Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (145203) > Сторінка 1808 з 2421

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NSR0240HT1G NSR0240HT1G ONSEMI 1878249.pdf Description: ONSEMI - NSR0240HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 710 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 710mV
Sperrverzögerungszeit: 3ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 132300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NSR0620P2T5G NSR0620P2T5G ONSEMI ONSM-S-A0013750296-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSR0620P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 520 mV, 1 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 520mV
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR06
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 17465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NSR01L30NXT5G NSR01L30NXT5G ONSEMI ONSM-S-A0013749824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSR01L30NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 100 mA, 530 mV, 4 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 0201
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 530mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NSR0520V2T1G NSR0520V2T1G ONSEMI 2354110.pdf Description: ONSEMI - NSR0520V2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 480 mV, 2 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 480mV
Sperrverzögerungszeit: 12ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NSR20F30NXT5G NSR20F30NXT5G ONSEMI ONSM-S-A0013749793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSR20F30NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 2 A, 480 mV, 28 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 0603
Durchlassstoßstrom: 28A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 480mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR20
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 35623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NSR0240V2T1G NSR0240V2T1G ONSEMI ONSM-S-A0013750019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSR0240V2T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 250 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NSR0340HT1G NSR0340HT1G ONSEMI 1840608.pdf Description: ONSEMI - NSR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NSR10F40NXT5G NSR10F40NXT5G ONSEMI nsr10f40-d.pdf Description: ONSEMI - NSR10F40NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 1 A, 490 mV, 18 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 502
Durchlassstoßstrom: 18A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 490mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NSR0240P2T5G NSR0240P2T5G ONSEMI ONSM-S-A0013299866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSR0240P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 2 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NSR0340HT1G NSR0340HT1G ONSEMI 1840608.pdf Description: ONSEMI - NSR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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NSR0340P2T5G NSR0340P2T5G ONSEMI 2354259.pdf Description: ONSEMI - NSR0340P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 560 mV, 1 A, 125 °C
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassspannung Vf max.: 560
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: NSR03
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 1
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 40
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
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FGH60N60UFDTU-F085 FGH60N60UFDTU-F085 ONSEMI FGH60N60UF-F085-D.pdf Description: ONSEMI - FGH60N60UFDTU-F085 - IGBT, 600V, 60A, 1.8V, TO-247 FIELD STOP
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
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2N5886G 2N5886G ONSEMI 112520.pdf Description: ONSEMI - 2N5886G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 4hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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2N5885G 2N5885G ONSEMI 112520.pdf Description: ONSEMI - 2N5885G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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2N5884G 2N5884G ONSEMI 112520.pdf Description: ONSEMI - 2N5884G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
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2N5883G 2N5883G ONSEMI 112520.pdf Description: ONSEMI - 2N5883G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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LIGHTING-1-GEVK LIGHTING-1-GEVK ONSEMI 3764873.pdf Description: ONSEMI - LIGHTING-1-GEVK - EVALUATIONSKIT, LED-STEUERUNG
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: LED-Treiberplatine FL7760, LED-Modul, Board BLE-Konnektivität, AC/DC-Stromversorgungsplatine
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 55V
Core-Chip: FL7760
Eingangsspannung, max.: 270V
Dimmsteuerung: Analog, PWM
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Buck (Abwärts)
Eingangsspannung, min.: 90V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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1N4005RLG 1N4005RLG ONSEMI 1N4001-D.PDF Description: ONSEMI - 1N4005RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4005
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 42375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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1N4005G 1N4005G ONSEMI 1N4001-D.PDF Description: ONSEMI - 1N4005G - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 19087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NCD57090CDWR2G NCD57090CDWR2G ONSEMI 3191472.pdf Description: ONSEMI - NCD57090CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
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NCD57252DWR2G NCD57252DWR2G ONSEMI 3213419.pdf Description: ONSEMI - NCD57252DWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SECO-NCD57000-GEVB SECO-NCD57000-GEVB ONSEMI SECO-NCD57000-GEVB_GETTING_STARTED.PDF Description: ONSEMI - SECO-NCD57000-GEVB - Tochterplatine, NCD57000DWR2G, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Anwendungs-Tochterplatine NCD57000DWR2G
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: NCD57000DWR2G
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCD57080BDR2G NCD57080BDR2G ONSEMI 3191471.pdf Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCD5701BDR2G NCD5701BDR2G ONSEMI 2236601.pdf Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCD57080CDR2G NCD57080CDR2G ONSEMI 3005714.pdf Description: ONSEMI - NCD57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
Sinkstrom: 6
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.4
Quellstrom: 6
Spitzenausgangsstrom: 8
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCD5701ADR2G NCD5701ADR2G ONSEMI 2236601.pdf Description: ONSEMI - NCD5701ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCD5701ADR2G NCD5701ADR2G ONSEMI 2236601.pdf Description: ONSEMI - NCD5701ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCD5703ADR2G NCD5703ADR2G ONSEMI 2711382.pdf Description: ONSEMI - NCD5703ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 6.8A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 46 шт
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NCD57085DR2G NCD57085DR2G ONSEMI 3409742.pdf Description: ONSEMI - NCD57085DR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.5A
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Quellstrom: 7A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCD5703ADR2G NCD5703ADR2G ONSEMI 2711382.pdf Description: ONSEMI - NCD5703ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 6.8A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCD57090ADWR2G NCD57090ADWR2G ONSEMI 3191472.pdf Description: ONSEMI - NCD57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Bauform - Treiber: WSOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCD57080BDR2G NCD57080BDR2G ONSEMI 3191471.pdf Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Bauform - Treiber: NSOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCD57090ADWR2G NCD57090ADWR2G ONSEMI 3191472.pdf Description: ONSEMI - NCD57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCD57090DDWR2G NCD57090DDWR2G ONSEMI 3409743.pdf Description: ONSEMI - NCD57090DDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57090y
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SECO-NCD5700-GEVB SECO-NCD5700-GEVB ONSEMI 3764882.pdf Description: ONSEMI - SECO-NCD5700-GEVB - Tochterplatine, FODM217D/FODM611/NCD5700DR2G, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Anwendungs-Tochterplatine FODM217D/FODM611/NCD5700DR2G
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: FODM217D, FODM611, NCD5700DR2G
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCD5701BDR2G NCD5701BDR2G ONSEMI 2236601.pdf Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCD57090EDWR2G NCD57090EDWR2G ONSEMI 3409743.pdf Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, Logik-ICs
Sinkstrom: 6.5
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Logik-ICs
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -65
Quellstrom: 6.5
Versorgungsspannung, min.: 3.3
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCx57090y
Versorgungsspannung, max.: 15
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCD57080CDR2G NCD57080CDR2G ONSEMI 3005714.pdf Description: ONSEMI - NCD57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
Sinkstrom: 6
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.4
Quellstrom: 6
Spitzenausgangsstrom: 8
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SS15FA SS15FA ONSEMI 2572328.pdf Description: ONSEMI - SS15FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 1 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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1N4003RLG 1N4003RLG ONSEMI 1N4001-D.PDF Description: ONSEMI - 1N4003RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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1N4003RLG. 1N4003RLG. ONSEMI 1689669.pdf Description: ONSEMI - 1N4003RLG. - STANDARD DIODE, 1A, 200V, 59-10, FULL REEL
Bauform - Diode: Axial Leaded
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Diodenkonfiguration: Single
Sperrerholzeit Trr, max.: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
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1N5363BRLG 1N5363BRLG ONSEMI ONSMS36970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - 1N5363BRLG - Zener-Diode, 30 V, 5 W, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Surmetic 1N53
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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1N5364BG 1N5364BG ONSEMI ONSMS36970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5364BG - Zener-Diode, 33 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
на замовлення 5093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NTTFS5820NLTAG NTTFS5820NLTAG ONSEMI ONSM-S-A0013299927-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTTFS5820NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 0.0101 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 37
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 5387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTTFS5116PLTAG NTTFS5116PLTAG ONSEMI 2028672.pdf Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 7401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTTFS5826NLTAG NTTFS5826NLTAG ONSEMI ONSM-S-A0013299835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTTFS5826NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 19
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NTTFS005N04CTAG NTTFS005N04CTAG ONSEMI 2785845.pdf Description: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 69
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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NTTFS6H860NLTAG NTTFS6H860NLTAG ONSEMI NTTFS6H860NL-D.PDF Description: ONSEMI - NTTFS6H860NLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
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NTTFS5C454NLTAG NTTFS5C454NLTAG ONSEMI ONSM-S-A0013300249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NTTFS5116PLTWG NTTFS5116PLTWG ONSEMI NTTFS5116PL-D.PDF Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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 Мінімальне замовлення: 5000 шт
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NTTFS008P03P8Z NTTFS008P03P8Z ONSEMI 3005758.pdf Description: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTTFS1D8N02P1E NTTFS1D8N02P1E ONSEMI nttfs1d8n02p1e-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTTFS004N04CTAG NTTFS004N04CTAG ONSEMI NTTFS004N04C-D.PDF Description: ONSEMI - NTTFS004N04CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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 Мінімальне замовлення: 1500 шт
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NTTFS5C454NLTAG NTTFS5C454NLTAG ONSEMI ONSM-S-A0013300249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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NTTFS5C670NLTAG NTTFS5C670NLTAG ONSEMI ONSM-S-A0013300303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 6500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTTFS005N04CTAG NTTFS005N04CTAG ONSEMI 2785845.pdf Description: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NTTFS030N06CTAG NTTFS030N06CTAG ONSEMI NTTFS030N06C-D.PDF Description: ONSEMI - NTTFS030N06CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
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NTTFS2D8N04HLTAG NTTFS2D8N04HLTAG ONSEMI NTTFS2D8N04HL-D.PDF Description: ONSEMI - NTTFS2D8N04HLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
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NTTFS5116PLTAG NTTFS5116PLTAG ONSEMI ONSM-S-A0013299871-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
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NTTFS2D1N04HLTWG NTTFS2D1N04HLTWG ONSEMI 3005759.pdf Description: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NSR0240HT1G 1878249.pdf
NSR0240HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0240HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 710 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 710mV
Sperrverzögerungszeit: 3ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 132300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NSR0620P2T5G ONSM-S-A0013750296-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSR0620P2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0620P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 520 mV, 1 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 520mV
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR06
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 17465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NSR01L30NXT5G ONSM-S-A0013749824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSR01L30NXT5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR01L30NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 100 mA, 530 mV, 4 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 0201
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 530mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NSR0520V2T1G 2354110.pdf
NSR0520V2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0520V2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 480 mV, 2 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 480mV
Sperrverzögerungszeit: 12ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NSR20F30NXT5G ONSM-S-A0013749793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSR20F30NXT5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR20F30NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 2 A, 480 mV, 28 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 0603
Durchlassstoßstrom: 28A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 480mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR20
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 35623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NSR0240V2T1G ONSM-S-A0013750019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSR0240V2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0240V2T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 250 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NSR0340HT1G 1840608.pdf
NSR0340HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NSR10F40NXT5G nsr10f40-d.pdf
NSR10F40NXT5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR10F40NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 1 A, 490 mV, 18 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 502
Durchlassstoßstrom: 18A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 490mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NSR0240P2T5G ONSM-S-A0013299866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSR0240P2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0240P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 2 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NSR0340HT1G 1840608.pdf
NSR0340HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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NSR0340P2T5G 2354259.pdf
NSR0340P2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0340P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 560 mV, 1 A, 125 °C
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassspannung Vf max.: 560
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: NSR03
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 1
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 40
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
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FGH60N60UFDTU-F085 FGH60N60UF-F085-D.pdf
FGH60N60UFDTU-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH60N60UFDTU-F085 - IGBT, 600V, 60A, 1.8V, TO-247 FIELD STOP
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
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2N5886G 112520.pdf
2N5886G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5886G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 4hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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2N5885G 112520.pdf
2N5885G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5885G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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2N5884G 112520.pdf
2N5884G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5884G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 25 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
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2N5883G 112520.pdf
2N5883G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5883G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 25 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
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LIGHTING-1-GEVK 3764873.pdf
LIGHTING-1-GEVK
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LIGHTING-1-GEVK - EVALUATIONSKIT, LED-STEUERUNG
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: LED-Treiberplatine FL7760, LED-Modul, Board BLE-Konnektivität, AC/DC-Stromversorgungsplatine
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 55V
Core-Chip: FL7760
Eingangsspannung, max.: 270V
Dimmsteuerung: Analog, PWM
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Buck (Abwärts)
Eingangsspannung, min.: 90V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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1N4005RLG 1N4001-D.PDF
1N4005RLG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4005RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4005
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 42375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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1N4005G 1N4001-D.PDF
1N4005G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4005G - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 19087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NCD57090CDWR2G 3191472.pdf
NCD57090CDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
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NCD57252DWR2G 3213419.pdf
NCD57252DWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57252DWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SECO-NCD57000-GEVB SECO-NCD57000-GEVB_GETTING_STARTED.PDF
SECO-NCD57000-GEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SECO-NCD57000-GEVB - Tochterplatine, NCD57000DWR2G, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Anwendungs-Tochterplatine NCD57000DWR2G
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: NCD57000DWR2G
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCD57080BDR2G 3191471.pdf
NCD57080BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCD5701BDR2G 2236601.pdf
NCD5701BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCD57080CDR2G 3005714.pdf
NCD57080CDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
Sinkstrom: 6
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.4
Quellstrom: 6
Spitzenausgangsstrom: 8
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCD5701ADR2G 2236601.pdf
NCD5701ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5701ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCD5701ADR2G 2236601.pdf
NCD5701ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5701ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCD5703ADR2G 2711382.pdf
NCD5703ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5703ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 6.8A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 46 шт
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NCD57085DR2G 3409742.pdf
NCD57085DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57085DR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.5A
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Quellstrom: 7A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCD5703ADR2G 2711382.pdf
NCD5703ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5703ADR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 6.8A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCD57090ADWR2G 3191472.pdf
NCD57090ADWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Bauform - Treiber: WSOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCD57080BDR2G 3191471.pdf
NCD57080BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080BDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, 8 Pins, NSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Bauform - Treiber: NSOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCD57090ADWR2G 3191472.pdf
NCD57090ADWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090ADWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCD57090DDWR2G 3409743.pdf
NCD57090DDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090DDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57090y
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SECO-NCD5700-GEVB 3764882.pdf
SECO-NCD5700-GEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SECO-NCD5700-GEVB - Tochterplatine, FODM217D/FODM611/NCD5700DR2G, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Anwendungs-Tochterplatine FODM217D/FODM611/NCD5700DR2G
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: FODM217D, FODM611, NCD5700DR2G
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCD5701BDR2G 2236601.pdf
NCD5701BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCD57090EDWR2G 3409743.pdf
NCD57090EDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, Logik-ICs
Sinkstrom: 6.5
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Logik-ICs
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -65
Quellstrom: 6.5
Versorgungsspannung, min.: 3.3
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCx57090y
Versorgungsspannung, max.: 15
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCD57080CDR2G 3005714.pdf
NCD57080CDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080CDR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
Sinkstrom: 6
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.4
Quellstrom: 6
Spitzenausgangsstrom: 8
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SS15FA 2572328.pdf
SS15FA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS15FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 1 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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1N4003RLG 1N4001-D.PDF
1N4003RLG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4003RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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1N4003RLG. 1689669.pdf
1N4003RLG.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4003RLG. - STANDARD DIODE, 1A, 200V, 59-10, FULL REEL
Bauform - Diode: Axial Leaded
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Diodenkonfiguration: Single
Sperrerholzeit Trr, max.: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200
SVHC: Lead
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
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1N5363BRLG description ONSMS36970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N5363BRLG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5363BRLG - Zener-Diode, 30 V, 5 W, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Surmetic 1N53
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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1N5364BG ONSMS36970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N5364BG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5364BG - Zener-Diode, 33 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
на замовлення 5093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NTTFS5820NLTAG ONSM-S-A0013299927-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTTFS5820NLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5820NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 0.0101 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 37
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 5387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTTFS5116PLTAG 2028672.pdf
NTTFS5116PLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 7401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTTFS5826NLTAG ONSM-S-A0013299835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTTFS5826NLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5826NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 19
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NTTFS005N04CTAG 2785845.pdf
NTTFS005N04CTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 69
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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NTTFS6H860NLTAG NTTFS6H860NL-D.PDF
NTTFS6H860NLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS6H860NLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
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NTTFS5C454NLTAG ONSM-S-A0013300249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTTFS5C454NLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NTTFS5116PLTWG NTTFS5116PL-D.PDF
NTTFS5116PLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
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NTTFS008P03P8Z 3005758.pdf
NTTFS008P03P8Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTTFS1D8N02P1E nttfs1d8n02p1e-d.pdf
NTTFS1D8N02P1E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTTFS004N04CTAG NTTFS004N04C-D.PDF
NTTFS004N04CTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS004N04CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAG ONSM-S-A0013300249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTTFS5C454NLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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NTTFS5C670NLTAG ONSM-S-A0013300303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTTFS5C670NLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 6500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTTFS005N04CTAG 2785845.pdf
NTTFS005N04CTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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Мінімальне замовлення: 100 шт
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NTTFS030N06CTAG NTTFS030N06C-D.PDF
NTTFS030N06CTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS030N06CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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Мінімальне замовлення: 1500 шт
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NTTFS2D8N04HLTAG NTTFS2D8N04HL-D.PDF
NTTFS2D8N04HLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS2D8N04HLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Мінімальне замовлення: 1500 шт
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NTTFS5116PLTAG ONSM-S-A0013299871-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTTFS5116PLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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Мінімальне замовлення: 1500 шт
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NTTFS2D1N04HLTWG 3005759.pdf
NTTFS2D1N04HLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2580 шт:
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