Продукція > PMX

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PMX-068(98F)
на замовлення 11992 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMX-068(99A)
на замовлення 8430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMX-PR9000-LVORingModular Power Supplies High Voltage Modular power supply, EU type
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMX100UNEZNexperiaMOSFETs SOT8013 N-CH 20V 1.4 A
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.78 грн
26+12.31 грн
100+6.49 грн
500+4.63 грн
1000+4.00 грн
2500+3.59 грн
5000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMX100UNEZNexperia USA Inc.Description: PMX100UNE/SOT8013/DFN0603-3
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMX100UNEZNexperia USA Inc.Description: PMX100UNE/SOT8013/DFN0603-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
33+9.12 грн
100+4.47 грн
500+3.87 грн
1000+3.35 грн
2000+3.02 грн
5000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMX100UNZNexperia USA Inc.Description: PMX100UN/SOT8013/DFN0603-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 144 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
14+22.21 грн
50+16.06 грн
100+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMX100UNZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMX100UNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: DFN0603
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.38 грн
35+23.20 грн
100+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMX100UNZNexperia USA Inc.Description: PMX100UN/SOT8013/DFN0603-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 144 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMX100UNZNexperiaMOSFETs SOT8013 N-CH 20V 1.3 A
на замовлення 35972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.76 грн
10+32.39 грн
100+17.81 грн
500+11.05 грн
1000+8.15 грн
2500+7.25 грн
5000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMX100UNZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMX100UNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: DFN0603
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMX1303EHPHLBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMX1503B5700STEI
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMX18-CS-02-01Advanced Energy / TEGAMRF Test Equipment Complete 9kHz to 18GHz Power Sensor Calibration System including Signal Generator, VNA, 2505A, 1830A, and accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
pmx2005hp
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMX3-256BEI SensorsEncoders QUADRATURE W/INDEX ROTARY OPT ENCODER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMX300UNEZNexperia USA Inc.Description: PMX300UNE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 15 V
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
28+11.07 грн
50+7.93 грн
100+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMX300UNEZNexperiaMOSFETs SOT8013 N-CH 30V .82 A
на замовлення 22445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.50 грн
26+12.38 грн
100+6.56 грн
500+4.69 грн
1000+4.07 грн
2500+3.59 грн
5000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMX300UNEZNexperia USA Inc.Description: PMX300UNE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMX400UPEZNexperiaMOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMX400UPEZNexperia USA Inc.Description: PMX400UPE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMX400UPZNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMX400UPZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMX400UPZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.334 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.334ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.16 грн
39+20.86 грн
100+10.63 грн
500+8.90 грн
1000+7.25 грн
5000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMX400UPZNexperia USA Inc.Description: PMX400UP/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMX400UPZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMX400UPZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.334 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.334ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.334ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.63 грн
500+8.90 грн
1000+7.25 грн
5000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMX400UPZNexperiaMOSFETs SOT8013 P-CH 20V .9A
на замовлення 11770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.58 грн
10+34.22 грн
100+18.85 грн
500+11.67 грн
1000+8.63 грн
2500+7.66 грн
5000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMX400UPZNexperia USA Inc.Description: PMX400UP/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMX700ENZNexperia USA Inc.Description: PMX700ENZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 30 V
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.49 грн
12+25.80 грн
100+16.30 грн
500+11.42 грн
1000+10.17 грн
2000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMX700ENZNexperiaMOSFETs new products in DFN0603
на замовлення 19100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.67 грн
16+20.40 грн
100+8.42 грн
1000+5.94 грн
2500+5.80 грн
10000+5.11 грн
15000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMX700ENZNexperia USA Inc.Description: PMX700ENZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMX800ENEZNexperia USA Inc.Description: PMX800ENEZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMX800ENEZNexperia USA Inc.Description: PMX800ENEZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
на замовлення 14412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
18+17.28 грн
100+10.90 грн
500+7.64 грн
1000+6.80 грн
2000+6.10 грн
5000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMX800ENEZNexperiaMOSFET new products in DFN0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMX800UPEZNexperiaMOSFETs SOT8013 P CHAN 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMX800UPEZNexperia USA Inc.Description: PMX800UPE/SOT8013/DFN0603-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0603-3 (SOT8013)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB120EPE147NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FET
на замовлення 648598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB120EPEZNexperiaMOSFETs PMXB120EPE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 14321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
16+20.09 грн
100+9.94 грн
1000+6.21 грн
5000+5.94 грн
10000+5.25 грн
25000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB120EPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 309 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB120EPEZNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 2.4A 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB120EPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 309 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB350UPE147Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL FET
на замовлення 78076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB350UPEZNXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMXB350UPE - 20 V, P-CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 659217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3703+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 3703 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB350UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
21+14.51 грн
100+7.18 грн
500+6.48 грн
1000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB350UPEZNexperiaMOSFETs PMXB350UPE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.35 грн
19+16.99 грн
100+7.46 грн
1000+5.94 грн
5000+5.25 грн
10000+4.63 грн
50000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB350UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB360ENEAZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
On-state resistance: 887mΩ
Drain current: 0.7A
Pulsed drain current: 4.4A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB360ENEAZNexperiaMOSFETs SOT1215 N-CH 80V 1.1A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB360ENEAZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB360ENEAZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB40UNEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMXB40UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.034 ohm, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB40UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 556 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB40UNEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMXB40UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.034 ohm, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.79 грн
50+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB40UNEZNexperiaMOSFET PMXB40UNE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 21648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.89 грн
15+21.83 грн
100+12.36 грн
500+8.97 грн
1000+6.21 грн
5000+5.80 грн
10000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB40UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 556 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB43UNE,147Nexperia USA Inc.Description: 20V, N CHANNEL TRENCH MOSFET
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB43UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB43UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB43UNEZNexperiaMOSFETs PMXB43UNE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 9820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.47 грн
14+24.05 грн
100+9.39 грн
1000+6.56 грн
5000+6.08 грн
10000+5.45 грн
50000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB43UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56EN147NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4014 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENZNexperiaMOSFETs SOT1215 N-CH 30V 3.2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.03 грн
29+26.27 грн
100+13.69 грн
250+12.55 грн
500+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 9280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+16.75 грн
68+11.17 грн
101+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB56ENZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENENXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
на замовлення 3072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENENexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENE,147Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PMXB65ENE - SMALL S
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
490+40.61 грн
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENE147NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMXB65ENE147 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1233350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3731+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 3731 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENEZNexperiaMOSFET PMXB65ENE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 8939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.75 грн
13+26.44 грн
100+12.77 грн
1000+8.01 грн
5000+7.39 грн
10000+6.90 грн
25000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 43730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
490+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65UPE147NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 8951063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5495+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 5495 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 63456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
18+16.83 грн
100+6.74 грн
500+5.87 грн
1000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65UPEZNexperiaMOSFETs PMXB65UPE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 42186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.00 грн
20+16.51 грн
100+5.94 грн
1000+3.73 грн
5000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65UPEZNXPMOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+4.28 грн
10000+3.96 грн
15000+3.76 грн
25000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPE/M5147NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3328+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 3328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPE147NXPDescription: NXP - PMXB75UPE147 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4088434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6024+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 6024 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPE147NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 4088434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4729+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 4729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPEZNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPEZNexperiaMOSFETs SOT1215 P-CH 20V 2.9A
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.37 грн
15+22.23 грн
50+13.88 грн
100+12.01 грн
1000+11.94 грн
5000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPEZNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXS1C0239YZILOG
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXSIC0239Y
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXSIC0250YZILOGPLCC-68
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXSIC0379YZILOG09+ SOP28
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXSIC0475Y
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXSIC0477Y
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXSIC0540YPMX2 MQFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMXSIC0576Y
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.