Продукція > HN4

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HN4064C
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4264VMingtek2005
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4264VGDIP 826
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN42C4256SJ-08PANASONICSOJ
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4459HoneywellDescription: ACTUATOR ASSEMBLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4460HoneywellDescription: ACTUATOR ASSEMBLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4460FHoneywellDescription: ACTUATOR ASSEMBLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4460GHoneywellDescription: ACTUATOR ASSEMBLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4460HHoneywellDescription: ACTUATOR ASSEMBLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4464SHONEST2003
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4464SGMINGTEK09+
на замовлення 9954 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4530HoneywellDescription: PNEU DIR-ACTING DAMPER ACTUATOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN462532GHIT90+ DIP
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN462532G
Код товару: 142561
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN462716GHITACHIDIP
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN462732G
Код товару: 104834
Додати до обраних Обраний товар
HitachiМікросхеми > Пам'ять
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN462732GHITACHIDIP
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN46273GHIT92+ DIP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4821SGSMD 816
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4827128G-25/30HITACHIDIP
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN482732AG-20HITACHIDIP
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN482732AG-25HITACHIPLCC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN482732AG-30HITACHIDIP
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN482764G-3HITDIP
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN482764G-4HITDIP
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN482764P-385
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A06JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A06JTOSHIBASOT25/SOT353
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A06J(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP 120V 100MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A06J(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 300mW 5-Pin SMV T/R
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
870+16.30 грн
876+16.19 грн
902+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 870 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A06J(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
на замовлення 16004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.10 грн
14+23.10 грн
100+12.91 грн
500+9.73 грн
1000+8.70 грн
3000+7.32 грн
6000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A06J(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP 120V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A06J(TE85LF)ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A51J(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN4A51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 300mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.87 грн
500+11.14 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A51J(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN4A51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 300mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.19 грн
33+24.81 грн
100+15.87 грн
500+11.14 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A51JTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP DUAL 120V 100MA SMV
Supplier Device Package: SMV
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
12+24.98 грн
100+15.91 грн
500+11.26 грн
1000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A51JTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP DUAL 120V 100MA SMV
Supplier Device Package: SMV
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A51JTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
на замовлення 10921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.53 грн
14+23.42 грн
100+13.46 грн
500+10.29 грн
1000+9.25 грн
3000+7.18 грн
9000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A56JU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A56JU(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT USV PLN TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.97 грн
19+16.83 грн
100+9.25 грн
500+5.80 грн
1000+5.11 грн
3000+4.49 грн
6000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A56JU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A71FKTOS08+
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B01JE(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Vceo=-50V Vceo=50V
на замовлення 3839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.24 грн
22+14.69 грн
100+8.01 грн
500+5.94 грн
1000+5.32 грн
2000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B01JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.30 грн
22+13.84 грн
100+8.63 грн
500+6.00 грн
1000+5.32 грн
2000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B01JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Supplier Device Package: ESV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B04J(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMV
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B04J(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B101JToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B101J05+
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B101J(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 30V 1.2A/1A 550mW 5-Pin SMV T/R
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+13.70 грн
1053+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 1035 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B101J(TE85L,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B102J(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 750mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1.8A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B102J(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 1.1W
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.48 грн
500+19.37 грн
1000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B102J(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 30V 2A/1.8A 1100mW 5-Pin SMV T/R
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+64.15 грн
453+31.31 грн
496+28.59 грн
498+27.46 грн
613+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B102J(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR SMV V=30V F=1MHZ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B102J(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 1.1W
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.08 грн
18+45.10 грн
100+29.48 грн
500+19.37 грн
1000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B102J(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 750mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1.8A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+41.88 грн
100+27.28 грн
500+19.72 грн
1000+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B102J(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 30V 2A/1.8A 1100mW 5-Pin SMV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C06J0412+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C06JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C06J-BL(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 120V 100MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C06J-BL(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
на замовлення 4449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.06 грн
1000+29.77 грн
3000+8.01 грн
9000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C06J-BL(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 120V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C06J-BL(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
на замовлення 3542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C06J-BL(TE85L,F)
Код товару: 162574
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C06J-BL(TE85LFToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C06J-GRTOSHIBA05+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C06J-GR(TE85L,FToshibaTrans GP BJT NPN 120V 0.1A 300mW 5-Pin SMV T/R
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
685+20.70 грн
689+20.60 грн
848+16.73 грн
1000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 685 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C51JToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C51J(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Base
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.30 грн
6000+8.16 грн
9000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C51J(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN4C51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 100 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.87 грн
500+11.14 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C51J(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Base
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 11859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
13+24.46 грн
100+15.59 грн
500+11.04 грн
1000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C51J(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN4C51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 100 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.19 грн
33+24.81 грн
100+15.87 грн
500+11.14 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C51J(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
на замовлення 8342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.19 грн
13+24.45 грн
100+13.60 грн
500+10.29 грн
1000+9.18 грн
3000+7.52 грн
6000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4D01JUTOSHIBA09+
на замовлення 177018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4D02JUTOSHIBASOT23-5
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4D02JU(TE85L,F)ToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching
на замовлення 6238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.56 грн
15+21.59 грн
100+10.63 грн
500+7.04 грн
1000+5.38 грн
3000+4.90 грн
9000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4D02JU/A2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM604810Hammond ManufacturingFloor Mounted Panel Enclosures N4 3-pt Dbl Door Floormount Encl w/panel - 60 x 48 x 10 - Steel/Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM604810Hammond ManufacturingDescription: N4 3-PT DBL DOOR FLOORMOUNT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM604812S16Hammond ManufacturingDescription: N4X 3-PT DBL DOOR FLOORMOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM604812S16Hammond ManufacturingFloor Mounted Panel Enclosures N4X 3-pt Dbl Door Floormount Encl w/panel - 60 x 48 x 12 - 316 SS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM604812SSHammond ManufacturingFloor Mounted Panel Enclosures N4X 3-pt Dbl Door Floormount Encl w/panel - 60 x 48 x 12 - 304 SS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM604812SSHammond ManufacturingDescription: N4X 3-PT DBL DOOR FLOORMOUNT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM604818Hammond ManufacturingElectrical Enclosures N4 3-pt Dbl Door Floormount Encl w/panel - 60 x 48 x 18 - Steel/Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM604818S16Hammond ManufacturingDescription: N4X 3-PT DBL DOOR FLOORMOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM604818S16Hammond ManufacturingFloor Mounted Panel Enclosures N4X 3-pt Dbl Door Floormount Encl w/panel - 60 x 48 x 18 - 316 SS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM604818SSHammond ManufacturingDescription: N4X 3-PT DBL DOOR FLOORMOUNT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM604818SSHammond ManufacturingFloor Mounted Panel Enclosures N4X 3-pt Dbl Door Floormount Encl w/panel - 60 x 48 x 18 - 304 SS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM606012HammondGray Mild Steel Floor Mount Two Door Floormount Enclosure
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM606012Hammond ManufacturingDescription: N4 3-PT DBL DOOR FLOORMOUNT
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM606012Hammond ManufacturingElectrical Enclosures N4 3-pt Dbl Door Floormount Encl w/panel - 60 x 60 x 12 - Steel/Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM606012S16HammondNatural Stainless Steel 316 Floor Mount Two Door Floormount Enclosure
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM606012S16Hammond ManufacturingDescription: N4X 3-PT DBL DOOR FLOORMOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM606012SSHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X 3-pt Dbl Door Floormount Encl w/panel - 60 x 60 x 12 - 304 SS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM606012SSHammondNatural Stainless Steel 304 Floor Mount Two Door Floormount Enclosure
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM606012SSHammond ManufacturingDescription: N4X 3-PT DBL DOOR FLOORMOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM606018Hammond ManufacturingFloor Mounted Panel Enclosures HN4FM 3PT - WELD ASSEMBLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM606018S16Hammond ManufacturingFloor Mounted Panel Enclosures N4S16 FLOORMT 60X60X18 W/HNDL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4FM606018SSHammond ManufacturingFloor Mounted Panel Enclosures N4SS FLOORMT 60X60X18 W/HNDL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]