| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RFD16N05LSM9A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 16A Power dissipation: 60W Case: DPAK On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2201 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RFD16N06LESM9A | ONSEMI |
RFD16N06LESM9A SMD N channel transistors |
на замовлення 134 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
RFD3055LESM9A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.107Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1953 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RFP12N10L | ONSEMI |
RFP12N10L THT N channel transistors |
на замовлення 112 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
RFP50N06 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 131W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 62 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFP70N06 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 465 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RGF1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Capacitance: 8.5pF Case: SMA Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Power dissipation: 1.76W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2726 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RHRG3060-F085 | ONSEMI |
RHRG3060-F085 THT universal diodes |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| RS1A | ONSEMI |
RS1A SMD universal diodes |
на замовлення 83 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| RS1D | ONSEMI |
RS1D SMD universal diodes |
на замовлення 6720 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
RS1J | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V Mounting: SMD Capacitance: 10pF Max. forward impulse current: 30A Case: DO214AC; SMA Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 250ns Load current: 1A Power dissipation: 1.19W Max. forward voltage: 1.3V Max. off-state voltage: 0.6kV Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 486 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RS1M | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 0.5µs Semiconductor structure: single diode Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Capacitance: 10pF Power dissipation: 1.19W Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 962 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| S1AFL | ONSEMI |
S1AFL-ONS SMD universal diodes |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
S1B | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 1.8us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Reverse recovery time: 1.8µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.4W Capacitance: 6.6pF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6210 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| S1D | ONSEMI |
S1D-ONS SMD universal diodes |
на замовлення 1076 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S1G | ONSEMI |
S1G-FAI SMD universal diodes |
на замовлення 2601 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S1K | ONSEMI |
S1K-ONS SMD universal diodes |
на замовлення 1867 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S1M | ONSEMI |
S1M-FAI SMD universal diodes |
на замовлення 5129 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S1MFL | ONSEMI |
S1MFL-ONS SMD universal diodes |
на замовлення 1127 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S2M | ONSEMI |
S2M-FAI SMD universal diodes |
на замовлення 949 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S310FA | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 100V; 3A; reel,tape Max. forward voltage: 0.85V Load current: 3A Max. forward impulse current: 80A Max. off-state voltage: 100V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Case: SOD123F кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S3D | ONSEMI |
S3D-FAI SMD universal diodes |
на замовлення 2322 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S3M | ONSEMI |
S3M-FAI SMD universal diodes |
на замовлення 2567 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SBAS16HT1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD323; Ufmax: 1.75V; 200mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 2pF Case: SOD323 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 36A Power dissipation: 0.2W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Max. load current: 1A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAS16LT1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 30uA Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 2pF Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 0.5A Leakage current: 30µA Power dissipation: 0.3W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 414 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SBAS16WT1G | ONSEMI |
SBAS16WT1G SMD universal diodes |
на замовлення 2125 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SBAS16XV2T1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 1.25V; Ir: 30uA Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 2pF Case: SOD523 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 0.5A Leakage current: 30µA Power dissipation: 0.2W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3798 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAS16XV2T5G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 2pF Case: SOD523 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.2W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10664 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SBAS21DW5T1G | ONSEMI |
SBAS21DW5T1G SMD universal diodes |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SBAS40-04LT1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; reel,tape; 225mW Type of diode: Schottky switching Case: SOT23 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 0.12A Semiconductor structure: double series Capacitance: 5pF Max. forward voltage: 1V Leakage current: 1µA Max. forward impulse current: 0.6A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.225W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 460 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SBAT54CLT1G | ONSEMI |
SBAT54CLT1G SMD Schottky diodes |
на замовлення 45 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SBAT54SLT1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOT23 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: double series Capacitance: 10pF Max. forward voltage: 0.8V Max. load current: 0.3A Leakage current: 2µA Max. forward impulse current: 1A Reverse recovery time: 5ns Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.225W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 964 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SBAT54T1G | ONSEMI |
SBAT54T1G SMD Schottky diodes |
на замовлення 2012 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SBAT54XV2T1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.8V Max. forward impulse current: 0.6A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W Capacitance: 10pF Leakage current: 2µA Reverse recovery time: 5ns Max. load current: 0.3A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SBAV199LT1G | ONSEMI |
SBAV199LT1G SMD universal diodes |
на замовлення 2519 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SBAV70LT1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 31A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: common cathode; double Capacitance: 1.5pF Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 31A Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 0.3W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 880 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAV70WT1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT323; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: common cathode; double Capacitance: 1.5pF Case: SOT323 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 1µA Power dissipation: 0.3W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2775 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAV99LT1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 300mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.215A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: double series Capacitance: 1.5pF Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.3W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAV99LT3G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 300mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.215A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: double series Capacitance: 1.5pF Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.3W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8990 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAV99WT1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SC70; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.215A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: double series Capacitance: 1.5pF Case: SC70 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.3W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2605 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBAW56WT1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 70V; 0.2A; 6ns; SC70; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 70V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: common anode; double Capacitance: 2pF Case: SC70 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.3W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SBC807-16LT1G | ONSEMI |
SBC807-16LT1G PNP SMD transistors |
на замовлення 2434 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SBC807-40WT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.46W Case: SC70; SOT323 Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1403 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC817-25LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 306 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC817-40LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1756 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC846BDW1T1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1222 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC846BLT3G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4251 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC846BPDW1T1G | ONSEMI |
Category: Complementary transistorsDescription: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 200...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3293 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC846BPDW1T2G | ONSEMI |
Category: Complementary transistorsDescription: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 200...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2370 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC846BWT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 136 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SBC847BDW1T1G | ONSEMI |
SBC847BDW1T1G NPN SMD transistors |
на замовлення 2035 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SBC847BLT1G | ONSEMI |
SBC847BLT1G NPN SMD transistors |
на замовлення 443 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SBC847BPDW1T1G | ONSEMI |
SBC847BPDW1T1G Complementary transistors |
на замовлення 5931 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SBC847BWT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8120 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC847CDW1T1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1758 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC847CLT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11866 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC848BLT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC856ALT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2258 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC856BDW1T1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SBC857BDW1T1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 142 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| RFD16N05LSM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.96 грн |
| 5+ | 76.39 грн |
| 10+ | 66.05 грн |
| 50+ | 53.39 грн |
| RFD16N06LESM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RFD16N06LESM9A SMD N channel transistors
RFD16N06LESM9A SMD N channel transistors
на замовлення 134 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.18 грн |
| 11+ | 109.75 грн |
| 30+ | 103.82 грн |
| 100+ | 103.71 грн |
| RFD3055LESM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.53 грн |
| 10+ | 32.14 грн |
| 25+ | 30.85 грн |
| RFP12N10L | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RFP12N10L THT N channel transistors
RFP12N10L THT N channel transistors
на замовлення 112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.74 грн |
| 10+ | 72.90 грн |
| 21+ | 56.36 грн |
| 58+ | 53.39 грн |
| RFP50N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.30 грн |
| 10+ | 106.79 грн |
| 50+ | 104.81 грн |
| RFP70N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 465 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.36 грн |
| 50+ | 124.24 грн |
| RGF1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.30 грн |
| 1000+ | 14.99 грн |
| RHRG3060-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RHRG3060-F085 THT universal diodes
RHRG3060-F085 THT universal diodes
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 290.70 грн |
| 7+ | 177.98 грн |
| 19+ | 169.08 грн |
| RS1A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RS1A SMD universal diodes
RS1A SMD universal diodes
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.59 грн |
| 203+ | 5.83 грн |
| 558+ | 5.44 грн |
| RS1D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RS1D SMD universal diodes
RS1D SMD universal diodes
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.13 грн |
| 112+ | 10.48 грн |
| 308+ | 9.89 грн |
| 500+ | 9.86 грн |
| RS1J |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO214AC; SMA
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 1A
Power dissipation: 1.19W
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO214AC; SMA
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 1A
Power dissipation: 1.19W
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 486 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.43 грн |
| 20+ | 15.92 грн |
| 25+ | 12.06 грн |
| 50+ | 10.09 грн |
| 100+ | 8.50 грн |
| 250+ | 8.01 грн |
| RS1M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Power dissipation: 1.19W
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Power dissipation: 1.19W
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 962 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.30 грн |
| 22+ | 14.58 грн |
| 50+ | 10.38 грн |
| 100+ | 9.10 грн |
| 250+ | 7.51 грн |
| 500+ | 6.62 грн |
| 1000+ | 6.23 грн |
| S1AFL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1AFL-ONS SMD universal diodes
S1AFL-ONS SMD universal diodes
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.86 грн |
| 137+ | 8.60 грн |
| 376+ | 8.11 грн |
| S1B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 1.8us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 1.8µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Capacitance: 6.6pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 1.8us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 1.8µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Capacitance: 6.6pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.10 грн |
| 28+ | 11.40 грн |
| 100+ | 8.43 грн |
| 500+ | 6.66 грн |
| 1000+ | 5.90 грн |
| 2000+ | 5.44 грн |
| S1D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1D-ONS SMD universal diodes
S1D-ONS SMD universal diodes
на замовлення 1076 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 15.39 грн |
| 202+ | 5.81 грн |
| 555+ | 5.50 грн |
| 5000+ | 5.48 грн |
| S1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1G-FAI SMD universal diodes
S1G-FAI SMD universal diodes
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.60 грн |
| 192+ | 6.13 грн |
| 527+ | 5.83 грн |
| S1K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1K-ONS SMD universal diodes
S1K-ONS SMD universal diodes
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.85 грн |
| 176+ | 6.67 грн |
| 483+ | 6.31 грн |
| 1000+ | 6.29 грн |
| S1M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1M-FAI SMD universal diodes
S1M-FAI SMD universal diodes
на замовлення 5129 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 14.33 грн |
| 247+ | 4.75 грн |
| 678+ | 4.49 грн |
| S1MFL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1MFL-ONS SMD universal diodes
S1MFL-ONS SMD universal diodes
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 21.19 грн |
| 224+ | 5.24 грн |
| 615+ | 4.95 грн |
| S2M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S2M-FAI SMD universal diodes
S2M-FAI SMD universal diodes
на замовлення 949 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.43 грн |
| 137+ | 8.60 грн |
| 376+ | 8.11 грн |
| S310FA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 100V; 3A; reel,tape
Max. forward voltage: 0.85V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 100V; 3A; reel,tape
Max. forward voltage: 0.85V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.88 грн |
| 13+ | 25.26 грн |
| 50+ | 21.26 грн |
| 100+ | 19.87 грн |
| 250+ | 19.68 грн |
| S3D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S3D-FAI SMD universal diodes
S3D-FAI SMD universal diodes
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.26 грн |
| 73+ | 16.12 грн |
| 200+ | 15.23 грн |
| 9000+ | 15.20 грн |
| S3M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S3M-FAI SMD universal diodes
S3M-FAI SMD universal diodes
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.44 грн |
| 79+ | 14.93 грн |
| 216+ | 14.14 грн |
| SBAS16HT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD323; Ufmax: 1.75V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 36A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. load current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD323; Ufmax: 1.75V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 36A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. load current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.52 грн |
| 74+ | 4.21 грн |
| 100+ | 3.86 грн |
| SBAS16LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 30uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 30uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 414 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 7.45 грн |
| 49+ | 6.37 грн |
| 53+ | 5.64 грн |
| 100+ | 3.85 грн |
| SBAS16WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SBAS16WT1G SMD universal diodes
SBAS16WT1G SMD universal diodes
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 21.19 грн |
| 187+ | 6.23 грн |
| 512+ | 5.93 грн |
| SBAS16XV2T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 1.25V; Ir: 30uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD523
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 1.25V; Ir: 30uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD523
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 5.32 грн |
| 77+ | 4.00 грн |
| 121+ | 2.46 грн |
| 500+ | 1.93 грн |
| 1000+ | 1.74 грн |
| 3000+ | 1.52 грн |
| 9000+ | 1.43 грн |
| SBAS16XV2T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD523
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD523
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10664 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.82 грн |
| 30+ | 12.12 грн |
| 100+ | 9.79 грн |
| 500+ | 8.90 грн |
| 8000+ | 7.91 грн |
| SBAS21DW5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SBAS21DW5T1G SMD universal diodes
SBAS21DW5T1G SMD universal diodes
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.05 грн |
| 240+ | 4.88 грн |
| 660+ | 4.62 грн |
| SBAS40-04LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; reel,tape; 225mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; reel,tape; 225mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 460 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.71 грн |
| 39+ | 7.91 грн |
| 100+ | 5.02 грн |
| 500+ | 3.82 грн |
| 1000+ | 3.41 грн |
| 3000+ | 3.32 грн |
| SBAT54CLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SBAT54CLT1G SMD Schottky diodes
SBAT54CLT1G SMD Schottky diodes
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.44 грн |
| 264+ | 4.45 грн |
| 724+ | 4.21 грн |
| SBAT54SLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 1A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 1A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 964 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.91 грн |
| 30+ | 10.47 грн |
| 100+ | 6.97 грн |
| 500+ | 5.19 грн |
| 1000+ | 4.52 грн |
| 3000+ | 4.24 грн |
| SBAT54T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SBAT54T1G SMD Schottky diodes
SBAT54T1G SMD Schottky diodes
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.19 грн |
| 266+ | 4.41 грн |
| 730+ | 4.17 грн |
| SBAT54XV2T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Capacitance: 10pF
Leakage current: 2µA
Reverse recovery time: 5ns
Max. load current: 0.3A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Capacitance: 10pF
Leakage current: 2µA
Reverse recovery time: 5ns
Max. load current: 0.3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.10 грн |
| 27+ | 11.81 грн |
| 50+ | 8.11 грн |
| 100+ | 7.22 грн |
| SBAV199LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SBAV199LT1G SMD universal diodes
SBAV199LT1G SMD universal diodes
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 14.27 грн |
| 100+ | 8.21 грн |
| 381+ | 8.01 грн |
| SBAV70LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 31A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 31A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 31A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 31A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.52 грн |
| 75+ | 4.11 грн |
| 100+ | 3.85 грн |
| SBAV70WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT323; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 1µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT323; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 1µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.71 грн |
| 32+ | 9.86 грн |
| 35+ | 8.70 грн |
| 100+ | 4.60 грн |
| 250+ | 4.07 грн |
| SBAV99LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 300mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 300mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 159.72 грн |
| 10+ | 30.80 грн |
| 50+ | 5.93 грн |
| 100+ | 2.97 грн |
| 500+ | 2.50 грн |
| 3000+ | 1.99 грн |
| 24000+ | 1.87 грн |
| SBAV99LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 300mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 300mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 7.45 грн |
| 158+ | 1.95 грн |
| 187+ | 1.59 грн |
| 5000+ | 1.48 грн |
| SBAV99WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SC70; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SC70
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 6ns; SC70; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SC70
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.84 грн |
| 41+ | 7.60 грн |
| 43+ | 6.92 грн |
| 50+ | 6.23 грн |
| 100+ | 4.82 грн |
| 250+ | 4.43 грн |
| 500+ | 3.78 грн |
| SBAW56WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.2A; 6ns; SC70; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 2pF
Case: SC70
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.2A; 6ns; SC70; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 2pF
Case: SC70
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.78 грн |
| 38+ | 8.21 грн |
| 100+ | 5.85 грн |
| 250+ | 5.12 грн |
| 500+ | 4.58 грн |
| 1000+ | 4.06 грн |
| 3000+ | 3.76 грн |
| SBC807-16LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SBC807-16LT1G PNP SMD transistors
SBC807-16LT1G PNP SMD transistors
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.90 грн |
| 266+ | 4.42 грн |
| 730+ | 4.17 грн |
| SBC807-40WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.46W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.46W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.17 грн |
| 24+ | 13.35 грн |
| 50+ | 9.31 грн |
| 100+ | 8.07 грн |
| 500+ | 5.87 грн |
| 1000+ | 5.17 грн |
| 3000+ | 4.38 грн |
| SBC817-25LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 306 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.43 грн |
| 40+ | 7.80 грн |
| 43+ | 6.92 грн |
| 100+ | 5.30 грн |
| 500+ | 3.88 грн |
| 1000+ | 3.36 грн |
| 3000+ | 3.25 грн |
| SBC817-40LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.04 грн |
| 28+ | 11.40 грн |
| 50+ | 7.48 грн |
| 100+ | 6.32 грн |
| 500+ | 4.43 грн |
| 1000+ | 3.85 грн |
| 3000+ | 3.10 грн |
| SBC846BDW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.58 грн |
| 50+ | 6.26 грн |
| 64+ | 4.71 грн |
| 77+ | 3.88 грн |
| 100+ | 3.26 грн |
| 500+ | 2.48 грн |
| 1000+ | 2.31 грн |
| SBC846BLT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4251 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.78 грн |
| 39+ | 8.01 грн |
| 62+ | 4.79 грн |
| 100+ | 3.92 грн |
| 500+ | 3.43 грн |
| SBC846BPDW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3293 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.17 грн |
| 23+ | 13.55 грн |
| 29+ | 10.48 грн |
| 50+ | 8.80 грн |
| 100+ | 7.42 грн |
| 500+ | 6.33 грн |
| SBC846BPDW1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.97 грн |
| 29+ | 10.88 грн |
| 34+ | 8.90 грн |
| 100+ | 6.13 грн |
| SBC846BWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.71 грн |
| 40+ | 7.70 грн |
| 57+ | 5.24 грн |
| 100+ | 4.50 грн |
| 500+ | 3.19 грн |
| 1000+ | 2.77 грн |
| 3000+ | 2.21 грн |
| SBC847BDW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SBC847BDW1T1G NPN SMD transistors
SBC847BDW1T1G NPN SMD transistors
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.44 грн |
| 161+ | 7.32 грн |
| 441+ | 6.92 грн |
| SBC847BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SBC847BLT1G NPN SMD transistors
SBC847BLT1G NPN SMD transistors
на замовлення 443 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.60 грн |
| 249+ | 4.71 грн |
| 685+ | 4.45 грн |
| SBC847BPDW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
SBC847BPDW1T1G Complementary transistors
SBC847BPDW1T1G Complementary transistors
на замовлення 5931 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.59 грн |
| 543+ | 2.16 грн |
| 1493+ | 2.04 грн |
| SBC847BWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8120 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 4.26 грн |
| 91+ | 3.39 грн |
| 132+ | 2.25 грн |
| 154+ | 1.93 грн |
| 500+ | 1.34 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |
| 3000+ | 0.98 грн |
| SBC847CDW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.04 грн |
| 27+ | 11.50 грн |
| 100+ | 6.03 грн |
| 500+ | 4.05 грн |
| 1000+ | 3.49 грн |
| 3000+ | 2.85 грн |
| 6000+ | 2.72 грн |
| SBC847CLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11866 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 24.49 грн |
| 19+ | 16.84 грн |
| 50+ | 11.23 грн |
| 100+ | 9.56 грн |
| 500+ | 6.68 грн |
| 1000+ | 5.80 грн |
| 3000+ | 4.99 грн |
| SBC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 20.54 грн |
| 100+ | 3.89 грн |
| 500+ | 2.64 грн |
| 1000+ | 2.27 грн |
| 3000+ | 1.85 грн |
| 6000+ | 1.65 грн |
| SBC856ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.43 грн |
| 19+ | 16.53 грн |
| 100+ | 8.39 грн |
| 500+ | 5.46 грн |
| 1000+ | 5.05 грн |
| SBC856BDW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.17 грн |
| 50+ | 6.16 грн |
| 100+ | 4.77 грн |
| 500+ | 4.07 грн |
| 1000+ | 3.81 грн |
| 3000+ | 3.35 грн |
| 6000+ | 3.10 грн |
| SBC857BDW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.84 грн |
| 40+ | 7.80 грн |
| 54+ | 5.50 грн |
| 100+ | 4.82 грн |
| 500+ | 3.54 грн |
| 1000+ | 3.10 грн |
| 3000+ | 2.51 грн |















