Продукція > IKZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IKZ50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 273000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ50N65EH5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.65 V, 273 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+563.07 грн
5+455.78 грн
10+347.62 грн
50+312.43 грн
100+278.84 грн
250+246.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.68 грн
25+285.97 грн
100+234.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns
Switching Energy: 410µJ (on), 190µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.98 грн
30+228.13 грн
120+189.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 274
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+371.35 грн
10+232.30 грн
100+167.57 грн
480+136.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/294ns
Switching Energy: 770µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/294ns
Switching Energy: 770µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+192.63 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5Infineon technologies
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSAInfineon TechnologiesDescription: IKZ50N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/252ns
Switching Energy: 350µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/252ns
Switching Energy: 350µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IKZ50N65NH5XKSA1 - IKZ50N65 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5Infineon technologies
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+632.90 грн
10+357.25 грн
100+260.15 грн
480+191.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+600.83 грн
5+552.77 грн
10+503.84 грн
50+408.87 грн
100+318.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns
Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5Infineon technologies
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 268W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 436nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 325ns
Turn-on time: 143ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/275ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+573.98 грн
10+349.33 грн
100+233.37 грн
480+220.36 грн
1200+218.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 268W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 436nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 325ns
Turn-on time: 143ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ75N65EL5XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 536
Anzahl der Pins: 4
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 197W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 427ns
Turn-on time: 71ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+711.56 грн
5+629.16 грн
10+546.76 грн
50+431.19 грн
100+335.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 197W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 427ns
Turn-on time: 71ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+700.52 грн
19+645.01 грн
50+500.66 грн
100+481.81 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+637.36 грн
10+381.00 грн
100+267.80 грн
480+230.31 грн
1200+203.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/405ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 22.3Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65NH5Infineon technologies
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65NH5Infineon TechnologiesDescription: IKZ75N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/412ns
Switching Energy: 880µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/412ns
Switching Energy: 880µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65NH5XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IKZ75N65NH5XKSA1 - IKZ75N65 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+345.05 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns
Switching Energy: 1.24mJ (on), 1.22mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 429 W
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+709.32 грн
30+407.81 грн
120+406.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA100N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 429 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+780.22 грн
5+671.22 грн
10+561.35 грн
50+501.33 грн
100+445.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 140A 429W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+758.77 грн
10+696.89 грн
25+403.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 95A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/360ns
Switching Energy: 970µJ (on), 1.01mJ (off)
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 330 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA40N120CH7XKSA1 - IGBT, 95 A, 1.7 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 95A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+593.97 грн
5+592.25 грн
10+589.68 грн
50+360.25 грн
100+290.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesSP005578267
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+498.11 грн
10+312.37 грн
100+228.01 грн
480+202.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+573.09 грн
10+398.60 грн
100+289.22 грн
480+257.09 грн
1200+229.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/176ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 1.78mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 208 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+666.92 грн
5+540.75 грн
10+414.58 грн
50+377.79 грн
100+342.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 49.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/134ns
Switching Energy: 370µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 210 W
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.23 грн
30+276.70 грн
120+231.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 210 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+519.29 грн
10+358.78 грн
100+356.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.64 грн
10+237.58 грн
100+171.39 грн
480+144.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/165ns
Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+381.96 грн
10+333.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038198
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/165ns
Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+253.47 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/333ns
Switching Energy: 950µJ (on), 1.42mJ (off)
Gate Charge: 372 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 398 W
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+765.60 грн
30+434.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 398W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+741.81 грн
10+690.73 грн
25+386.40 грн
100+370.33 грн
240+369.56 грн
480+325.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+245.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+263.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+420.45 грн
10+262.21 грн
100+190.52 грн
480+164.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 250 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+466.93 грн
10+352.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns
Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 103 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.91 грн
30+233.95 грн
120+194.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038204
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+585.59 грн
10+575.46 грн
25+279.28 грн
100+266.27 грн
240+265.50 грн
480+244.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650 V, 80 A, 305W, To-247, 1.65 Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+650.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 200µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+577.72 грн
30+324.02 грн
120+272.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip Hybrid CoolSiC TM IGBT 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+984.08 грн
10+906.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/140ns
Switching Energy: 230µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+861.61 грн
30+499.18 грн
120+426.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesHybrid Cool SiC IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+644.51 грн
10+472.51 грн
100+389.46 грн
480+388.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65SS5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 274W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 274W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 109A 549W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+731.99 грн
10+499.79 грн
100+306.06 грн
480+287.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 109A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/359ns
Switching Energy: 2.01mJ (on), 1.76mJ (off)
Gate Charge: 550 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 109 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+917.90 грн
30+529.65 грн
120+451.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 56 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/199ns
Switching Energy: 750µJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 338 W
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.13 грн
30+287.75 грн
120+241.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 338 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+668.64 грн
5+572.51 грн
10+475.52 грн
50+440.75 грн
100+406.11 грн
250+292.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+511.50 грн
10+318.53 грн
100+232.60 грн
480+208.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+519.84 грн
100+498.64 грн
500+477.45 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 H5 Coolsic Gen Vi, 395W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+529.59 грн
5+460.92 грн
10+392.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038216
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+519.84 грн
100+498.64 грн
500+477.45 грн
1000+435.09 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+581.13 грн
10+372.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+370.57 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+438.83 грн
10+427.24 грн
25+397.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+779.67 грн
30+444.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1075.66 грн
10+645.86 грн
100+488.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 240µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1069.36 грн
30+627.18 грн
120+538.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65SS5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 395W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+700.40 грн
5+654.05 грн
10+607.70 грн
50+520.46 грн
100+440.69 грн
250+400.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038220
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N75EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: INDUSTRY 14
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N75EH7XKSA1Infineon Technologies High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.