Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142384) > Сторінка 1228 з 2374

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1223 1224 1225 1226 1227 1228 1229 1230 1231 1232 1233 1422 1659 1896 2133 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SB1302S-TD-E 2SB1302S-TD-E onsemi 2sb1302-d.pdf Description: TRANS PNP 20V 5A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1109+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 1109
В кошику  од. на суму  грн.
FFAF40U60DNTU FFAF40U60DNTU onsemi FFAF40U60DN.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 40A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD6039T4G NJVMJD6039T4G onsemi mjd6039-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD6039T4G NJVMJD6039T4G onsemi mjd6039-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZD FDD1600N10ALZD onsemi fdd1600n10alzd-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZD FDD1600N10ALZD onsemi fdd1600n10alzd-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0 FDD14AN06LA0 onsemi FDD14AN06LA0.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25640VI-G CAT25640VI-G onsemi cat25640-d.pdf Description: IC EEPROM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 20 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
525+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 525
В кошику  од. на суму  грн.
LV5071M-TLM-H onsemi LV5071M.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 1A 12MFPS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-LSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 2.2MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 12-MFPS
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 3.3V
Voltage - Input (Min): 2.95V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LV5071M-TLM-H onsemi LV5071M.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 1A 12MFPS
Packaging: Bulk
Package / Case: 12-LSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 2.2MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 12-MFPS
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 3.3V
Voltage - Input (Min): 2.95V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+58.01 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
SN74LS02D SN74LS02D onsemi sn74ls02 Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Current - Output High, Low: 400µA, 16mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 15ns @ 5V, 15pF
Number of Circuits: 4
на замовлення 13122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+60.41 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20L60CTG MBR20L60CTG onsemi mbr20l60ct-d.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOT 60V 10A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 380 µA @ 60 V
на замовлення 11850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
366+64.35 грн
Мінімальне замовлення: 366
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C08TDI-GT3 CAT24C08TDI-GT3 onsemi cat24c01-d.pdf Description: IC EEPROM 8KBIT 400KHZ TSOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: TSOT-23-5
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 900 ns
Memory Organization: 1K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C08TDI-GT3 CAT24C08TDI-GT3 onsemi cat24c01-d.pdf Description: IC EEPROM 8KBIT 400KHZ TSOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: TSOT-23-5
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 900 ns
Memory Organization: 1K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.60 грн
17+18.97 грн
25+18.48 грн
50+17.00 грн
100+16.64 грн
250+16.16 грн
500+15.54 грн
1000+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSM80100MT1G NSM80100MT1G onsemi nsm80100m-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 270 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSM80100MT1G NSM80100MT1G onsemi nsm80100m-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 270 mW
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.49 грн
16+19.84 грн
100+13.40 грн
500+9.77 грн
1000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NB7NPQ1404E2MMUTWG NB7NPQ1404E2MMUTWG onsemi nb7npq1404e2m-d.pdf Description: NB7NPQ1404E2M - 3.3 V USB 3.1 GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 34-UFQFN Exposed Pad
Number of Channels: 4
Mounting Type: Surface Mount
Output: Differential
Type: Buffer, ReDriver
Input: CML
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Applications: USB
Current - Supply: 250mA
Data Rate (Max): 10Gbps
Supplier Device Package: 34-UQFN (2.5x4.5)
Signal Conditioning: Input Equalization
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NB7NPQ1404E2MMUTWG NB7NPQ1404E2MMUTWG onsemi nb7npq1404e2m-d.pdf Description: NB7NPQ1404E2M - 3.3 V USB 3.1 GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 34-UFQFN Exposed Pad
Number of Channels: 4
Mounting Type: Surface Mount
Output: Differential
Type: Buffer, ReDriver
Input: CML
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Applications: USB
Current - Supply: 250mA
Data Rate (Max): 10Gbps
Supplier Device Package: 34-UQFN (2.5x4.5)
Signal Conditioning: Input Equalization
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+327.18 грн
10+202.77 грн
25+173.64 грн
100+132.01 грн
250+116.82 грн
500+107.48 грн
1000+98.02 грн
2500+96.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930A FDS6930A onsemi FAIRS26730-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930A FDS6930A onsemi FAIRS26730-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTC160N120SC1 onsemi NTC160N120SC1-D.PDF Description: SILICON CARBIDE MOSFET, CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVC160N120SC1 onsemi NVC160N120SC1-D.PDF Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG070N120M3S NVBG070N120M3S onsemi NVBG070N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 684800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+659.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG070N120M3S NVBG070N120M3S onsemi NVBG070N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 685408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1209.00 грн
10+848.92 грн
100+753.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG070N120M3S NTBG070N120M3S onsemi NTBG070N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+261.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG070N120M3S NTBG070N120M3S onsemi NTBG070N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+614.80 грн
10+401.64 грн
100+294.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L070N120M3S NTH4L070N120M3S onsemi nth4l070n120m3s-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+729.35 грн
10+481.48 грн
450+344.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L070N120M3S NVH4L070N120M3S onsemi nvh4l070n120m3s-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1266.68 грн
30+821.20 грн
120+794.50 грн
510+651.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SA28ARL SA28ARL onsemi SA5.0A-D.pdf Description: TVS DIODE 28VWM 45.4VC AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.4V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 2049
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS3257CMX3TCG onsemi NLAS3157-D.PDF Description: MUX / DEMUX ANALOG SWITCH LOW VO
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 9.9Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 6-XLLGA (1x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.5V
Crosstalk: -21dB @ 240MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 1.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVVR26A120M1WSB NVVR26A120M1WSB onsemi nvvr26a120m1wsb-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDE
Packaging: Tube
Package / Case: 15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 400A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.75µC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 150mA
Supplier Device Package: AHPM15-CDE
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+63507.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVVR26A120M1WST NVVR26A120M1WST onsemi nvvr26a120m1wst-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDA
Packaging: Tube
Package / Case: 15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 400A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.75µC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 150mA
Supplier Device Package: AHPM15-CDA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+63507.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVVR26A120M1WSS NVVR26A120M1WSS onsemi nvvr26a120m1wss-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDI
Packaging: Tube
Package / Case: 15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 400A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.75µC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 150mA
Supplier Device Package: AHPM15-CDI
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+63507.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SZNUP2201MR6T1G SZNUP2201MR6T1G onsemi NUP2201MR6-D.PDF Description: TVS DIODE 5VWM 20VC 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: DVI, Telecom, USB
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: Yes
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBV105GLT1 MMBV105GLT1 onsemi mmbv105glt1-d.pdf Description: DIODE TUNING SS 30V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBV105GLT1 MMBV105GLT1 onsemi mmbv105glt1-d.pdf Description: DIODE TUNING SS 30V SOT23
Packaging: Bulk
на замовлення 32671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 790
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5G NSBC114EDP6T5G onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 529587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4948+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 4948
В кошику  од. на суму  грн.
SZNZ8F5V6SMX2WT5G SZNZ8F5V6SMX2WT5G onsemi nz8f2v4mx2w-d.pdf Description: 5.6V ZENER TIGHT TOLERANCE IN X2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2.32%
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2.5 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZNZ8F5V6SMX2WT5G SZNZ8F5V6SMX2WT5G onsemi nz8f2v4mx2w-d.pdf Description: 5.6V ZENER TIGHT TOLERANCE IN X2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2.32%
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2.5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.13 грн
27+11.98 грн
100+8.04 грн
500+5.79 грн
1000+5.20 грн
2000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PCFG60T120SQF onsemi PCFG60T120SQF-D.PDF Description: IGBT FIELD STOP 1200V WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: Wafer
IGBT Type: Field Stop
Gate Charge: 318 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33761SNT1-050 MC33761SNT1-050 onsemi mc33761-d.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 80MA 5-TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 80mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 180 µA
Voltage - Input (Max): 12V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-TSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 80mA
Protection Features: Antisaturation, Over Current, Over Temperature
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 2049
В кошику  од. на суму  грн.
MC33761SNT1-029 MC33761SNT1-029 onsemi mc33761-d.pdf Description: IC REG LINEAR 2.9V 80MA 5-TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 80mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 180 µA
Voltage - Input (Max): 12V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-TSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.9V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 80mA
Protection Features: Antisaturation, Over Current, Over Temperature
на замовлення 5844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 2049
В кошику  од. на суму  грн.
MC33761SNT1-028 MC33761SNT1-028 onsemi mc33761-d.pdf Description: IC REG LINEAR 2.8V 80MA 5-TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 80mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 180 µA
Voltage - Input (Max): 12V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-TSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 80mA
Protection Features: Antisaturation, Over Current, Over Temperature
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 2049
В кошику  од. на суму  грн.
MC33761SNT1-028G MC33761SNT1-028G onsemi mc33761-d.pdf Description: IC REG LINEAR 2.8V 80MA 5TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 80mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 180 µA
Voltage - Input (Max): 12V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-TSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 80mA
Protection Features: Antisaturation, Over Current, Over Temperature
на замовлення 12375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1048+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 1048
В кошику  од. на суму  грн.
MC33761SNT1-029G MC33761SNT1-029G onsemi mc33761-d.pdf Description: IC REG LINEAR 2.9V 80MA 5TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 80mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 180 µA
Voltage - Input (Max): 12V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-TSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.9V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 80mA
Protection Features: Antisaturation, Over Current, Over Temperature
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 919
В кошику  од. на суму  грн.
NSVUMZ1NT1G NSVUMZ1NT1G onsemi umz1nt1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 50V 200MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.78 грн
28+11.59 грн
100+7.19 грн
500+4.95 грн
1000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA26CAT3 1SMA26CAT3 onsemi 1SMA10CAT3 Series.pdf Description: TVS 400W 26V BIDIRECT SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C512WIGT3JN CAT24C512WIGT3JN onsemi cat24c512-d.pdf Description: 512-KB I2C SERIAL EEPROM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 900 ns
Memory Organization: 64K x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C512WIGT3JN CAT24C512WIGT3JN onsemi cat24c512-d.pdf Description: 512-KB I2C SERIAL EEPROM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 900 ns
Memory Organization: 64K x 8
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.97 грн
11+30.32 грн
25+29.52 грн
50+27.11 грн
100+26.53 грн
250+25.75 грн
500+24.74 грн
1000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120M3F1PG NXH010P120M3F1PG onsemi nxh010p120m3f1-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6451pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 90A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 45mA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5236.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120M3F1PTG NXH010P120M3F1PTG onsemi nxh010p120m3f1-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6451pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 90A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 45mA
на замовлення 4227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5236.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTNG NXH010P120MNF1PTNG onsemi nxh010p120mnf1-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7831.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHG NXH006P120M3F2PTHG onsemi nxh006p120m3f2-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 191A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 556W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 191A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11914pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 622nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 80mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10237.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD238 onsemi BD237-D.PDF Description: TRANS PNP 80V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD8011MUT5G SZESD8011MUT5G onsemi ESD8011-D.PDF Description: TVS DIODE 5.5VWM 17.2VC 2X3DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 0.1pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 2-X3DFN (0.6x0.3) (0201)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17.2V (Typ)
Power - Peak Pulse: 34W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSVPZT751T1G onsemi Description: IC TRANS HC XSTR SOT223
Packaging: Bulk
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5310MTWG BCP5310MTWG onsemi bcp53m-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.04 грн
10+33.25 грн
100+21.49 грн
500+15.40 грн
1000+13.86 грн
3000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5310MTWG onsemi BCP53M-D.PDF Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33275DT-3.0RKG MC33275DT-3.0RKG onsemi mc33275-d.pdf Description: IC REG LINEAR 3V 300MA DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Voltage - Input (Max): 13V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: DPAK
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
PSRR: 75dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
552+35.63 грн
Мінімальне замовлення: 552
В кошику  од. на суму  грн.
CS5204-5GT3 CS5204-5GT3 onsemi CS5204-1-D.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 4A
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 17V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 75dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.2V @ 4A
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 21650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+39.18 грн
Мінімальне замовлення: 579
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1302S-TD-E 2sb1302-d.pdf
2SB1302S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 20V 5A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1109+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 1109
В кошику  од. на суму  грн.
FFAF40U60DNTU FFAF40U60DN.pdf
FFAF40U60DNTU
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 600V 40A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD6039T4G mjd6039-d.pdf
NJVMJD6039T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD6039T4G mjd6039-d.pdf
NJVMJD6039T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZD fdd1600n10alzd-d.pdf
FDD1600N10ALZD
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD1600N10ALZD fdd1600n10alzd-d.pdf
FDD1600N10ALZD
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD14AN06LA0 FDD14AN06LA0.pdf
FDD14AN06LA0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25640VI-G cat25640-d.pdf
CAT25640VI-G
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 20 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
525+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 525
В кошику  од. на суму  грн.
LV5071M-TLM-H LV5071M.pdf
Виробник: onsemi
Description: IC REG BUCK ADJ 1A 12MFPS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-LSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 2.2MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 12-MFPS
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 3.3V
Voltage - Input (Min): 2.95V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LV5071M-TLM-H LV5071M.pdf
Виробник: onsemi
Description: IC REG BUCK ADJ 1A 12MFPS
Packaging: Bulk
Package / Case: 12-LSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 2.2MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 12-MFPS
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 3.3V
Voltage - Input (Min): 2.95V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
392+58.01 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
SN74LS02D sn74ls02
SN74LS02D
Виробник: onsemi
Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Current - Output High, Low: 400µA, 16mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 15ns @ 5V, 15pF
Number of Circuits: 4
на замовлення 13122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
350+60.41 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20L60CTG mbr20l60ct-d.pdf
MBR20L60CTG
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY SCHOT 60V 10A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 380 µA @ 60 V
на замовлення 11850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
366+64.35 грн
Мінімальне замовлення: 366
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C08TDI-GT3 cat24c01-d.pdf
CAT24C08TDI-GT3
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 8KBIT 400KHZ TSOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: TSOT-23-5
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 900 ns
Memory Organization: 1K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C08TDI-GT3 cat24c01-d.pdf
CAT24C08TDI-GT3
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 8KBIT 400KHZ TSOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: TSOT-23-5
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 900 ns
Memory Organization: 1K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.60 грн
17+18.97 грн
25+18.48 грн
50+17.00 грн
100+16.64 грн
250+16.16 грн
500+15.54 грн
1000+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSM80100MT1G nsm80100m-d.pdf
NSM80100MT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 270 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSM80100MT1G nsm80100m-d.pdf
NSM80100MT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 270 mW
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.49 грн
16+19.84 грн
100+13.40 грн
500+9.77 грн
1000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NB7NPQ1404E2MMUTWG nb7npq1404e2m-d.pdf
NB7NPQ1404E2MMUTWG
Виробник: onsemi
Description: NB7NPQ1404E2M - 3.3 V USB 3.1 GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 34-UFQFN Exposed Pad
Number of Channels: 4
Mounting Type: Surface Mount
Output: Differential
Type: Buffer, ReDriver
Input: CML
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Applications: USB
Current - Supply: 250mA
Data Rate (Max): 10Gbps
Supplier Device Package: 34-UQFN (2.5x4.5)
Signal Conditioning: Input Equalization
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NB7NPQ1404E2MMUTWG nb7npq1404e2m-d.pdf
NB7NPQ1404E2MMUTWG
Виробник: onsemi
Description: NB7NPQ1404E2M - 3.3 V USB 3.1 GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 34-UFQFN Exposed Pad
Number of Channels: 4
Mounting Type: Surface Mount
Output: Differential
Type: Buffer, ReDriver
Input: CML
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Applications: USB
Current - Supply: 250mA
Data Rate (Max): 10Gbps
Supplier Device Package: 34-UQFN (2.5x4.5)
Signal Conditioning: Input Equalization
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+327.18 грн
10+202.77 грн
25+173.64 грн
100+132.01 грн
250+116.82 грн
500+107.48 грн
1000+98.02 грн
2500+96.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930A FAIRS26730-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS6930A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930A FAIRS26730-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS6930A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTC160N120SC1 NTC160N120SC1-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVC160N120SC1 NVC160N120SC1-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG070N120M3S NVBG070N120M3S-D.PDF
NVBG070N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 684800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+659.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG070N120M3S NVBG070N120M3S-D.PDF
NVBG070N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 685408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1209.00 грн
10+848.92 грн
100+753.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG070N120M3S NTBG070N120M3S-D.PDF
NTBG070N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+261.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG070N120M3S NTBG070N120M3S-D.PDF
NTBG070N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+614.80 грн
10+401.64 грн
100+294.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L070N120M3S nth4l070n120m3s-d.pdf
NTH4L070N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+729.35 грн
10+481.48 грн
450+344.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L070N120M3S nvh4l070n120m3s-d.pdf
NVH4L070N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1266.68 грн
30+821.20 грн
120+794.50 грн
510+651.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SA28ARL SA5.0A-D.pdf
SA28ARL
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 28VWM 45.4VC AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.4V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2049+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 2049
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS3257CMX3TCG NLAS3157-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MUX / DEMUX ANALOG SWITCH LOW VO
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 9.9Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 6-XLLGA (1x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.5V
Crosstalk: -21dB @ 240MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 25ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 1.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVVR26A120M1WSB nvvr26a120m1wsb-d.pdf
NVVR26A120M1WSB
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDE
Packaging: Tube
Package / Case: 15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 400A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.75µC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 150mA
Supplier Device Package: AHPM15-CDE
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+63507.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVVR26A120M1WST nvvr26a120m1wst-d.pdf
NVVR26A120M1WST
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDA
Packaging: Tube
Package / Case: 15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 400A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.75µC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 150mA
Supplier Device Package: AHPM15-CDA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+63507.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVVR26A120M1WSS nvvr26a120m1wss-d.pdf
NVVR26A120M1WSS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDI
Packaging: Tube
Package / Case: 15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 400A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.75µC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 150mA
Supplier Device Package: AHPM15-CDI
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+63507.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SZNUP2201MR6T1G NUP2201MR6-D.PDF
SZNUP2201MR6T1G
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 5VWM 20VC 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: DVI, Telecom, USB
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: Yes
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBV105GLT1 mmbv105glt1-d.pdf
MMBV105GLT1
Виробник: onsemi
Description: DIODE TUNING SS 30V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBV105GLT1 mmbv105glt1-d.pdf
MMBV105GLT1
Виробник: onsemi
Description: DIODE TUNING SS 30V SOT23
Packaging: Bulk
на замовлення 32671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
790+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 790
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDP6T5G dtc114ed-d.pdf
NSBC114EDP6T5G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 529587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4948+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 4948
В кошику  од. на суму  грн.
SZNZ8F5V6SMX2WT5G nz8f2v4mx2w-d.pdf
SZNZ8F5V6SMX2WT5G
Виробник: onsemi
Description: 5.6V ZENER TIGHT TOLERANCE IN X2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2.32%
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2.5 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZNZ8F5V6SMX2WT5G nz8f2v4mx2w-d.pdf
SZNZ8F5V6SMX2WT5G
Виробник: onsemi
Description: 5.6V ZENER TIGHT TOLERANCE IN X2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2.32%
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2.5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.13 грн
27+11.98 грн
100+8.04 грн
500+5.79 грн
1000+5.20 грн
2000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PCFG60T120SQF PCFG60T120SQF-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1200V WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: Wafer
IGBT Type: Field Stop
Gate Charge: 318 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33761SNT1-050 mc33761-d.pdf
MC33761SNT1-050
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 5V 80MA 5-TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 80mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 180 µA
Voltage - Input (Max): 12V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-TSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 80mA
Protection Features: Antisaturation, Over Current, Over Temperature
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2049+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 2049
В кошику  од. на суму  грн.
MC33761SNT1-029 mc33761-d.pdf
MC33761SNT1-029
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 2.9V 80MA 5-TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 80mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 180 µA
Voltage - Input (Max): 12V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-TSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.9V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 80mA
Protection Features: Antisaturation, Over Current, Over Temperature
на замовлення 5844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2049+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 2049
В кошику  од. на суму  грн.
MC33761SNT1-028 mc33761-d.pdf
MC33761SNT1-028
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 2.8V 80MA 5-TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 80mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 180 µA
Voltage - Input (Max): 12V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-TSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 80mA
Protection Features: Antisaturation, Over Current, Over Temperature
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2049+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 2049
В кошику  од. на суму  грн.
MC33761SNT1-028G mc33761-d.pdf
MC33761SNT1-028G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 2.8V 80MA 5TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 80mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 180 µA
Voltage - Input (Max): 12V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-TSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 80mA
Protection Features: Antisaturation, Over Current, Over Temperature
на замовлення 12375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1048+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 1048
В кошику  од. на суму  грн.
MC33761SNT1-029G mc33761-d.pdf
MC33761SNT1-029G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 2.9V 80MA 5TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 80mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 180 µA
Voltage - Input (Max): 12V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-TSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.9V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 80mA
Protection Features: Antisaturation, Over Current, Over Temperature
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
919+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 919
В кошику  од. на суму  грн.
NSVUMZ1NT1G umz1nt1-d.pdf
NSVUMZ1NT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 50V 200MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 114MHz, 142MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.78 грн
28+11.59 грн
100+7.19 грн
500+4.95 грн
1000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA26CAT3 1SMA10CAT3 Series.pdf
1SMA26CAT3
Виробник: onsemi
Description: TVS 400W 26V BIDIRECT SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C512WIGT3JN cat24c512-d.pdf
CAT24C512WIGT3JN
Виробник: onsemi
Description: 512-KB I2C SERIAL EEPROM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 900 ns
Memory Organization: 64K x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C512WIGT3JN cat24c512-d.pdf
CAT24C512WIGT3JN
Виробник: onsemi
Description: 512-KB I2C SERIAL EEPROM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 900 ns
Memory Organization: 64K x 8
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.97 грн
11+30.32 грн
25+29.52 грн
50+27.11 грн
100+26.53 грн
250+25.75 грн
500+24.74 грн
1000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120M3F1PG nxh010p120m3f1-d.pdf
NXH010P120M3F1PG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6451pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 90A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 45mA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5236.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120M3F1PTG nxh010p120m3f1-d.pdf
NXH010P120M3F1PTG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6451pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 90A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 45mA
на замовлення 4227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5236.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTNG nxh010p120mnf1-d.pdf
NXH010P120MNF1PTNG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7831.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHG nxh006p120m3f2-d.pdf
NXH006P120M3F2PTHG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 191A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 556W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 191A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11914pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 622nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 80mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10237.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD238 BD237-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD8011MUT5G ESD8011-D.PDF
SZESD8011MUT5G
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 5.5VWM 17.2VC 2X3DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 0.1pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 2-X3DFN (0.6x0.3) (0201)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17.2V (Typ)
Power - Peak Pulse: 34W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSVPZT751T1G
Виробник: onsemi
Description: IC TRANS HC XSTR SOT223
Packaging: Bulk
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
701+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5310MTWG bcp53m-d.pdf
BCP5310MTWG
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.04 грн
10+33.25 грн
100+21.49 грн
500+15.40 грн
1000+13.86 грн
3000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5310MTWG BCP53M-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33275DT-3.0RKG mc33275-d.pdf
MC33275DT-3.0RKG
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 3V 300MA DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Voltage - Input (Max): 13V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: DPAK
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
PSRR: 75dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
552+35.63 грн
Мінімальне замовлення: 552
В кошику  од. на суму  грн.
CS5204-5GT3 CS5204-1-D.pdf
CS5204-5GT3
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 5V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 4A
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 17V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 75dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.2V @ 4A
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 21650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
579+39.18 грн
Мінімальне замовлення: 579
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1223 1224 1225 1226 1227 1228 1229 1230 1231 1232 1233 1422 1659 1896 2133 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]