-PON SemiconductorFDZ1827NZ-P
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1827NZ-PON SemiconductorFDZ1827NZ-P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1827NZ-PON SemiconductorFDZ1827NZ-P
на замовлення 4918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1905PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 6WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1905PZonsemi / FairchildMOSFET -20V Common Drain PCh 1.5V PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1905PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ1905PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.099 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.099
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WL-CSP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.099
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1905PZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 6WLCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Part Status: Active
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
562+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 562 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ191PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ191PONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 1.9
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ191PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ191Ponsemi / FairchildEncoders, Decoders, Multiplexers & Demultiplexers UHS Decoder/Demul
на замовлення 5738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ191PONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: WL-CSP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ191P_PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ192NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 6-WLCSP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ193PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 709295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1276+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 1276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ193PON Semiconductor / FairchildMOSFET MFET-20V P-CH 1.7V PowerTrench WL-CSP
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ197PZON Semiconductor / FairchildMOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench
на замовлення 4044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ197PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ197PZ - FDZ197PZ, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 275000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1460+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 1460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ197PZFairchild SemiconductorDescription: 3.8A, 20V, P-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.0x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 1211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ201NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 9A 12BGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1127 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-WFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ201N
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ202P
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ202PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-WFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ202Ponsemi / FairchildMOSFET 20V/12V P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ202PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-WFBGA
Packaging: Bulk
на замовлення 155615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ203N
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ203NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 7.5A BGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ2040LON Semiconductor / FairchildPower Switch ICs - Power Distribution N-Ch 60V 100A 3mOhm PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ2040LFairchild SemiconductorDescription: IC POWER DIST LOAD SWITCH 4WLCSP
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ2040LFairchild SemiconductorDescription: IC POWER DIST LOAD SWITCH 4WLCSP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ2040LFairchild SemiconductorDescription: IC POWER DIST LOAD SWITCH 4WLCSP
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ204PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A 9BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-BGA (2x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 10 V
на замовлення 157309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
781+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 781 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ204P
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ206PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 13A 30BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 30-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 30-BGA (4x3.5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 10 V
на замовлення 361963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ206PFAI05+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ206Ponsemi / FairchildMOSFET 20V/12V PCh MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ208PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 12.5A 30BGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2409 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 30-BGA (4x3.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 30-WFBGA
Packaging: Bulk
на замовлення 5403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ209NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-WFBGA
Packaging: Bulk
на замовлення 20644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
283+72.38 грн
Мінімальне замовлення: 283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ209NONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ209N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+74.26 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ2552PFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-BGA (2.5x4)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+94.75 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ2553NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.6A 18-Pin BGA T/R
на замовлення 109004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+81.14 грн
500+73.03 грн
1000+67.34 грн
10000+57.90 грн
100000+44.92 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ2553NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.6A 18BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1299pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-BGA (2.5x4)
на замовлення 134864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ2553NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.6A 18-Pin BGA T/R
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+81.14 грн
500+73.03 грн
1000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ2553NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.6A 18-Pin BGA T/R
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+81.14 грн
500+73.03 грн
1000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ2553NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.6A 18-Pin BGA T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+81.14 грн
500+73.03 грн
1000+67.34 грн
10000+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ2553NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.6A 18BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-BGA (2.5x4)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+57.69 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ2553NZonsemiMOSFETs 20V/12V NCh Monolith Common Drain BGa
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ2554PFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 89940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ2554PZFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 11960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ291PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ291PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ291PFAI05+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ291P/DFAIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ293PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 9-BGA (1.5x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 9407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ293PFSC09+
на замовлення 15018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ293PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 9-BGA (1.5x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ293P/BFAIR
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ294NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.5x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
на замовлення 53580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+80.77 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ294NFAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ298NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 6A BGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ298N
на замовлення 5012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ299PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-BGA (2x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 742 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ299PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 742 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 9-BGA (2x2.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-WFBGA
Packaging: Bulk
на замовлення 14445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
649+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 649 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ299PFSC
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ371PZON Semiconductor / FairchildMOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench
на замовлення 4286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ371PZON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ371PZON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ371PZ K..ON-SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 4-Pin WLCSP T/R FDZ371PZ TFDZ371pz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ372NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ372NZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 968550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+116.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ372NZFAIRCHILDWL-CSP
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ372NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 4.7A 4-WLC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ375PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1x1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ375PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+119.04 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ375PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1x1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 5119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+119.04 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ375PON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V P-Channel 1.5V Specfied PowerTrench
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ375PONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ375P - MOSFET, P CH, 20V, 3.7A, WL-CSP 1X1
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ391PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ391PON Semiconductor / FairchildMOSFET -20V P-Ch 1.5 V PowerTrench
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ391PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ391PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ3N513ZTON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Integrated NMOS and Shottky Diode
на замовлення 2732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ3N513ZTFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A 4WLCSP
на замовлення 25469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 931 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ4002LON SemiconductorDescription: IC POWER MANAGEMENT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]