Продукція > NEXPERIA > Всі товари виробника NEXPERIA (87292) > Сторінка 1149 з 1455

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 145 290 435 580 725 870 1015 1144 1145 1146 1147 1148 1149 1150 1151 1152 1153 1154 1160 1305 1450 1455  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC857CW,115 BC857CW,115 NEXPERIA 4003345.pdf Description: NEXPERIA - BC857CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170,215 BAV170,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002882491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BAV170,215 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV17
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.77 грн
1000+2.55 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70W,115 BAV70W,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002882752-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BAV70W,115 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 100 V, 175 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 175mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC847B,215 BC847B,215 NEXPERIA 1856333.pdf description Description: NEXPERIA - BC847B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.05 грн
9000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BW,115 BC847BW,115 NEXPERIA 1856333.pdf Description: NEXPERIA - BC847BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.36 грн
9000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55-C8V2,115 BZV55-C8V2,115 NEXPERIA BZV55_SER.pdf Description: NEXPERIA - BZV55-C8V2,115 - Zener-Diode, 8.2 V, 500 mW, SOD-80C, 2 Pin(s), 200 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80C
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZV55
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 8.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+13.50 грн
96+9.14 грн
227+3.84 грн
500+3.46 грн
1000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20ENR NEXPERIA PMV20EN.pdf Description: NEXPERIA - PMV20ENR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+41.28 грн
50+25.34 грн
100+12.71 грн
500+11.00 грн
1500+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20ENR NEXPERIA NEXP-S-A0003060007-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV20ENR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.71 грн
500+11.00 грн
1500+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCP55-10,115 BCP55-10,115 NEXPERIA NEXP-S-A0006011437-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCP55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCP55-10,115 BCP55-10,115 NEXPERIA NEXP-S-A0006011437-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCP55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.73 грн
27+32.83 грн
100+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40-07,215 BAS40-07,215 NEXPERIA 3732248.pdf Description: NEXPERIA - BAS40-07,215 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-05W,115 BAS70-05W,115 NEXPERIA NEXP-S-A0006011410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BAS70-05W,115 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25W,115 BC817-25W,115 NEXPERIA BC817W_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC817-25W,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC817W Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAT760,115 BAT760,115 NEXPERIA 666392.pdf Description: NEXPERIA - BAT760,115 - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 1 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+9.62 грн
1000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAT721A,215 BAT721A,215 NEXPERIA BAT721A.pdf Description: NEXPERIA - BAT721A,215 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 40 V, 200 mA, 550 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT721
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAT46WH,115 BAT46WH,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002882487-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BAT46WH,115 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 100 V, 250 mA, 850 mV, 2.5 A, 155 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 2.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
Sperrverzögerungszeit: 5.9ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT46
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.17 грн
1500+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTC123JTVL NHDTC123JTVL NEXPERIA NHDTC123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHDTC123JTVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC123JT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+20.38 грн
71+12.37 грн
114+7.65 грн
500+4.90 грн
1000+3.54 грн
5000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTC123JUF NHDTC123JUF NEXPERIA NHDTC123JU_143ZU_114YU_SER.pdf Description: NEXPERIA - NHDTC123JUF - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC123JU Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.33 грн
1000+6.67 грн
5000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BF620,115 BF620,115 NEXPERIA PHGLS13907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BF620,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 50 mA, 500 mW, SOT-80, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-80
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.03 грн
500+16.25 грн
1000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40W,115 BC817-40W,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002912167-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC817-40W,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC817
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84J-C3V9,115 BZX84J-C3V9,115 NEXPERIA BZX84J_SER.pdf Description: NEXPERIA - BZX84J-C3V9,115 - Zener-Diode, 3.9 V, 550 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX84J
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.9V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAT854SW,115 BAT854SW,115 NEXPERIA BAT854SW.pdf BAT854W_SERIES.pdf Description: NEXPERIA - BAT854SW,115 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 40 V, 200 mA, 550 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT854
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.23 грн
1500+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BCX53-10,115 BCX53-10,115 NEXPERIA NEXP-S-A0005722384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCX53-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40W,115 BC807-40W,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002885738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC807-40W,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-16W,115 BC807-16W,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002885738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC807-16W,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.30 грн
1500+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-16,215 BC807-16,215 NEXPERIA BC807_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC807-16,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856W,115 BC856W,115 NEXPERIA PHGLS08627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC856W,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNX PMPB10XNX NEXPERIA NEXP-S-A0009854142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMPB10XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.5 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+42.85 грн
28+31.96 грн
100+19.33 грн
500+14.07 грн
1000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB14XNX PMPB14XNX NEXPERIA 3938018.pdf Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.018 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.64 грн
50+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/FX PMPB95ENEA/FX NEXPERIA PMPB95ENEA.pdf Description: NEXPERIA - PMPB95ENEA/FX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 2.8 A, 0.08 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55XNEAX PMPB55XNEAX NEXPERIA 2875124.pdf Description: NEXPERIA - PMPB55XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.055 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.95W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.03 грн
500+12.29 грн
1500+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNX PMPB10XNX NEXPERIA NEXP-S-A0009854142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMPB10XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.5 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.33 грн
500+14.07 грн
1000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNX PMPB07R0UNX NEXPERIA PMPB07R0UN.pdf Description: NEXPERIA - PMPB07R0UNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 0.007 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+50.34 грн
26+33.96 грн
100+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13UPX PMPB13UPX NEXPERIA PMPB13UP.pdf Description: NEXPERIA - PMPB13UPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 13 A, 0.013 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.59 грн
27+32.31 грн
100+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3VPX PMPB07R3VPX NEXPERIA 3207663.pdf Description: NEXPERIA - PMPB07R3VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 17.5 A, 0.0073 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.99 грн
23+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/FX PMPB95ENEA/FX NEXPERIA PMPB95ENEA.pdf Description: NEXPERIA - PMPB95ENEA/FX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 2.8 A, 0.08 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R4VPX PMPB08R4VPX NEXPERIA PMPB08R4VP.pdf Description: NEXPERIA - PMPB08R4VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0084 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.08 грн
500+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNX PMPB07R0UNX NEXPERIA PMPB07R0UN.pdf Description: NEXPERIA - PMPB07R0UNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 0.007 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB14XNX PMPB14XNX NEXPERIA 3938018.pdf Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.015 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.33 грн
500+12.29 грн
1500+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R7EPX PMPB12R7EPX NEXPERIA 3191459.pdf Description: NEXPERIA - PMPB12R7EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.0127 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+33.44 грн
50+26.91 грн
100+20.29 грн
500+13.42 грн
1500+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3VPX PMPB07R3VPX NEXPERIA 3207663.pdf Description: NEXPERIA - PMPB07R3VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 17.5 A, 0.0073 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3ENX PMPB07R3ENX NEXPERIA 3187171.pdf Description: NEXPERIA - PMPB07R3ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0073 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R5VPX PMPB09R5VPX NEXPERIA 3191458.pdf Description: NEXPERIA - PMPB09R5VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10.5 A, 0.0095 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+47.55 грн
28+32.22 грн
100+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R7EPX PMPB12R7EPX NEXPERIA 3191459.pdf Description: NEXPERIA - PMPB12R7EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.0127 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.29 грн
500+13.42 грн
1500+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R5XNX PMPB08R5XNX NEXPERIA 3187172.pdf Description: NEXPERIA - PMPB08R5XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0085 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.29 грн
26+34.49 грн
100+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R5VPX PMPB09R5VPX NEXPERIA 3191458.pdf Description: NEXPERIA - PMPB09R5VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10.5 A, 0.0095 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0095ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R5XNX PMPB08R5XNX NEXPERIA 3187172.pdf Description: NEXPERIA - PMPB08R5XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0085 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3ENX PMPB07R3ENX NEXPERIA 3187171.pdf Description: NEXPERIA - PMPB07R3ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0073 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB17EPX PMPB17EPX NEXPERIA 3679931.pdf Description: NEXPERIA - PMPB17EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0175 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB17EPX PMPB17EPX NEXPERIA 3679931.pdf Description: NEXPERIA - PMPB17EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0175 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R5TPX PMPB09R5TPX NEXPERIA 3739836.pdf Description: NEXPERIA - PMPB09R5TPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10.5 A, 0.0095 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+56.78 грн
19+46.24 грн
100+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R5TPX PMPB09R5TPX NEXPERIA 3739836.pdf Description: NEXPERIA - PMPB09R5TPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10.5 A, 0.0095 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB19R0UPEX PMPB19R0UPEX NEXPERIA 3812031.pdf Description: NEXPERIA - PMPB19R0UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.017 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.24 грн
500+11.00 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EPZ PMPB27EPZ NEXPERIA PMPB27EP.pdf Description: NEXPERIA - PMPB27EPZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.1 A, 0.029 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+60.27 грн
30+29.35 грн
100+17.85 грн
500+14.80 грн
1000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R5UPEX PMPB12R5UPEX NEXPERIA 3812029.pdf Description: NEXPERIA - PMPB12R5UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13 A, 0.0118 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.71 грн
500+10.03 грн
1000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB19R0UPEX PMPB19R0UPEX NEXPERIA 3812031.pdf Description: NEXPERIA - PMPB19R0UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.017 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.14 грн
31+28.48 грн
100+15.24 грн
500+11.00 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB14XPZ PMPB14XPZ NEXPERIA 3682945.pdf Description: NEXPERIA - PMPB14XPZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12.7 A, 0.014 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.51 грн
500+13.91 грн
1000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R5UPEX PMPB12R5UPEX NEXPERIA 3812029.pdf Description: NEXPERIA - PMPB12R5UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13 A, 0.0118 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+40.15 грн
34+26.39 грн
100+12.71 грн
500+10.03 грн
1000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB14XPZ PMPB14XPZ NEXPERIA 3682945.pdf Description: NEXPERIA - PMPB14XPZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12.7 A, 0.014 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.42 грн
25+36.23 грн
100+19.51 грн
500+13.91 грн
1000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50XNX PMPB50XNX NEXPERIA 4315843.pdf Description: NEXPERIA - PMPB50XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 110 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 110V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+86.65 грн
21+41.54 грн
100+26.56 грн
500+22.24 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CW,115 4003345.pdf
BC857CW,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC857CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170,215 NEXP-S-A0002882491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAV170,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAV170,215 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV17
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.77 грн
1000+2.55 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70W,115 NEXP-S-A0002882752-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAV70W,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAV70W,115 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 100 V, 175 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 175mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC847B,215 description 1856333.pdf
BC847B,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC847B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.05 грн
9000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BW,115 1856333.pdf
BC847BW,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC847BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.36 грн
9000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55-C8V2,115 BZV55_SER.pdf
BZV55-C8V2,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZV55-C8V2,115 - Zener-Diode, 8.2 V, 500 mW, SOD-80C, 2 Pin(s), 200 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80C
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZV55
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 8.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+13.50 грн
96+9.14 грн
227+3.84 грн
500+3.46 грн
1000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20EN.pdf
PMV20ENR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV20ENR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+41.28 грн
50+25.34 грн
100+12.71 грн
500+11.00 грн
1500+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR NEXP-S-A0003060007-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMV20ENR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV20ENR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.71 грн
500+11.00 грн
1500+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCP55-10,115 NEXP-S-A0006011437-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCP55-10,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCP55-10,115 NEXP-S-A0006011437-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCP55-10,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+53.73 грн
27+32.83 грн
100+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40-07,215 3732248.pdf
BAS40-07,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS40-07,215 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-05W,115 NEXP-S-A0006011410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS70-05W,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS70-05W,115 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25W,115 BC817W_SER.pdf
BC817-25W,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC817-25W,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC817W Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAT760,115 666392.pdf
BAT760,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAT760,115 - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 1 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+9.62 грн
1000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAT721A,215 BAT721A.pdf
BAT721A,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAT721A,215 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 40 V, 200 mA, 550 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT721
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAT46WH,115 NEXP-S-A0002882487-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT46WH,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAT46WH,115 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 100 V, 250 mA, 850 mV, 2.5 A, 155 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 2.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
Sperrverzögerungszeit: 5.9ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT46
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+8.17 грн
1500+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTC123JTVL NHDTC123JT_143ZT_114YT_SER.pdf
NHDTC123JTVL
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC123JTVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC123JT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+20.38 грн
71+12.37 грн
114+7.65 грн
500+4.90 грн
1000+3.54 грн
5000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
NHDTC123JUF NHDTC123JU_143ZU_114YU_SER.pdf
NHDTC123JUF
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC123JUF - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC123JU Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+8.33 грн
1000+6.67 грн
5000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BF620,115 PHGLS13907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BF620,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BF620,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 50 mA, 500 mW, SOT-80, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-80
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.03 грн
500+16.25 грн
1000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40W,115 NEXP-S-A0002912167-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC817-40W,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC817-40W,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC817
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84J-C3V9,115 BZX84J_SER.pdf
BZX84J-C3V9,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX84J-C3V9,115 - Zener-Diode, 3.9 V, 550 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX84J
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.9V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAT854SW,115 BAT854SW.pdf BAT854W_SERIES.pdf
BAT854SW,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAT854SW,115 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 40 V, 200 mA, 550 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT854
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.23 грн
1500+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BCX53-10,115 NEXP-S-A0005722384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCX53-10,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX53-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40W,115 NEXP-S-A0002885738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC807-40W,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-40W,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-16W,115 NEXP-S-A0002885738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC807-16W,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-16W,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.30 грн
1500+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-16,215 BC807_SER.pdf
BC807-16,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-16,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856W,115 PHGLS08627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC856W,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856W,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNX NEXP-S-A0009854142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMPB10XNX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB10XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.5 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+42.85 грн
28+31.96 грн
100+19.33 грн
500+14.07 грн
1000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB14XNX 3938018.pdf
PMPB14XNX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.018 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.64 грн
50+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/FX PMPB95ENEA.pdf
PMPB95ENEA/FX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB95ENEA/FX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 2.8 A, 0.08 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55XNEAX 2875124.pdf
PMPB55XNEAX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB55XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.055 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.95W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.03 грн
500+12.29 грн
1500+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNX NEXP-S-A0009854142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMPB10XNX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB10XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.5 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.33 грн
500+14.07 грн
1000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNX PMPB07R0UN.pdf
PMPB07R0UNX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB07R0UNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 0.007 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+50.34 грн
26+33.96 грн
100+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13UPX PMPB13UP.pdf
PMPB13UPX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB13UPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 13 A, 0.013 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.59 грн
27+32.31 грн
100+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3VPX 3207663.pdf
PMPB07R3VPX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB07R3VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 17.5 A, 0.0073 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+53.99 грн
23+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/FX PMPB95ENEA.pdf
PMPB95ENEA/FX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB95ENEA/FX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 2.8 A, 0.08 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R4VPX PMPB08R4VP.pdf
PMPB08R4VPX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB08R4VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0084 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.08 грн
500+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNX PMPB07R0UN.pdf
PMPB07R0UNX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB07R0UNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 0.007 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB14XNX 3938018.pdf
PMPB14XNX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.015 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.33 грн
500+12.29 грн
1500+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R7EPX 3191459.pdf
PMPB12R7EPX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB12R7EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.0127 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+33.44 грн
50+26.91 грн
100+20.29 грн
500+13.42 грн
1500+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3VPX 3207663.pdf
PMPB07R3VPX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB07R3VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 17.5 A, 0.0073 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3ENX 3187171.pdf
PMPB07R3ENX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB07R3ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0073 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R5VPX 3191458.pdf
PMPB09R5VPX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB09R5VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10.5 A, 0.0095 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+47.55 грн
28+32.22 грн
100+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R7EPX 3191459.pdf
PMPB12R7EPX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB12R7EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.0127 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.29 грн
500+13.42 грн
1500+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R5XNX 3187172.pdf
PMPB08R5XNX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB08R5XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0085 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.29 грн
26+34.49 грн
100+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R5VPX 3191458.pdf
PMPB09R5VPX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB09R5VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10.5 A, 0.0095 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0095ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R5XNX 3187172.pdf
PMPB08R5XNX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB08R5XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0085 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R3ENX 3187171.pdf
PMPB07R3ENX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB07R3ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0073 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB17EPX 3679931.pdf
PMPB17EPX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB17EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0175 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB17EPX 3679931.pdf
PMPB17EPX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB17EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0175 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R5TPX 3739836.pdf
PMPB09R5TPX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB09R5TPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10.5 A, 0.0095 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+56.78 грн
19+46.24 грн
100+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R5TPX 3739836.pdf
PMPB09R5TPX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB09R5TPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10.5 A, 0.0095 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB19R0UPEX 3812031.pdf
PMPB19R0UPEX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB19R0UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.017 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.24 грн
500+11.00 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB27EPZ PMPB27EP.pdf
PMPB27EPZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB27EPZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.1 A, 0.029 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+60.27 грн
30+29.35 грн
100+17.85 грн
500+14.80 грн
1000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R5UPEX 3812029.pdf
PMPB12R5UPEX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB12R5UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13 A, 0.0118 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.71 грн
500+10.03 грн
1000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB19R0UPEX 3812031.pdf
PMPB19R0UPEX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB19R0UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.017 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+38.14 грн
31+28.48 грн
100+15.24 грн
500+11.00 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB14XPZ 3682945.pdf
PMPB14XPZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB14XPZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12.7 A, 0.014 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.51 грн
500+13.91 грн
1000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R5UPEX 3812029.pdf
PMPB12R5UPEX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB12R5UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13 A, 0.0118 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+40.15 грн
34+26.39 грн
100+12.71 грн
500+10.03 грн
1000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB14XPZ 3682945.pdf
PMPB14XPZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB14XPZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12.7 A, 0.014 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.42 грн
25+36.23 грн
100+19.51 грн
500+13.91 грн
1000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50XNX 4315843.pdf
PMPB50XNX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB50XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 110 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 110V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+86.65 грн
21+41.54 грн
100+26.56 грн
500+22.24 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 145 290 435 580 725 870 1015 1144 1145 1146 1147 1148 1149 1150 1151 1152 1153 1154 1160 1305 1450 1455  [ Наступна Сторінка >> ]