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PBHV9215Z,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV9215Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 2 A, 730 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 35MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDTC114YU,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDTC114YU,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDTC114EQBZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC114EQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDTC114YQB-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDTC114YQBZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC114YQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: DFN1110D Bauform - HF-Transistor: DFN1110D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PESD3V3V4UW,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD3V3V4UW,115 - ESD-Schutzbaustein, 9 V, SOT-665, 5 Pin(s), 3.3 V, PESDxV4UW SeriestariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-665 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 9V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 3.3V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: PESDxV4UW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BZX585-C7V5,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX585-C7V5,115 - Zener-Diode, 7.5 V, 300 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX585 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 7.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1PS302,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 1PS302,115 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 85 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 1PS3 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 85V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBHV8560ZX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8560ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 500 mA, 650 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBHV8115T-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBHV8215Z,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8215Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 2 A, 730 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 33MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBHV9115X,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV9115X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 520 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 520mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 115MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBHV9115Z,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV9115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 115MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBHV8560ZX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8560ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 500 mA, 650 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBHV3160ZX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV3160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 38MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBHV9115T-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 115MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBHV9115T-QVL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 115MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBHV8115T-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBHV9115T-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 115MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBHV9115T-QVL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 115MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBHV9414ZX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV9414ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 4 A, 650 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBHV3160ZX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV3160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 38MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBHV8115X,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8115X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10 DC-Stromverstärkung hFE: 10 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5 Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BZT52-C20X | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZT52-C20X - Zener-Diode, 20 V, 590 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontageZener-Spannung, nom.: 20 Verlustleistung: 590 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: SOD-123 Qualifikation: AEC-Q101 Betriebstemperatur, max.: 150 Diodenmontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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PDZ2.4B,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDZ2.4B,115 - Zener-Diode, 2.4 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PDZ-B productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 2.4V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDZ2.4B,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDZ2.4B,115 - Zener-Diode, 2.4 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PDZ-B productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 2.4V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDZ2.4BF | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDZ2.4BF - Zener-Diode, 2.4 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), OberflächenmontageZener-Spannung, nom.: 2.4 Verlustleistung: 400 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: SOD-323 Qualifikation: - Betriebstemperatur, max.: - Diodenmontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
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PDZ2.4BZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDZ2.4BZ - Zener-Diode, 2.4 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), OberflächenmontageZener-Spannung, nom.: 2.4 Verlustleistung: 400 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: SOD-323 Qualifikation: - Betriebstemperatur, max.: - Diodenmontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
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PDZ2.4BGWJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDZ2.4BGWJ - Zener-Diode, 2.4 V, 365 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontageZener-Spannung, nom.: 2.4 Verlustleistung: 365 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: SOD-123 Qualifikation: AEC-Q101 Betriebstemperatur, max.: 150 Diodenmontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
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HEF4001BT,653 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - HEF4001BT,653 - NOR-Gatter, HEF4001, 2 Eingänge, 2.4mA, 3V bis 15V, SOIC-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: NOR-Gatter Logik-IC-Familie: 4000B Anzahl der Elemente: Vier Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 2.4mA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 4001 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 21952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZV90-C2V4,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZV90-C2V4,115 - Zener-Diode, 2.4 V, 1.5 W, SOT-223, 4 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontageBauform - Diode: SOT-223 Diodenmontage: Oberflächenmontage Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 1.5 Verlustleistung: 1.5 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: BZV90 Betriebstemperatur, max.: 150 Zener-Spannung, nom.: 2.4 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZV90-C2V4,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZV90-C2V4,115 - Zener-Diode, 2.4 V, 1.5 W, SOT-223, 4 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontageDiodenmontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZB984-C2V4,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZB984-C2V4,115 - Zener-Diodenarray, 2.4 V, Zweifach, gemeinsame Anode, 425 mW, 150 °C, SOT-663, 3 PinsSVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BZX884S-C2V4YL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX884S-C2V4YL - Zener-Diode, 2.4 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontageZener-Spannung, nom.: 2.4 Verlustleistung: 365 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: DFN1006BD Qualifikation: AEC-Q101 Betriebstemperatur, max.: 150 Diodenmontage: Oberflächenmontage Produktpalette: BZX884S SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX884S-C2V4YL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX884S-C2V4YL - Zener-Diode, 2.4 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontageBauform - Diode: DFN1006BD Diodenmontage: Oberflächenmontage Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung: 365 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: BZX884S Betriebstemperatur, max.: 150 Zener-Spannung, nom.: 2.4 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX8450-C2V4R | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX8450-C2V4R - Zener-Diode, 2.4 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-236AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX8450 Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 2.4V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74AVC4TD245BQ,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 74AVC4TD245BQ,115 - UMSETZENDER TRANSCEIVER, -40 BIS 125°CtariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 744T245 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74AVC Bauform - Logikbaustein: DHVQFN-EP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DHVQFN-EP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 800mV Logikfamilie / Sockelnummer: 74AVC4TD245 euEccn: NLR Logikbaustein: Transceiver, umsetzend Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74AVC4TD245BQ,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 74AVC4TD245BQ,115 - UMSETZENDER TRANSCEIVER, -40 BIS 125°CtariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 744T245 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74AVC Bauform - Logikbaustein: DHVQFN-EP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DHVQFN-EP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 800mV Logikfamilie / Sockelnummer: 74AVC4TD245 euEccn: NLR Logikbaustein: Transceiver, umsetzend Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDTA114YU,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDTA114YU,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDTA114YQB-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDTA114YQC-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA114YQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDTA114EQBZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA114EQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmDauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: DFN1110D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDTA114EQC-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA114EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDTA114EQBZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA114EQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmDauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: DFN1110D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDTA114YQB-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDTA114EQB-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA114EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZT52-B27J | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZT52-B27J - Zener-Diode, 27 V, 590 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontageZener-Spannung, nom.: 27 Verlustleistung: 590 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: SOD-123 Qualifikation: AEC-Q101 Betriebstemperatur, max.: 150 Diodenmontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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BZT52-B27X | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZT52-B27X - Zener-Diode, 27 V, 590 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontageZener-Spannung, nom.: 27 Verlustleistung: 590 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: SOD-123 Qualifikation: AEC-Q101 Betriebstemperatur, max.: 150 Diodenmontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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BZV55-B12,135 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZV55-B12,135 - Zener-Diode, 12 V, 500 mW, SOD-80C, 2 Pin(s), OberflächenmontageZener-Spannung, nom.: 12 Verlustleistung: 500 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: SOD-80C Qualifikation: - Betriebstemperatur, max.: - Diodenmontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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BZV90-C12,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZV90-C12,115 - Zener-Diode, 12 V, 1.5 W, SOT-223, 4 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-223 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BZV90 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 12V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZA868A | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZA868A - ESD-Schutzbaustein, TVS, 7.14 V, SOT-353, 5 Pin(s), 335 mW, BZA86Anzahl der Pins: 5 Bauform - Diode: SOT-353 Begrenzungsspannung Vc, max.: 7.14 Betriebsspannung: - Verlustleistung Pd: 335 Produktpalette: BZA86 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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BCX18,235 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX18,235 - TRANSISTOR, BIPOLARMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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BCX18,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX18,215 - TRANSISTOR, BIPOLARMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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BZV55-B27,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZV55-B27,115 - Zener-Diode, 27 V, 400 mW, SOD-80C, 2 Pin(s), 200 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-80C rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZV55 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 27V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HEF4027BT-Q100J | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - HEF4027BT-Q100J - IC, LOCMOSMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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PESD3V3S1ULSYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD3V3S1ULSYL - ESD-Schutzbaustein, 15.5 V, DFN1006BD, 2 Pin(s), 3.3 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1006BD rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 15.5V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 3.3V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PESD3V3S1BSFYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD3V3S1BSFYL - ESD-Schutzbaustein, 6 V, DSN0603, 2 Pin(s), 3.3 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DSN0603 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 6V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 3.3V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 13709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDTA143XT,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA143XT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA143X Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PBHV9215Z,115 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV9215Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 2 A, 730 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 35MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV9215Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 2 A, 730 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 35MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 62.82 грн |
| 22+ | 38.13 грн |
| 100+ | 24.61 грн |
| 500+ | 17.14 грн |
| PDTC114YU,115 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PDTC114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 24.04 грн |
| 73+ | 11.17 грн |
| 118+ | 6.89 грн |
| 500+ | 4.37 грн |
| PDTC114YU,115 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PDTC114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.17 грн |
| 118+ | 6.89 грн |
| 500+ | 4.37 грн |
| PDTC114EQBZ |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC114EQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PDTC114EQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 19.83 грн |
| 67+ | 12.22 грн |
| 107+ | 7.61 грн |
| 500+ | 5.17 грн |
| 1000+ | 4.20 грн |
| PDTC114YQB-QZ |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PDTC114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 20.08 грн |
| 67+ | 12.14 грн |
| 108+ | 7.56 грн |
| 500+ | 5.14 грн |
| 1000+ | 3.74 грн |
| PDTC114YQBZ |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC114YQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: DFN1110D
Bauform - HF-Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - PDTC114YQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: DFN1110D
Bauform - HF-Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.09 грн |
| 1000+ | 3.82 грн |
| 5000+ | 2.98 грн |
| PESD3V3V4UW,115 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD3V3V4UW,115 - ESD-Schutzbaustein, 9 V, SOT-665, 5 Pin(s), 3.3 V, PESDxV4UW Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-665
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PESDxV4UW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PESD3V3V4UW,115 - ESD-Schutzbaustein, 9 V, SOT-665, 5 Pin(s), 3.3 V, PESDxV4UW Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-665
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PESDxV4UW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BZX585-C7V5,115 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX585-C7V5,115 - Zener-Diode, 7.5 V, 300 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX585
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BZX585-C7V5,115 - Zener-Diode, 7.5 V, 300 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX585
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 31.25 грн |
| 43+ | 18.94 грн |
| 100+ | 11.66 грн |
| 500+ | 9.02 грн |
| 1000+ | 6.70 грн |
| 1PS302,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 1PS302,115 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 85 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1PS3
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - 1PS302,115 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 85 V, 200 mA, 1.2 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1PS3
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 29.38 грн |
| 59+ | 13.76 грн |
| 100+ | 12.06 грн |
| 500+ | 9.47 грн |
| 1000+ | 7.08 грн |
| PBHV8560ZX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8560ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 500 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV8560ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 500 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 66.62 грн |
| 20+ | 41.53 грн |
| 50+ | 34.24 грн |
| 200+ | 25.03 грн |
| 500+ | 17.76 грн |
| PBHV8115T-QR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV8115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 84.19 грн |
| 16+ | 51.89 грн |
| 100+ | 33.84 грн |
| PBHV8215Z,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8215Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 2 A, 730 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 33MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV8215Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 2 A, 730 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 33MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 62.82 грн |
| 21+ | 38.77 грн |
| 50+ | 31.97 грн |
| 200+ | 23.30 грн |
| 500+ | 16.44 грн |
| PBHV9115X,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV9115X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 520 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV9115X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 520 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 97.14 грн |
| 14+ | 59.33 грн |
| 100+ | 38.77 грн |
| PBHV9115Z,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV9115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV9115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 109.28 грн |
| 12+ | 68.00 грн |
| 100+ | 44.04 грн |
| PBHV8560ZX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8560ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 500 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV8560ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 500 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 34.24 грн |
| 200+ | 25.03 грн |
| 500+ | 17.76 грн |
| PBHV3160ZX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV3160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 38MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV3160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 38MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 107.66 грн |
| 13+ | 66.62 грн |
| 100+ | 43.63 грн |
| 500+ | 31.04 грн |
| PBHV9115T-QR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.52 грн |
| 500+ | 20.07 грн |
| 1000+ | 15.75 грн |
| PBHV9115T-QVL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 31.49 грн |
| 500+ | 22.10 грн |
| 1000+ | 16.51 грн |
| PBHV8115T-QR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV8115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 33.84 грн |
| PBHV9115T-QR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 76.25 грн |
| 18+ | 46.95 грн |
| 100+ | 30.52 грн |
| 500+ | 20.07 грн |
| 1000+ | 15.75 грн |
| PBHV9115T-QVL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 80.22 грн |
| 17+ | 49.30 грн |
| 100+ | 31.49 грн |
| 500+ | 22.10 грн |
| 1000+ | 16.51 грн |
| PBHV9414ZX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV9414ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 4 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV9414ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 4 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 109.28 грн |
| 12+ | 68.00 грн |
| 100+ | 44.04 грн |
| 500+ | 31.42 грн |
| PBHV3160ZX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV3160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 38MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV3160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 38MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 43.63 грн |
| 500+ | 31.04 грн |
| PBHV8115X,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8115X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - PBHV8115X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BZT52-C20X |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZT52-C20X - Zener-Diode, 20 V, 590 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Zener-Spannung, nom.: 20
Verlustleistung: 590
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-123
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BZT52-C20X - Zener-Diode, 20 V, 590 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Zener-Spannung, nom.: 20
Verlustleistung: 590
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-123
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PDZ2.4B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDZ2.4B,115 - Zener-Diode, 2.4 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PDZ-B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PDZ2.4B,115 - Zener-Diode, 2.4 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PDZ-B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 65+ | 12.55 грн |
| 114+ | 7.14 грн |
| 234+ | 3.46 грн |
| 500+ | 3.15 грн |
| PDZ2.4B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDZ2.4B,115 - Zener-Diode, 2.4 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PDZ-B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PDZ2.4B,115 - Zener-Diode, 2.4 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PDZ-B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.15 грн |
| PDZ2.4BF |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDZ2.4BF - Zener-Diode, 2.4 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), Oberflächenmontage
Zener-Spannung, nom.: 2.4
Verlustleistung: 400
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-323
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: -
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - PDZ2.4BF - Zener-Diode, 2.4 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), Oberflächenmontage
Zener-Spannung, nom.: 2.4
Verlustleistung: 400
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-323
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: -
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PDZ2.4BZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDZ2.4BZ - Zener-Diode, 2.4 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), Oberflächenmontage
Zener-Spannung, nom.: 2.4
Verlustleistung: 400
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-323
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: -
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - PDZ2.4BZ - Zener-Diode, 2.4 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), Oberflächenmontage
Zener-Spannung, nom.: 2.4
Verlustleistung: 400
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-323
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: -
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PDZ2.4BGWJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDZ2.4BGWJ - Zener-Diode, 2.4 V, 365 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Zener-Spannung, nom.: 2.4
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-123
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - PDZ2.4BGWJ - Zener-Diode, 2.4 V, 365 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Zener-Spannung, nom.: 2.4
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-123
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HEF4001BT,653 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - HEF4001BT,653 - NOR-Gatter, HEF4001, 2 Eingänge, 2.4mA, 3V bis 15V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.4mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 4001
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - HEF4001BT,653 - NOR-Gatter, HEF4001, 2 Eingänge, 2.4mA, 3V bis 15V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.4mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 4001
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 38.61 грн |
| 50+ | 24.12 грн |
| 100+ | 19.35 грн |
| 500+ | 17.06 грн |
| 1000+ | 14.99 грн |
| BZV90-C2V4,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZV90-C2V4,115 - Zener-Diode, 2.4 V, 1.5 W, SOT-223, 4 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-223
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.5
Verlustleistung: 1.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: BZV90
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 2.4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BZV90-C2V4,115 - Zener-Diode, 2.4 V, 1.5 W, SOT-223, 4 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-223
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.5
Verlustleistung: 1.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: BZV90
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 2.4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 51.00 грн |
| 19+ | 44.20 грн |
| 100+ | 33.03 грн |
| BZV90-C2V4,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZV90-C2V4,115 - Zener-Diode, 2.4 V, 1.5 W, SOT-223, 4 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BZV90-C2V4,115 - Zener-Diode, 2.4 V, 1.5 W, SOT-223, 4 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 33.03 грн |
| BZB984-C2V4,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZB984-C2V4,115 - Zener-Diodenarray, 2.4 V, Zweifach, gemeinsame Anode, 425 mW, 150 °C, SOT-663, 3 Pins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BZB984-C2V4,115 - Zener-Diodenarray, 2.4 V, Zweifach, gemeinsame Anode, 425 mW, 150 °C, SOT-663, 3 Pins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BZX884S-C2V4YL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX884S-C2V4YL - Zener-Diode, 2.4 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Zener-Spannung, nom.: 2.4
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DFN1006BD
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BZX884S
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BZX884S-C2V4YL - Zener-Diode, 2.4 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Zener-Spannung, nom.: 2.4
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DFN1006BD
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BZX884S
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 23.47 грн |
| 42+ | 19.35 грн |
| 100+ | 10.28 грн |
| 500+ | 6.31 грн |
| 1000+ | 4.72 грн |
| 5000+ | 4.62 грн |
| BZX884S-C2V4YL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX884S-C2V4YL - Zener-Diode, 2.4 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: DFN1006BD
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX884S
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 2.4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BZX884S-C2V4YL - Zener-Diode, 2.4 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: DFN1006BD
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX884S
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 2.4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.31 грн |
| 1000+ | 4.72 грн |
| 5000+ | 4.62 грн |
| BZX8450-C2V4R |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX8450-C2V4R - Zener-Diode, 2.4 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450 Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BZX8450-C2V4R - Zener-Diode, 2.4 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450 Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.64 грн |
| 1000+ | 6.01 грн |
| 74AVC4TD245BQ,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 74AVC4TD245BQ,115 - UMSETZENDER TRANSCEIVER, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 744T245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AVC
Bauform - Logikbaustein: DHVQFN-EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DHVQFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 800mV
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AVC4TD245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver, umsetzend
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - 74AVC4TD245BQ,115 - UMSETZENDER TRANSCEIVER, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 744T245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AVC
Bauform - Logikbaustein: DHVQFN-EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DHVQFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 800mV
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AVC4TD245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver, umsetzend
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 50.19 грн |
| 21+ | 38.69 грн |
| 100+ | 31.25 грн |
| 500+ | 27.59 грн |
| 74AVC4TD245BQ,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 74AVC4TD245BQ,115 - UMSETZENDER TRANSCEIVER, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 744T245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AVC
Bauform - Logikbaustein: DHVQFN-EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DHVQFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 800mV
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AVC4TD245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver, umsetzend
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - 74AVC4TD245BQ,115 - UMSETZENDER TRANSCEIVER, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 744T245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AVC
Bauform - Logikbaustein: DHVQFN-EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DHVQFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 800mV
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AVC4TD245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver, umsetzend
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 31.25 грн |
| 500+ | 27.59 грн |
| PDTA114YU,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PDTA114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 11.58 грн |
| 117+ | 6.95 грн |
| 184+ | 4.40 грн |
| 500+ | 3.23 грн |
| 1000+ | 2.65 грн |
| PDTA114YU,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PDTA114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.23 грн |
| 1000+ | 2.65 грн |
| PDTA114YQB-QZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PDTA114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.50 грн |
| 500+ | 5.77 грн |
| 1000+ | 4.69 грн |
| PDTA114YQC-QZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA114YQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PDTA114YQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 20.08 грн |
| 68+ | 12.06 грн |
| 108+ | 7.56 грн |
| 500+ | 5.14 грн |
| 1000+ | 3.74 грн |
| PDTA114EQBZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA114EQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - PDTA114EQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.72 грн |
| 1000+ | 3.59 грн |
| 5000+ | 2.80 грн |
| PDTA114EQC-QZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA114EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PDTA114EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 19.99 грн |
| 68+ | 12.06 грн |
| 108+ | 7.52 грн |
| 500+ | 5.13 грн |
| 1000+ | 3.72 грн |
| PDTA114EQBZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA114EQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - PDTA114EQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 21.29 грн |
| 47+ | 17.57 грн |
| 100+ | 9.39 грн |
| 500+ | 5.72 грн |
| 1000+ | 3.59 грн |
| 5000+ | 2.80 грн |
| PDTA114YQB-QZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PDTA114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 22.58 грн |
| 60+ | 13.68 грн |
| 100+ | 8.50 грн |
| 500+ | 5.77 грн |
| 1000+ | 4.69 грн |
| PDTA114EQB-QZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA114EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PDTA114EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 20.08 грн |
| 67+ | 12.14 грн |
| 108+ | 7.56 грн |
| 500+ | 5.14 грн |
| 1000+ | 3.74 грн |
| BZT52-B27J |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZT52-B27J - Zener-Diode, 27 V, 590 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Zener-Spannung, nom.: 27
Verlustleistung: 590
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-123
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BZT52-B27J - Zener-Diode, 27 V, 590 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Zener-Spannung, nom.: 27
Verlustleistung: 590
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-123
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BZT52-B27X |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZT52-B27X - Zener-Diode, 27 V, 590 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Zener-Spannung, nom.: 27
Verlustleistung: 590
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-123
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BZT52-B27X - Zener-Diode, 27 V, 590 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Zener-Spannung, nom.: 27
Verlustleistung: 590
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-123
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BZV55-B12,135 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZV55-B12,135 - Zener-Diode, 12 V, 500 mW, SOD-80C, 2 Pin(s), Oberflächenmontage
Zener-Spannung, nom.: 12
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-80C
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: -
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BZV55-B12,135 - Zener-Diode, 12 V, 500 mW, SOD-80C, 2 Pin(s), Oberflächenmontage
Zener-Spannung, nom.: 12
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-80C
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: -
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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| BZV90-C12,115 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZV90-C12,115 - Zener-Diode, 12 V, 1.5 W, SOT-223, 4 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-223
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BZV90
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BZV90-C12,115 - Zener-Diode, 12 V, 1.5 W, SOT-223, 4 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-223
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BZV90
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 48.16 грн |
| 25+ | 33.51 грн |
| 50+ | 27.52 грн |
| 200+ | 19.92 грн |
| BZA868A |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZA868A - ESD-Schutzbaustein, TVS, 7.14 V, SOT-353, 5 Pin(s), 335 mW, BZA86
Anzahl der Pins: 5
Bauform - Diode: SOT-353
Begrenzungsspannung Vc, max.: 7.14
Betriebsspannung: -
Verlustleistung Pd: 335
Produktpalette: BZA86
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: NEXPERIA - BZA868A - ESD-Schutzbaustein, TVS, 7.14 V, SOT-353, 5 Pin(s), 335 mW, BZA86
Anzahl der Pins: 5
Bauform - Diode: SOT-353
Begrenzungsspannung Vc, max.: 7.14
Betriebsspannung: -
Verlustleistung Pd: 335
Produktpalette: BZA86
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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| BCX18,235 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX18,235 - TRANSISTOR, BIPOLAR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BCX18,235 - TRANSISTOR, BIPOLAR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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| BCX18,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX18,215 - TRANSISTOR, BIPOLAR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BCX18,215 - TRANSISTOR, BIPOLAR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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| BZV55-B27,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZV55-B27,115 - Zener-Diode, 27 V, 400 mW, SOD-80C, 2 Pin(s), 200 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80C
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZV55
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 27V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BZV55-B27,115 - Zener-Diode, 27 V, 400 mW, SOD-80C, 2 Pin(s), 200 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80C
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZV55
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 27V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 21.86 грн |
| 63+ | 13.03 грн |
| 100+ | 8.18 грн |
| 500+ | 6.46 грн |
| HEF4027BT-Q100J |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - HEF4027BT-Q100J - IC, LOCMOS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - HEF4027BT-Q100J - IC, LOCMOS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| PESD3V3S1ULSYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD3V3S1ULSYL - ESD-Schutzbaustein, 15.5 V, DFN1006BD, 2 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006BD
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NEXPERIA - PESD3V3S1ULSYL - ESD-Schutzbaustein, 15.5 V, DFN1006BD, 2 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006BD
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.18 грн |
| PESD3V3S1BSFYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD3V3S1BSFYL - ESD-Schutzbaustein, 6 V, DSN0603, 2 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DSN0603
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 6V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PESD3V3S1BSFYL - ESD-Schutzbaustein, 6 V, DSN0603, 2 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DSN0603
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 6V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.16 грн |
| 500+ | 10.30 грн |
| 1000+ | 7.84 грн |
| 5000+ | 6.59 грн |
| PDTA143XT,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA143XT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA143X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PDTA143XT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA143X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.55 грн |
| 104+ | 7.84 грн |
| 166+ | 4.91 грн |
| 500+ | 3.30 грн |
| 1500+ | 2.69 грн |
























