| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZX79-C36,143 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX79-C36,143 - ZENER ARRAY DIODEStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
BAT54GWX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAT54GWX - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 800mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BAT54GWX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAT54GWX - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 800mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
74HCT574PW,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 74HCT574PW,118 - Flipflop, Tri-State, nicht invertiert, positive Taktflanke, 74HCT574, D, 76 MHz, 35 mA, TSSOPtariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: 74574 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74HCT Bauform - Logikbaustein: TSSOP IC-Ausgang: Tri-State, nicht invertiert hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 35mA Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Frequenz: 76MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Flip-Flop-Typ: D Versorgungsspannung, min.: 4.5V Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT574 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausbreitungsverzögerung: - Triggertyp: Positive Taktflanke Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 1543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PESD15VS2UT,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD15VS2UT,215 - ESD-Schutzbaustein, TVS, 40 V, SOT-23, 3 Pin(s), 15 V, PESDxS2UT SeriestariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 40V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 15V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PESDxS2UT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BC816-16WF | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC816-16WF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| BC816-25R | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC816-25R - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 102880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
GAN080-650EBEZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 6.2nC Bauform - Transistor: DFN8080 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
GAN7R0-150LBEZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 7.6nC Bauform - Transistor: FCLGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
GAN190-650EBEZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN190-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 2.8nC Bauform - Transistor: DFN8080 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
GAN7R0-150LBEZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 7.6nC Bauform - Transistor: FCLGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
GAN3R2-100CBEAZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 2400 µohm, 9.2 nC, WLCSP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 9.2nC Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
GAN3R2-100CBEAZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 2400 µohm, 9.2 nC, WLCSP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 9.2nC Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
GAN080-650EBEZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 6.2nC Bauform - Transistor: DFN8080 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
GAN190-650EBEZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN190-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 2.8nC Bauform - Transistor: DFN8080 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BZV55-B3V3,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZV55-B3V3,115 - ZENER ARRAY DIODEStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MM5Z22VT5GF | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MM5Z22VT5GF - Zener-Diode, 22 V, 300 mW, SC-79, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MM5Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 22V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MM5Z22VT5GF | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MM5Z22VT5GF - Zener-Diode, 22 V, 300 mW, SC-79, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MM5Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 22V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BZA862A/DG/B2115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZA862A/DG/B2115 - TVS DIODEStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
PMLL4448,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMLL4448,115 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-80C Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PMLL4 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 58720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BZX79-C18,143 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX79-C18,143 - ZENER ARRAY DIODEStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 212646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BZV55-B36,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZV55-B36,115 - ZENER ARRAY DIODEStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BZX79-B36,113 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX79-B36,113 - ZENER ARRAY DIODEStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 162500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
74AHCT74D,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 74AHCT74D,118 - Flipflop, 74AHCT74, D, 5.3 ns, 160 MHz, SOICtariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 7474 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74AHCT Bauform - Logikbaustein: SOIC IC-Ausgang: Komplementär hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz: 160MHz Flip-Flop-Typ: D Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHCT74 euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 5.3ns Triggertyp: Positive Taktflanke Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BZV55-B30,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZV55-B30,115 - Zener-Diode, 30 V, 400 mW, SOD-80C, 2 Pin(s), 200 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-80C rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZV55 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PMEG10020ELRX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMEG10020ELRX - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, SOD-123W, 2 Pin(s), 830 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123W Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 830mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PMEG1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
74AHCT2G125GD,125 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 74AHCT2G125GD,125 - LEVEL SHIFTERStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
74AHCT2G00DC,125 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 74AHCT2G00DC,125 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
74AHCT2G00DC-Q100H | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 74AHCT2G00DC-Q100H - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
74AHCT2G241GD,125 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 74AHCT2G241GD,125 - LEVEL SHIFTERStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 25005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BZB784-C9V1,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZB784-C9V1,115 - ZENER ARRAY DIODEStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: BZB784 series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
BZX884-C9V1,315 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX884-C9V1,315 - ZENER ARRAY DIODEStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: BZX884 Series SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 36810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PUMH11/ZLX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMH11/ZLX - INTEGRATED PASSIVE FILTERStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 534000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| PUMH17F | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMH17F - INTEGRATED PASSIVE FILTERStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| PUMH10Z | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMH10Z - INTEGRATED PASSIVE FILTERStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 218925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| PUMH16,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMH16,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 24200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
PIMC31,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PIMC31,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 500 mA, 500 mA, 420 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 50hFE rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung, PNP: 420mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Verlustleistung, NPN: 420mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PIMC31,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PIMC31,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 500 mA, 500 mA, 420 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 50hFE rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung, PNP: 420mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Verlustleistung, NPN: 420mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PIMC31PAX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PIMC31PAX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 8 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PIMC31PAS-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PIMC31PAS-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: DFN2020D Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 8 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MM3Z5V1T1GX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MM3Z5V1T1GX - Zener-Diode, 5.1 V, 300 mW, SC-76, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Zener-Spannung, nom.: 5.1V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 1628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MM3Z5V1T1GX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MM3Z5V1T1GX - Zener-Diode, 5.1 V, 300 mW, SC-76, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Zener-Spannung, nom.: 5.1V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 1628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PMBTA64,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMBTA64,215 - INTEGRATED PASSIVE FILTERStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| NMBT3906VL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NMBT3906VL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
PXT2907A,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXT2907A,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Schaltrelais, PNP, 60 V, 600 mA, 500 mW, SOT-89tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BZX84-B9V1,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX84-B9V1,215 - ZENER ARRAY DIODEStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 40848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
PESD3V3S2UT,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD3V3S2UT,215 - ESD-Schutzbaustein, TVS, 20 V, SOT-23, 3 Pin(s), 330 W, PESDxS2UT SeriestariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 330W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PESDxS2UT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 13507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMNR51-25YLHX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR51-25YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 380 A, 490 µohm, LFPAK56E, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: LFPAK56E Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPowerS3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PSMN1R2-25YLDX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1030 µohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V euEccn: NLR Verlustleistung: 172W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN041-80YLX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 64W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PSMNR51-25YLHX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR51-25YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 380 A, 490 µohm, LFPAK56E, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 333W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: LFPAK56E Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPowerS3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 490µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PSMN6R5-25YLC,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN6R5-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 64 A, 5500 µohm, LFPAK56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPower productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PSMN6R5-25YLC,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN6R5-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 64 A, 5500 µohm, LFPAK56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPower productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMP061-60YEX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMP061-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: Y-EX productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 98951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BAT721C,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAT721C,215 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 40 V, 200 mA, 300 mV, 1 A, 125 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 300mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT721 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BZX38450-C4V7X | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX38450-C4V7X - Zener-Diode, 4.7 V, 300 mW, SC-76, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-76 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX38450 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BZX884-C20,315 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX884-C20,315 - ZENER ARRAY DIODEStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 31009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BZV85-C20,113 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZV85-C20,113 - ZENER ARRAY DIODEStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 68875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PMGD175XNEX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm Verlustleistung, p-Kanal: 390mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 390mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PMXB65ENE147 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMXB65ENE147 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1233350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BZX79-C36,143 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX79-C36,143 - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - BZX79-C36,143 - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20000+ | 1.64 грн |
| BAT54GWX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAT54GWX - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BAT54GWX - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 49+ | 16.98 грн |
| 82+ | 10.01 грн |
| 134+ | 6.16 грн |
| 500+ | 4.14 грн |
| BAT54GWX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAT54GWX - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BAT54GWX - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.06 грн |
| 1500+ | 2.49 грн |
| 74HCT574PW,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 74HCT574PW,118 - Flipflop, Tri-State, nicht invertiert, positive Taktflanke, 74HCT574, D, 76 MHz, 35 mA, TSSOP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74574
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HCT
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Tri-State, nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 35mA
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz: 76MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Flip-Flop-Typ: D
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT574
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausbreitungsverzögerung: -
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: NEXPERIA - 74HCT574PW,118 - Flipflop, Tri-State, nicht invertiert, positive Taktflanke, 74HCT574, D, 76 MHz, 35 mA, TSSOP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74574
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HCT
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Tri-State, nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 35mA
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz: 76MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Flip-Flop-Typ: D
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT574
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausbreitungsverzögerung: -
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.91 грн |
| 500+ | 19.20 грн |
| 1000+ | 17.02 грн |
| PESD15VS2UT,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD15VS2UT,215 - ESD-Schutzbaustein, TVS, 40 V, SOT-23, 3 Pin(s), 15 V, PESDxS2UT Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 40V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 15V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PESDxS2UT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PESD15VS2UT,215 - ESD-Schutzbaustein, TVS, 40 V, SOT-23, 3 Pin(s), 15 V, PESDxS2UT Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 40V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 15V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PESDxS2UT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.36 грн |
| BC816-16WF |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC816-16WF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - BC816-16WF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20000+ | 1.89 грн |
| BC816-25R |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC816-25R - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - BC816-25R - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 102880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18000+ | 1.64 грн |
| GAN080-650EBEZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 736.78 грн |
| 5+ | 618.63 грн |
| 10+ | 500.48 грн |
| 50+ | 409.88 грн |
| 100+ | 327.72 грн |
| 250+ | 321.39 грн |
| GAN7R0-150LBEZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 375.77 грн |
| 10+ | 246.14 грн |
| 100+ | 177.22 грн |
| 500+ | 135.61 грн |
| 1000+ | 122.37 грн |
| GAN190-650EBEZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN190-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - GAN190-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 461.10 грн |
| 10+ | 310.14 грн |
| 100+ | 237.93 грн |
| GAN7R0-150LBEZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 177.22 грн |
| 500+ | 135.61 грн |
| 1000+ | 122.37 грн |
| GAN3R2-100CBEAZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 2400 µohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 2400 µohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 443.87 грн |
| 10+ | 293.73 грн |
| 100+ | 208.40 грн |
| 500+ | 179.80 грн |
| 1000+ | 162.45 грн |
| GAN3R2-100CBEAZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 2400 µohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 2400 µohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 293.73 грн |
| 100+ | 208.40 грн |
| 500+ | 179.80 грн |
| 1000+ | 162.45 грн |
| GAN080-650EBEZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 500.48 грн |
| 50+ | 409.88 грн |
| 100+ | 327.72 грн |
| 250+ | 321.39 грн |
| GAN190-650EBEZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN190-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - GAN190-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 310.14 грн |
| 100+ | 237.93 грн |
| BZV55-B3V3,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZV55-B3V3,115 - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BZV55-B3V3,115 - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| MM5Z22VT5GF |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MM5Z22VT5GF - Zener-Diode, 22 V, 300 mW, SC-79, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM5Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 22V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - MM5Z22VT5GF - Zener-Diode, 22 V, 300 mW, SC-79, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM5Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 22V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.16 грн |
| 1000+ | 1.88 грн |
| MM5Z22VT5GF |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MM5Z22VT5GF - Zener-Diode, 22 V, 300 mW, SC-79, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM5Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 22V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - MM5Z22VT5GF - Zener-Diode, 22 V, 300 mW, SC-79, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM5Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 22V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 10.99 грн |
| 117+ | 7.06 грн |
| 333+ | 2.47 грн |
| 500+ | 2.16 грн |
| 1000+ | 1.88 грн |
| BZA862A/DG/B2115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZA862A/DG/B2115 - TVS DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NEXPERIA - BZA862A/DG/B2115 - TVS DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4578+ | 8.70 грн |
| PMLL4448,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMLL4448,115 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80C
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PMLL4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PMLL4448,115 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80C
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PMLL4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 58720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 55+ | 15.18 грн |
| 90+ | 9.19 грн |
| 147+ | 5.61 грн |
| 500+ | 4.01 грн |
| 1000+ | 3.23 грн |
| BZX79-C18,143 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX79-C18,143 - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BZX79-C18,143 - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 212646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20000+ | 1.99 грн |
| BZV55-B36,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZV55-B36,115 - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BZV55-B36,115 - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17500+ | 1.89 грн |
| BZX79-B36,113 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX79-B36,113 - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BZX79-B36,113 - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 162500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20000+ | 1.89 грн |
| 74AHCT74D,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 74AHCT74D,118 - Flipflop, 74AHCT74, D, 5.3 ns, 160 MHz, SOIC
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7474
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AHCT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 160MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHCT74
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 5.3ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - 74AHCT74D,118 - Flipflop, 74AHCT74, D, 5.3 ns, 160 MHz, SOIC
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 7474
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AHCT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 160MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHCT74
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 5.3ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.16 грн |
| 500+ | 8.99 грн |
| 1000+ | 7.24 грн |
| BZV55-B30,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZV55-B30,115 - Zener-Diode, 30 V, 400 mW, SOD-80C, 2 Pin(s), 200 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80C
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZV55
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BZV55-B30,115 - Zener-Diode, 30 V, 400 mW, SOD-80C, 2 Pin(s), 200 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80C
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZV55
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 9.07 грн |
| 1000+ | 8.16 грн |
| PMEG10020ELRX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMEG10020ELRX - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, SOD-123W, 2 Pin(s), 830 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123W
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 830mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PMEG1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PMEG10020ELRX - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, SOD-123W, 2 Pin(s), 830 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123W
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 830mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PMEG1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.39 грн |
| 500+ | 12.04 грн |
| 1000+ | 9.85 грн |
| 74AHCT2G125GD,125 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 74AHCT2G125GD,125 - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NEXPERIA - 74AHCT2G125GD,125 - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2465+ | 16.25 грн |
| 74AHCT2G00DC,125 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 74AHCT2G00DC,125 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NEXPERIA - 74AHCT2G00DC,125 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 74AHCT2G00DC-Q100H |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 74AHCT2G00DC-Q100H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NEXPERIA - 74AHCT2G00DC-Q100H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1708+ | 23.79 грн |
| 74AHCT2G241GD,125 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 74AHCT2G241GD,125 - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NEXPERIA - 74AHCT2G241GD,125 - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2465+ | 16.25 грн |
| BZB784-C9V1,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZB784-C9V1,115 - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: BZB784 series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BZB784-C9V1,115 - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: BZB784 series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 65+ | 12.72 грн |
| 95+ | 8.70 грн |
| 144+ | 5.73 грн |
| 500+ | 4.53 грн |
| 1000+ | 4.01 грн |
| 5000+ | 2.72 грн |
| BZX884-C9V1,315 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX884-C9V1,315 - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: BZX884 Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BZX884-C9V1,315 - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: BZX884 Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 36810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 27.57 грн |
| 44+ | 18.95 грн |
| 100+ | 9.52 грн |
| 500+ | 7.69 грн |
| 1000+ | 4.28 грн |
| 5000+ | 3.55 грн |
| PUMH11/ZLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PUMH11/ZLX - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PUMH11/ZLX - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 534000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 25.68 грн |
| PUMH17F |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PUMH17F - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PUMH17F - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20000+ | 1.99 грн |
| PUMH10Z |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PUMH10Z - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PUMH10Z - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 218925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20000+ | 1.99 грн |
| PUMH16,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PUMH16,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NEXPERIA - PUMH16,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13812+ | 2.87 грн |
| PIMC31,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PIMC31,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 500 mA, 500 mA, 420 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 50hFE
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung, PNP: 420mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 420mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
Description: NEXPERIA - PIMC31,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 500 mA, 500 mA, 420 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 50hFE
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung, PNP: 420mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 420mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 24.29 грн |
| 50+ | 18.21 грн |
| 100+ | 12.06 грн |
| 500+ | 8.38 грн |
| PIMC31,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PIMC31,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 500 mA, 500 mA, 420 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 50hFE
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung, PNP: 420mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 420mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
Description: NEXPERIA - PIMC31,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 500 mA, 500 mA, 420 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 50hFE
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung, PNP: 420mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 420mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.06 грн |
| 500+ | 8.38 грн |
| PIMC31PAX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PIMC31PAX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 8 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PIMC31PAX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 8 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 66.87 грн |
| 21+ | 40.86 грн |
| 100+ | 26.17 грн |
| 500+ | 22.86 грн |
| 1000+ | 20.75 грн |
| PIMC31PAS-QX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PIMC31PAS-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: DFN2020D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 8 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PIMC31PAS-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: DFN2020D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 8 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 61.12 грн |
| 22+ | 37.82 грн |
| 100+ | 24.04 грн |
| 500+ | 22.25 грн |
| 1000+ | 20.39 грн |
| MM3Z5V1T1GX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MM3Z5V1T1GX - Zener-Diode, 5.1 V, 300 mW, SC-76, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - MM3Z5V1T1GX - Zener-Diode, 5.1 V, 300 mW, SC-76, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 19.20 грн |
| 52+ | 15.92 грн |
| 103+ | 7.97 грн |
| 500+ | 4.63 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
| MM3Z5V1T1GX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MM3Z5V1T1GX - Zener-Diode, 5.1 V, 300 mW, SC-76, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - MM3Z5V1T1GX - Zener-Diode, 5.1 V, 300 mW, SC-76, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.63 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
| PMBTA64,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMBTA64,215 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PMBTA64,215 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15000+ | 2.59 грн |
| NMBT3906VL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NMBT3906VL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - NMBT3906VL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16000+ | 1.99 грн |
| PXT2907A,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXT2907A,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Schaltrelais, PNP, 60 V, 600 mA, 500 mW, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PXT2907A,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Schaltrelais, PNP, 60 V, 600 mA, 500 mW, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BZX84-B9V1,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX84-B9V1,215 - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BZX84-B9V1,215 - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 40848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18000+ | 1.99 грн |
| PESD3V3S2UT,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD3V3S2UT,215 - ESD-Schutzbaustein, TVS, 20 V, SOT-23, 3 Pin(s), 330 W, PESDxS2UT Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 330W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PESDxS2UT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PESD3V3S2UT,215 - ESD-Schutzbaustein, TVS, 20 V, SOT-23, 3 Pin(s), 330 W, PESDxS2UT Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 330W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PESDxS2UT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 23.71 грн |
| 120+ | 6.86 грн |
| 136+ | 6.05 грн |
| 500+ | 5.39 грн |
| 1000+ | 4.83 грн |
| 5000+ | 4.73 грн |
| PSMNR51-25YLHX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR51-25YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 380 A, 490 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPowerS3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PSMNR51-25YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 380 A, 490 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPowerS3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PSMN1R2-25YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1030 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1030 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 126.35 грн |
| 500+ | 92.19 грн |
| 1000+ | 78.06 грн |
| PSMN041-80YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PSMNR51-25YLHX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR51-25YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 380 A, 490 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPowerS3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 490µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PSMNR51-25YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 380 A, 490 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPowerS3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 490µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PSMN6R5-25YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN6R5-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 64 A, 5500 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN6R5-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 64 A, 5500 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PSMN6R5-25YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN6R5-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 64 A, 5500 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN6R5-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 64 A, 5500 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 58.91 грн |
| PSMP061-60YEX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMP061-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: Y-EX
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - PSMP061-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: Y-EX
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 98951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 52.51 грн |
| BAT721C,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAT721C,215 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 40 V, 200 mA, 300 mV, 1 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 300mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT721
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BAT721C,215 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 40 V, 200 mA, 300 mV, 1 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 300mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT721
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BZX38450-C4V7X |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX38450-C4V7X - Zener-Diode, 4.7 V, 300 mW, SC-76, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-76
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX38450 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BZX38450-C4V7X - Zener-Diode, 4.7 V, 300 mW, SC-76, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-76
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX38450 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.98 грн |
| 1000+ | 2.62 грн |
| BZX884-C20,315 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX884-C20,315 - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NEXPERIA - BZX884-C20,315 - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 31009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13513+ | 2.95 грн |
| BZV85-C20,113 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZV85-C20,113 - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BZV85-C20,113 - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 68875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.79 грн |
| PMGD175XNEX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.17 грн |
| 500+ | 19.05 грн |
| 1500+ | 15.75 грн |
| PMXB65ENE147 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMXB65ENE147 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NEXPERIA - PMXB65ENE147 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1233350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3731+ | 10.75 грн |



























