Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (144903) > Сторінка 1231 з 2416

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 241 482 723 964 1205 1226 1227 1228 1229 1230 1231 1232 1233 1234 1235 1236 1446 1687 1928 2169 2410 2416  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NUP4103FCT1 NUP4103FCT1 onsemi NUP4103FC.pdf Description: TVS DIODE 5.5VWM 5FLIPCHIP CSP
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 5-FlipChip CSP (1.33x0.96)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-WFBGA, FCBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP400FCT2G onsemi ncp400-d.pdf Description: IC REG LIN 1.8V 150MA 6FLIPCHIP
Current - Supply (Max): 100 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 100mA
PSRR: 50dB (1kHz)
Control Features: Enable, Reset
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Supplier Device Package: 6-FlipChip (1.5x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5V
Current - Quiescent (Iq): 1 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 150mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 6-UFBGA, FCBGA
Packaging: Bulk
на замовлення 80800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN-NB5E023A onsemi FDC637AN-D.PDF Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 2.
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C-F169 onsemi FDC6327C-D.PDF Description: DUAL N & P-CHANNEL POWERTRENCH M
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 1.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 10V, 325pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V, 170mOhm @ 1.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V, 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR260 MUR260 onsemi mur260-d.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 2A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Axial
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1ZMMBZ5242BLT1 S1ZMMBZ5242BLT1 onsemi Description: DIODE ZENER .225W SPCL SOT23
Packaging: Bulk
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 11539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242B MMBZ5242B onsemi MMBZ5221B-5257B.pdf Description: DIODE ZENER 12V 350MW SOT23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 8.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 350 mW
Supplier Device Package: SOT-23-3
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242B MMBZ5242B onsemi MMBZ5221B-5257B.pdf Description: DIODE ZENER 12V 350MW SOT23-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 8.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 350 mW
Supplier Device Package: SOT-23-3
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242BLT1 MMBZ5242BLT1 onsemi mmbz5221blt1-d.pdf Description: DIODE ZENER 12V 225MW SOT23
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 9.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 225 mW
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QTLP321CR onsemi QTLP321Cx.pdf Description: LED RED POWER LED T/H
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.200", 5.08mm)
Color: Red
Size / Dimension: 7.62mm L x 7.62mm W
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Standard
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.2V
Current - Test: 70mA
Viewing Angle: 50°
Height (Max): 6.50mm
Wavelength - Peak: 640nm
Wavelength - Dominant: 630nm
Supplier Device Package: POWER LED
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 3.00mm Dia
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EC4401C-TL EC4401C-TL onsemi EC4401C.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 150MA ECSP1008-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EC4401C-TL EC4401C-TL onsemi EC4401C.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 150MA ECSP1008-4
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 2219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EC4H08C-TL-H EC4H08C-TL-H onsemi EC4H08C.pdf Description: RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 50mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EC4H09C-TL-H EC4H09C-TL-H onsemi EC4H09C.pdf Description: RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 26GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+51.18 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NIS5112D1R2G NIS5112D1R2G onsemi nis5112-d.pdf Description: IC ELECTRONIC FUSE 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 9V ~ 18V
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+121.66 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NB4N7132DTR2G NB4N7132DTR2G onsemi NB4N7132.pdf Description: IC CLK LINK REPLICATOR HDTV
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Input: LVPECL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.14V ~ 3.47V
Main Purpose: Fibre Channel, Gigabit Ethernet, HDTV, SATA
Ratio - Input:Output: 3:3
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 28-TSSOP
PLL: No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 33866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+283.14 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NB4N7132DTG NB4N7132DTG onsemi NB4N7132.pdf Description: IC CLK LINK REPLICATOR HDTV
Packaging: Tube
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Input: LVPECL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.14V ~ 3.47V
Main Purpose: Fibre Channel, Gigabit Ethernet, HDTV, SATA
Ratio - Input:Output: 3:3
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 28-TSSOP
PLL: No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+283.14 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81611AMNTXG NCP81611AMNTXG onsemi Description: NVIDIA OVR4I+ CONTROLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 1.2MHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.8V ~ 20V
Supplier Device Package: 40-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Current Limit, Enable, Frequency Control, Phase Control, Power Good, Soft Start
Serial Interfaces: Psi
Output Phases: 4
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+84.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81611AMNTXG NCP81611AMNTXG onsemi Description: NVIDIA OVR4I+ CONTROLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 1.2MHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.8V ~ 20V
Supplier Device Package: 40-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Current Limit, Enable, Frequency Control, Phase Control, Power Good, Soft Start
Serial Interfaces: Psi
Output Phases: 4
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.78 грн
10+119.65 грн
25+109.21 грн
100+91.76 грн
250+86.64 грн
500+83.55 грн
1000+79.68 грн
2500+77.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD7D4N04CLTWG onsemi NVMJD7D4N04CL-D.PDF Description: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMPA2259 RMPA2259 onsemi RMPA2259.pdf Description: IC AMP W-CDMA 1.92-1.98GHZ 11LCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.92GHz ~ 1.98GHz
RF Type: W-CDMA
Voltage - Supply: 3V ~ 4.2V
Gain: 24dB
Current - Supply: 50mA
Noise Figure: 3dB
Supplier Device Package: 11-LCC (4x4)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMPA2259 RMPA2259 onsemi RMPA2259.pdf Description: IC AMP W-CDMA 1.92-1.98GHZ 11LCC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.92GHz ~ 1.98GHz
RF Type: W-CDMA
Voltage - Supply: 3V ~ 4.2V
Gain: 24dB
Current - Supply: 50mA
Noise Figure: 3dB
Supplier Device Package: 11-LCC (4x4)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP30A TIP30A onsemi TIP29B-D.PDF Description: TRANS PNP 60V 1A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4800AUM FAN4800AUM onsemi FAN4800CU-D.pdf Description: IC PFC CTR AV CURR 268KHZ 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 11V ~ 22V
Frequency - Switching: 240kHz ~ 268kHz
Mode: Average Current
Supplier Device Package: 16-SOIC
Current - Startup: 30 µA
на замовлення 5052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.87 грн
10+67.46 грн
25+61.14 грн
100+50.88 грн
250+47.79 грн
500+45.92 грн
1000+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FD6M043N08 FD6M043N08 onsemi FD6M043N08.pdf Description: MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15
Supplier Device Package: EPM15
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180pF @ 25V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: EPM15
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM317LMX LM317LMX onsemi lm317l-d.pdf Description: IC REG LIN POS ADJ 100MA 8SOIC
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
PSRR: 80dB (120Hz)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Voltage - Output (Max): 37V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 40V
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Current - Output: 100mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM317LMX LM317LMX onsemi lm317l-d.pdf Description: IC REG LIN POS ADJ 100MA 8SOIC
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
PSRR: 80dB (120Hz)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Voltage - Output (Max): 37V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 40V
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Current - Output: 100mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP31 TIP31 onsemi tip31a-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP31ATU TIP31ATU onsemi TIP31_A_B_C%2C%20TIP32_A_B_C.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT74SC 74ACT74SC onsemi DS_261_74ACT74.pdf Description: IC FF D-TYPE DOUBLE 1BIT 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 210 MHz
Input Capacitance: 4.5 pF
Supplier Device Package: 14-SOIC
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE12ARL4G 1.5KE12ARL4G onsemi ONSMS21119-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 90A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10.2V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 44492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 865 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP122 TIP122 onsemi TIP120-22.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2328AOBU KSC2328AOBU onsemi ksc2328a-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 2A TO-92-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1725K2 UJ3D1725K2 onsemi UJ3D1725K2-D.PDF Description: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1700 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1366.21 грн
30+829.40 грн
120+751.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K2 UJ3D1250K2 onsemi da008695 Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2472
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
на замовлення 14605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1728.83 грн
30+1302.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TS UJ3D1205TS onsemi UJ3D1205TS-D.PDF Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A TO220
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
на замовлення 20381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.78 грн
50+199.33 грн
100+182.06 грн
500+142.49 грн
1000+137.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06560KSD UJ3D06560KSD onsemi UJ3D06560KSD-D.PDF Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 740 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 30A
Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 6042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1093.28 грн
30+693.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K UJ3D1250K onsemi da008694 Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2473
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 50A
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 6397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1728.83 грн
30+1302.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1202TS UJ3D1202TS onsemi UJ3D1202TS-D.PDF Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 109pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
на замовлення 6499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.43 грн
50+129.66 грн
100+117.53 грн
500+90.36 грн
1000+83.95 грн
2000+80.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TS UJ3D06506TS onsemi DS_UJ3D06506TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 196pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 57301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.53 грн
25+112.87 грн
100+97.15 грн
250+83.79 грн
500+78.43 грн
1000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TS UJ3D06508TS onsemi DS_UJ3D06508TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 28073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.73 грн
25+132.14 грн
100+114.29 грн
250+98.54 грн
500+91.84 грн
1000+88.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TS UJ3D06510TS onsemi DS_UJ3D06510TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 327pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 11657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.38 грн
25+150.01 грн
100+129.29 грн
250+111.95 грн
500+104.58 грн
1000+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520TS UJ3D06520TS onsemi DS_UJ3D06520TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 6004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.73 грн
25+257.88 грн
100+222.15 грн
250+192.39 грн
500+178.99 грн
1000+172.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210TS UJ3D1210TS onsemi UJ3D1210TS-D.PDF Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 9913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.09 грн
50+246.95 грн
100+232.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSD UJ3D1220KSD onsemi UJ3D1220KSD-D.PDF Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1020pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+973.44 грн
30+573.08 грн
120+493.21 грн
510+454.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06504TS UJ3D06504TS onsemi DS_UJ3D06504TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 22758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.38 грн
25+87.86 грн
100+75.72 грн
250+65.02 грн
500+61.00 грн
1000+58.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06512TS UJ3D06512TS onsemi DS_UJ3D06512TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 10601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.58 грн
50+182.07 грн
100+175.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06516TS UJ3D06516TS onsemi DS_UJ3D06516TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 16A
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.52 грн
25+224.29 грн
100+193.58 грн
250+166.92 грн
500+155.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2 UJ3D1210K2 onsemi UJ3D1210K2-D.PDF Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
на замовлення 6415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.20 грн
30+276.28 грн
120+245.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06530TS UJ3D06530TS onsemi DS_UJ3D06530TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 370 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 30A
Capacitance @ Vr, F: 990pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
на замовлення 7715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.22 грн
25+376.44 грн
100+325.02 грн
250+280.88 грн
500+261.44 грн
1000+252.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220K2 UJ3D1220K2 onsemi da008692 Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+582.98 грн
25+487.89 грн
100+421.45 грн
250+364.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520KSD UJ3D06520KSD onsemi UJ3D06520KSD-D.PDF Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
на замовлення 7418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+610.04 грн
30+322.86 грн
120+291.88 грн
510+247.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSD UJ3D1210KSD onsemi UJ3D1210KSD-D.PDF Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO2473
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+648.70 грн
30+368.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KS UJ3D1210KS onsemi UJ3D1210KS-D.PDF Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+599.99 грн
10+426.85 грн
100+369.81 грн
600+262.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NBXDBA009LNHTAG NBXDBA009LNHTAG onsemi Description: IC OSC XTAL DUAL FREQ 6CLCC
Current - Supply: 79 mA
Supplier Device Package: 6-CLCC (7x5)
Voltage - Supply: 2.97V ~ 3.63V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Oscillator, Crystal
Frequency: 75MHz, 150MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-CLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC4316M MM74HC4316M onsemi MM74HC4316.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX4 70OHM 16SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Number of Circuits: 4
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 14ns, 20ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NO
Crosstalk: -50dB @ 1MHz
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2V ~ 6V
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 12V
Supplier Device Package: 16-SOIC
-3db Bandwidth: 100MHz
On-State Resistance (Max): 70Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5776UCX FAN5776UCX onsemi fan5776-d.pdf Description: IC LED DRV RGLTR PWM 12WLCSP
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Voltage - Supply (Min): 2.3V
Dimming: PWM
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.42x1.66)
Topology: Step-Up (Boost)
Internal Switch(s): Yes
Current - Output / Channel: 25mA
Applications: Backlight
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: DC DC Regulator
Frequency: 1.8MHz
Number of Outputs: 5
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Output: 3.5V ~ 8.5V
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5776UCX FAN5776UCX onsemi fan5776-d.pdf Description: IC LED DRV RGLTR PWM 12WLCSP
Internal Switch(s): Yes
Current - Output / Channel: 25mA
Applications: Backlight
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: DC DC Regulator
Frequency: 1.8MHz
Number of Outputs: 5
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Output: 3.5V ~ 8.5V
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Voltage - Supply (Min): 2.3V
Dimming: PWM
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.42x1.66)
Topology: Step-Up (Boost)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HT8822N onsemi Description: IC PWR CONV TBD 8-MDIP
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33164P-5RAG MC33164P-5RAG onsemi mc34164-d.pdf Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Voltage - Threshold: 4.33V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
975+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 975 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4103FCT1 NUP4103FC.pdf
NUP4103FCT1
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 5.5VWM 5FLIPCHIP CSP
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 5-FlipChip CSP (1.33x0.96)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-WFBGA, FCBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP400FCT2G ncp400-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IC REG LIN 1.8V 150MA 6FLIPCHIP
Current - Supply (Max): 100 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 100mA
PSRR: 50dB (1kHz)
Control Features: Enable, Reset
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Supplier Device Package: 6-FlipChip (1.5x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5V
Current - Quiescent (Iq): 1 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 150mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 6-UFBGA, FCBGA
Packaging: Bulk
на замовлення 80800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1025+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN-NB5E023A FDC637AN-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 2.
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C-F169 FDC6327C-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: DUAL N & P-CHANNEL POWERTRENCH M
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 1.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 10V, 325pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V, 170mOhm @ 1.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V, 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR260 mur260-d.pdf
MUR260
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 600V 2A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Axial
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1ZMMBZ5242BLT1
S1ZMMBZ5242BLT1
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER .225W SPCL SOT23
Packaging: Bulk
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11539+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 11539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242B MMBZ5221B-5257B.pdf
MMBZ5242B
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 12V 350MW SOT23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 8.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 350 mW
Supplier Device Package: SOT-23-3
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242B MMBZ5221B-5257B.pdf
MMBZ5242B
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 12V 350MW SOT23-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 8.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 350 mW
Supplier Device Package: SOT-23-3
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242BLT1 mmbz5221blt1-d.pdf
MMBZ5242BLT1
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 12V 225MW SOT23
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 9.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 225 mW
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QTLP321CR QTLP321Cx.pdf
Виробник: onsemi
Description: LED RED POWER LED T/H
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.200", 5.08mm)
Color: Red
Size / Dimension: 7.62mm L x 7.62mm W
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Standard
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.2V
Current - Test: 70mA
Viewing Angle: 50°
Height (Max): 6.50mm
Wavelength - Peak: 640nm
Wavelength - Dominant: 630nm
Supplier Device Package: POWER LED
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 3.00mm Dia
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EC4401C-TL EC4401C.pdf
EC4401C-TL
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 150MA ECSP1008-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EC4401C-TL EC4401C.pdf
EC4401C-TL
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 150MA ECSP1008-4
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2219+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 2219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EC4H08C-TL-H EC4H08C.pdf
EC4H08C-TL-H
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 50mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
606+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EC4H09C-TL-H EC4H09C.pdf
EC4H09C-TL-H
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 26GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
437+51.18 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NIS5112D1R2G nis5112-d.pdf
NIS5112D1R2G
Виробник: onsemi
Description: IC ELECTRONIC FUSE 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 9V ~ 18V
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
183+121.66 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NB4N7132DTR2G NB4N7132.pdf
NB4N7132DTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC CLK LINK REPLICATOR HDTV
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Input: LVPECL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.14V ~ 3.47V
Main Purpose: Fibre Channel, Gigabit Ethernet, HDTV, SATA
Ratio - Input:Output: 3:3
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 28-TSSOP
PLL: No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 33866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+283.14 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NB4N7132DTG NB4N7132.pdf
NB4N7132DTG
Виробник: onsemi
Description: IC CLK LINK REPLICATOR HDTV
Packaging: Tube
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Input: LVPECL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.14V ~ 3.47V
Main Purpose: Fibre Channel, Gigabit Ethernet, HDTV, SATA
Ratio - Input:Output: 3:3
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 28-TSSOP
PLL: No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+283.14 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81611AMNTXG
NCP81611AMNTXG
Виробник: onsemi
Description: NVIDIA OVR4I+ CONTROLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 1.2MHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.8V ~ 20V
Supplier Device Package: 40-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Current Limit, Enable, Frequency Control, Phase Control, Power Good, Soft Start
Serial Interfaces: Psi
Output Phases: 4
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+84.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81611AMNTXG
NCP81611AMNTXG
Виробник: onsemi
Description: NVIDIA OVR4I+ CONTROLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 1.2MHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.8V ~ 20V
Supplier Device Package: 40-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Current Limit, Enable, Frequency Control, Phase Control, Power Good, Soft Start
Serial Interfaces: Psi
Output Phases: 4
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+167.78 грн
10+119.65 грн
25+109.21 грн
100+91.76 грн
250+86.64 грн
500+83.55 грн
1000+79.68 грн
2500+77.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD7D4N04CLTWG NVMJD7D4N04CL-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMPA2259 RMPA2259.pdf
RMPA2259
Виробник: onsemi
Description: IC AMP W-CDMA 1.92-1.98GHZ 11LCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.92GHz ~ 1.98GHz
RF Type: W-CDMA
Voltage - Supply: 3V ~ 4.2V
Gain: 24dB
Current - Supply: 50mA
Noise Figure: 3dB
Supplier Device Package: 11-LCC (4x4)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMPA2259 RMPA2259.pdf
RMPA2259
Виробник: onsemi
Description: IC AMP W-CDMA 1.92-1.98GHZ 11LCC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.92GHz ~ 1.98GHz
RF Type: W-CDMA
Voltage - Supply: 3V ~ 4.2V
Gain: 24dB
Current - Supply: 50mA
Noise Figure: 3dB
Supplier Device Package: 11-LCC (4x4)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP30A TIP29B-D.PDF
TIP30A
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 1A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4800AUM FAN4800CU-D.pdf
FAN4800AUM
Виробник: onsemi
Description: IC PFC CTR AV CURR 268KHZ 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 11V ~ 22V
Frequency - Switching: 240kHz ~ 268kHz
Mode: Average Current
Supplier Device Package: 16-SOIC
Current - Startup: 30 µA
на замовлення 5052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.87 грн
10+67.46 грн
25+61.14 грн
100+50.88 грн
250+47.79 грн
500+45.92 грн
1000+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FD6M043N08 FD6M043N08.pdf
FD6M043N08
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15
Supplier Device Package: EPM15
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180pF @ 25V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: EPM15
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM317LMX lm317l-d.pdf
LM317LMX
Виробник: onsemi
Description: IC REG LIN POS ADJ 100MA 8SOIC
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
PSRR: 80dB (120Hz)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Voltage - Output (Max): 37V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 40V
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Current - Output: 100mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM317LMX lm317l-d.pdf
LM317LMX
Виробник: onsemi
Description: IC REG LIN POS ADJ 100MA 8SOIC
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
PSRR: 80dB (120Hz)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Voltage - Output (Max): 37V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 40V
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Current - Output: 100mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP31 tip31a-d.pdf
TIP31
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP31ATU TIP31_A_B_C%2C%20TIP32_A_B_C.pdf
TIP31ATU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT74SC DS_261_74ACT74.pdf
74ACT74SC
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE DOUBLE 1BIT 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 210 MHz
Input Capacitance: 4.5 pF
Supplier Device Package: 14-SOIC
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE12ARL4G ONSMS21119-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
1.5KE12ARL4G
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 90A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10.2V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 44492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
865+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 865 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP122 TIP120-22.pdf
TIP122
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2328AOBU ksc2328a-d.pdf
KSC2328AOBU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 2A TO-92-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1725K2 UJ3D1725K2-D.PDF
UJ3D1725K2
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1700 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1366.21 грн
30+829.40 грн
120+751.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K2 da008695
UJ3D1250K2
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2472
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
на замовлення 14605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1728.83 грн
30+1302.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TS UJ3D1205TS-D.PDF
UJ3D1205TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A TO220
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
на замовлення 20381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+392.78 грн
50+199.33 грн
100+182.06 грн
500+142.49 грн
1000+137.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06560KSD UJ3D06560KSD-D.PDF
UJ3D06560KSD
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 740 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 30A
Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 6042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1093.28 грн
30+693.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K da008694
UJ3D1250K
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2473
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 50A
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 6397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1728.83 грн
30+1302.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1202TS UJ3D1202TS-D.PDF
UJ3D1202TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 109pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
на замовлення 6499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+264.43 грн
50+129.66 грн
100+117.53 грн
500+90.36 грн
1000+83.95 грн
2000+80.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TS DS_UJ3D06506TS.pdf
UJ3D06506TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 196pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 57301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.53 грн
25+112.87 грн
100+97.15 грн
250+83.79 грн
500+78.43 грн
1000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TS DS_UJ3D06508TS.pdf
UJ3D06508TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 28073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+157.73 грн
25+132.14 грн
100+114.29 грн
250+98.54 грн
500+91.84 грн
1000+88.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TS DS_UJ3D06510TS.pdf
UJ3D06510TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 327pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 11657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+179.38 грн
25+150.01 грн
100+129.29 грн
250+111.95 грн
500+104.58 грн
1000+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520TS DS_UJ3D06520TS.pdf
UJ3D06520TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 6004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+307.73 грн
25+257.88 грн
100+222.15 грн
250+192.39 грн
500+178.99 грн
1000+172.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210TS UJ3D1210TS-D.PDF
UJ3D1210TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 9913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+470.09 грн
50+246.95 грн
100+232.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSD UJ3D1220KSD-D.PDF
UJ3D1220KSD
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1020pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+973.44 грн
30+573.08 грн
120+493.21 грн
510+454.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06504TS DS_UJ3D06504TS.pdf
UJ3D06504TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 22758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.38 грн
25+87.86 грн
100+75.72 грн
250+65.02 грн
500+61.00 грн
1000+58.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06512TS DS_UJ3D06512TS.pdf
UJ3D06512TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 10601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+294.58 грн
50+182.07 грн
100+175.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06516TS DS_UJ3D06516TS.pdf
UJ3D06516TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 16A
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+267.52 грн
25+224.29 грн
100+193.58 грн
250+166.92 грн
500+155.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2 UJ3D1210K2-D.PDF
UJ3D1210K2
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
на замовлення 6415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+490.20 грн
30+276.28 грн
120+245.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06530TS DS_UJ3D06530TS.pdf
UJ3D06530TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 370 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 30A
Capacitance @ Vr, F: 990pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
на замовлення 7715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+449.22 грн
25+376.44 грн
100+325.02 грн
250+280.88 грн
500+261.44 грн
1000+252.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220K2 da008692
UJ3D1220K2
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+582.98 грн
25+487.89 грн
100+421.45 грн
250+364.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520KSD UJ3D06520KSD-D.PDF
UJ3D06520KSD
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
на замовлення 7418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+610.04 грн
30+322.86 грн
120+291.88 грн
510+247.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSD UJ3D1210KSD-D.PDF
UJ3D1210KSD
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO2473
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+648.70 грн
30+368.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KS UJ3D1210KS-D.PDF
UJ3D1210KS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+599.99 грн
10+426.85 грн
100+369.81 грн
600+262.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NBXDBA009LNHTAG
NBXDBA009LNHTAG
Виробник: onsemi
Description: IC OSC XTAL DUAL FREQ 6CLCC
Current - Supply: 79 mA
Supplier Device Package: 6-CLCC (7x5)
Voltage - Supply: 2.97V ~ 3.63V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Oscillator, Crystal
Frequency: 75MHz, 150MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-CLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC4316M MM74HC4316.pdf
MM74HC4316M
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 70OHM 16SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Number of Circuits: 4
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 14ns, 20ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NO
Crosstalk: -50dB @ 1MHz
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2V ~ 6V
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 12V
Supplier Device Package: 16-SOIC
-3db Bandwidth: 100MHz
On-State Resistance (Max): 70Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5776UCX fan5776-d.pdf
FAN5776UCX
Виробник: onsemi
Description: IC LED DRV RGLTR PWM 12WLCSP
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Voltage - Supply (Min): 2.3V
Dimming: PWM
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.42x1.66)
Topology: Step-Up (Boost)
Internal Switch(s): Yes
Current - Output / Channel: 25mA
Applications: Backlight
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: DC DC Regulator
Frequency: 1.8MHz
Number of Outputs: 5
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Output: 3.5V ~ 8.5V
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5776UCX fan5776-d.pdf
FAN5776UCX
Виробник: onsemi
Description: IC LED DRV RGLTR PWM 12WLCSP
Internal Switch(s): Yes
Current - Output / Channel: 25mA
Applications: Backlight
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: DC DC Regulator
Frequency: 1.8MHz
Number of Outputs: 5
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Output: 3.5V ~ 8.5V
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Voltage - Supply (Min): 2.3V
Dimming: PWM
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.42x1.66)
Topology: Step-Up (Boost)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HT8822N
Виробник: onsemi
Description: IC PWR CONV TBD 8-MDIP
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33164P-5RAG mc34164-d.pdf
MC33164P-5RAG
Виробник: onsemi
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Voltage - Threshold: 4.33V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
975+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 975 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 241 482 723 964 1205 1226 1227 1228 1229 1230 1231 1232 1233 1234 1235 1236 1446 1687 1928 2169 2410 2416  [ Наступна Сторінка >> ]