Продукція > IKZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IKZ50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 273000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ50N65EH5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.65 V, 273 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+589.03 грн
5+476.79 грн
10+363.66 грн
50+326.84 грн
100+291.69 грн
250+257.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+479.06 грн
10+268.78 грн
100+194.50 грн
480+166.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns
Switching Energy: 410µJ (on), 190µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.12 грн
30+239.16 грн
120+198.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/294ns
Switching Energy: 770µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/294ns
Switching Energy: 770µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+193.13 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 274
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.90 грн
10+285.35 грн
100+200.91 грн
480+143.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5Infineon technologies
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSAInfineon TechnologiesDescription: IKZ50N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/252ns
Switching Energy: 350µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IKZ50N65NH5XKSA1 - IKZ50N65 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/252ns
Switching Energy: 350µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5Infineon technologies
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+628.54 грн
5+578.26 грн
10+527.08 грн
50+427.73 грн
100+333.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns
Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.92 грн
30+278.07 грн
120+232.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+662.09 грн
10+373.72 грн
100+272.15 грн
480+200.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5Infineon technologies
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/275ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+600.45 грн
10+348.87 грн
100+229.72 грн
480+228.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 268W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 436nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 325ns
Turn-on time: 143ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ75N65EL5XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 536
Anzahl der Pins: 4
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 197W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 427ns
Turn-on time: 71ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+712.95 грн
5+572.87 грн
10+431.90 грн
50+362.69 грн
100+299.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+732.83 грн
19+674.75 грн
50+523.75 грн
100+504.03 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+562.17 грн
10+373.72 грн
100+272.15 грн
480+200.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/405ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 22.3Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65NH5Infineon TechnologiesDescription: IKZ75N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/412ns
Switching Energy: 880µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65NH5Infineon technologies
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/412ns
Switching Energy: 880µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65NH5XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IKZ75N65NH5XKSA1 - IKZ75N65 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+360.96 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns
Switching Energy: 1.24mJ (on), 1.22mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 429 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.57 грн
30+376.79 грн
120+318.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA100N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 429 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+816.21 грн
5+702.17 грн
10+587.24 грн
50+524.45 грн
100+465.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 140A 429W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+726.52 грн
10+521.00 грн
100+377.00 грн
480+336.98 грн
1200+299.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 95A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/360ns
Switching Energy: 970µJ (on), 1.01mJ (off)
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.44 грн
30+291.60 грн
120+244.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA40N120CH7XKSA1 - IGBT, 95 A, 1.7 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 95A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+559.40 грн
5+457.94 грн
10+356.47 грн
50+304.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesSP005578267
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+521.08 грн
10+326.77 грн
100+238.53 грн
480+212.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/176ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 1.78mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 208 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+697.68 грн
5+565.69 грн
10+433.69 грн
50+395.21 грн
100+357.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.24 грн
10+342.42 грн
100+263.34 грн
480+234.53 грн
2640+229.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 49.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/134ns
Switching Energy: 370µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 210 W
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.08 грн
30+220.73 грн
120+183.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 210 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+543.24 грн
10+375.33 грн
100+372.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+377.27 грн
10+248.53 грн
100+179.30 грн
480+151.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/165ns
Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.53 грн
30+272.09 грн
120+227.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+399.57 грн
10+349.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038198
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/333ns
Switching Energy: 950µJ (on), 1.42mJ (off)
Gate Charge: 372 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 398 W
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+800.91 грн
30+454.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 398W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+776.02 грн
10+722.59 грн
25+404.22 грн
100+387.41 грн
240+386.61 грн
480+340.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+257.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns
Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 103 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.51 грн
30+245.24 грн
120+204.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+439.84 грн
10+274.31 грн
100+199.31 грн
480+172.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 250 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+488.47 грн
10+369.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650 V, 80 A, 305W, To-247, 1.65 Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+680.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 200µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+561.07 грн
30+312.33 грн
120+262.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038204
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+560.30 грн
10+342.42 грн
100+254.54 грн
480+231.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/140ns
Switching Energy: 230µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+876.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesHybrid Cool SiC IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+889.01 грн
10+536.65 грн
100+430.63 грн
480+389.01 грн
1200+361.79 грн
2640+360.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65SS5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 274W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 274W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+653.68 грн
5+570.18 грн
10+485.77 грн
50+415.22 грн
100+344.80 грн
250+337.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip Hybrid CoolSiC TM IGBT 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1029.46 грн
10+948.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+765.74 грн
10+522.84 грн
100+320.17 грн
480+300.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 109A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/359ns
Switching Energy: 2.01mJ (on), 1.76mJ (off)
Gate Charge: 550 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 109 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+689.22 грн
30+390.38 грн
120+330.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 109A 549W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 338 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+699.48 грн
5+598.91 грн
10+497.45 грн
50+461.08 грн
100+424.84 грн
250+306.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 56 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/199ns
Switching Energy: 750µJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 338 W
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+535.49 грн
30+297.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.07 грн
10+316.65 грн
100+243.33 грн
480+217.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+693.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038216
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+543.81 грн
100+521.64 грн
500+499.46 грн
1000+455.15 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+387.66 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+459.07 грн
10+446.94 грн
25+415.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+413.42 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
240+448.06 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+543.81 грн
100+521.64 грн
500+499.46 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 H5 Coolsic Gen Vi, 395W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+386.10 грн
5+378.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 240µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+949.84 грн
30+553.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65SS5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 395W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+732.70 грн
5+684.21 грн
10+635.72 грн
50+544.46 грн
100+461.02 грн
250+419.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038220
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1035.62 грн
10+619.49 грн
100+461.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N75EH7XKSA1Infineon Technologies High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+628.47 грн
10+421.59 грн
100+285.75 грн
480+232.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N75EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: INDUSTRY 14
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/183ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 341 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.80 грн
10+367.53 грн
240+244.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.