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Доступність |
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BC818-40LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 129612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4006G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4006G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 9975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS4465. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS4465. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FPF1504UCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FPF1504UCX - ERW. LOAD-MANAGEMENT-SWITCH, 85°CtariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.04ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: 1.5A IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 3.6V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FPF1504UCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FPF1504UCX - ERW. LOAD-MANAGEMENT-SWITCH, 85°CtariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.04ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: 1.5A IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 3.6V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AR0234CSSC28SUKA0-CP1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0234CSSC28SUKA0-CP1 - Bildsensor, 1920 x 1200, 3µm x 3µm, 120, RGB, ODCSP, 83 Pin(s)Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm MSL: MSL 4 - 72 Stunden Bildfarbe: RGB Betriebstemperatur, min.: - Versorgungsspannung, min.: - Bauform - Sensor: ODCSP Anzahl der Pins: 83 Produktpalette: AR0234CS Series Aktiver Pixelbereich: 1920 x 1200 Bildrate, Bilder pro Sek.: 120 Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AR0234CSSC00SUKA0-CP1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0234CSSC00SUKA0-CP1 - Bildsensor, 1920 x 1200, 3µm x 3µm, 120, RGB, ODCSP, 83 Pin(s)Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm MSL: MSL 4 - 72 Stunden Bildfarbe: RGB Betriebstemperatur, min.: - Versorgungsspannung, min.: - Bauform - Sensor: ODCSP Anzahl der Pins: 83 Produktpalette: AR0234CS Series Aktiver Pixelbereich: 1920 x 1200 Bildrate, Bilder pro Sek.: 120 Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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100324QI | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 100324QI - IC, TRANSLATOR, TTL-ECL, HEXBauform - Logikbaustein: - Ausgangsstrom: - Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: -4.2 Logiktyp: - Anzahl der Pins: 28 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: -5.7 Anzahl der Eingänge: - Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
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100325SC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 100325SC - IC, TRANSLATOR, ECL-TTL, HEXBauform - Logikbaustein: - Ausgangsstrom: - Betriebstemperatur, min.: 0 Versorgungsspannung, min.: -4.2 Logiktyp: - Anzahl der Pins: 24 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: -5.7 Anzahl der Eingänge: - Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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NCP59302DSADJR4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP59302DSADJR4G - LDO Voltage Regulator, Adjustable, 2.24V to 13.5V in, 300mV drop, 1.24V to 13V/3A out, TO-263-5tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: 1.24V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 13V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK) MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 13.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 3A Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 2.24V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 3A Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 300mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 300mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FAN48623UC50X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN48623UC50X - DC / DC SWITCHING REGULATORS - FIXEDMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NLV74LCX245DTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV74LCX245DTR2G - OCTAL TRANSCEIVER, CMOS, LOW VOLTAGEMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NLV74LCX374DTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV74LCX374DTR2G - LOW VOLTAGE CMOS OCTAL D FLIP-FLOPMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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NLV74LCX373DTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV74LCX373DTR2G - LOW VOLTAGE CMOS OCTAL TRANSPARENT LATCH MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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FOD8383 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8383 - Optokoppler, 1 Kanal, WSOP, 5 Pin(s), 5 kV, Optoplanar FOD8383Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 5 Isolationsspannung: 5 Bauform - Optokoppler: WSOP Produktpalette: Optoplanar FOD8383 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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FOD8383V | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8383V - Optokoppler, 1 Kanal, WSOP, 5 Pin(s), 5 kV, Optoplanar FOD8383Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 5 Isolationsspannung: 5 Bauform - Optokoppler: WSOP Produktpalette: Optoplanar FOD8383 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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FOD8383R2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8383R2 - Optokoppler, 1 Kanal, WSOP, 5 Pin(s), 5 kV, Optoplanar FOD8383Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 5 Isolationsspannung: 5 Bauform - Optokoppler: WSOP Produktpalette: Optoplanar FOD8383 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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FOD8383R2V | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8383R2V - Optokoppler, 1 Kanal, WSOP, 5 Pin(s), 5 kV, Optoplanar FOD8383Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 5 Isolationsspannung: 5 Bauform - Optokoppler: WSOP Produktpalette: Optoplanar FOD8383 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0135CS2C19SUEA0-DRBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0135CS2C19SUEA0-DRBR - IMAGE SENSORMSL: MSL 3 - 168 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0135CS2C19SUEA0-DRBR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0135CS2C19SUEA0-DRBR1 - IMAGE SENSORMSL: MSL 3 - 168 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0135CS2C00SUEA0-DPBR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0135CS2C00SUEA0-DPBR1 - IMAGE SENSORMSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0135CS2C00SUEA0-DRBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0135CS2C00SUEA0-DRBR - IMAGE SENSORMSL: MSL 3 - 168 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0135CS2C19SUEA0-DPBR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0135CS2C19SUEA0-DPBR1 - IMAGE SENSORMSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0135CS2C00SUEA0-DRBR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0135CS2C00SUEA0-DRBR1 - IMAGE SENSORMSL: MSL 3 - 168 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0135CS2C00SUEA0-DPBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0135CS2C00SUEA0-DPBR - IMAGE SENSORMSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NSD350HT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSD350HT1G - 350 V SWITCHING DIODE HIGH VOLTAGESVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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KSB1366GTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSB1366GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 150 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 25 Übergangsfrequenz ft: 9 Bauform - Transistor: TO-220F Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 3 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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SBCP56-16T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.5 Übergangsfrequenz ft: 130 Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: BCP56 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NCV8401BDTRKG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8401BDTRKG - Leistungsverteilungsschalter, Low-Side, 1 Ausgang, 35A, 0.023 Ohm, TO-252-3Durchlasswiderstand: 0.023 Überhitzungsschutz: Ja Strombegrenzung: 35 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: Low-Side Eingangsspannung: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK) Betriebstemperatur, max.: 150 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FDD4685-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD4685-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 32 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 83 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.6 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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FDD4685-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD4685-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 32 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 83 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.6 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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SS16FP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS16FP - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-123HE, 2 Pin(s), 700 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123HE Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 700mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 60V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FFSH1265BDN-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSH1265BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 16 nCtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7WZ125K8X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WZ125K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8Logik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: NC7W Bauform - Logikbaustein: US8 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: - Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NC7WZ125K8X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WZ125K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NC7WZ125L8X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WZ125L8X - TINYLOGIC UHS BUFFER WITH 3-STATE OUTPUTMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NC7WZ125K8X. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WZ125K8X. - NON INVERTING BUFFER, US8-8, FULL REELLogik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: NC7W Bauform - Logikbaustein: US8 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: - Logikbaustein: Buffer, Non Inverting Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NL17SZ125DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17SZ125DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: - rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 17SZ Bauform - Logikbaustein: SOT-353 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logikfamilie / Sockelnummer: - euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7SZ126P5X.. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ126P5X.. - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: - rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: NC7S Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logikfamilie / Sockelnummer: - euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7SZ125L6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ125L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: - rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: NC7S Bauform - Logikbaustein: MLP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: MLP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logikfamilie / Sockelnummer: - euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS6575 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS8638 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS8880 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS6375 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS8949 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS8813NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS2734 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 3 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS8447 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8447 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.8 A, 0.0105 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5mW Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 29301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS8878 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS8449 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8449 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.6 A, 0.021 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS2734 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, OberflächenmontageSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS3572 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.014 ohm, SOIC, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 8.9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS8884 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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QED223 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QED223 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 30 °, T-1 3/4 (5mm), 25 mW/Sr, 900 ns, 800 nstariffCode: 85414900 Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm) Durchlassspannung Vf max.: 1.7V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Abfallzeit tf: 800ns MSL: - usEccn: EAR99 Spitzenwellenlänge: 890nm Betriebstemperatur, min.: -40°C Strahlungsintensität (Ie): 25mW/Sr Halbwertswinkel: 30° euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 100°C Anstiegszeit: 900ns SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 50171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQA9N90-F109 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA9N90-F109 - MOSFET'S - SINGLESVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
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FQA9N90C-F109 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA9N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1.12 ohm, TO-3PN, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 280 Bauform - Transistor: TO-3PN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.12 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
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2SC6099-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC6099-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 300 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 15 Übergangsfrequenz ft: 300 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
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2SC6096-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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2SC6096-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| BC818-40LT1G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 129612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 83+ | 10.22 грн |
| 129+ | 6.60 грн |
| 206+ | 4.11 грн |
| 500+ | 2.57 грн |
| 1000+ | 2.08 грн |
| 1N4006G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4006G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4006G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 59+ | 14.36 грн |
| 88+ | 9.63 грн |
| 115+ | 7.41 грн |
| 500+ | 5.39 грн |
| 1000+ | 3.53 грн |
| 5000+ | 3.03 грн |
| FDS4465. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 157.98 грн |
| 10+ | 113.21 грн |
| 100+ | 78.91 грн |
| 500+ | 54.52 грн |
| FDS4465. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 78.91 грн |
| 500+ | 54.52 грн |
| FPF1504UCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPF1504UCX - ERW. LOAD-MANAGEMENT-SWITCH, 85°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.04ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1.5A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 3.6V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FPF1504UCX - ERW. LOAD-MANAGEMENT-SWITCH, 85°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.04ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1.5A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 3.6V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.76 грн |
| FPF1504UCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPF1504UCX - ERW. LOAD-MANAGEMENT-SWITCH, 85°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.04ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1.5A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 3.6V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FPF1504UCX - ERW. LOAD-MANAGEMENT-SWITCH, 85°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.04ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1.5A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 3.6V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 34.89 грн |
| 35+ | 24.25 грн |
| 100+ | 18.76 грн |
| AR0234CSSC28SUKA0-CP1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0234CSSC28SUKA0-CP1 - Bildsensor, 1920 x 1200, 3µm x 3µm, 120, RGB, ODCSP, 83 Pin(s)
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 83
Produktpalette: AR0234CS Series
Aktiver Pixelbereich: 1920 x 1200
Bildrate, Bilder pro Sek.: 120
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0234CSSC28SUKA0-CP1 - Bildsensor, 1920 x 1200, 3µm x 3µm, 120, RGB, ODCSP, 83 Pin(s)
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 83
Produktpalette: AR0234CS Series
Aktiver Pixelbereich: 1920 x 1200
Bildrate, Bilder pro Sek.: 120
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4377.90 грн |
| 5+ | 4204.71 грн |
| 10+ | 3762.02 грн |
| 25+ | 3246.19 грн |
| AR0234CSSC00SUKA0-CP1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0234CSSC00SUKA0-CP1 - Bildsensor, 1920 x 1200, 3µm x 3µm, 120, RGB, ODCSP, 83 Pin(s)
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 83
Produktpalette: AR0234CS Series
Aktiver Pixelbereich: 1920 x 1200
Bildrate, Bilder pro Sek.: 120
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0234CSSC00SUKA0-CP1 - Bildsensor, 1920 x 1200, 3µm x 3µm, 120, RGB, ODCSP, 83 Pin(s)
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 83
Produktpalette: AR0234CS Series
Aktiver Pixelbereich: 1920 x 1200
Bildrate, Bilder pro Sek.: 120
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3762.02 грн |
| 5+ | 3591.36 грн |
| 10+ | 3249.21 грн |
| 25+ | 2778.64 грн |
| 50+ | 2271.62 грн |
| 100324QI |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 100324QI - IC, TRANSLATOR, TTL-ECL, HEX
Bauform - Logikbaustein: -
Ausgangsstrom: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -4.2
Logiktyp: -
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: -5.7
Anzahl der Eingänge: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - 100324QI - IC, TRANSLATOR, TTL-ECL, HEX
Bauform - Logikbaustein: -
Ausgangsstrom: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -4.2
Logiktyp: -
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: -5.7
Anzahl der Eingänge: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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| 100325SC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 100325SC - IC, TRANSLATOR, ECL-TTL, HEX
Bauform - Logikbaustein: -
Ausgangsstrom: -
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: -4.2
Logiktyp: -
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: -5.7
Anzahl der Eingänge: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - 100325SC - IC, TRANSLATOR, ECL-TTL, HEX
Bauform - Logikbaustein: -
Ausgangsstrom: -
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: -4.2
Logiktyp: -
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: -5.7
Anzahl der Eingänge: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
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| NCP59302DSADJR4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP59302DSADJR4G - LDO Voltage Regulator, Adjustable, 2.24V to 13.5V in, 300mV drop, 1.24V to 13V/3A out, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 1.24V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 13V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 13.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 3A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.24V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 3A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 300mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 300mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP59302DSADJR4G - LDO Voltage Regulator, Adjustable, 2.24V to 13.5V in, 300mV drop, 1.24V to 13V/3A out, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 1.24V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 13V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 13.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 3A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.24V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 3A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 300mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 300mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 346.38 грн |
| 10+ | 223.88 грн |
| 25+ | 191.78 грн |
| 50+ | 161.60 грн |
| 100+ | 133.24 грн |
| 250+ | 118.03 грн |
| FAN48623UC50X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN48623UC50X - DC / DC SWITCHING REGULATORS - FIXED
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FAN48623UC50X - DC / DC SWITCHING REGULATORS - FIXED
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NLV74LCX245DTR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74LCX245DTR2G - OCTAL TRANSCEIVER, CMOS, LOW VOLTAGE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLV74LCX245DTR2G - OCTAL TRANSCEIVER, CMOS, LOW VOLTAGE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NLV74LCX374DTR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74LCX374DTR2G - LOW VOLTAGE CMOS OCTAL D FLIP-FLOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NLV74LCX374DTR2G - LOW VOLTAGE CMOS OCTAL D FLIP-FLOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| NLV74LCX373DTR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74LCX373DTR2G - LOW VOLTAGE CMOS OCTAL TRANSPARENT LATCH
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLV74LCX373DTR2G - LOW VOLTAGE CMOS OCTAL TRANSPARENT LATCH
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| FOD8383 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8383 - Optokoppler, 1 Kanal, WSOP, 5 Pin(s), 5 kV, Optoplanar FOD8383
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 5
Isolationsspannung: 5
Bauform - Optokoppler: WSOP
Produktpalette: Optoplanar FOD8383
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD8383 - Optokoppler, 1 Kanal, WSOP, 5 Pin(s), 5 kV, Optoplanar FOD8383
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 5
Isolationsspannung: 5
Bauform - Optokoppler: WSOP
Produktpalette: Optoplanar FOD8383
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| FOD8383V |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8383V - Optokoppler, 1 Kanal, WSOP, 5 Pin(s), 5 kV, Optoplanar FOD8383
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 5
Isolationsspannung: 5
Bauform - Optokoppler: WSOP
Produktpalette: Optoplanar FOD8383
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD8383V - Optokoppler, 1 Kanal, WSOP, 5 Pin(s), 5 kV, Optoplanar FOD8383
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 5
Isolationsspannung: 5
Bauform - Optokoppler: WSOP
Produktpalette: Optoplanar FOD8383
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| FOD8383R2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8383R2 - Optokoppler, 1 Kanal, WSOP, 5 Pin(s), 5 kV, Optoplanar FOD8383
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 5
Isolationsspannung: 5
Bauform - Optokoppler: WSOP
Produktpalette: Optoplanar FOD8383
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD8383R2 - Optokoppler, 1 Kanal, WSOP, 5 Pin(s), 5 kV, Optoplanar FOD8383
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 5
Isolationsspannung: 5
Bauform - Optokoppler: WSOP
Produktpalette: Optoplanar FOD8383
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| FOD8383R2V |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8383R2V - Optokoppler, 1 Kanal, WSOP, 5 Pin(s), 5 kV, Optoplanar FOD8383
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 5
Isolationsspannung: 5
Bauform - Optokoppler: WSOP
Produktpalette: Optoplanar FOD8383
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD8383R2V - Optokoppler, 1 Kanal, WSOP, 5 Pin(s), 5 kV, Optoplanar FOD8383
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 5
Isolationsspannung: 5
Bauform - Optokoppler: WSOP
Produktpalette: Optoplanar FOD8383
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0135CS2C19SUEA0-DRBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0135CS2C19SUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0135CS2C19SUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0135CS2C19SUEA0-DRBR1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0135CS2C19SUEA0-DRBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0135CS2C19SUEA0-DRBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0135CS2C00SUEA0-DPBR1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0135CS2C00SUEA0-DPBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0135CS2C00SUEA0-DPBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0135CS2C00SUEA0-DRBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0135CS2C00SUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0135CS2C00SUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0135CS2C19SUEA0-DPBR1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0135CS2C19SUEA0-DPBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0135CS2C19SUEA0-DPBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0135CS2C00SUEA0-DRBR1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0135CS2C00SUEA0-DRBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0135CS2C00SUEA0-DRBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0135CS2C00SUEA0-DPBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0135CS2C00SUEA0-DPBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0135CS2C00SUEA0-DPBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NSD350HT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD350HT1G - 350 V SWITCHING DIODE HIGH VOLTAGE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NSD350HT1G - 350 V SWITCHING DIODE HIGH VOLTAGE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| KSB1366GTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB1366GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 25
Übergangsfrequenz ft: 9
Bauform - Transistor: TO-220F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - KSB1366GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 25
Übergangsfrequenz ft: 9
Bauform - Transistor: TO-220F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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| SBCP56-16T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: BCP56
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - SBCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: BCP56
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NCV8401BDTRKG |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8401BDTRKG - Leistungsverteilungsschalter, Low-Side, 1 Ausgang, 35A, 0.023 Ohm, TO-252-3
Durchlasswiderstand: 0.023
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 35
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
Eingangsspannung: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCV8401BDTRKG - Leistungsverteilungsschalter, Low-Side, 1 Ausgang, 35A, 0.023 Ohm, TO-252-3
Durchlasswiderstand: 0.023
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 35
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
Eingangsspannung: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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| FDD4685-F085 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4685-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 32
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - FDD4685-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 32
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| FDD4685-F085 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4685-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 32
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - FDD4685-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 32
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| SS16FP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS16FP - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-123HE, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SS16FP - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-123HE, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 105+ | 8.10 грн |
| 139+ | 6.08 грн |
| 140+ | 6.07 грн |
| 500+ | 5.61 грн |
| 1000+ | 5.16 грн |
| FFSH1265BDN-F085 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH1265BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 16 nC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FFSH1265BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 16 nC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 461.28 грн |
| 10+ | 292.31 грн |
| 100+ | 286.40 грн |
| NC7WZ125K8X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ125K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: US8
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NC7WZ125K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: US8
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NC7WZ125K8X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ125K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NC7WZ125K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NC7WZ125L8X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ125L8X - TINYLOGIC UHS BUFFER WITH 3-STATE OUTPUT
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NC7WZ125L8X - TINYLOGIC UHS BUFFER WITH 3-STATE OUTPUT
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NC7WZ125K8X. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ125K8X. - NON INVERTING BUFFER, US8-8, FULL REEL
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: US8
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Buffer, Non Inverting
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NC7WZ125K8X. - NON INVERTING BUFFER, US8-8, FULL REEL
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: US8
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Buffer, Non Inverting
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NL17SZ125DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ125DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NL17SZ125DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 24.25 грн |
| 77+ | 11.07 грн |
| 148+ | 5.74 грн |
| 500+ | 4.39 грн |
| 1000+ | 3.19 грн |
| NC7SZ126P5X.. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ126P5X.. - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NC7SZ126P5X.. - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 105+ | 8.09 грн |
| 174+ | 4.86 грн |
| 243+ | 3.48 грн |
| 500+ | 2.48 грн |
| 1000+ | 2.23 грн |
| 5000+ | 2.17 грн |
| NC7SZ125L6X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ125L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NC7SZ125L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 43.68 грн |
| 39+ | 22.05 грн |
| 100+ | 12.25 грн |
| 500+ | 9.41 грн |
| 1000+ | 6.88 грн |
| FDS6575 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 114.90 грн |
| 10+ | 95.47 грн |
| 100+ | 68.09 грн |
| 500+ | 50.21 грн |
| 1000+ | 41.57 грн |
| FDS8638 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 103.07 грн |
| 10+ | 98.84 грн |
| 100+ | 94.62 грн |
| 500+ | 83.16 грн |
| 1000+ | 73.14 грн |
| FDS8880 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 71.30 грн |
| 50+ | 48.92 грн |
| 100+ | 37.43 грн |
| 500+ | 29.03 грн |
| 1000+ | 25.20 грн |
| FDS6375 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 103.07 грн |
| 50+ | 70.29 грн |
| 100+ | 49.42 грн |
| 500+ | 36.71 грн |
| 1000+ | 28.82 грн |
| FDS8949 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 112.36 грн |
| 50+ | 70.63 грн |
| 100+ | 46.80 грн |
| 500+ | 34.60 грн |
| 1000+ | 28.46 грн |
| FDS8813NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 119.97 грн |
| 11+ | 84.23 грн |
| 100+ | 62.35 грн |
| 500+ | 51.23 грн |
| 1000+ | 44.03 грн |
| FDS2734 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 167.28 грн |
| 10+ | 141.93 грн |
| 100+ | 121.66 грн |
| 500+ | 77.11 грн |
| FDS8447 | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8447 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.8 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS8447 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.8 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 45.62 грн |
| 500+ | 40.24 грн |
| 1000+ | 36.42 грн |
| 5000+ | 35.63 грн |
| FDS8878 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 62.26 грн |
| 50+ | 43.09 грн |
| 100+ | 29.57 грн |
| 500+ | 21.57 грн |
| 1000+ | 17.96 грн |
| FDS8449 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8449 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDS8449 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 55.00 грн |
| 19+ | 46.04 грн |
| 100+ | 28.98 грн |
| FDS2734 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 121.66 грн |
| 500+ | 77.11 грн |
| FDS3572 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 8.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 8.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 188.40 грн |
| 10+ | 168.12 грн |
| 100+ | 130.95 грн |
| FDS8884 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 60.49 грн |
| 20+ | 42.92 грн |
| 100+ | 29.32 грн |
| 500+ | 22.67 грн |
| 1000+ | 17.81 грн |
| 5000+ | 14.70 грн |
| QED223 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QED223 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 30 °, T-1 3/4 (5mm), 25 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 800ns
MSL: -
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 890nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 25mW/Sr
Halbwertswinkel: 30°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 900ns
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - QED223 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 30 °, T-1 3/4 (5mm), 25 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 800ns
MSL: -
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 890nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 25mW/Sr
Halbwertswinkel: 30°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 900ns
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 50171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 38.10 грн |
| 33+ | 26.11 грн |
| 34+ | 25.09 грн |
| 50+ | 22.28 грн |
| 100+ | 16.22 грн |
| 500+ | 14.92 грн |
| FQA9N90C-F109 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA9N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1.12 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 280
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.12
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA9N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1.12 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 280
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.12
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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| 2SC6099-TL-E |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6099-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 2SC6099-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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| 2SC6096-TD-E |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2SC6096-TD-E |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 86.17 грн |


































