Продукція > IKZ

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 273000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65EH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns
Switching Energy: 410µJ (on), 190µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	432.30 грн
30+	235.66 грн
120+	196.04 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65EH5XKSA1

Description: INFINEON - IKZ50N65EH5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.65 V, 273 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	569.95 грн
5+	461.35 грн
10+	351.87 грн
50+	316.25 грн
100+	282.24 грн
250+	249.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65EH5XKSA1

IGBTs IGBT PRODUCTS

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	463.53 грн
10+	260.08 грн
100+	188.20 грн
480+	161.09 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65ES5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65ES5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/294ns
Switching Energy: 770µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	190.30 грн

Мінімальне замовлення: 114

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65ES5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/294ns
Switching Energy: 770µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65ES5XKSA1

Description: INFINEON - IKZ50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 274
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65ES5XKSA1

IGBTs INDUSTRY 14

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	375.89 грн
10+	235.14 грн
100+	169.61 грн
480+	138.63 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65NH5

на замовлення 44 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65NH5XKSA

Description: IKZ50N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/252ns
Switching Energy: 350µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65NH5XKSA1

Description: IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/252ns
Switching Energy: 350µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65NH5XKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKZ50N65NH5XKSA1 - IKZ50N65 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65NH5XKSA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ50N65NH5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EH5

Infineon INDUSTRY 14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EH5

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EH5XKSA1

Description: IGBT 650V 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns
Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EH5XKSA1

Description: INFINEON - IKZ75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	608.18 грн
5+	559.52 грн
10+	510.00 грн
50+	413.87 грн
100+	322.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EH5XKSA1

IGBTs IGBT PRODUCTS

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	640.64 грн
10+	361.61 грн
100+	263.33 грн
480+	193.62 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EL5

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EL5XKSA1

IGBTs IGBT PRODUCTS

на замовлення 1143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	581.00 грн
10+	342.02 грн
100+	222.28 грн
480+	221.51 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EL5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 268W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 436nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 325ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EL5XKSA1

Description: IGBT 650V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/275ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EL5XKSA1

Description: INFINEON - IKZ75N65EL5XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 536
Anzahl der Pins: 4
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65EL5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65ES5

IGBTs INDUSTRY 14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65ES5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 197W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 427ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65ES5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/405ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 22.3Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65ES5XKSA1

Description: INFINEON - IKZ75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	689.85 грн
5+	554.31 грн
10+	417.90 грн
50+	350.94 грн
100+	289.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	717.53 грн
19+	660.66 грн
50+	512.81 грн
100+	493.50 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65ES5XKSA1

IGBTs INDUSTRY 14

на замовлення 142 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	645.15 грн
10+	385.66 грн
100+	271.07 грн
480+	233.12 грн
1200+	206.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65NH5

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65NH5

Description: IKZ75N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/412ns
Switching Energy: 880µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65NH5XKSA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65NH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/412ns
Switching Energy: 880µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65NH5XKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKZ75N65NH5XKSA1 - IKZ75N65 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

70+	349.27 грн

Мінімальне замовлення: 70

В кошику од. на суму грн.

IKZ75N65NH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA100N65EH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns
Switching Energy: 1.24mJ (on), 1.22mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 429 W

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	645.94 грн
30+	364.58 грн
120+	308.08 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA100N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKZA100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 429 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	789.76 грн
5+	679.42 грн
10+	568.21 грн
50+	507.46 грн
100+	450.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA100N65EH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 140A 429W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA100N65EH7XKSA1

IGBTs 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	702.98 грн
10+	504.12 грн
100+	364.79 грн
480+	326.06 грн
1200+	289.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N120CH7XKSA1

Description: INFINEON - IKZA40N120CH7XKSA1 - IGBT, 95 A, 1.7 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 95A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	541.28 грн
5+	443.10 грн
10+	344.05 грн
50+	303.34 грн
100+	264.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N120CH7XKSA1

SP005578267

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N120CH7XKSA1

IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package

на замовлення 227 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	504.20 грн
10+	316.19 грн
100+	230.80 грн
480+	205.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N120CH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 95A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/360ns
Switching Energy: 970µJ (on), 1.01mJ (off)
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 330 W

на замовлення 177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	518.59 грн
30+	287.34 грн
120+	240.72 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N120CS7XKSA1

Description: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/176ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 1.78mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 208 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N120CS7XKSA1

Description: INFINEON - IKZA40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	675.08 грн
5+	547.36 грн
10+	419.64 грн
50+	382.41 грн
100+	346.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N120CS7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N120CS7XKSA1

IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package

на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	519.56 грн
10+	382.99 грн
100+	273.40 грн
480+	226.93 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKZA40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 210 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	525.64 грн
10+	363.17 грн
100+	360.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N65EH7XKSA1

INDUSTRY 14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N65EH7XKSA1

IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package

на замовлення 347 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	365.04 грн
10+	240.48 грн
100+	173.49 грн
480+	146.38 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N65EH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 49.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/134ns
Switching Energy: 370µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 210 W

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	402.14 грн
30+	218.55 грн
120+	181.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N65RH5XKSA1

IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N65RH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/165ns
Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	507.70 грн
30+	280.86 грн
120+	235.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N65RH5XKSA1

Description: INFINEON - IKZA40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	386.63 грн
10+	337.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKZA40N65RH5XKSA1

SP004038198

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N120CH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/333ns
Switching Energy: 950µJ (on), 1.42mJ (off)
Gate Charge: 372 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 398 W

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	774.96 грн
30+	440.17 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N120CH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 398W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N120CH7XKSA1

IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package

на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	750.87 грн
10+	699.17 грн
25+	391.12 грн
100+	374.86 грн
240+	374.08 грн
480+	329.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65EH7XKSA1

INDUSTRY 14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65EH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	269.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65EH7XKSA1

IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package

на замовлення 197 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	425.58 грн
10+	265.42 грн
100+	192.85 грн
480+	166.52 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKZA50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 250 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 77 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	472.64 грн
10+	357.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65EH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65EH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns
Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 103 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	442.36 грн
30+	241.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65EH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	251.94 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65RH5XKSA1

Description: INFINEON - IKZA50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650 V, 80 A, 305W, To-247, 1.65 Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	658.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65RH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 200µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W

на замовлення 457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	574.73 грн
30+	320.96 грн
120+	269.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65RH5XKSA1

SP004038204

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65RH5XKSA1

IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	487.93 грн
10+	317.08 грн
100+	243.97 грн
480+	234.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65SS5XKSA1

Hybrid Cool SiC IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65SS5XKSA1

IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

на замовлення 719 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	778.88 грн
10+	538.85 грн
100+	415.13 грн
480+	395.77 грн
1200+	364.01 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65SS5XKSA1

Description: INFINEON - IKZA50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 274W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 274W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	632.50 грн
5+	551.70 грн
10+	470.03 грн
50+	401.77 грн
100+	333.63 грн
250+	326.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65SS5XKSA1

Trans IGBT Chip Hybrid CoolSiC TM IGBT 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1007.96 грн
10+	928.65 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA50N65SS5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/140ns
Switching Energy: 230µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	847.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N120CH7XKSA1

IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	740.93 грн
10+	505.90 грн
100+	309.80 грн
480+	291.21 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N120CH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 109A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/359ns
Switching Energy: 2.01mJ (on), 1.76mJ (off)
Gate Charge: 550 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 109 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W

на замовлення 226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	666.88 грн
30+	377.73 грн
120+	319.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N120CH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 109A 549W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKZA75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 338 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	676.81 грн
5+	579.51 грн
10+	481.33 грн
50+	446.14 грн
100+	411.08 грн
250+	296.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65EH7XKSA1

INDUSTRY 14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65EH7XKSA1

IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	459.92 грн
10+	295.70 грн
100+	223.05 грн
480+	210.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65EH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 56 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/199ns
Switching Energy: 750µJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 338 W

на замовлення 106 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	527.81 грн
30+	292.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65RH5XKSA1

SP004038216

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65RH5XKSA1

IGBT Discrete Chip

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	532.46 грн
100+	510.75 грн
500+	489.03 грн
1000+	445.65 грн

Мінімальне замовлення: 59

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65RH5XKSA1

IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	549.37 грн
10+	381.21 грн
100+	311.35 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65RH5XKSA1

IGBT Discrete Chip

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	379.57 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65RH5XKSA1

IGBT Discrete Chip

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	449.48 грн
10+	437.61 грн
25+	406.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65RH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	710.45 грн
30+	404.27 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65RH5XKSA1

IGBT Discrete Chip

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	532.46 грн
100+	510.75 грн
500+	489.03 грн

Мінімальне замовлення: 59

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65RH5XKSA1

Description: INFINEON - IKZA75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 H5 Coolsic Gen Vi, 395W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	536.06 грн
5+	466.56 грн
10+	397.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65RH5XKSA1

IGBT Discrete Chip

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65SS5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 240µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

на замовлення 101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	974.35 грн
30+	569.44 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65SS5XKSA1

Description: INFINEON - IKZA75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 395W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	708.96 грн
5+	662.04 грн
10+	615.13 грн
50+	526.82 грн
100+	446.08 грн
250+	405.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65SS5XKSA1

SP004038220

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N65SS5XKSA1

IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

на замовлення 376 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1046.34 грн
10+	626.14 грн
100+	470.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N75EH7XKSA1

High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	608.11 грн
10+	407.93 грн
100+	276.49 грн
480+	224.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IKZA75N75EH7XKSA1