Продукція > PMX

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
PMX-068(98F)
на замовлення 11992 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMX-068(99A)
на замовлення 8430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMX-PR9000-LVORingModular Power Supplies High Voltage Modular power supply, EU type
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMX100UNEZNexperia USA Inc.Description: PMX100UNE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 10 V
на замовлення 21646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.55 грн
33+9.72 грн
100+4.77 грн
500+4.12 грн
1000+3.57 грн
2000+3.22 грн
5000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMX100UNEZNexperia USA Inc.Description: PMX100UNE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
PMX100UNEZNexperiaMOSFETs PMX100UNE/SOT8013/DFN0603-3
на замовлення 5410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+22.05 грн
24+14.78 грн
100+5.20 грн
1000+3.21 грн
2500+2.98 грн
10000+2.45 грн
15000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PMX100UNZNexperia USA Inc.Description: PMX100UN/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 144 pF @ 10 V
на замовлення 63709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.45 грн
17+19.37 грн
100+7.40 грн
500+6.48 грн
1000+5.57 грн
2000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMX100UNZNexperiaMOSFETs SOT8013 N-CH 20V 1.3A
на замовлення 11665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.03 грн
17+21.03 грн
100+6.96 грн
500+6.50 грн
1000+5.51 грн
10000+4.59 грн
15000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMX100UNZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMX100UNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: DFN0603
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMX100UNZNexperia USA Inc.Description: PMX100UN/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 144 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+5.07 грн
30000+4.67 грн
45000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
PMX100UNZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMX100UNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: DFN0603
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.50 грн
35+24.72 грн
100+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PMX1303EHPHLBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMX1503B5700STEI
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMX18-CS-02-01Advanced Energy / TEGAMRF Test Equipment Complete 9kHz to 18GHz Power Sensor Calibration System including Signal Generator, VNA, 2505A, 1830A, and accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
pmx2005hp
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMX3-256BEI SensorsEncoders QUADRATURE W/INDEX ROTARY OPT ENCODER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMX300UNEZNexperiaMOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 12083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+19.55 грн
31+11.61 грн
100+4.90 грн
500+4.59 грн
1000+3.67 грн
2500+3.14 грн
5000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PMX300UNEZNexperia USA Inc.Description: PMX300UNE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 15 V
на замовлення 11470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.55 грн
33+9.72 грн
100+4.78 грн
500+4.13 грн
1000+3.59 грн
2000+3.23 грн
5000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMX300UNEZNexperia USA Inc.Description: PMX300UNE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMX400UPEZNexperia USA Inc.Description: PMX400UPE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMX400UPEZNexperiaMOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMX400UPZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMX400UPZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.334 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.334ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.334ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.33 грн
500+9.48 грн
1000+7.72 грн
5000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMX400UPZNexperia USA Inc.Description: PMX400UP/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMX400UPZNexperiaMOSFETs SOT8013 P-CH 20V .9A
на замовлення 21768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.06 грн
14+25.69 грн
100+14.16 грн
500+9.72 грн
1000+7.50 грн
2500+7.27 грн
5000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMX400UPZNexperia USA Inc.Description: PMX400UP/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMX400UPZNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMX400UPZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMX400UPZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.334 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.334ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.54 грн
39+22.23 грн
100+11.33 грн
500+9.48 грн
1000+7.72 грн
5000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PMX700ENZNexperia USA Inc.Description: PMX700ENZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 30 V
на замовлення 7355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.28 грн
17+18.97 грн
100+9.93 грн
500+8.41 грн
1000+7.04 грн
2000+6.72 грн
5000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMX700ENZNexperia USA Inc.Description: PMX700ENZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMX700ENZNexperiaMOSFETs new products in DFN0603
на замовлення 19100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.31 грн
16+22.61 грн
100+9.33 грн
1000+6.58 грн
2500+6.43 грн
10000+5.66 грн
15000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMX800ENEZNexperiaMOSFET new products in DFN0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMX800ENEZNexperia USA Inc.Description: PMX800ENEZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMX800ENEZNexperia USA Inc.Description: PMX800ENEZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.76 грн
16+20.64 грн
100+13.06 грн
500+9.15 грн
1000+8.15 грн
2000+7.31 грн
5000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMX800UPEZNexperiaMOSFETs SOT8013 P CHAN 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMX800UPEZNexperia USA Inc.Description: PMX800UPE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB120EPE147NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FET
на замовлення 648598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB120EPEZNEXPERIATrans MOSFET P-CH 30V 2.4A 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB120EPEZNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 2.4A 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB120EPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 309 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB120EPEZNexperiaMOSFETs PMXB120EPE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 14321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.90 грн
16+22.26 грн
100+11.02 грн
1000+6.89 грн
5000+6.58 грн
10000+5.82 грн
25000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB120EPEZNEXPERIAPMXB120EPEZ SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB120EPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 309 pF @ 15 V
на замовлення 12575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.59 грн
15+22.08 грн
100+12.75 грн
500+9.87 грн
1000+8.05 грн
2000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB350UPE147Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL FET
на замовлення 78076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB350UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB350UPEZNexperiaMOSFETs PMXB350UPE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.42 грн
19+18.83 грн
100+8.26 грн
1000+6.58 грн
5000+5.82 грн
10000+5.13 грн
50000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB350UPEZNXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMXB350UPE - 20 V, P-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V
на замовлення 659217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3703+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 3703
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB350UPEZNEXPERIAPMXB350UPEZ SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB350UPEZNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB350UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V
на замовлення 4205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.49 грн
21+15.46 грн
100+7.65 грн
500+6.91 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB360ENEAZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 887mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 4.5nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB360ENEAZNEXPERIATrans MOSFET N-CH 80V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB360ENEAZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.31 грн
18+18.25 грн
100+10.50 грн
500+8.35 грн
1000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB360ENEAZNexperiaMOSFETs SOT1215 N-CH 80V 1.1A
на замовлення 37182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+29.19 грн
19+18.92 грн
100+10.10 грн
500+7.19 грн
1000+6.81 грн
2500+6.66 грн
5000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB360ENEAZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.98 грн
10000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB360ENEAZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 887mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 4.5nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4.4A
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB40UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 556 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB40UNEZNXPTrans MOSFET N-CH 12V 3.2A 3-Pin DFN-D EP PMXB40UNEZ TPMXB40u
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB40UNEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMXB40UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.034 ohm, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+36.05 грн
50+21.12 грн
250+10.82 грн
1000+7.61 грн
3000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB40UNEZNexperiaMOSFET PMXB40UNE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 21648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.35 грн
15+24.20 грн
100+13.70 грн
500+9.95 грн
1000+6.89 грн
5000+6.43 грн
10000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB40UNEZNEXPERIAPMXB40UNEZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB40UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 556 pF @ 10 V
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.62 грн
15+21.28 грн
100+13.25 грн
500+8.60 грн
1000+7.23 грн
2000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB40UNEZNEXPERIATrans MOSFET N-CH 12V 3.2A Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB43UNE,147Nexperia USA Inc.Description: 20V, N CHANNEL TRENCH MOSFET
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB43UNEZNexperiaMOSFETs PMXB43UNE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 9820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.21 грн
14+26.66 грн
100+10.41 грн
1000+7.27 грн
5000+6.73 грн
10000+6.04 грн
50000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB43UNEZNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB43UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 10 V
на замовлення 38527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.97 грн
18+18.09 грн
100+8.77 грн
500+8.17 грн
1000+6.90 грн
2000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB43UNEZNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB43UNEZNEXPERIAPMXB43UNEZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB43UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB43UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 10 V
на замовлення 33100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.51 грн
10000+5.06 грн
15000+5.03 грн
25000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56EN147NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+34.82 грн
29+24.05 грн
100+12.53 грн
250+11.49 грн
500+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.59 грн
13+24.71 грн
100+12.46 грн
500+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENZNEXPERIAPMXB56ENZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 9280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+15.34 грн
68+10.23 грн
101+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENZNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 9453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.96 грн
15+23.49 грн
100+10.18 грн
500+10.02 грн
1000+8.03 грн
5000+7.27 грн
10000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENZNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENENexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENENXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
на замовлення 3072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENE,147NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PMXB65ENE - SMALL S
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 1402
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENE147NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMXB65ENE147 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1233350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3731+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 3731
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENEZNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 12004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.87 грн
12+27.10 грн
100+13.64 грн
500+11.93 грн
1000+10.18 грн
2000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENEZNexperiaMOSFET PMXB65ENE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 8939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.40 грн
13+29.30 грн
100+14.16 грн
1000+8.88 грн
5000+8.19 грн
10000+7.65 грн
25000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENEZNEXPERIAPMXB65ENEZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65UPE147NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V
на замовлення 8951063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5495+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 5495
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V
на замовлення 63456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.80 грн
18+17.93 грн
100+7.18 грн
500+6.25 грн
1000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65UPEZNexperiaMOSFETs PMXB65UPE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 42186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.60 грн
20+18.30 грн
100+6.58 грн
1000+4.13 грн
5000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65UPEZNEXPERIAPMXB65UPEZ SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+4.56 грн
10000+4.22 грн
15000+4.00 грн
25000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65UPEZNEXPERIATrans MOSFET P-CH 12V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPE/M5147NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3328+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 3328
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPE147NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
на замовлення 4088434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4729+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 4729
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPE147NXPDescription: NXP - PMXB75UPE147 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4088434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6024+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 6024
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPEZNexperiaMOSFETs SOT1215 P-CH 20V 2.9A
на замовлення 11902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.51 грн
19+19.45 грн
100+8.19 грн
500+7.42 грн
1000+6.35 грн
2500+6.27 грн
5000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPEZNEXPERIAPMXB75UPEZ SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPEZNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPEZNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
на замовлення 11768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.97 грн
18+18.41 грн
100+8.46 грн
500+7.18 грн
1000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPEZNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+4.97 грн
10000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PMXS1C0239YZILOG
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXSIC0239Y
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXSIC0250YZILOGPLCC-68
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXSIC0379YZILOG09+ SOP28
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXSIC0475Y
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXSIC0477Y
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXSIC0540YPMX2 MQFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXSIC0576Y
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.