НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDZ09SG1MMolexMolex
товар відсутній
FDZ1040LFairchild SemiconductorDescription: SPST
Features: Load Discharge
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 48mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1V ~ 4V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8)
Part Status: Obsolete
на замовлення 10310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+17.7 грн
Мінімальне замовлення: 1110
FDZ1323NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ1323NZ - Dual-MOSFET, WLCSP
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDZ1323NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.3x2.3)
Part Status: Active
товар відсутній
FDZ1323NZonsemi / FairchildMOSFET COMMONDRAIN N-CH. 2.5 V P
на замовлення 4839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.82 грн
10+ 82.26 грн
100+ 55.52 грн
500+ 47.12 грн
1000+ 36.16 грн
5000+ 34.39 грн
10000+ 34.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDZ1323NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
FDZ1323NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.3x2.3)
Part Status: Active
на замовлення 9737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.99 грн
10+ 73.07 грн
100+ 56.84 грн
500+ 45.22 грн
1000+ 36.84 грн
2000+ 34.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDZ1323NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
FDZ1416NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.4)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDZ1416NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 24V 7A 4-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
FDZ1416NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ1416NZ - Dual-MOSFET, WLCSP
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDZ1416NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.4)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDZ1416NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 24V 7A 4-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
FDZ1416NZonsemi / FairchildMOSFET COMMONDRAIN N-CH. 2.5 V P
товар відсутній
FDZ1827NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.3x2.3)
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 2219
FDZ1827NZ-PonsemiDescription: FDZ18COMMONDRAN-CPOWERTRENMOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
FDZ1905PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ1905PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.099 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.099
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WL-CSP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.099
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
FDZ1905PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
FDZ1905PZonsemi / FairchildMOSFET -20V Common Drain PCh 1.5V PowerTrench
товар відсутній
FDZ1905PZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 6WLCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Part Status: Active
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
825+23.3 грн
Мінімальне замовлення: 825
FDZ191PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
FDZ191Ponsemi / FairchildEncoders, Decoders, Multiplexers & Demultiplexers UHS Decoder/Demul
на замовлення 5738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDZ191PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
товар відсутній
FDZ191PONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 1.9
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDZ191PONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: WL-CSP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDZ191PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
товар відсутній
FDZ191P_PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
товар відсутній
FDZ192NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 6-WLCSP
товар відсутній
FDZ192NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.3A 6-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
FDZ193PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
FDZ193PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 709295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1276+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 1276
FDZ193PON Semiconductor / FairchildMOSFET MFET-20V P-CH 1.7V PowerTrench WL-CSP
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDZ197PZFairchild SemiconductorDescription: 3.8A, 20V, P-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.0x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V
на замовлення 29400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1210+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 1210
FDZ197PZON Semiconductor / FairchildMOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench
на замовлення 4044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDZ197PZonsemiDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.0x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V
на замовлення 275000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1210+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 1210
FDZ197PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
FDZ197PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ197PZ - FDZ197PZ, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 275000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1460+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 1460
FDZ201NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 9A BGA
товар відсутній
FDZ201NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 9A BGA
товар відсутній
FDZ201N
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDZ201NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 9A BGA
товар відсутній
FDZ202PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 12-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 10 V
на замовлення 155615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 1110
FDZ202P
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDZ202PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 10 V
товар відсутній
FDZ202Ponsemi / FairchildMOSFET 20V/12V P-Channel
товар відсутній
FDZ203NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 7.5A BGA
товар відсутній
FDZ203N
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDZ2040LFairchild SemiconductorDescription: IC POWER DIST LOAD SWITCH 4WLCSP
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDZ2040LON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1.2A 0.068Ohm 4-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
FDZ2040LON Semiconductor / FairchildPower Switch ICs - Power Distribution N-Ch 60V 100A 3mOhm PowerTrench MOSFET
товар відсутній
FDZ2040LFairchild SemiconductorDescription: IC POWER DIST LOAD SWITCH 4WLCSP
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDZ2040LFairchild SemiconductorDescription: IC POWER DIST LOAD SWITCH 4WLCSP
товар відсутній
FDZ204P
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDZ204PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A 9BGA
на замовлення 157309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDZ206PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13A 18-Pin BGA T/R
товар відсутній
FDZ206Ponsemi / FairchildMOSFET 20V/12V PCh MOSFET
товар відсутній
FDZ206PFAI05+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDZ206PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13A 30BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 30-BGA (4x3.5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 10 V
товар відсутній
FDZ206PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 13A 30BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 30-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 30-BGA (4x3.5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 10 V
на замовлення 369292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+36.2 грн
Мінімальне замовлення: 589
FDZ208PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 12.5A 30BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 30-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 30-BGA (4x3.5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2409 pF @ 15 V
на замовлення 5403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+89.21 грн
Мінімальне замовлення: 224
FDZ209NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 12-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 30 V
на замовлення 20644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 346
FDZ2552PFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-BGA (2.5x4)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+86.6 грн
Мінімальне замовлення: 247
FDZ2553NFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 135576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDZ2553NZFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDZ2554PFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 89940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDZ2554PZFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 11960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDZ291PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
товар відсутній
FDZ291PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
товар відсутній
FDZ291PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-Pin BGA T/R
товар відсутній
FDZ291PFAI05+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDZ291P/DFAIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDZ293PFSC09+
на замовлення 15018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDZ293PFairchildBGA-6
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDZ293PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.5x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 10 V
на замовлення 50621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 1158
FDZ293PFAI2006 BGA
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDZ293P/BFAIR
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDZ294NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6A 9-Pin BGA T/R
товар відсутній
FDZ294NFAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDZ294NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.5x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
на замовлення 53580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+73.82 грн
Мінімальне замовлення: 290
FDZ298NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 6A BGA
товар відсутній
FDZ298N
на замовлення 5012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDZ299PFSC
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDZ299PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-BGA (2x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 742 pF @ 10 V
на замовлення 14445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
951+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 951
FDZ371PZON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDZ371PZON Semiconductor / FairchildMOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench
на замовлення 4286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDZ371PZON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDZ371PZ K..ON-SemicoductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 4-Pin WLCSP T/R FDZ371PZ TFDZ371pz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDZ372NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 4.7A 4-WLC
товар відсутній
FDZ372NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ372NZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 973268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+135.45 грн
Мінімальне замовлення: 264
FDZ372NZFAIRCHILDWL-CSP
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDZ375PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+102.25 грн
Мінімальне замовлення: 195
FDZ375PONSEMIDescription: ONSEMI - FDZ375P - MOSFET, P CH, 20V, 3.7A, WL-CSP 1X1
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4885+100.12 грн
Мінімальне замовлення: 4885
FDZ375PON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V P-Channel 1.5V Specfied PowerTrench
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDZ391PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDZ391PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP
товар відсутній
FDZ391PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDZ391PON Semiconductor / FairchildMOSFET -20V P-Ch 1.5 V PowerTrench
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDZ3N513ZTFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A 4WLCSP
на замовлення 25469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDZ3N513ZTON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Integrated NMOS and Shottky Diode
на замовлення 2732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDZ4002LON SemiconductorDescription: IC POWER MANAGEMENT
товар відсутній
FDZ4010Fairchild SemiconductorDescription: BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 1.5Ohm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2V ~ 5V
Current - Output (Max): 10mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.16x0.76)
на замовлення 79800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
951+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 951
FDZ451PZON Semiconductor / FairchildMOSFET -20V P-Ch 1.5 V PowerTrench MOSFET
на замовлення 4365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDZ451PZFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
на замовлення 9571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 5323
FDZ451PZ-PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6WLCSP
товар відсутній
FDZ4670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4
товар відсутній
FDZ4670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4
товар відсутній
FDZ4670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4
товар відсутній
FDZ4670SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA
товар відсутній
FDZ4670SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA
товар відсутній
FDZ493PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.55x1.55)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 10 V
на замовлення 47700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 1025
FDZ5013MACOMSignal Conditioning Input 3-12GHz Output 6-24GHz
товар відсутній
FDZ5013MACOM Technology SolutionsDescription: MIXER,DOUBLER,FREQUENCY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Function: Frequency Doubler
Frequency: 6GHz ~ 24GHz
RF Type: General Purpose
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+154070.22 грн
FDZ5013CMACOMSignal Conditioning Input 3-12GHz SMA Output 6-24GHz
товар відсутній
FDZ5013CMACOM Technology SolutionsDescription: MICROWAVE,FREQUENCY DOUBLER
Packaging: Tray
Package / Case: Module, SMA Connectors
Function: Frequency Doubler
Frequency: 6GHz ~ 24GHz
RF Type: General Purpose
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+173430.68 грн
FDZ5013C-1MACOM Technology SolutionsDescription: DOUBLER,FREQUENCY
Packaging: Bulk
Package / Case: Module, SMA Connectors
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Frequency Doubler
Frequency: 3GHz ~ 12GHz
RF Type: General Purpose
Supplier Device Package: Module
товар відсутній
FDZ5013C-1MACOMRF Wireless Misc Doubler,Frequency
товар відсутній
FDZ5047NFAIRCHILDBGA 03--06+
на замовлення 22432 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDZ5047NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 22A BGA
товар відсутній
FDZ595PZRochester Electronics, LLCDescription: FDZ595PZ
на замовлення 225145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDZ595PZON Semiconductor / FairchildMOSFET
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDZ661PZonsemi / FairchildMOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET
на замовлення 9985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDZ661PZFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 952
FDZ661PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
на замовлення 6632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.24 грн
10+ 44.23 грн
100+ 30.64 грн
500+ 24.02 грн
1000+ 20.44 грн
2000+ 18.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDZ661PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
FDZ661PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
товар відсутній
FDZ663Ponsemi / FairchildMOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET
товар відсутній
FDZ663PFairchild SemiconductorDescription: FDZ663P - FDZ663P - MOSFET P-CHA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 10 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 1025
FDZ7064ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 30-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 30-BGA (4x3.5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 34720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 325
FDZ7064AS
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDZ7064NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 30-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 30-BGA (4x3.5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3843 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+90.26 грн
Мінімальне замовлення: 217
FDZ7064SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 30-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 30-BGA (3.5x4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+92.21 грн
Мінімальне замовлення: 212
FDZ7296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 18BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-BGA (2.5x4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
на замовлення 4832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+47.19 грн
Мінімальне замовлення: 417
FDZ8040LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH 4WLCSP
товар відсутній
FDZ8040LON Semiconductor / FairchildPower Switch ICs - Power Distribution 4V 1.2A Integrated Load Switch
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDZ8040LON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1.2A 0.348Ohm 4-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
FDZ8040LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH 4WLCSP
товар відсутній
FDZ8040LFairchild SemiconductorDescription: INTEGRATED LOAD SWITCH
товар відсутній
FDZT27R5.6ROHM SemiconductorZener Diodes 100mW 5.31-5.92V Vz 2.5V Vr RASMID
товар відсутній
FDZT40RB5.1Rohm SemiconductorDescription: DIODE ZENER 5.1V 100MW SMD0402
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Supplier Device Package: SMD0402
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1.5 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.01 грн
19+ 14.83 грн
100+ 7.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDZT40RB5.1Rohm SemiconductorDescription: DIODE ZENER 5.1V 100MW SMD0402
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Supplier Device Package: SMD0402
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1.5 V
товар відсутній
FDZT40RB5.6Rohm SemiconductorDescription: DIODE ZENER 5.6V 100MW SMD0402
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Supplier Device Package: SMD0402
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2.5 V
товар відсутній
FDZT40RB6.2Rohm SemiconductorDescription: DIODE ZENER 6.2V 100MW SMD0402
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Supplier Device Package: SMD0402
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V
товар відсутній
FDZT40RB6.2Rohm SemiconductorDescription: DIODE ZENER 6.2V 100MW SMD0402
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Supplier Device Package: SMD0402
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V
товар відсутній
FDZT40RB6.8Rohm SemiconductorDescription: DIODE ZENER 6.8V 100MW SMD0402
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Supplier Device Package: SMD0402
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 3.5 V
товар відсутній
FDZT40RB6.8Rohm SemiconductorDescription: DIODE ZENER 6.8V 100MW SMD0402
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Supplier Device Package: SMD0402
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 3.5 V
товар відсутній
FDZT40RB7.5Rohm SemiconductorDescription: DIODE ZENER 7.5V 100MW SMD0402
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Supplier Device Package: SMD0402
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 4 V
товар відсутній
FDZT40RB8.2Rohm SemiconductorDescription: DIODE ZENER 100MW 8.2V SMD0402
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 39577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.01 грн
19+ 14.83 грн
100+ 7.48 грн
500+ 5.73 грн
1000+ 4.25 грн
2000+ 3.58 грн
5000+ 3.36 грн
10000+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 13