Продукція > IKZ

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 273000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65EH5XKSA1

Description: INFINEON - IKZ50N65EH5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.65 V, 273 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	555.31 грн
5+	449.50 грн
10+	342.84 грн
50+	308.13 грн
100+	275.00 грн
250+	243.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65EH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns
Switching Energy: 410µJ (on), 190µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W

на замовлення 102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	405.69 грн
30+	224.52 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65EH5XKSA1

IGBTs IGBT PRODUCTS

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	494.77 грн
25+	282.03 грн
100+	230.91 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65ES5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/294ns
Switching Energy: 770µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65ES5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65ES5XKSA1

IGBTs INDUSTRY 14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65ES5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/294ns
Switching Energy: 770µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

110+	197.36 грн

Мінімальне замовлення: 110

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65ES5XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65ES5XKSA1

Description: INFINEON - IKZ50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 274
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65NH5

на замовлення 44 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65NH5XKSA

Description: IKZ50N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/252ns
Switching Energy: 350µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65NH5XKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKZ50N65NH5XKSA1 - IKZ50N65 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65NH5XKSA1

Description: IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/252ns
Switching Energy: 350µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65NH5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65NH5XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65NH5XKSA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EH5

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EH5

Infineon INDUSTRY 14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EH5XKSA1

Description: INFINEON - IKZ75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	592.56 грн
5+	545.15 грн
10+	496.90 грн
50+	403.24 грн
100+	314.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EH5XKSA1

IGBTs IGBT PRODUCTS

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	657.64 грн
10+	392.24 грн
100+	275.43 грн
480+	237.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EH5XKSA1

Description: IGBT 650V 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns
Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EL5

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EL5XKSA1

Description: IGBT 650V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/275ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EL5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 268W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 436nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 325ns

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EL5XKSA1

Description: INFINEON - IKZ75N65EL5XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 536
Anzahl der Pins: 4
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EL5XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EL5XKSA1

IGBTs IGBT PRODUCTS

на замовлення 1153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	566.08 грн
10+	393.11 грн
100+	285.24 грн
480+	270.90 грн
2640+	226.38 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EL5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65ES5

IGBTs INDUSTRY 14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65ES5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 164nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 427ns

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	707.32 грн
19+	651.27 грн
50+	505.52 грн
100+	486.49 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65ES5XKSA1

Description: INFINEON - IKZ75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	701.76 грн
5+	620.49 грн
10+	539.23 грн
50+	425.25 грн
100+	330.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65ES5XKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65ES5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/405ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 22.3Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65ES5XKSA1

IGBTs INDUSTRY 14

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	657.64 грн
10+	393.11 грн
100+	276.19 грн
480+	237.70 грн
1200+	209.78 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65NH5

Description: IKZ75N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/412ns
Switching Energy: 880µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65NH5

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65NH5XKSA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65NH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/412ns
Switching Energy: 880µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65NH5XKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKZ75N65NH5XKSA1 - IKZ75N65 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

70+	340.30 грн

Мінімальне замовлення: 70

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65NH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA100N65EH7XKSA1

IGBTs 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package

на замовлення 196 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	748.32 грн
10+	687.29 грн
25+	397.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA100N65EH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns
Switching Energy: 1.24mJ (on), 1.22mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 429 W

на замовлення 204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	699.55 грн
30+	402.19 грн
120+	401.05 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA100N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKZA100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 429 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	769.48 грн
5+	661.97 грн
10+	553.62 грн
50+	494.42 грн
100+	438.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA100N65EH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 140A 429W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N120CH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 95A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/360ns
Switching Energy: 970µJ (on), 1.01mJ (off)
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 330 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N120CH7XKSA1

Description: INFINEON - IKZA40N120CH7XKSA1 - IGBT, 95 A, 1.7 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 95A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	582.40 грн
5+	573.09 грн
10+	562.93 грн
50+	371.01 грн
100+	289.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N120CH7XKSA1

SP005578267

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N120CH7XKSA1

IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	544.95 грн
10+	397.45 грн
100+	279.20 грн
480+	248.26 грн
1200+	212.04 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N120CS7XKSA1

IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package

на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	565.20 грн
10+	393.11 грн
100+	285.24 грн
480+	253.55 грн
1200+	226.38 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N120CS7XKSA1

Description: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N120CS7XKSA1

Description: INFINEON - IKZA40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	657.74 грн
5+	533.30 грн
10+	408.87 грн
50+	372.59 грн
100+	337.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N120CS7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N65EH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 49.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/134ns
Switching Energy: 370µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 210 W

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	496.30 грн
30+	272.89 грн
120+	227.87 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKZA40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 210 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	512.14 грн
10+	353.84 грн
100+	351.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N65EH7XKSA1

INDUSTRY 14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N65EH7XKSA1

IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package

на замовлення 347 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	391.77 грн
10+	282.90 грн
100+	199.22 грн
480+	177.33 грн
1200+	150.92 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N65RH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/165ns
Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	249.98 грн

Мінімальне замовлення: 91

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N65RH5XKSA1

IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N65RH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/165ns
Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 250 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N65RH5XKSA1

Description: INFINEON - IKZA40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	376.70 грн
10+	329.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N65RH5XKSA1

SP004038198

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N120CH7XKSA1

IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package

на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	731.59 грн
10+	681.22 грн
25+	381.08 грн
100+	365.23 грн
240+	364.47 грн
480+	320.71 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N120CH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 398W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N120CH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/333ns
Switching Energy: 950µJ (on), 1.42mJ (off)
Gate Charge: 372 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 398 W

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	755.06 грн
30+	428.87 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65EH7XKSA1

INDUSTRY 14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKZA50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 250 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	547.69 грн
10+	391.09 грн
100+	380.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65EH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns
Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 103 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 201 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	519.15 грн
30+	287.85 грн
120+	241.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65EH7XKSA1

IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package

на замовлення 197 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	430.50 грн
10+	321.08 грн
100+	225.63 грн
480+	200.72 грн
1200+	171.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65RH5XKSA1

Description: INFINEON - IKZA50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650 V, 80 A, 305W, To-247, 1.65 Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	641.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65RH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 200µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W

на замовлення 457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	591.80 грн
30+	331.97 грн
120+	279.62 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65RH5XKSA1

IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

на замовлення 299 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	538.79 грн
10+	529.36 грн
25+	292.03 грн
100+	262.60 грн
240+	261.85 грн
480+	241.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65RH5XKSA1

SP004038204

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65SS5XKSA1

Hybrid Cool SiC IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65SS5XKSA1

Description: INFINEON - IKZA50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 274W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 274W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	352.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65SS5XKSA1

Trans IGBT Chip Hybrid CoolSiC TM IGBT 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	993.63 грн
10+	915.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65SS5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/140ns
Switching Energy: 230µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	837.50 грн
30+	484.96 грн
120+	414.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65SS5XKSA1

IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

на замовлення 869 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	694.61 грн
10+	518.94 грн
100+	399.19 грн
480+	383.34 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N120CH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 109A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/359ns
Switching Energy: 2.01mJ (on), 1.76mJ (off)
Gate Charge: 550 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 109 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	905.25 грн
30+	522.35 грн
120+	445.75 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N120CH7XKSA1

IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	721.91 грн
10+	492.91 грн
100+	301.84 грн
480+	283.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N120CH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 109A 549W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65EH7XKSA1

IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	603.05 грн
10+	588.37 грн
25+	329.76 грн
100+	289.01 грн
240+	288.26 грн
480+	268.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKZA75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 338 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	659.43 грн
5+	564.62 грн
10+	468.97 грн
50+	434.68 грн
100+	400.52 грн
250+	288.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65EH7XKSA1

INDUSTRY 14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65EH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 56 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/199ns
Switching Energy: 750µJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 338 W

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	510.99 грн
30+	283.79 грн
120+	237.92 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65RH5XKSA1

SP004038216

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65RH5XKSA1

IGBT Discrete Chip

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	524.89 грн
100+	503.48 грн
500+	482.08 грн
1000+	439.31 грн

Мінімальне замовлення: 59

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65RH5XKSA1

IGBT Discrete Chip

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	374.17 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65RH5XKSA1

IGBT Discrete Chip

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	443.09 грн
10+	431.38 грн
25+	400.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65RH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	768.93 грн
30+	438.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65RH5XKSA1

IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	573.12 грн
10+	418.28 грн
100+	339.57 грн
480+	319.20 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65RH5XKSA1

IGBT Discrete Chip

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	524.89 грн
100+	503.48 грн
500+	482.08 грн

Мінімальне замовлення: 59

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65RH5XKSA1

Description: INFINEON - IKZA75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 H5 Coolsic Gen Vi, 395W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	495.21 грн
5+	494.36 грн
10+	493.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65RH5XKSA1

IGBT Discrete Chip

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65SS5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 240µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

на замовлення 201 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1054.63 грн
30+	618.54 грн
120+	531.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65SS5XKSA1

IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

на замовлення 376 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	978.09 грн
10+	932.88 грн
25+	533.51 грн
50+	532.75 грн
100+	504.08 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65SS5XKSA1

Description: INFINEON - IKZA75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 395W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	690.75 грн
5+	645.04 грн
10+	599.33 грн
50+	513.29 грн
100+	434.62 грн
250+	395.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65SS5XKSA1