Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBD914LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 75ns; SOT23; reel,tape Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 75ns Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBF0201NLT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.24A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 1.4Ω Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MMBF170 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1564 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBF170LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBF2201NT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 240mA; Idm: 750A; 150mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 750A On-state resistance: 1Ω Gate charge: 1.4nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBF4117 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30uA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA Gate current: 50mA Drain current: 30µA Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3570 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBF4391LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -30V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA On-state resistance: 30Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1277 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBF4392LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 25mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 25mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -30V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA On-state resistance: 60Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2265 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MMBF4393LT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
MMBF4416 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
MMBF4416A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MMBF5103 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 10mA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
MMBF5457 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
MMBF5484 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
MMBF5485 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
MMBF5486 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MMBFJ108 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.35W; SuperSOT-3; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 80mA Power dissipation: 0.35W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA On-state resistance: 8Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1723 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ110 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.46W; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 10mA Power dissipation: 0.46W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA On-state resistance: 18Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MMBFJ111 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Mounting: SMD Case: SOT23 Gate current: 50mA Drain current: 20mA On-state resistance: 30Ω Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 790 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ112 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Mounting: SMD Case: SOT23 Gate current: 50mA Drain current: 5mA On-state resistance: 50Ω Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4902 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ113 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Mounting: SMD Case: SOT23 Gate current: 50mA Drain current: 2mA On-state resistance: 100Ω Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4504 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ175LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Gate-source voltage: 30V Mounting: SMD Case: SOT23 Gate current: 50mA Drain current: 7mA On-state resistance: 125Ω Type of transistor: P-JFET Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3664 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ176 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: P-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 2mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: 30V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA On-state resistance: 250Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ177LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Gate-source voltage: 30V Mounting: SMD Case: SOT23 Gate current: 50mA Drain current: 1.5mA On-state resistance: 300Ω Type of transistor: P-JFET Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3612 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 200uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Gate current: 50mA Drain current: 200µA Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ202 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 900uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 900µA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3590 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ270 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: P-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 2mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: 30V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1571 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ309LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 30mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6596 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
MMBFJ310LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 24mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 24mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFU310LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 24mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 24mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MMBT2222ALT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5499 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT2222ALT3G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MMBT2222ATT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC75,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC75; SOT416 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MMBT2222AWT1G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5297 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT2222AWT3G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MMBT2222LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3830 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT2369ALT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 15V Current gain: 40...120 Collector current: 0.2A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT23; TO236AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MMBT2369LT1G | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 250...800 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2595 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2696 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT3G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MMBT2907AWT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2085 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT3904LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Current gain: 100...300 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25846 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT3904LT3G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MMBT3904WT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MMBT3906LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12086 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT3906LT3G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MMBT3906WT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3272 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT4124LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 120...360 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MMBT4401LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MMBT4403LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5387 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MMBT489LT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MMBT5087LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB Frequency: 40MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 250...800 Collector current: 50mA Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT5088LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 300...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2751 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT5089LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Frequency: 50MHz Collector-emitter voltage: 25V Current gain: 400...1200 Collector current: 50mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 499 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT5401LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz Current gain: 60...240 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7191 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT5550LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 140V Current gain: 60...250 Collector current: 0.6A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT23; TO236AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1924 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT5551LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Current gain: 80...250 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8132 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT5551LT3G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 80...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
MMBT589LT1G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
MMBD914LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 75ns; SOT23; reel,tape
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 75ns
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 75ns; SOT23; reel,tape
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 75ns
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 8.87 грн |
49+ | 5.89 грн |
57+ | 4.85 грн |
79+ | 3.48 грн |
100+ | 3.01 грн |
500+ | 2.16 грн |
692+ | 1.55 грн |
MMBF0201NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.24A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 1.4Ω
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.24A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 1.4Ω
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBF170 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 25.62 грн |
20+ | 14.73 грн |
50+ | 9.98 грн |
100+ | 8.62 грн |
215+ | 4.98 грн |
591+ | 4.71 грн |
3000+ | 4.64 грн |
MMBF170LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.70 грн |
23+ | 12.64 грн |
50+ | 8.07 грн |
100+ | 6.74 грн |
248+ | 4.32 грн |
681+ | 4.08 грн |
1000+ | 3.93 грн |
MMBF2201NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 240mA; Idm: 750A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 750A
On-state resistance: 1Ω
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 240mA; Idm: 750A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 750A
On-state resistance: 1Ω
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.61 грн |
17+ | 17.39 грн |
50+ | 12.35 грн |
100+ | 10.80 грн |
130+ | 8.24 грн |
357+ | 7.78 грн |
1000+ | 7.60 грн |
MMBF4117 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30uA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA
Gate current: 50mA
Drain current: 30µA
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30uA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA
Gate current: 50mA
Drain current: 30µA
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 48.29 грн |
10+ | 31.36 грн |
25+ | 23.98 грн |
80+ | 13.45 грн |
219+ | 12.72 грн |
MMBF4391LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 30Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 30Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.20 грн |
25+ | 20.72 грн |
50+ | 16.75 грн |
100+ | 13.73 грн |
111+ | 9.70 грн |
304+ | 9.15 грн |
500+ | 9.06 грн |
MMBF4392LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 25mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 60Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 25mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 60Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.60 грн |
16+ | 18.06 грн |
50+ | 12.17 грн |
100+ | 10.52 грн |
114+ | 9.43 грн |
312+ | 8.88 грн |
MMBF4393LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBF4393LT1G SMD N channel transistors
MMBF4393LT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBF4416 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBF4416 SMD N channel transistors
MMBF4416 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBF4416A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBF4416A SMD N channel transistors
MMBF4416A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBF5103 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBF5457 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBF5457 SMD N channel transistors
MMBF5457 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBF5484 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBF5484 SMD N channel transistors
MMBF5484 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBF5485 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBF5485 SMD N channel transistors
MMBF5485 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBF5486 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBF5486 SMD N channel transistors
MMBF5486 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBFJ108 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.35W; SuperSOT-3; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 80mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
On-state resistance: 8Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.35W; SuperSOT-3; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 80mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
On-state resistance: 8Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1723 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 48.29 грн |
10+ | 34.02 грн |
58+ | 18.76 грн |
157+ | 17.75 грн |
500+ | 17.57 грн |
1000+ | 17.02 грн |
MMBFJ110 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.46W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
On-state resistance: 18Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.46W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
On-state resistance: 18Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBFJ111 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain current: 20mA
On-state resistance: 30Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain current: 20mA
On-state resistance: 30Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 45.34 грн |
11+ | 26.52 грн |
50+ | 17.30 грн |
99+ | 10.89 грн |
270+ | 10.34 грн |
1000+ | 9.98 грн |
MMBFJ112 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain current: 5mA
On-state resistance: 50Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain current: 5mA
On-state resistance: 50Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4902 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.52 грн |
15+ | 19.39 грн |
50+ | 13.36 грн |
100+ | 11.62 грн |
131+ | 8.24 грн |
359+ | 7.78 грн |
3000+ | 7.50 грн |
MMBFJ113 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain current: 2mA
On-state resistance: 100Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain current: 2mA
On-state resistance: 100Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4504 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.61 грн |
17+ | 17.58 грн |
25+ | 14.09 грн |
50+ | 12.26 грн |
100+ | 10.71 грн |
138+ | 7.78 грн |
377+ | 7.41 грн |
MMBFJ175LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain current: 7mA
On-state resistance: 125Ω
Type of transistor: P-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain current: 7mA
On-state resistance: 125Ω
Type of transistor: P-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.49 грн |
13+ | 22.05 грн |
25+ | 17.48 грн |
50+ | 15.10 грн |
100+ | 13.09 грн |
120+ | 8.97 грн |
330+ | 8.42 грн |
MMBFJ176 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 250Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 250Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 50.26 грн |
10+ | 32.88 грн |
50+ | 23.43 грн |
66+ | 16.20 грн |
182+ | 15.37 грн |
500+ | 14.92 грн |
1000+ | 14.73 грн |
MMBFJ177LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain current: 1.5mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain current: 1.5mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3612 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 15.57 грн |
25+ | 13.69 грн |
100+ | 11.44 грн |
111+ | 9.70 грн |
305+ | 9.15 грн |
1000+ | 8.79 грн |
MMBFJ201 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 200uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Gate current: 50mA
Drain current: 200µA
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 200uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Gate current: 50mA
Drain current: 200µA
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.13 грн |
25+ | 23.57 грн |
50+ | 17.57 грн |
100+ | 12.45 грн |
108+ | 9.98 грн |
297+ | 9.43 грн |
500+ | 9.06 грн |
MMBFJ202 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 900uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 900µA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 900uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 900µA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.90 грн |
14+ | 20.91 грн |
50+ | 13.54 грн |
100+ | 11.71 грн |
118+ | 9.06 грн |
325+ | 8.51 грн |
1000+ | 8.24 грн |
MMBFJ270 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 48.29 грн |
10+ | 31.55 грн |
50+ | 23.79 грн |
74+ | 14.55 грн |
202+ | 13.82 грн |
3000+ | 13.27 грн |
MMBFJ309LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6596 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 43.36 грн |
12+ | 24.52 грн |
25+ | 19.58 грн |
100+ | 15.01 грн |
111+ | 9.70 грн |
304+ | 9.15 грн |
3000+ | 9.06 грн |
MMBFJ310LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 24mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 24mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 24mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 24mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.31 грн |
11+ | 27.47 грн |
25+ | 21.69 грн |
94+ | 11.44 грн |
257+ | 10.80 грн |
3000+ | 10.43 грн |
MMBFU310LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 24mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 24mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 24mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 24mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 8.87 грн |
59+ | 4.85 грн |
89+ | 3.11 грн |
105+ | 2.64 грн |
1000+ | 1.67 грн |
1023+ | 1.04 грн |
2814+ | 0.99 грн |
MMBT2222ALT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBT2222ATT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBT2222AWT1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 9.86 грн |
41+ | 7.03 грн |
50+ | 5.49 грн |
66+ | 4.17 грн |
81+ | 3.40 грн |
100+ | 2.81 грн |
708+ | 1.51 грн |
MMBT2222AWT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBT2222LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 11.83 грн |
50+ | 5.70 грн |
100+ | 3.02 грн |
739+ | 1.45 грн |
2032+ | 1.37 грн |
MMBT2369ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 15V
Current gain: 40...120
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 15V
Current gain: 40...120
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 13.80 грн |
37+ | 7.79 грн |
47+ | 5.93 грн |
55+ | 5.03 грн |
75+ | 4.55 грн |
100+ | 4.26 грн |
470+ | 2.28 грн |
MMBT2369LT1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBT2369LT1G NPN SMD transistors
MMBT2369LT1G NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBT2484LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 250...800
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 250...800
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 15.77 грн |
31+ | 9.31 грн |
50+ | 6.15 грн |
100+ | 5.23 грн |
442+ | 2.42 грн |
1214+ | 2.29 грн |
MMBT2907ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 9.86 грн |
52+ | 5.51 грн |
75+ | 3.66 грн |
100+ | 3.14 грн |
615+ | 1.74 грн |
1691+ | 1.65 грн |
3000+ | 1.59 грн |
MMBT2907ALT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBT2907AWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 10.84 грн |
38+ | 7.60 грн |
46+ | 6.04 грн |
78+ | 3.53 грн |
100+ | 2.80 грн |
584+ | 1.83 грн |
1605+ | 1.73 грн |
MMBT3904LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Current gain: 100...300
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Current gain: 100...300
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25846 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
32+ | 9.32 грн |
50+ | 5.70 грн |
71+ | 3.92 грн |
100+ | 3.36 грн |
500+ | 2.32 грн |
1000+ | 1.98 грн |
1169+ | 0.92 грн |
MMBT3904LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBT3904WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBT3906LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12086 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
37+ | 8.14 грн |
64+ | 4.47 грн |
94+ | 2.95 грн |
110+ | 2.50 грн |
500+ | 1.71 грн |
634+ | 1.68 грн |
1743+ | 1.59 грн |
MMBT3906LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBT3906WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 9.86 грн |
43+ | 6.65 грн |
52+ | 5.31 грн |
87+ | 3.17 грн |
107+ | 2.57 грн |
670+ | 1.59 грн |
1500+ | 1.46 грн |
MMBT4124LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 120...360
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 120...360
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBT4401LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBT4403LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5387 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
65+ | 4.56 грн |
97+ | 2.95 грн |
742+ | 1.44 грн |
2041+ | 1.36 грн |
MMBT489LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBT489LT1G NPN SMD transistors
MMBT489LT1G NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBT5087LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Frequency: 40MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 250...800
Collector current: 50mA
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Frequency: 40MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 250...800
Collector current: 50mA
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
24+ | 12.81 грн |
38+ | 7.51 грн |
50+ | 5.49 грн |
75+ | 4.86 грн |
100+ | 4.57 грн |
498+ | 2.14 грн |
1369+ | 2.02 грн |
MMBT5088LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 300...900
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 300...900
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 9.86 грн |
50+ | 5.70 грн |
100+ | 3.61 грн |
250+ | 3.04 грн |
500+ | 2.14 грн |
1376+ | 2.02 грн |
MMBT5089LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Frequency: 50MHz
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 400...1200
Collector current: 50mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Frequency: 50MHz
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 400...1200
Collector current: 50mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 8.87 грн |
50+ | 5.70 грн |
69+ | 3.99 грн |
100+ | 3.53 грн |
431+ | 2.47 грн |
1000+ | 2.43 грн |
1183+ | 2.34 грн |
MMBT5401LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 60...240
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 60...240
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
24+ | 12.81 грн |
32+ | 9.12 грн |
38+ | 7.32 грн |
61+ | 4.50 грн |
100+ | 3.71 грн |
455+ | 2.36 грн |
1000+ | 2.24 грн |
MMBT5550LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 140V
Current gain: 60...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 140V
Current gain: 60...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 9.86 грн |
48+ | 5.99 грн |
73+ | 3.81 грн |
100+ | 3.21 грн |
722+ | 1.51 грн |
1985+ | 1.43 грн |
MMBT5551LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 80...250
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 80...250
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 11.83 грн |
45+ | 6.40 грн |
62+ | 4.47 грн |
75+ | 4.03 грн |
100+ | 3.73 грн |
546+ | 1.96 грн |
1500+ | 1.86 грн |
MMBT5551LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBT589LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBT589LT1G PNP SMD transistors
MMBT589LT1G PNP SMD transistors
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.80 грн |
117+ | 9.15 грн |
322+ | 8.69 грн |