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DTC114TET1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SBRD8330G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBRD8330G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 700 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75 Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 700 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: MBRD330 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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ECH8693R-TL-W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ECH8693R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 14 A, 14 A, 0.0056 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0056ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-28FL Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds: 24V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0056ohm Dauer-Drainstrom Id: 14A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 1.4W SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 5300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ECH8654-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ECH8654-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-28FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ECH8310-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ECH8310-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.009 ohm, SOT-28FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 9 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5 Bauform - Transistor: SOT-28FL Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDB047N10 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 120 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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FDS8449 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8449 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FJE5304D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJE5304D - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FJE5304DTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJE5304DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FDB9503L-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Verlustleistung: 333 Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002 Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FDB9503L-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 110 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 333 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 euEccn: NLR Verlustleistung: 333 Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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NCP4620DSN50T1G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4620DSN50T1G. - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 10V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-23-5 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest hazardous: false Ausgangsstrom: 150 Nominelle feste Ausgangsspannung: 5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: SOT-23 Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 10 euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsspannung, min.: 2.6 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 250 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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NCP4620DSN50T1G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4620DSN50T1G. - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 10V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-23-5 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest hazardous: false Ausgangsstrom: 150 Nominelle feste Ausgangsspannung: 5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: SOT-23 Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 10 euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsspannung, min.: 2.6 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 250 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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SZESD5Z2.5T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZESD5Z2.5T5G - ESD-Schutzbaustein, 10.9 V, SOD-523, 2 Pin(s), 2.5 V, 500 mW, ESD5Z tariffCode: 85411000 Anzahl der Pins: 2 euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Bauform - Diode: SOD-523 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 10.9 Betriebsspannung: 2.5 Verlustleistung Pd: 500 usEccn: EAR99 Produktpalette: ESD5Z SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FAN4146SX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN4146SX - GROUND FAULT INTERUPTER tariffCode: 85423990 MSL: MSL 1 - unbegrenzt euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FPF2286UCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FPF2286UCX - Überspannungsschutzbaustein für Akku, 2.8V bis 23V, 4A, niedriger Betriebswiderstand, WLCSP6 tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.025ohm rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Strombegrenzung: 4A usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -65°C euEccn: NLR Eingangsspannung: 23V Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 8375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FJD5304DTF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJD5304DTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 8hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 1164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDV304P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDV304P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 MSL: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 |
на замовлення 4011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDN304PZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm |
на замовлення 12283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZHBL5006XV2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZHBL5006XV2T5G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 300 mA, SOD-523, 2 Pin(s), -40 °C tariffCode: 85413000 Durchlassspannung (VT), max.: 1.3 Anzahl der Pins: 2 euEccn: NLR Bauform - LED-Shunt: SOD-523 Durchlassstrom, max.: 300 hazardous: false Periodische Spitzen-Sperrspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40 Betriebstemperatur, max.: 150 usEccn: EAR99 Produktpalette: HBL5006 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SZHBL5006HT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZHBL5006HT1G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 250 mA, SOD-323, 2 Pin(s), -40 °C tariffCode: 85413000 Durchlassspannung (VT), max.: 1.3 Anzahl der Pins: 2 euEccn: NLR Bauform - LED-Shunt: SOD-323 Durchlassstrom, max.: 250 hazardous: false Periodische Spitzen-Sperrspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40 Betriebstemperatur, max.: 150 usEccn: EAR99 Produktpalette: HBL5006 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SZHBL5006XV2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZHBL5006XV2T1G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 300 mA, SOD-523, 2 Pin(s), -40 °C tariffCode: 85413000 Durchlassspannung (VT), max.: 1.3 Anzahl der Pins: 2 euEccn: NLR Bauform - LED-Shunt: SOD-523 Durchlassstrom, max.: 300 hazardous: false Periodische Spitzen-Sperrspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40 Betriebstemperatur, max.: 150 usEccn: EAR99 Produktpalette: HBL5006 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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80SQ045NRLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 80SQ045NRLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 8 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 550 mV tariffCode: 85411000 euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 Diodenmontage: Durchsteckmontage SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FSB660A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSB660A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDB047N10 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Verlustleistung: 375 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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BDW47G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDW47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 15 A, 85 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000 hazardous: false DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 85 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 4 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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DFB2060 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DFB2060 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DFB2080 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DFB2080 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DFB2580 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DFB2580 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 25 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V tariffCode: 85411000 hazardous: false Durchlassspannung, max.: 1 Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FOD8318 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8318 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV tariffCode: 85415000 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Isolationsspannung: 4.243 euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FOD8318R2V | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8318R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV tariffCode: 85415000 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Isolationsspannung: 4.243 euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FOD8318V | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8318V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV tariffCode: 85415000 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Isolationsspannung: 4.243 euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FOD8318R2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8318R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV tariffCode: 85415000 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Isolationsspannung: 4.243 euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FOD8316V | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8316V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8316 tariffCode: 85415000 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Isolationsspannung: 4.243 euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC usEccn: EAR99 Produktpalette: FOD8316 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FOD8316R2V | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8316R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8316 tariffCode: 85415000 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Isolationsspannung: 4.243 euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC usEccn: EAR99 Produktpalette: FOD8316 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FOD8316 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8316 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV tariffCode: 85415000 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Isolationsspannung: 4.243 euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FOD8316R2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8316R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV tariffCode: 85414090 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Isolationsspannung: 4.243 euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FOD8316R2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8316R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV tariffCode: 85414090 euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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KSD363RTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD363RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 6 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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NCV47722PAAJR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV47722PAAJR2G - POWER LOAD SW, HIGH SIDE, -40TO150DEG C tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: - rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Strombegrenzung: 350mA IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 40V Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NL17SZ74USG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17SZ74USG - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, D, 2.6 ns, 250 MHz, 32 mA, US8 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NCP1236BD65R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1236BD65R2G - AC/DC-Flyback-Wandler, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 85V AC bis 265V AC, SOIC-7 tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 65kHz rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung Leistungsschalter: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Maximale Nennleistung: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: - euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: - Topologie: Flyback Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Isolation: Isoliert Nennstrom Leistungsschalter: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS70-04LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS70-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 70 V, 15 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 100mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS70 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 17691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVBLS0D5N04CTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.0005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 198.4W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTHD3100CT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTHD4102PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTHD3100CT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTHD4P02FT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHD4P02FT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal + Schottky, 20 V, 2.2 A, 0.155 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 2.2 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1 Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Kanaltyp: p-Kanal + Schottky Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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FDC637AN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDC637AN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSR0170HT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0170HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 100 mA, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 100mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 730mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 35314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSR0170P2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0170P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 730mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR01 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 62994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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US2KA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - US2KA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 50 hazardous: false Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7 Sperrverzögerungszeit: 75 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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SB350 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB350 - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 740 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 80 Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 740 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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FDN304PZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm |
на замовлення 12283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NLAS4599DTT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLAS4599DTT1G - ANALOG SCHALTER,SPDT, SMD tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analogschalter rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2V bis 5.5V Einschaltwiderstand, max.: 25ohm Einschaltwiderstand, typ.: -ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSOP MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: - Schalterkonfiguration: SPDT euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Schnittstellen: 0 Durchlasswiderstand, max.: 25ohm Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCS20064DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 1.2V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCS20064DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 1.2V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DTC114TET1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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500+ | 2.71 грн |
3000+ | 2.04 грн |
SBRD8330G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBRD8330G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 700
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: MBRD330
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SBRD8330G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 700
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: MBRD330
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
ECH8693R-TL-W |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8693R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 14 A, 14 A, 0.0056 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0056ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0056ohm
Dauer-Drainstrom Id: 14A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.4W
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - ECH8693R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 14 A, 14 A, 0.0056 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0056ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0056ohm
Dauer-Drainstrom Id: 14A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.4W
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 54.64 грн |
17+ | 45.88 грн |
100+ | 31.82 грн |
500+ | 23.48 грн |
1000+ | 17.32 грн |
3000+ | 15.68 грн |
ECH8654-TL-H |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8654-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - ECH8654-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 61.4 грн |
15+ | 52.03 грн |
100+ | 32.35 грн |
500+ | 21.34 грн |
ECH8310-TL-H |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8310-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.009 ohm, SOT-28FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - ECH8310-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.009 ohm, SOT-28FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)FDB047N10 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDS8449 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8449 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDS8449 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 26.36 грн |
FJE5304D |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJE5304D - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FJE5304D - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FJE5304DTU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJE5304DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FJE5304DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB9503L-F085 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 333
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 333
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB9503L-F085 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCP4620DSN50T1G. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4620DSN50T1G. - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 10V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
hazardous: false
Ausgangsstrom: 150
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 10
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.6
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP4620DSN50T1G. - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 10V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
hazardous: false
Ausgangsstrom: 150
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 10
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.6
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
NCP4620DSN50T1G. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4620DSN50T1G. - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 10V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
hazardous: false
Ausgangsstrom: 150
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 10
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.6
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP4620DSN50T1G. - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 10V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
hazardous: false
Ausgangsstrom: 150
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 10
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.6
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
SZESD5Z2.5T5G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD5Z2.5T5G - ESD-Schutzbaustein, 10.9 V, SOD-523, 2 Pin(s), 2.5 V, 500 mW, ESD5Z
tariffCode: 85411000
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-523
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10.9
Betriebsspannung: 2.5
Verlustleistung Pd: 500
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SZESD5Z2.5T5G - ESD-Schutzbaustein, 10.9 V, SOD-523, 2 Pin(s), 2.5 V, 500 mW, ESD5Z
tariffCode: 85411000
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-523
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10.9
Betriebsspannung: 2.5
Verlustleistung Pd: 500
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FAN4146SX |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN4146SX - GROUND FAULT INTERUPTER
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FAN4146SX - GROUND FAULT INTERUPTER
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FPF2286UCX |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPF2286UCX - Überspannungsschutzbaustein für Akku, 2.8V bis 23V, 4A, niedriger Betriebswiderstand, WLCSP6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.025ohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 4A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 23V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - FPF2286UCX - Überspannungsschutzbaustein für Akku, 2.8V bis 23V, 4A, niedriger Betriebswiderstand, WLCSP6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.025ohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 4A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 23V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 8375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 39.65 грн |
24+ | 32.28 грн |
100+ | 25.13 грн |
500+ | 15.84 грн |
3000+ | 14.36 грн |
FJD5304DTF |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJD5304DTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 8hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - FJD5304DTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 8hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 72.62 грн |
13+ | 60.79 грн |
100+ | 42.88 грн |
500+ | 25.19 грн |
FDV304P |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)FDV304P |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 4011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 14.41 грн |
FDN304PZ |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 12283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 50.87 грн |
19+ | 41.96 грн |
100+ | 26.36 грн |
500+ | 15.48 грн |
3000+ | 12.12 грн |
9000+ | 11.2 грн |
SZHBL5006XV2T5G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZHBL5006XV2T5G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 300 mA, SOD-523, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-523
Durchlassstrom, max.: 300
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SZHBL5006XV2T5G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 300 mA, SOD-523, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-523
Durchlassstrom, max.: 300
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
SZHBL5006HT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZHBL5006HT1G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 250 mA, SOD-323, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-323
Durchlassstrom, max.: 250
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SZHBL5006HT1G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 250 mA, SOD-323, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-323
Durchlassstrom, max.: 250
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
SZHBL5006XV2T1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZHBL5006XV2T1G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 300 mA, SOD-523, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-523
Durchlassstrom, max.: 300
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SZHBL5006XV2T1G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 300 mA, SOD-523, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-523
Durchlassstrom, max.: 300
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
80SQ045NRLG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 80SQ045NRLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 8 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 80SQ045NRLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 8 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FSB660A |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 19.06 грн |
500+ | 13.91 грн |
FSB660A |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 34.35 грн |
27+ | 28.59 грн |
100+ | 19.06 грн |
500+ | 13.91 грн |
FDB047N10 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
BDW47G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDW47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 15 A, 85 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BDW47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 15 A, 85 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
DFB2060 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFB2060 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - DFB2060 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 224.4 грн |
10+ | 167.53 грн |
100+ | 135.25 грн |
DFB2080 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFB2080 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - DFB2080 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 229.78 грн |
DFB2580 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFB2580 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 25 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1
Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - DFB2580 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 25 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1
Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8318 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8318 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8318 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8318R2V |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8318R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
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Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8318R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
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Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8318V |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8318V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
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Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8318V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
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Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8318R2 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8318R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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Isolationsspannung: 4.243
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Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8318R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
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Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8316V |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8316V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8316
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
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Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD8316
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8316V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8316
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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Isolationsspannung: 4.243
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Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD8316
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8316R2V |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8316R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8316
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
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Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD8316
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8316R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8316
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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Isolationsspannung: 4.243
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Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD8316
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8316 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8316 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
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Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8316 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
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Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8316R2 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8316R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85414090
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
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Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8316R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85414090
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
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Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD8316R2 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8316R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85414090
euEccn: NLR
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8316R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85414090
euEccn: NLR
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
KSD363RTU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD363RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 6 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - KSD363RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 6 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCV47722PAAJR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV47722PAAJR2G - POWER LOAD SW, HIGH SIDE, -40TO150DEG C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 350mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 40V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCV47722PAAJR2G - POWER LOAD SW, HIGH SIDE, -40TO150DEG C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 350mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 40V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 75.77 грн |
NL17SZ74USG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ74USG - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, D, 2.6 ns, 250 MHz, 32 mA, US8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NL17SZ74USG - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, D, 2.6 ns, 250 MHz, 32 mA, US8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCP1236BD65R2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1236BD65R2G - AC/DC-Flyback-Wandler, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 85V AC bis 265V AC, SOIC-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP1236BD65R2G - AC/DC-Flyback-Wandler, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 85V AC bis 265V AC, SOIC-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 37.58 грн |
500+ | 28.33 грн |
BAS70-04LT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS70-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 70 V, 15 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BAS70-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 70 V, 15 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 3.64 грн |
NVBLS0D5N04CTXG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.0005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.0005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 657.82 грн |
10+ | 473.38 грн |
100+ | 409.6 грн |
500+ | 320.4 грн |
2000+ | 293.12 грн |
NTHD3100CT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 52.87 грн |
500+ | 41.6 грн |
NTHD4102PT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 94.52 грн |
11+ | 73.62 грн |
100+ | 52.95 грн |
500+ | 41.6 грн |
NTHD3100CT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 93.75 грн |
11+ | 72.08 грн |
100+ | 52.87 грн |
500+ | 41.6 грн |
NTHD4P02FT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHD4P02FT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal + Schottky, 20 V, 2.2 A, 0.155 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: p-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NTHD4P02FT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal + Schottky, 20 V, 2.2 A, 0.155 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: p-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDC637AN |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 62.94 грн |
15+ | 54.25 грн |
100+ | 34.35 грн |
500+ | 22.76 грн |
FDC637AN |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 34.35 грн |
500+ | 22.76 грн |
NSR0170HT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0170HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 730mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSR0170HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 730mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
62+ | 12.45 грн |
95+ | 8.15 грн |
197+ | 3.92 грн |
500+ | 2.35 грн |
3000+ | 1.65 грн |
9000+ | 1.45 грн |
24000+ | 1.32 грн |
NSR0170P2T5G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0170P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 730mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSR0170P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 730mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 62994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 36.58 грн |
30+ | 25.97 грн |
100+ | 9.14 грн |
500+ | 8.35 грн |
US2KA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - US2KA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7
Sperrverzögerungszeit: 75
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - US2KA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7
Sperrverzögerungszeit: 75
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
SB350 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB350 - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 740 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 80
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 740
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SB350 - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 740 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 80
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 740
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FDN304PZ |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 12283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 26.36 грн |
500+ | 15.48 грн |
3000+ | 12.12 грн |
9000+ | 11.2 грн |
NLAS4599DTT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLAS4599DTT1G - ANALOG SCHALTER,SPDT, SMD
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 25ohm
Einschaltwiderstand, typ.: -ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPDT
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Schnittstellen: 0
Durchlasswiderstand, max.: 25ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NLAS4599DTT1G - ANALOG SCHALTER,SPDT, SMD
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 25ohm
Einschaltwiderstand, typ.: -ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPDT
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Schnittstellen: 0
Durchlasswiderstand, max.: 25ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 34.43 грн |
27+ | 29.36 грн |
100+ | 18.14 грн |
500+ | 10.06 грн |
NCS20064DTBR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCS20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 91.45 грн |
11+ | 74.16 грн |
100+ | 48.72 грн |
500+ | 33.9 грн |
NCS20064DTBR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCS20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 48.72 грн |
500+ | 33.9 грн |