Продукція > NEXPERIA > Всі товари виробника NEXPERIA (74047) > Сторінка 991 з 1235

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 123 246 369 492 615 738 861 984 986 987 988 989 990 991 992 993 994 995 996 1107 1230 1235  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PHP191NQ06LT,127 PHP191NQ06LT,127 NEXPERIA PHP191NQ06LT.pdf Description: NEXPERIA - PHP191NQ06LT,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHP79NQ08LT,127 PHP79NQ08LT,127 NEXPERIA PHP79NQ08LT.pdf Description: NEXPERIA - PHP79NQ08LT,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 73 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16LD,315 BAS16LD,315 NEXPERIA NEXP-S-A0002883683-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BAS16LD,315 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-882D
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQ GAN063-650WSAQ NEXPERIA 2813596.pdf Description: NEXPERIA - GAN063-650WSAQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, Gan FET, 650 V, 34.5 A, 0.06 ohm, 15 nC, TP-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15nC
Bauform - Transistor: TP-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55-C62,135 BZV55-C62,135 NEXPERIA NEXP-S-A0003507614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BZV55-C62,135 - ZENER DIODES
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS20VP1UTP,115 PTVS20VP1UTP,115 NEXPERIA PTVSXP1UTP_SER.pdf Description: NEXPERIA - PTVS20VP1UTP,115 - TVS-Diode, PTVS2, Unidirektional, 20 V, 32.4 V, SOD-128, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 22.2V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 24.5V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 20V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PTVS2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 185°C
Klemmspannung, max.: 32.4V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HEF4046BT,653 HEF4046BT,653 NEXPERIA 2051440.pdf Description: NEXPERIA - HEF4046BT,653 - PLL, 7MHz, 3V bis 15V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 7MHz
PLL-Typ: VCO
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Bauform - PLL: SOIC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5140T,215 PBSS5140T,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002908688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5140T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384-C47,115 BZX384-C47,115 NEXPERIA BZX384_SER.pdf Description: NEXPERIA - BZX384-C47,115 - Zener-Diode, 47 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX384 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 47V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384-C4V7,115 BZX384-C4V7,115 NEXPERIA BZX384_SER.pdf Description: NEXPERIA - BZX384-C4V7,115 - Zener-Diode, 4.7 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX384 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS3V3S1UR,115 PTVS3V3S1UR,115 NEXPERIA 2648647.pdf Description: NEXPERIA - PTVS3V3S1UR,115 - TVS-Diode, PTVS3, Unidirektional, 3.3 V, 8 V, SOD-123, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.2V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 6V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 3.3V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PTVS3
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 8V
на замовлення 276601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-C3V6,215 BZX84-C3V6,215 NEXPERIA PHGLS29437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - BZX84-C3V6,215 - Zener-Diode, 3.6 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 77515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX8450-C3V6-QR BZX8450-C3V6-QR NEXPERIA 3540386.pdf Description: NEXPERIA - BZX8450-C3V6-QR - Zener-Diode, 3.6 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX8450-C3V6-QR BZX8450-C3V6-QR NEXPERIA 3540386.pdf Description: NEXPERIA - BZX8450-C3V6-QR - Zener-Diode, 3.6 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX8450-C3V6R BZX8450-C3V6R NEXPERIA NEXP-S-A0013328277-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BZX8450-C3V6R - Zener-Diode, 3.6 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84W-C3V6X BZX84W-C3V6X NEXPERIA 2621301.pdf Description: NEXPERIA - BZX84W-C3V6X - Zener-Diode, 3.6 V, 275 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 3.6
Verlustleistung: 275
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-323
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 275
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX84W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84W-C3V6X BZX84W-C3V6X NEXPERIA 2621301.pdf Description: NEXPERIA - BZX84W-C3V6X - Zener-Diode, 3.6 V, 275 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84J-C3V6,115 BZX84J-C3V6,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003107827-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BZX84J-C3V6,115 - ZENER DIODES
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84W-C3V6F BZX84W-C3V6F NEXPERIA 2621301.pdf Description: NEXPERIA - BZX84W-C3V6F - ZENER DIODES
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS22VS1UR,115 PTVS22VS1UR,115 NEXPERIA 2648647.pdf Description: NEXPERIA - PTVS22VS1UR,115 - TVS-Diode, PTVS2, Unidirektional, 22 V, 35.5 V, SOD-123, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 24.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 26.9V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 22V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PTVS2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 35.5V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008PBKW,115 NX3008PBKW,115 NEXPERIA NX3008PBKW.pdf Description: NEXPERIA - NX3008PBKW,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 4.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4240T,215 PBSS4240T,215 NEXPERIA PHGLS26491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS4240T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 470hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PNE20020ERX PNE20020ERX NEXPERIA PNE20020ER.pdf Description: NEXPERIA - PNE20020ERX - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 38 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W)
Durchlassstoßstrom: 38A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV46-QR BCV46-QR NEXPERIA 2915251.pdf Description: NEXPERIA - BCV46-QR - Darlington-Transistor, PNP, 60 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV46-QR BCV46-QR NEXPERIA 2915251.pdf Description: NEXPERIA - BCV46-QR - Darlington-Transistor, PNP, 60 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW71,215 BCW71,215 NEXPERIA PHGLS19398-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCW71,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW70,215 BCW70,215 NEXPERIA PHGLS27702-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCW70,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW72,215 BCW72,215 NEXPERIA 3205170.pdf Description: NEXPERIA - BCW72,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW71,215 BCW71,215 NEXPERIA PHGLS19398-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCW71,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52-C6V2J BZT52-C6V2J NEXPERIA NEXP-S-A0003514697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BZT52-C6V2J - ZENER DIODES
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLVH431NCDBZRR TLVH431NCDBZRR NEXPERIA 2912942.pdf Description: NEXPERIA - TLVH431NCDBZRR - SPANN.REFERENZ SHUNT - EINST, 0 BIS 70°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 1.258V
Bauform - Spannungsreferenz: SOT-23
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.222V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 18V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 1.24V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1.5%
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLVH431NQDBZRR TLVH431NQDBZRR NEXPERIA 2912942.pdf Description: NEXPERIA - TLVH431NQDBZRR - SPANN.REFER. SHUNT - EINST -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 1.258V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.222V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1.5%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC2G08DC,125 74HC2G08DC,125 NEXPERIA 2342167.pdf Description: NEXPERIA - 74HC2G08DC,125 - AND-Gatter, 74HC, 2 Eingänge, 2V bis 6V,VSSOP-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: VSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 74HC2G08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-40E,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003060214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y12-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 8800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-75B,115 BUK9Y19-75B,115 NEXPERIA BUK9Y19-75B.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y19-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 48.2 A, 0.0147 ohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115 BUK9Y153-100E,115 NEXPERIA BUK9Y153-100E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y153-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.117 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E,115 NEXPERIA PHGLS27993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y4R8-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B,115 BUK9Y19-55B,115 NEXPERIA 2341444.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm
на замовлення 13109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y4R4-40E,115 BUK9Y4R4-40E,115 NEXPERIA 2341447.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y4R4-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0031 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R3-40HX BUK9Y1R3-40HX NEXPERIA BUK9Y1R3-40H.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y3R5-40E,115 BUK9Y3R5-40E,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059397-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y3R5-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 167
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y30-75B,115 BUK9Y30-75B,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002881622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y30-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 34 A, 0.028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115 NEXPERIA BUK9Y6R0-60E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y6R0-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y107-80EX BUK9Y107-80EX NEXPERIA NEXP-S-A0003060213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y107-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 11.8 A, 0.0824 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0824ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y21-40E,115 BUK9Y21-40E,115 NEXPERIA NEXP-S-A0001056927-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y21-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 33 A, 0.0144 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y72-80E,115 BUK9Y72-80E,115 NEXPERIA BUK9Y72-80E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y72-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 15 A, 0.059 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y29-40E,115 BUK9Y29-40E,115 NEXPERIA BUK9Y29-40E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y29-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0204 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0204ohm
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y2R8-40HX BUK9Y2R8-40HX NEXPERIA BUK9Y2R8-40H.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-60E,115 BUK9Y25-60E,115 NEXPERIA BUK9Y25-60E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y25-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.0183 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0183ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100E,115 BUK9Y12-100E,115 NEXPERIA BUK9Y12-100E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y12-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0091 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y40-55B,115 BUK9Y40-55B,115 NEXPERIA BUK9Y40-55B.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-60E,115 BUK9Y25-60E,115 NEXPERIA BUK9Y25-60E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y25-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.0183 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0183ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80E,115 BUK9Y14-80E,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002883767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y14-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40B,115 BUK9Y14-40B,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002882022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y14-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 9000 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115 BUK9Y25-80E,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002935015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R7-60E,115 BUK9Y8R7-60E,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003060222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y8R7-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.006 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y58-75B,115 BUK9Y58-75B,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059615-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y58-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 20.73 A, 0.047 ohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20.73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60.4W
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84W-C12X BZX84W-C12X NEXPERIA 2621301.pdf Description: NEXPERIA - BZX84W-C12X - Zener-Diode, 12 V, 275 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 275mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX884S-C12-QYL BZX884S-C12-QYL NEXPERIA 3388614.pdf Description: NEXPERIA - BZX884S-C12-QYL - Zener-Diode, 12 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006BD
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX884S-Q
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX884S-C12YL BZX884S-C12YL NEXPERIA 3178527.pdf Description: NEXPERIA - BZX884S-C12YL - Zener-Diode, 12 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 12
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DFN1006BD
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX884S
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHP191NQ06LT,127 PHP191NQ06LT.pdf
PHP191NQ06LT,127
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PHP191NQ06LT,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHP79NQ08LT,127 PHP79NQ08LT.pdf
PHP79NQ08LT,127
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PHP79NQ08LT,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 73 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16LD,315 NEXP-S-A0002883683-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS16LD,315
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS16LD,315 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-882D
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQ 2813596.pdf
GAN063-650WSAQ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN063-650WSAQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, Gan FET, 650 V, 34.5 A, 0.06 ohm, 15 nC, TP-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15nC
Bauform - Transistor: TP-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55-C62,135 NEXP-S-A0003507614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZV55-C62,135
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZV55-C62,135 - ZENER DIODES
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS20VP1UTP,115 PTVSXP1UTP_SER.pdf
PTVS20VP1UTP,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PTVS20VP1UTP,115 - TVS-Diode, PTVS2, Unidirektional, 20 V, 32.4 V, SOD-128, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 22.2V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 24.5V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 20V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PTVS2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 185°C
Klemmspannung, max.: 32.4V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HEF4046BT,653 2051440.pdf
HEF4046BT,653
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - HEF4046BT,653 - PLL, 7MHz, 3V bis 15V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 7MHz
PLL-Typ: VCO
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Bauform - PLL: SOIC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5140T,215 NEXP-S-A0002908688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBSS5140T,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5140T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384-C47,115 BZX384_SER.pdf
BZX384-C47,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX384-C47,115 - Zener-Diode, 47 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX384 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 47V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384-C4V7,115 BZX384_SER.pdf
BZX384-C4V7,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX384-C4V7,115 - Zener-Diode, 4.7 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX384 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS3V3S1UR,115 2648647.pdf
PTVS3V3S1UR,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PTVS3V3S1UR,115 - TVS-Diode, PTVS3, Unidirektional, 3.3 V, 8 V, SOD-123, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.2V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 6V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 3.3V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PTVS3
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 8V
на замовлення 276601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-C3V6,215 PHGLS29437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BZX84-C3V6,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX84-C3V6,215 - Zener-Diode, 3.6 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 77515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX8450-C3V6-QR 3540386.pdf
BZX8450-C3V6-QR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX8450-C3V6-QR - Zener-Diode, 3.6 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX8450-C3V6-QR 3540386.pdf
BZX8450-C3V6-QR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX8450-C3V6-QR - Zener-Diode, 3.6 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX8450-C3V6R NEXP-S-A0013328277-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX8450-C3V6R
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX8450-C3V6R - Zener-Diode, 3.6 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84W-C3V6X 2621301.pdf
BZX84W-C3V6X
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX84W-C3V6X - Zener-Diode, 3.6 V, 275 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 3.6
Verlustleistung: 275
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-323
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 275
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX84W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84W-C3V6X 2621301.pdf
BZX84W-C3V6X
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX84W-C3V6X - Zener-Diode, 3.6 V, 275 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84J-C3V6,115 NEXP-S-A0003107827-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX84J-C3V6,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX84J-C3V6,115 - ZENER DIODES
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84W-C3V6F 2621301.pdf
BZX84W-C3V6F
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX84W-C3V6F - ZENER DIODES
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS22VS1UR,115 2648647.pdf
PTVS22VS1UR,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PTVS22VS1UR,115 - TVS-Diode, PTVS2, Unidirektional, 22 V, 35.5 V, SOD-123, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 24.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 26.9V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 22V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PTVS2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 35.5V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008PBKW,115 NX3008PBKW.pdf
NX3008PBKW,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008PBKW,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 4.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS4240T,215 PHGLS26491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBSS4240T,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4240T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 470hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PNE20020ERX PNE20020ER.pdf
PNE20020ERX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PNE20020ERX - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 38 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W)
Durchlassstoßstrom: 38A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV46-QR 2915251.pdf
BCV46-QR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCV46-QR - Darlington-Transistor, PNP, 60 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV46-QR 2915251.pdf
BCV46-QR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCV46-QR - Darlington-Transistor, PNP, 60 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW71,215 PHGLS19398-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCW71,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW71,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW70,215 PHGLS27702-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCW70,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW70,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW72,215 3205170.pdf
BCW72,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW72,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW71,215 PHGLS19398-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCW71,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW71,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52-C6V2J NEXP-S-A0003514697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZT52-C6V2J
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZT52-C6V2J - ZENER DIODES
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLVH431NCDBZRR 2912942.pdf
TLVH431NCDBZRR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - TLVH431NCDBZRR - SPANN.REFERENZ SHUNT - EINST, 0 BIS 70°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 1.258V
Bauform - Spannungsreferenz: SOT-23
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.222V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 18V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 1.24V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1.5%
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLVH431NQDBZRR 2912942.pdf
TLVH431NQDBZRR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - TLVH431NQDBZRR - SPANN.REFER. SHUNT - EINST -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 1.258V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.222V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1.5%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC2G08DC,125 2342167.pdf
74HC2G08DC,125
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 74HC2G08DC,125 - AND-Gatter, 74HC, 2 Eingänge, 2V bis 6V,VSSOP-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: VSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 74HC2G08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115 NEXP-S-A0003060214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9Y12-40E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y12-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 8800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-75B,115 BUK9Y19-75B.pdf
BUK9Y19-75B,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 48.2 A, 0.0147 ohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115 BUK9Y153-100E.pdf
BUK9Y153-100E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y153-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.117 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y4R8-60E,115 PHGLS27993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9Y4R8-60E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y4R8-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-55B,115 2341444.pdf
BUK9Y19-55B,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm
на замовлення 13109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y4R4-40E,115 2341447.pdf
BUK9Y4R4-40E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y4R4-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0031 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R3-40HX BUK9Y1R3-40H.pdf
BUK9Y1R3-40HX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y3R5-40E,115 NEXP-S-A0003059397-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9Y3R5-40E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y3R5-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 167
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y30-75B,115 NEXP-S-A0002881622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9Y30-75B,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y30-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 34 A, 0.028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E.pdf
BUK9Y6R0-60E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y6R0-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y107-80EX NEXP-S-A0003060213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9Y107-80EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y107-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 11.8 A, 0.0824 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0824ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y21-40E,115 NEXP-S-A0001056927-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9Y21-40E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y21-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 33 A, 0.0144 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y72-80E,115 BUK9Y72-80E.pdf
BUK9Y72-80E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y72-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 15 A, 0.059 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y29-40E,115 BUK9Y29-40E.pdf
BUK9Y29-40E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y29-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0204 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0204ohm
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y2R8-40HX BUK9Y2R8-40H.pdf
BUK9Y2R8-40HX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-60E,115 BUK9Y25-60E.pdf
BUK9Y25-60E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.0183 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0183ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100E,115 BUK9Y12-100E.pdf
BUK9Y12-100E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y12-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0091 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y40-55B,115 BUK9Y40-55B.pdf
BUK9Y40-55B,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-60E,115 BUK9Y25-60E.pdf
BUK9Y25-60E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.0183 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0183ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80E,115 NEXP-S-A0002883767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9Y14-80E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y14-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40B,115 NEXP-S-A0002882022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9Y14-40B,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y14-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 9000 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115 NEXP-S-A0002935015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9Y25-80E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R7-60E,115 NEXP-S-A0003060222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9Y8R7-60E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R7-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.006 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y58-75B,115 NEXP-S-A0003059615-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9Y58-75B,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y58-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 20.73 A, 0.047 ohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20.73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60.4W
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84W-C12X 2621301.pdf
BZX84W-C12X
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX84W-C12X - Zener-Diode, 12 V, 275 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 275mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX884S-C12-QYL 3388614.pdf
BZX884S-C12-QYL
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX884S-C12-QYL - Zener-Diode, 12 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006BD
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX884S-Q
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX884S-C12YL 3178527.pdf
BZX884S-C12YL
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX884S-C12YL - Zener-Diode, 12 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 12
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DFN1006BD
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX884S
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 123 246 369 492 615 738 861 984 986 987 988 989 990 991 992 993 994 995 996 1107 1230 1235  [ Наступна Сторінка >> ]