Продукція > FDZ
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDZ09PG1M | Molex | D-Sub Dualport Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ09SG1M | Molex | D-Sub Dualport Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ09SG1S | Molex | D-Sub Dualport Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ1040L | Fairchild Semiconductor | Description: SPST Packaging: Bulk Features: Load Discharge Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 48mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 1V ~ 4V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 1.2A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.80x0.80) Part Status: Obsolete | на замовлення 10310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ1323NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WLCSP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ1323NZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDZ1323NZ - Dual-MOSFET, WLCSP tariffCode: 85412900 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 euEccn: NLR Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ1323NZ | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.3x2.3) Part Status: Active | на замовлення 28663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ1323NZ | onsemi / Fairchild | MOSFETs 20V Common Drain N-Channel 2.5 V PowerTrench WL-CSP MOSFET | на замовлення 4714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ1323NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WLCSP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ1323NZ | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.3x2.3) Part Status: Active | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ1323NZ | ONSEMI | FDZ1323NZ SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ1416NZ | onsemi / Fairchild | MOSFET COMMONDRAIN N-CH. 2.5 V P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ1416NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 24V 7A 4-Pin WLCSP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ1416NZ | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 4WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.4) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ1416NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 24V 7A 4-Pin WLCSP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ1416NZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDZ1416NZ - Dual-MOSFET, WLCSP tariffCode: 85412900 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24 euEccn: NLR Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ1416NZ | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 4WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.4) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ1827NZ | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP Packaging: Bulk Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.3x2.3) Part Status: Active | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ1827NZ-P | onsemi | Description: FDZ18COMMONDRAN-CPOWERTRENMOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ1905PZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDZ1905PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.099 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 3 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3 hazardous: false Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.099 Verlustleistung Pd: 1.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 Verlustleistung, p-Kanal: 1.5 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 euEccn: NLR Bauform - Transistor: WL-CSP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.099 Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ1905PZ | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 6WLCSP Packaging: Bulk Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5) Part Status: Active | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ1905PZ | onsemi / Fairchild | MOSFET -20V Common Drain PCh 1.5V PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ1905PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin WLCSP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ191P | onsemi / Fairchild | Encoders, Decoders, Multiplexers & Demultiplexers UHS Decoder/Demul | на замовлення 5738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ191P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin WLCSP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ191P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Verlustleistung: 1.9 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ191P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ191P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 3 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.9 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9 Bauform - Transistor: WL-CSP Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ191P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ191P_P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ192NZ | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 6-WLCSP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ192NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 5.3A 6-Pin WLCSP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ193P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP Packaging: Bulk Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V | на замовлення 709295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ193P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin WLCSP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ193P | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET MFET-20V P-CH 1.7V PowerTrench WL-CSP | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ197PZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDZ197PZ - FDZ197PZ, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 275000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ197PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin WLCSP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ197PZ | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench | на замовлення 4044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ197PZ | Fairchild Semiconductor | Description: 3.8A, 20V, P-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.0x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ201N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 9A 12BGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1127 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ201N | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDZ202P | на замовлення 2261 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDZ202P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA Packaging: Bulk Package / Case: 12-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 10 V | на замовлення 155615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ202P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ202P | onsemi / Fairchild | MOSFET 20V/12V P-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ203N | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A BGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ203N | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDZ2040L | Fairchild Semiconductor | Description: IC POWER DIST LOAD SWITCH 4WLCSP | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ2040L | Fairchild Semiconductor | Description: IC POWER DIST LOAD SWITCH 4WLCSP | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ2040L | ON Semiconductor / Fairchild | Power Switch ICs - Power Distribution N-Ch 60V 100A 3mOhm PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ2040L | ON Semiconductor | Power Switch Hi Side 1-OUT 1.2A 0.068Ohm 4-Pin WLCSP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ2040L | Fairchild Semiconductor | Description: IC POWER DIST LOAD SWITCH 4WLCSP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ204P | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDZ204P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 9BGA Packaging: Bulk Package / Case: 9-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 9-BGA (2x2.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 10 V | на замовлення 152334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ206P | onsemi / Fairchild | MOSFET 20V/12V PCh MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ206P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 13A 30BGA Packaging: Bulk Package / Case: 30-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 30-BGA (4x3.5) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 10 V | на замовлення 361963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ206P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 13A 18-Pin BGA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ206P | FAI | 05+ | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ208P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 12.5A 30BGA Packaging: Bulk Package / Case: 30-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 30-BGA (4x3.5) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2409 pF @ 15 V | на замовлення 5403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ209N | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA Packaging: Bulk Package / Case: 12-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 30 V | на замовлення 20644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ209N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDZ209N - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 20644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ2552P | Fairchild Semiconductor | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 18-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 18-BGA (2.5x4) Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ2553N | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 135576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ2553NZ | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ2554P | Fairchild Semiconductor | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 89940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ2554PZ | Fairchild Semiconductor | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 11960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ291P | FAI | 05+ | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ291P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ291P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-Pin BGA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ291P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ291P/D | FAIR | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDZ293P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA Packaging: Bulk Package / Case: 9-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 9-BGA (1.5x1.6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 10 V | на замовлення 50621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ293P | Fairchild | BGA-6 | на замовлення 9400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ293P | FAI | 2006 BGA | на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ293P | FSC | 09+ | на замовлення 15018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ293P/B | FAIR | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDZ294N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 9-Pin BGA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ294N | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA Packaging: Bulk Package / Case: 9-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 9-BGA (1.5x1.6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V | на замовлення 53580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ294N | FAIRCHILD | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDZ298N | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 6A BGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ298N | на замовлення 5012 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDZ299P | FSC | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| FDZ299P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA Packaging: Bulk Package / Case: 9-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 9-BGA (2x2.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 742 pF @ 10 V | на замовлення 14445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ371PZ | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ371PZ | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ371PZ | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench | на замовлення 4286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ371PZ K.. | ON-Semicoductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 4-Pin WLCSP T/R FDZ371PZ TFDZ371pz кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ372NZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDZ372NZ - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 968550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ372NZ | FAIRCHILD | WL-CSP | на замовлення 1287 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ372NZ | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A 4-WLC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ375P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP Packaging: Bulk Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V | на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ375P | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 20V P-Channel 1.5V Specfied PowerTrench | на замовлення 4315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ375P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP Packaging: Bulk Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (1x1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V | на замовлення 5119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ375P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDZ375P - MOSFET, P CH, 20V, 3.7A, WL-CSP 1X1 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ375P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (1x1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ391P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ391P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP | на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ391P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP | на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ391P | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET -20V P-Ch 1.5 V PowerTrench | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ3N513ZT | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V Integrated NMOS and Shottky Diode | на замовлення 2732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ3N513ZT | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A 4WLCSP | на замовлення 25469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ4002L | ON Semiconductor | Description: IC POWER MANAGEMENT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ4010 | Fairchild Semiconductor | Description: BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL Packaging: Bulk Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 1.5Ohm (Max) Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2V ~ 5V Current - Output (Max): 10mA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.16x0.76) | на замовлення 79800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ451PZ | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET -20V P-Ch 1.5 V PowerTrench MOSFET | на замовлення 4365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ451PZ | Fairchild Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V | на замовлення 9571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ451PZ-P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 6WLCSP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ4640 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 30-Pin FLBGA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ4670 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ4670 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ4670 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ4670S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ4670S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ493P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA Packaging: Bulk Package / Case: 9-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 9-BGA (1.55x1.55) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 10 V | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ5013 | MACOM Technology Solutions | Description: MIXER,DOUBLER,FREQUENCY Packaging: Tray Package / Case: Module Function: Frequency Doubler Frequency: 6GHz ~ 24GHz RF Type: General Purpose Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ5013 | MACOM | Signal Conditioning Input 3-12GHz Output 6-24GHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ5013C | MACOM | Signal Conditioning Input 3-12GHz SMA Output 6-24GHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ5013C | MACOM Technology Solutions | Description: MICROWAVE,FREQUENCY DOUBLER Packaging: Tray Package / Case: Module, SMA Connectors Function: Frequency Doubler Frequency: 6GHz ~ 24GHz RF Type: General Purpose | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ5013C-1 | MACOM Technology Solutions | Description: DOUBLER,FREQUENCY Packaging: Bulk Package / Case: Module, SMA Connectors Mounting Type: Chassis Mount Function: Frequency Doubler Frequency: 3GHz ~ 12GHz RF Type: General Purpose Supplier Device Package: Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ5013C-1 | MACOM | RF Wireless Misc Doubler,Frequency | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ5047N | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 22A BGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ5047N | FAIRCHILD | BGA 03--06+ | на замовлення 22432 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ595PZ | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ595PZ | Rochester Electronics, LLC | Description: FDZ595PZ | на замовлення 225145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ661PZ | onsemi / Fairchild | MOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET | на замовлення 9985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ661PZ | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A 4WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ661PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-Pin WLCSP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ661PZ | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A 4WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V | на замовлення 7250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ663P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDZ663P - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ663P | Fairchild Semiconductor | Description: FDZ663P - FDZ663P - MOSFET P-CHA Packaging: Bulk Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.80x0.80) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 10 V | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ663P | onsemi / Fairchild | MOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ7064AS | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA Packaging: Bulk Package / Case: 30-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 30-BGA (4x3.5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V | на замовлення 32300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ7064AS | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDZ7064N | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA Packaging: Bulk Package / Case: 30-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 30-BGA (4x3.5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3843 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ7064S | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 30-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 30-BGA (3.5x4) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ7296 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 11A 18BGA Packaging: Bulk Package / Case: 18-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 18-BGA (2.5x4) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V | на замовлення 3302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ8040L | Fairchild Semiconductor | Description: IC LOAD SWITCH 4WLCSP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ8040L | ON Semiconductor / Fairchild | Power Switch ICs - Power Distribution 4V 1.2A Integrated Load Switch | на замовлення 2574 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ8040L | ON Semiconductor | Power Switch Hi Side 1-OUT 1.2A 0.348Ohm 4-Pin WLCSP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ8040L | Fairchild Semiconductor | Description: IC LOAD SWITCH 4WLCSP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ8040L | Fairchild Semiconductor | Description: INTEGRATED LOAD SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZT27R5.6 | ROHM Semiconductor | Zener Diodes 100mW 5.31-5.92V Vz 2.5V Vr RASMID | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZT40RB5.1 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 5.1V 100MW SMD0402 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 01005 (0402 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V Supplier Device Package: SMD0402 Power - Max: 100 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZT40RB5.1 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 5.1V 100MW SMD0402 Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 01005 (0402 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V Supplier Device Package: SMD0402 Power - Max: 100 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1.5 V | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZT40RB5.6 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 5.6V 100MW SMD0402 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 01005 (0402 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V Supplier Device Package: SMD0402 Power - Max: 100 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZT40RB6.2 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 6.2V 100MW SMD0402 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 01005 (0402 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V Supplier Device Package: SMD0402 Power - Max: 100 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZT40RB6.2 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 6.2V 100MW SMD0402 Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 01005 (0402 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V Supplier Device Package: SMD0402 Power - Max: 100 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZT40RB6.8 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 6.8V 100MW SMD0402 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: 01005 (0402 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V Supplier Device Package: SMD0402 Power - Max: 100 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 3.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZT40RB6.8 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 6.8V 100MW SMD0402 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: 01005 (0402 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V Supplier Device Package: SMD0402 Power - Max: 100 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 3.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZT40RB7.5 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 7.5V 100MW SMD0402 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 01005 (0402 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V Supplier Device Package: SMD0402 Power - Max: 100 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 4 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZT40RB8.2 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 100MW 8.2V SMD0402 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 39477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|