Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MM74HCT74M | ONSEMI |
![]() Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; HCT; SMD; SO14; 40uA Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: D flip-flop Number of channels: 2 Technology: CMOS Mounting: SMD Case: SO14 Manufacturer series: HCT Supply voltage: 4.5...5.5V DC Operating temperature: -40...85°C Trigger: positive-edge-triggered Quiescent current: 40µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 226 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MM74HCT74MTC | ONSEMI |
![]() Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; HCT; SMD; TSSOP14; tube Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: D flip-flop Number of channels: 2 Mounting: SMD Case: TSSOP14 Supply voltage: 4.5...5.5V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: tube Trigger: positive-edge-triggered Manufacturer series: HCT Technology: CMOS кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
MM74HCT74MTCX | ONSEMI |
![]() Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; IN: 4; CMOS,TTL; HCT; SMD; TSSOP14 Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: D flip-flop Number of channels: 2 Mounting: SMD Case: TSSOP14 Supply voltage: 4.5...5.5V DC Operating temperature: -55...125°C Kind of package: reel; tape Family: HCT Manufacturer series: HCT Technology: CMOS; TTL Number of inputs: 4 кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MM74HCT74MX | ONSEMI |
![]() Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; HCT; SMD; SO14; reel,tape Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: D flip-flop Number of channels: 2 Mounting: SMD Case: SO14 Supply voltage: 4.5...5.5V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Trigger: positive-edge-triggered Manufacturer series: HCT Technology: CMOS кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MM74HCU04M | ONSEMI |
![]() Description: IC: digital; hex,inverter; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; SOIC14; HCU Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: hex; inverter Technology: CMOS Case: SOIC14 Number of channels: 6 Mounting: SMD Operating temperature: -55...125°C Kind of package: tube Manufacturer series: HCU Kind of gate: NOT Family: HCU Number of inputs: 1 Supply voltage: 2...6V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 192 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MM74HCU04MTCX | ONSEMI |
![]() Description: IC: digital; hex,inverter; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; HCU Type of integrated circuit: digital Kind of gate: NOT Number of channels: 6 Number of inputs: 1 Technology: CMOS Mounting: SMD Case: TSSOP14 Supply voltage: 2...6V DC Operating temperature: -55...125°C Kind of package: reel; tape Family: HCU Manufacturer series: HCU Kind of integrated circuit: hex; inverter кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MM74HCU04MX | ONSEMI |
![]() Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; SO14; 2÷6VDC; -40÷85°C; 40uA Type of integrated circuit: digital Kind of gate: NOT Number of channels: hex; 6 Number of inputs: 1 Technology: CMOS Mounting: SMD Case: SO14 Supply voltage: 2...6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Quiescent current: 40µA Family: HCT кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
MMBD101LT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
MMBD1201 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 453 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MMBD1203 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 485 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MMBD1204 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MMBD1205 | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 2A Max. forward voltage: 1.1V Semiconductor structure: common anode; double Reverse recovery time: 4ns Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 0.35W Type of diode: switching Capacitance: 2pF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2897 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBD1401 | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Mounting: SMD Case: SOT23 Capacitance: 2pF Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 1.1V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 50ns Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 0.1µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2727 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBD1403 | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Mounting: SMD Case: SOT23 Capacitance: 2pF Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 1.1V Load current: 0.2A Semiconductor structure: double series Reverse recovery time: 50ns Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 0.1µA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MMBD1404 | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Mounting: SMD Case: SOT23 Capacitance: 2pF Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 1.1V Load current: 0.2A Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 50ns Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 0.1µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1864 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBD1404A | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 175V; 0.6A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Mounting: SMD Case: SOT23 Capacitance: 2pF Max. off-state voltage: 175V Max. forward voltage: 1.25V Load current: 0.6A Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 50ns Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 0.1µA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MMBD1405 | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Mounting: SMD Case: SOT23 Capacitance: 2pF Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 1.1V Load current: 0.2A Semiconductor structure: common anode; double Reverse recovery time: 50ns Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 0.1µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 723 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBD1405A | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Diode: switching; SMD; 175V; 0.6A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Mounting: SMD Case: SOT23 Capacitance: 2pF Max. off-state voltage: 175V Max. forward voltage: 1.25V Load current: 0.6A Semiconductor structure: common anode; double Reverse recovery time: 50ns Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 0.1µA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MMBD1501A | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A Capacitance: 4pF Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 1.15V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 5µA Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 165 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBD1503A | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A Capacitance: 4pF Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 1.15V Load current: 0.2A Semiconductor structure: double series Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 366 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MMBD1503A-D87Z | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
MMBD1504A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MMBD1505A | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 1.15V Load current: 0.2A Semiconductor structure: common anode; double Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Case: SOT23 Capacitance: 4pF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MMBD2837LT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MMBD301LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape; 200mW Type of diode: Schottky switching Case: SOT23 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 1.5pF Max. forward voltage: 0.6V Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
MMBD330T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
MMBD352WT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MMBD4148CA | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: common anode; double Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 2A Max. forward voltage: 1V Power dissipation: 0.35W Leakage current: 5µA Capacitance: 4pF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 543 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBD4148CC | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ifsm: 2A; 350mW Mounting: SMD Case: SOT23 Capacitance: 4pF Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 4ns Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape Type of diode: switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1625 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBD4148se | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ifsm: 2A; 350mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: double series Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.35W Capacitance: 4pF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4976 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MMBD452LT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MMBD6050LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 400mW Case: SOT23 Capacitance: 5pF Max. off-state voltage: 250V Max. forward voltage: 1.25V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 50ns Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 0.4W Type of diode: switching Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MMBD6100LT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; SOT23; reel,tape Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Semiconductor structure: double series кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5865 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MMBD701LT1G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2415 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MMBD717LT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
MMBD770T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MMBD914LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 75ns; SOT23; reel,tape Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 75ns Kind of package: reel; tape Type of diode: switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6470 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBF0201NLT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.24A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 1.4Ω Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MMBF170 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 1.2Ω Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1420 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBF170LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6700 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBF2201NT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 240mA; Idm: 750A; 150mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 750A On-state resistance: 1Ω Gate charge: 1.4nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBF4117 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30uA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA Case: SOT23 Gate current: 50mA Drain current: 30µA Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3533 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBF4391LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -30V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA On-state resistance: 30Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1177 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBF4392LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 25mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 25mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -30V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA On-state resistance: 60Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
MMBF4393LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -30V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA On-state resistance: 100Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
MMBF4416 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 5mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -30V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
MMBF4416A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 5mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -35V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MMBF5103 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 10mA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
MMBF5457 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 3mA; 0.35W; SOT23; Igt: 10mA Gate current: 10mA Drain current: 3mA Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MMBF5484 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 1mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
MMBF5485 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 4mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 4mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MMBF5486 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 8mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 12000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MMBFJ108 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.35W; SuperSOT-3; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 80mA Power dissipation: 0.35W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA On-state resistance: 8Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1708 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ110 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.46W; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 10mA Power dissipation: 0.46W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA On-state resistance: 18Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MMBFJ111 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Mounting: SMD Case: SOT23 Gate current: 50mA Drain current: 20mA On-state resistance: 30Ω Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 743 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ112 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Mounting: SMD Case: SOT23 Gate current: 50mA Drain current: 5mA On-state resistance: 50Ω Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3298 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ113 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Mounting: SMD Case: SOT23 Gate current: 50mA Drain current: 2mA On-state resistance: 100Ω Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -35V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MMBFJ175LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: P-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 7mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: 30V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA On-state resistance: 125Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ176 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: P-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 2mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: 30V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA On-state resistance: 250Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
MM74HCT74M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; HCT; SMD; SO14; 40uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Manufacturer series: HCT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Trigger: positive-edge-triggered
Quiescent current: 40µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; HCT; SMD; SO14; 40uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Manufacturer series: HCT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Trigger: positive-edge-triggered
Quiescent current: 40µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.06 грн |
40+ | 28.69 грн |
110+ | 26.14 грн |
275+ | 25.67 грн |
1045+ | 25.11 грн |
MM74HCT74MTC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; HCT; SMD; TSSOP14; tube
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
Trigger: positive-edge-triggered
Manufacturer series: HCT
Technology: CMOS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; HCT; SMD; TSSOP14; tube
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
Trigger: positive-edge-triggered
Manufacturer series: HCT
Technology: CMOS
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MM74HCT74MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; IN: 4; CMOS,TTL; HCT; SMD; TSSOP14
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Family: HCT
Manufacturer series: HCT
Technology: CMOS; TTL
Number of inputs: 4
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; IN: 4; CMOS,TTL; HCT; SMD; TSSOP14
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Family: HCT
Manufacturer series: HCT
Technology: CMOS; TTL
Number of inputs: 4
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MM74HCT74MX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; HCT; SMD; SO14; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Trigger: positive-edge-triggered
Manufacturer series: HCT
Technology: CMOS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; HCT; SMD; SO14; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Trigger: positive-edge-triggered
Manufacturer series: HCT
Technology: CMOS
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MM74HCU04M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; hex,inverter; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; SOIC14; HCU
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: hex; inverter
Technology: CMOS
Case: SOIC14
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: tube
Manufacturer series: HCU
Kind of gate: NOT
Family: HCU
Number of inputs: 1
Supply voltage: 2...6V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; hex,inverter; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; SOIC14; HCU
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: hex; inverter
Technology: CMOS
Case: SOIC14
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: tube
Manufacturer series: HCU
Kind of gate: NOT
Family: HCU
Number of inputs: 1
Supply voltage: 2...6V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.09 грн |
10+ | 38.83 грн |
25+ | 32.74 грн |
38+ | 29.02 грн |
104+ | 27.44 грн |
110+ | 26.32 грн |
MM74HCU04MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; hex,inverter; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; HCU
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOT
Number of channels: 6
Number of inputs: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2...6V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Family: HCU
Manufacturer series: HCU
Kind of integrated circuit: hex; inverter
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; hex,inverter; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; HCU
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOT
Number of channels: 6
Number of inputs: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2...6V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Family: HCU
Manufacturer series: HCU
Kind of integrated circuit: hex; inverter
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MM74HCU04MX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; SO14; 2÷6VDC; -40÷85°C; 40uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOT
Number of channels: hex; 6
Number of inputs: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 2...6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 40µA
Family: HCT
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; SO14; 2÷6VDC; -40÷85°C; 40uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOT
Number of channels: hex; 6
Number of inputs: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 2...6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 40µA
Family: HCT
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBD101LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBD101LT1G SMD Schottky diodes
MMBD101LT1G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBD1201 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBD1201 SMD universal diodes
MMBD1201 SMD universal diodes
на замовлення 453 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 17.43 грн |
487+ | 2.23 грн |
1339+ | 2.11 грн |
MMBD1203 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBD1203 SMD universal diodes
MMBD1203 SMD universal diodes
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 16.18 грн |
262+ | 4.16 грн |
720+ | 3.93 грн |
15000+ | 3.92 грн |
MMBD1204 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBD1204 SMD universal diodes
MMBD1204 SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBD1205 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1.1V
Semiconductor structure: common anode; double
Reverse recovery time: 4ns
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.35W
Type of diode: switching
Capacitance: 2pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1.1V
Semiconductor structure: common anode; double
Reverse recovery time: 4ns
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.35W
Type of diode: switching
Capacitance: 2pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 15.03 грн |
30+ | 9.95 грн |
50+ | 6.70 грн |
100+ | 5.72 грн |
281+ | 3.86 грн |
772+ | 3.66 грн |
1000+ | 3.52 грн |
MMBD1401 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.03 грн |
23+ | 12.65 грн |
50+ | 7.96 грн |
100+ | 6.72 грн |
225+ | 4.86 грн |
617+ | 4.60 грн |
MMBD1403 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBD1404 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.64 грн |
21+ | 14.01 грн |
50+ | 8.78 грн |
100+ | 7.48 грн |
230+ | 4.73 грн |
633+ | 4.47 грн |
1000+ | 4.31 грн |
MMBD1404A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 175V; 0.6A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Max. off-state voltage: 175V
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 0.6A
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 175V; 0.6A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Max. off-state voltage: 175V
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 0.6A
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBD1405 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 723 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 21.04 грн |
22+ | 13.33 грн |
50+ | 9.95 грн |
100+ | 9.02 грн |
192+ | 5.67 грн |
527+ | 5.40 грн |
30000+ | 5.12 грн |
MMBD1405A |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 175V; 0.6A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Max. off-state voltage: 175V
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 0.6A
Semiconductor structure: common anode; double
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 175V; 0.6A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Max. off-state voltage: 175V
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 0.6A
Semiconductor structure: common anode; double
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBD1501A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A
Capacitance: 4pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.15V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A
Capacitance: 4pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.15V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 14.02 грн |
28+ | 10.43 грн |
35+ | 8.00 грн |
50+ | 6.53 грн |
100+ | 5.33 грн |
304+ | 3.58 грн |
836+ | 3.39 грн |
MMBD1503A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A
Capacitance: 4pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.15V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A
Capacitance: 4pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.15V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 366 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 19.03 грн |
27+ | 11.11 грн |
50+ | 8.48 грн |
100+ | 7.63 грн |
206+ | 5.30 грн |
565+ | 5.01 грн |
1500+ | 4.83 грн |
MMBD1503A-D87Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBD1503A-D87Z SMD universal diodes
MMBD1503A-D87Z SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBD1504A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBD1504A SMD universal diodes
MMBD1504A SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBD1505A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.15V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Case: SOT23
Capacitance: 4pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.15V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Case: SOT23
Capacitance: 4pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 24.04 грн |
19+ | 15.26 грн |
50+ | 10.88 грн |
100+ | 9.62 грн |
209+ | 5.24 грн |
574+ | 4.95 грн |
75000+ | 4.75 грн |
MMBD2837LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBD2837LT1G SMD universal diodes
MMBD2837LT1G SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBD301LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 1.5pF
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 1.5pF
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBD330T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBD330T1G SMD Schottky diodes
MMBD330T1G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBD352WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBD352WT1G SMD Schottky diodes
MMBD352WT1G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBD4148CA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.35W
Leakage current: 5µA
Capacitance: 4pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.35W
Leakage current: 5µA
Capacitance: 4pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 543 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.84 грн |
31+ | 9.56 грн |
50+ | 6.81 грн |
100+ | 6.06 грн |
244+ | 4.46 грн |
670+ | 4.22 грн |
1000+ | 4.06 грн |
MMBD4148CC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ifsm: 2A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 4pF
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ifsm: 2A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 4pF
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 14.02 грн |
32+ | 9.08 грн |
50+ | 6.73 грн |
100+ | 6.01 грн |
293+ | 3.72 грн |
804+ | 3.52 грн |
3000+ | 3.44 грн |
MMBD4148se |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ifsm: 2A; 350mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Capacitance: 4pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ifsm: 2A; 350mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Capacitance: 4pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 10.02 грн |
38+ | 7.82 грн |
50+ | 6.44 грн |
100+ | 5.99 грн |
250+ | 5.42 грн |
294+ | 3.71 грн |
806+ | 3.51 грн |
MMBD452LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBD452LT1G SMD Schottky diodes
MMBD452LT1G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBD6050LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 400mW
Case: SOT23
Capacitance: 5pF
Max. off-state voltage: 250V
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.4W
Type of diode: switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 400mW
Case: SOT23
Capacitance: 5pF
Max. off-state voltage: 250V
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.4W
Type of diode: switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
37+ | 8.13 грн |
63+ | 4.64 грн |
87+ | 3.24 грн |
100+ | 2.79 грн |
652+ | 1.67 грн |
1500+ | 1.63 грн |
1794+ | 1.58 грн |
MMBD6100LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBD6100LT1G SMD universal diodes
MMBD6100LT1G SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBD7000LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; SOT23; reel,tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; SOT23; reel,tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 9.02 грн |
57+ | 5.12 грн |
70+ | 4.00 грн |
100+ | 3.62 грн |
500+ | 2.82 грн |
669+ | 1.64 грн |
1839+ | 1.54 грн |
MMBD701LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBD701LT1G SMD Schottky diodes
MMBD701LT1G SMD Schottky diodes
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 19.98 грн |
250+ | 5.14 грн |
347+ | 3.14 грн |
952+ | 2.98 грн |
MMBD717LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBD717LT1G SMD Schottky diodes
MMBD717LT1G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBD770T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBD770T1G SMD Schottky diodes
MMBD770T1G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBD914LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 75ns; SOT23; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 75ns
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 75ns; SOT23; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 75ns
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 9.02 грн |
49+ | 5.99 грн |
57+ | 4.93 грн |
79+ | 3.53 грн |
100+ | 3.06 грн |
500+ | 2.20 грн |
694+ | 1.57 грн |
MMBF0201NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.24A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 1.4Ω
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.24A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 1.4Ω
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBF170 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 1.2Ω
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 1.2Ω
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.04 грн |
20+ | 14.97 грн |
50+ | 10.14 грн |
100+ | 8.76 грн |
217+ | 5.06 грн |
595+ | 4.79 грн |
3000+ | 4.72 грн |
MMBF170LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 21.04 грн |
23+ | 12.85 грн |
50+ | 8.20 грн |
100+ | 6.86 грн |
249+ | 4.39 грн |
683+ | 4.15 грн |
1000+ | 3.99 грн |
MMBF2201NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 240mA; Idm: 750A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 750A
On-state resistance: 1Ω
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 240mA; Idm: 750A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 750A
On-state resistance: 1Ω
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 27.05 грн |
17+ | 17.68 грн |
50+ | 12.56 грн |
100+ | 10.98 грн |
130+ | 8.46 грн |
357+ | 8.00 грн |
1000+ | 7.72 грн |
MMBF4117 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30uA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain current: 30µA
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30uA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain current: 30µA
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3533 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 49.08 грн |
10+ | 31.88 грн |
25+ | 24.37 грн |
80+ | 13.67 грн |
219+ | 12.93 грн |
MMBF4391LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 30Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 30Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.65 грн |
25+ | 21.06 грн |
50+ | 17.02 грн |
100+ | 13.95 грн |
111+ | 9.86 грн |
304+ | 9.39 грн |
500+ | 9.21 грн |
MMBF4392LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 25mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 60Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 25mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 60Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBF4393LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 100Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 100Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBF4416 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBF4416A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -35V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -35V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBF5103 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBF5457 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 3mA; 0.35W; SOT23; Igt: 10mA
Gate current: 10mA
Drain current: 3mA
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 3mA; 0.35W; SOT23; Igt: 10mA
Gate current: 10mA
Drain current: 3mA
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 19.03 грн |
18+ | 16.13 грн |
91+ | 12.00 грн |
250+ | 11.35 грн |
3000+ | 11.16 грн |
MMBF5484 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 1mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 1mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBF5485 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 4mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 4mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 4mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 4mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 12.02 грн |
28+ | 10.53 грн |
100+ | 9.49 грн |
139+ | 7.81 грн |
381+ | 7.44 грн |
3000+ | 7.26 грн |
MMBF5486 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 8mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 12000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 8mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 12000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBFJ108 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.35W; SuperSOT-3; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 80mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
On-state resistance: 8Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.35W; SuperSOT-3; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 80mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
On-state resistance: 8Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 49.08 грн |
10+ | 34.58 грн |
58+ | 19.16 грн |
157+ | 18.05 грн |
500+ | 17.86 грн |
1000+ | 17.49 грн |
MMBFJ110 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.46W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
On-state resistance: 18Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.46W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
On-state resistance: 18Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBFJ111 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain current: 20mA
On-state resistance: 30Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain current: 20mA
On-state resistance: 30Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 743 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.08 грн |
11+ | 26.95 грн |
50+ | 17.58 грн |
99+ | 11.07 грн |
270+ | 10.51 грн |
1000+ | 10.14 грн |
MMBFJ112 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain current: 5mA
On-state resistance: 50Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain current: 5mA
On-state resistance: 50Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 33.06 грн |
15+ | 19.71 грн |
50+ | 13.58 грн |
100+ | 11.81 грн |
131+ | 8.28 грн |
361+ | 7.91 грн |
3000+ | 7.63 грн |
MMBFJ113 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain current: 2mA
On-state resistance: 100Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Drain current: 2mA
On-state resistance: 100Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -35V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MMBFJ175LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 7mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 125Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 7mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 125Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.06 грн |
13+ | 22.41 грн |
25+ | 17.77 грн |
50+ | 15.35 грн |
100+ | 13.30 грн |
120+ | 9.12 грн |
330+ | 8.56 грн |
MMBFJ176 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 250Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 250Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.09 грн |
10+ | 33.42 грн |
50+ | 23.81 грн |
66+ | 16.56 грн |
182+ | 15.63 грн |
500+ | 15.16 грн |
1000+ | 14.98 грн |