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2N4401TF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4401TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 999mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N4401TFR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4401TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N4401TAR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4401TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LA4425A-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LA4425A-E - Audioleistungsverstärker, 5 W, AB, 1 Kanal, 5V bis 16V, SIP, 5 Pin(s)Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Versorgungsspannung: 5V bis 16V Bauform - Verstärker: SIP Betriebstemperatur, min.: -30 Lastimpedanz: 4 Verstärkerklasse: AB Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Ausgangsleistung: 5 Betriebstemperatur, max.: 80 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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NLV14023BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14023BDR2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Drei, 3 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4023Logikfunktion: NAND-Gatter Logik-IC-Familie: 4000B Bauform - Logikbaustein: NSOIC Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 3 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: 4023 Versorgungsspannung, max.: 18 Anzahl der Eingänge: 3 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Drei SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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74ACT08SC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74ACT08SC - AND-Gatter, 74ACT08, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: AND-Gatter Logik-IC-Familie: 74ACT Anzahl der Elemente: Vier Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74ACT08 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 1143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV-RSL10-101Q48-AVG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV-RSL10-101Q48-AVG - HF-Transceiver, 2.36GHz bis 2.5GHz, 2MB/s, -94dBm, QFNW-48, -40°C bis 105°CÜbertragungsstrom: 4.3 Bauform - HF-IC: QFNW Ausgangsleistung (dBm): -94 Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme MSL: MSL 1 - unbegrenzt Frequenz, min.: 2.36 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.18 Empfangsstrom: 2.7 Empfindlichkeit (dBm): -94 HF/IF-Modulation: 4FSK, DSSS, FSK, GFSK, MSK, O-QPSK Anzahl der Pins: 48 Übertragungsrate: 2 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.3 Frequenz, max.: 2.5 Betriebstemperatur, max.: 105 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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CAT5115VI-50-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5115VI-50-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 50KMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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CAT5115VI-00-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5115VI-00-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER , 32-TAP 100 KMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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NE5534ADG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NE5534ADG - Operationsverstärker, einfach, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)Spannungsanstieg: 13 Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V Anzahl der Pins: 8 Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker Betriebstemperatur, min.: 0 Betriebstemperatur, max.: 70 Bandbreite: 10 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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NE5534DG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NE5534DG - Operationsverstärker, einfach, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)Spannungsanstieg: 13 Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V Anzahl der Pins: 8 Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker Betriebstemperatur, min.: 0 Betriebstemperatur, max.: 70 Bandbreite: 10 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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NE5534DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NE5534DR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Betriebstemperatur, min.: 0 Spannungsanstieg: 13 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Bandbreite: 10 Betriebstemperatur, max.: 70 Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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NE5534ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NE5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, NSOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Bauform - Verstärker: NSOIC Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Spannungsanstieg: 13V/µs Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 10MHz productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 70°C Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 5044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZNUD3160LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZNUD3160LT1G - Relaistreiber, induktive Last, 61V bis 70V Drain/Source-Spannung, 150mAout, SOT-23-3tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 150mA Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 60V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZESD7205DT5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZESD7205DT5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 12.5 V, SOT-723, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-723 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 12.5V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SURS8160T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SURS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 2 A, 1.25 V, 50 ns, 35 ABauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassspannung Vf max.: 1.25 Diodenkonfiguration: - Sperrerholzeit Trr, max.: 50 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 35 Betriebstemperatur, max.: 175 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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SURS8160T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SURS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 2 A, 1.25 V, 50 ns, 35 ABauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassspannung Vf max.: 1.25 Diodenkonfiguration: - Sperrerholzeit Trr, max.: 50 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 35 Betriebstemperatur, max.: 175 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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AR0144CSSC00SUKA0-CPBR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR1 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 PinsPixelgröße (H x B): 3µm x 3µm MSL: MSL 4 - 72 Stunden Bildfarbe: RGB Betriebstemperatur, min.: - Versorgungsspannung, min.: - Bauform - Sensor: ODCSP Anzahl der Pins: 69 Produktpalette: - Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800 Bildrate, Bilder pro Sek.: 60 Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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AR0144CSSC00SUKA0-CPBR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR2 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 PinsPixelgröße (H x B): 3µm x 3µm MSL: MSL 4 - 72 Stunden Bildfarbe: RGB Betriebstemperatur, min.: - Versorgungsspannung, min.: - Bauform - Sensor: ODCSP Anzahl der Pins: 69 Produktpalette: - Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800 Bildrate, Bilder pro Sek.: 60 Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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AR0144CSSC20SUKA0-CPBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0144CSSC20SUKA0-CPBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 PinsPixelgröße (H x B): 3µm x 3µm MSL: MSL 4 - 72 Stunden Bildfarbe: RGB Betriebstemperatur, min.: - Versorgungsspannung, min.: - Bauform - Sensor: ODCSP Anzahl der Pins: 69 Produktpalette: - Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800 Bildrate, Bilder pro Sek.: 60 Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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AR0144CSSC00SUKA0-CPBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 PinsPixelgröße (H x B): 3µm x 3µm MSL: MSL 4 - 72 Stunden Bildfarbe: RGB Betriebstemperatur, min.: - Versorgungsspannung, min.: - Bauform - Sensor: ODCSP Anzahl der Pins: 69 Produktpalette: - Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800 Bildrate, Bilder pro Sek.: 60 Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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J112-D26Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J112-D26Z - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -5 V, TO-226AA, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V |
на замовлення 4835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NB3N3020DTG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NB3N3020DTG - Taktvervielfacher, 210MHz, LVPECL / LVCMOS, 3.3V, TSSOP-16tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Bauform - Takt-IC: TSSOP Frequenz: 210MHz Betriebstemperatur, min.: 40°C Versorgungsspannung, min.: 2.97V euEccn: NLR Takt-IC: Taktvervielfacher Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.63V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NL7SZ57DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL7SZ57DFT2G - Multifunktions-Logikgatter, 3 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, SC-88-6tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Konfigurierbares Multifunktionsgatter Logik-IC-Familie: 7SZ Bauform - Logikbaustein: SC-88 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - IC-Gehäuse / Bauform: SC-88 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: 7SZ57 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 3Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl von Elementen: Eins SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HUF75345P3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75345P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6000 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 215W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HUF75545P3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HUF75639G3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HUF75639P3.. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75639P3.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 56 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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HUF75652G3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75652G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0067 ohm, TO-247, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 515 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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TL594CDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TL594CDR2G - PWM-Controller, Festfrequenz, 7V bis 40V Versorgungsspannung, 40kHz, 5.3Vin, 500mAout, SOIC-16tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: 300kHz Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Schaltfrequenz, min.: 1kHz MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 40kHz Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 7V euEccn: NLR Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig) Topologie: Flyback, Forward Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 40V Tastverhältnis, min.: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Tastverhältnis, max.: 50% SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX79-C12 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C12 - Zener-Diode, 12 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 12V |
на замовлення 7481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BD680G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD680G - Darlington-Transistor, PNP, 80 V, 40 W, 4 A, TO-225AA, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 40W Bauform - HF-Transistor: TO-225AA Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 4A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BD680AG. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD680AG. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 750 Verlustleistung Pd: 40 Übergangsfrequenz ft: 1 Bauform - Transistor: TO-225AA Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 4 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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2SA2210-1E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2210-1E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 20 A, 30 W, SC-67, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: SC-67 Dauerkollektorstrom: 20A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SA2222SG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2222SG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 25 W, SC-67, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-67 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 230MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SA2125-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SA2039-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2039-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 306442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SA2040-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 290MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SA2040-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 290MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SA2013-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SA2013-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP81080DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81080DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 5.5V-20V Versorgung, 800mAout, 30ns Verzögerung, SOIC-8Sinkstrom: 800 Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: MOSFET Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 5.5 Quellstrom: 500 Spitzenausgangsstrom: 800 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 44 Ausgabeverzögerung: 30 Betriebstemperatur, max.: 140 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1252BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1252BDR2G - PWM-Controller, Current-Mode, 9V bis 28V Versorgungsspannung, 500kHz, 800mAout, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: 500kHz Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Schaltfrequenz, min.: 50kHz MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: - Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -25°C Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig) Topologie: Flyback, Forward Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 28V Tastverhältnis, min.: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Tastverhältnis, max.: 84% SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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1N5371BRLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5371BRLG - Zener-Diode, 60 V, 5 W, T-18, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: T-18 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5371 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 60V |
на замовлення 1837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NLV14077BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14077BDR2G - Logik-IC, XNOR (Exclusive NOR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4077Logikfunktion: XNOR (Exclusive NOR) Logik-IC-Familie: 4000B Bauform - Logikbaustein: NSOIC Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 3 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: 4077 Versorgungsspannung, max.: 18 Anzahl der Eingänge: 2 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Vier SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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NLV14077BDG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14077BDG - Logik-IC, XNOR (Exclusive NOR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4077Logikfunktion: XNOR (Exclusive NOR) Logik-IC-Familie: 4000B Bauform - Logikbaustein: NSOIC Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 3 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: 4077 Versorgungsspannung, max.: 18 Anzahl der Eingänge: 2 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Vier SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 935 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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HUF75344G3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 285W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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QED234 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QED234 - Infrarot-Emitter, 940 nm, 40 °, T-1 3/4 (5mm), 27 mW/Sr, 1 µs, 1 µstariffCode: 85414100 Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm) euEccn: NLR Durchlassspannung Vf max.: 1.6V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Abfallzeit tf: 1µs isCanonical: Y MSL: - Spitzenwellenlänge: 940nm Betriebstemperatur, min.: -40°C Strahlungsintensität (Ie): 27mW/Sr Halbwertswinkel: 40° SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 100°C Anstiegszeit: 1µs |
на замовлення 674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FUSB302BUCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FUSB302BUCX - USB-Schnittstelle, Programmierbarer USB-C-Controller, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 9 Pin(s)tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES USB-Version: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Anzahl der Anschlüsse: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) USB-IC: Programmierbarer USB-C-Controller Anzahl der Pins: 9Pin(s) Übertragungsrate: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 3628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FUSB302TGEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FUSB302TGEVB - Evaluationsboard FUSB302TMPX, USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ CProzessorkern: FUSB302TMPX Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FUSB302TMPX Unterart Anwendung: USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ C Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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BAV70LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAV70LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAV70 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 17531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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D45H11G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC850BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 43140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV5701CDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV5701CDR2G - IGBT Driver, High Side and Low Side, 6.8 A, 20 V, -40 °C to 125 °C, SOIC-8Sinkstrom: 15 Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: IGBT Eingang: Invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: - Quellstrom: 20 Spitzenausgangsstrom: 6.8 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 56 Ausgabeverzögerung: 63 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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BC517-D74Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC517-D74Z - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 1.2 A, TO-92, 3 Pin(s)tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 30000hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625mW euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1.2A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQT7N10TF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQT7N10TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.28 ohm, SOT-223, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 1.7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 3806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74ACT00SCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74ACT00SCX - NAND-Gatter, 74ACT00, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, NSOIC-14tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: NAND-Gatter Logik-IC-Familie: 74ACT Anzahl der Elemente: Vier Bauform - Logikbaustein: NSOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74ACT00 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 13854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1239JD65R2G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1239JD65R2G. - PWM-Controller, Festfrequenz-Current-Mode, 10V-30V Versorgungsspannung, 65kHz, 500mAout, SOIC-7tariffCode: 85423990 Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Tastverhältnis, max.: 84% productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 7Pin(s) Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig) Betriebstemperatur, min.: -40°C Schaltfrequenz, max.: - Ausgangsstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt Schaltfrequenz, min.: - hazardous: false IC-Montage: Oberflächenmontage Tastverhältnis, min.: - Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung Produktpalette: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 65kHz rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Versorgungsspannung, min.: - Ausgangsspannung: - Qualifikation: - Frequenz: 65kHz Topologie: Flyback Bauform - Controller-IC: SOIC rohsPhthalatesCompliant: YES Eingangsspannung: 35V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - isCanonical: Y euEccn: NLR |
на замовлення 2590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP12700BDNR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP12700BDNR2G - PWM-Controller, 9V bis 120V Eingangsspannung, 1MHz, 8V/2Aout, MSOP-10tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: 1MHz Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: MSOP Schaltfrequenz, min.: 1kHz MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 500kHz Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Netzteil-Controller: Sekundärseitiger Regler Topologie: Flyback, Forward Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: - Tastverhältnis, min.: 0% Betriebstemperatur, max.: 125°C Tastverhältnis, max.: 84% SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1271D65R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1271D65R2G - PWM-Controller, monolithisches Schaltnetzteil, 20V-9.1V Versorgungsspannung, 65kHz, 500mAout, SOIC-7tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: - Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Schaltfrequenz, min.: - MSL: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 65kHz Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 9.1V euEccn: NLR Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig) Topologie: Flyback Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Tastverhältnis, min.: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Tastverhältnis, max.: 85% SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| 2N4401TF |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 999mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 2N4401TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 999mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 21.67 грн |
| 70+ | 11.73 грн |
| 120+ | 6.81 грн |
| 500+ | 5.54 грн |
| 1000+ | 4.32 грн |
| 2N4401TFR |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 2N4401TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 13.20 грн |
| 107+ | 7.67 грн |
| 108+ | 7.59 грн |
| 500+ | 5.89 грн |
| 1000+ | 5.38 грн |
| 5000+ | 2.72 грн |
| 2N4401TAR |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 2N4401TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 14.75 грн |
| 81+ | 10.10 грн |
| 100+ | 8.23 грн |
| 500+ | 5.61 грн |
| LA4425A-E |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LA4425A-E - Audioleistungsverstärker, 5 W, AB, 1 Kanal, 5V bis 16V, SIP, 5 Pin(s)
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Versorgungsspannung: 5V bis 16V
Bauform - Verstärker: SIP
Betriebstemperatur, min.: -30
Lastimpedanz: 4
Verstärkerklasse: AB
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Ausgangsleistung: 5
Betriebstemperatur, max.: 80
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - LA4425A-E - Audioleistungsverstärker, 5 W, AB, 1 Kanal, 5V bis 16V, SIP, 5 Pin(s)
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Versorgungsspannung: 5V bis 16V
Bauform - Verstärker: SIP
Betriebstemperatur, min.: -30
Lastimpedanz: 4
Verstärkerklasse: AB
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Ausgangsleistung: 5
Betriebstemperatur, max.: 80
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NLV14023BDR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14023BDR2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Drei, 3 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4023
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4023
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLV14023BDR2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Drei, 3 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4023
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4023
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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од. на суму грн.
| 74ACT08SC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT08SC - AND-Gatter, 74ACT08, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - 74ACT08SC - AND-Gatter, 74ACT08, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 42.85 грн |
| 28+ | 29.41 грн |
| 100+ | 25.25 грн |
| 500+ | 21.41 грн |
| 1000+ | 19.34 грн |
| NCV-RSL10-101Q48-AVG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV-RSL10-101Q48-AVG - HF-Transceiver, 2.36GHz bis 2.5GHz, 2MB/s, -94dBm, QFNW-48, -40°C bis 105°C
Übertragungsstrom: 4.3
Bauform - HF-IC: QFNW
Ausgangsleistung (dBm): -94
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 2.36
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.18
Empfangsstrom: 2.7
Empfindlichkeit (dBm): -94
HF/IF-Modulation: 4FSK, DSSS, FSK, GFSK, MSK, O-QPSK
Anzahl der Pins: 48
Übertragungsrate: 2
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.3
Frequenz, max.: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCV-RSL10-101Q48-AVG - HF-Transceiver, 2.36GHz bis 2.5GHz, 2MB/s, -94dBm, QFNW-48, -40°C bis 105°C
Übertragungsstrom: 4.3
Bauform - HF-IC: QFNW
Ausgangsleistung (dBm): -94
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 2.36
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.18
Empfangsstrom: 2.7
Empfindlichkeit (dBm): -94
HF/IF-Modulation: 4FSK, DSSS, FSK, GFSK, MSK, O-QPSK
Anzahl der Pins: 48
Übertragungsrate: 2
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.3
Frequenz, max.: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CAT5115VI-50-GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5115VI-50-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 50K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5115VI-50-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 50K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CAT5115VI-00-GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5115VI-00-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER , 32-TAP 100 K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5115VI-00-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER , 32-TAP 100 K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NE5534ADG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5534ADG - Operationsverstärker, einfach, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Spannungsanstieg: 13
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
Anzahl der Pins: 8
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
Betriebstemperatur, min.: 0
Betriebstemperatur, max.: 70
Bandbreite: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NE5534ADG - Operationsverstärker, einfach, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Spannungsanstieg: 13
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
Anzahl der Pins: 8
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
Betriebstemperatur, min.: 0
Betriebstemperatur, max.: 70
Bandbreite: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NE5534DG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5534DG - Operationsverstärker, einfach, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Spannungsanstieg: 13
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
Anzahl der Pins: 8
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
Betriebstemperatur, min.: 0
Betriebstemperatur, max.: 70
Bandbreite: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NE5534DG - Operationsverstärker, einfach, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Spannungsanstieg: 13
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
Anzahl der Pins: 8
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
Betriebstemperatur, min.: 0
Betriebstemperatur, max.: 70
Bandbreite: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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| NE5534DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5534DR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: 0
Spannungsanstieg: 13
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 10
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NE5534DR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: 0
Spannungsanstieg: 13
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 10
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NE5534ADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 13V/µs
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 10MHz
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NE5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 13V/µs
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 10MHz
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 68.35 грн |
| 15+ | 54.58 грн |
| 100+ | 37.64 грн |
| 500+ | 23.83 грн |
| SZNUD3160LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZNUD3160LT1G - Relaistreiber, induktive Last, 61V bis 70V Drain/Source-Spannung, 150mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 150mA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - SZNUD3160LT1G - Relaistreiber, induktive Last, 61V bis 70V Drain/Source-Spannung, 150mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 150mA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 49.29 грн |
| 21+ | 38.94 грн |
| 100+ | 26.39 грн |
| 500+ | 22.09 грн |
| 1000+ | 17.95 грн |
| 2500+ | 14.94 грн |
| SZESD7205DT5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD7205DT5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 12.5 V, SOT-723, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SZESD7205DT5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 12.5 V, SOT-723, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 34.05 грн |
| 37+ | 22.57 грн |
| 100+ | 15.15 грн |
| 500+ | 12.10 грн |
| 1000+ | 9.22 грн |
| 5000+ | 9.01 грн |
| SURS8160T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SURS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 2 A, 1.25 V, 50 ns, 35 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassspannung Vf max.: 1.25
Diodenkonfiguration: -
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SURS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 2 A, 1.25 V, 50 ns, 35 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassspannung Vf max.: 1.25
Diodenkonfiguration: -
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SURS8160T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SURS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 2 A, 1.25 V, 50 ns, 35 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassspannung Vf max.: 1.25
Diodenkonfiguration: -
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SURS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 2 A, 1.25 V, 50 ns, 35 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassspannung Vf max.: 1.25
Diodenkonfiguration: -
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AR0144CSSC00SUKA0-CPBR1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR1 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR1 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AR0144CSSC00SUKA0-CPBR2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR2 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR2 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AR0144CSSC20SUKA0-CPBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC20SUKA0-CPBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0144CSSC20SUKA0-CPBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AR0144CSSC00SUKA0-CPBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| J112-D26Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J112-D26Z - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -5 V, TO-226AA, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
Description: ONSEMI - J112-D26Z - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -5 V, TO-226AA, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 41.30 грн |
| 50+ | 25.01 грн |
| 100+ | 12.30 грн |
| 500+ | 9.23 грн |
| 1000+ | 8.38 грн |
| NB3N3020DTG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NB3N3020DTG - Taktvervielfacher, 210MHz, LVPECL / LVCMOS, 3.3V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 210MHz
Betriebstemperatur, min.: 40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.97V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktvervielfacher
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NB3N3020DTG - Taktvervielfacher, 210MHz, LVPECL / LVCMOS, 3.3V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 210MHz
Betriebstemperatur, min.: 40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.97V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktvervielfacher
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 785.33 грн |
| 10+ | 613.44 грн |
| 25+ | 523.82 грн |
| 50+ | 478.09 грн |
| NL7SZ57DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL7SZ57DFT2G - Multifunktions-Logikgatter, 3 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, SC-88-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Konfigurierbares Multifunktionsgatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Bauform - Logikbaustein: SC-88
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7SZ57
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NL7SZ57DFT2G - Multifunktions-Logikgatter, 3 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, SC-88-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Konfigurierbares Multifunktionsgatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Bauform - Logikbaustein: SC-88
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7SZ57
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 23.62 грн |
| 80+ | 10.18 грн |
| 152+ | 5.38 грн |
| 500+ | 4.16 грн |
| 1000+ | 3.07 грн |
| HUF75345P3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75345P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - HUF75345P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 118.12 грн |
| 10+ | 96.13 грн |
| 100+ | 95.31 грн |
| 500+ | 87.75 грн |
| HUF75545P3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 290.83 грн |
| 10+ | 148.27 грн |
| HUF75639G3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 325.86 грн |
| 10+ | 175.97 грн |
| HUF75639P3.. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639P3.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - HUF75639P3.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| HUF75652G3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75652G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 515
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - HUF75652G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 515
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TL594CDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL594CDR2G - PWM-Controller, Festfrequenz, 7V bis 40V Versorgungsspannung, 40kHz, 5.3Vin, 500mAout, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 300kHz
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 1kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 40kHz
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig)
Topologie: Flyback, Forward
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: 50%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - TL594CDR2G - PWM-Controller, Festfrequenz, 7V bis 40V Versorgungsspannung, 40kHz, 5.3Vin, 500mAout, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 300kHz
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 1kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 40kHz
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig)
Topologie: Flyback, Forward
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: 50%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 79.35 грн |
| 15+ | 57.03 грн |
| 50+ | 51.49 грн |
| 100+ | 42.14 грн |
| 250+ | 36.38 грн |
| 500+ | 34.91 грн |
| BZX79-C12 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C12 - Zener-Diode, 12 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
Description: ONSEMI - BZX79-C12 - Zener-Diode, 12 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
на замовлення 7481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 51+ | 16.21 грн |
| 62+ | 13.28 грн |
| 144+ | 5.66 грн |
| 500+ | 4.50 грн |
| 1000+ | 3.60 грн |
| BD680G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD680G - Darlington-Transistor, PNP, 80 V, 40 W, 4 A, TO-225AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 40W
Bauform - HF-Transistor: TO-225AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BD680G - Darlington-Transistor, PNP, 80 V, 40 W, 4 A, TO-225AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 40W
Bauform - HF-Transistor: TO-225AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 116.50 грн |
| 12+ | 71.77 грн |
| 100+ | 57.03 грн |
| 500+ | 41.38 грн |
| 1000+ | 34.29 грн |
| BD680AG. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD680AG. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: 1
Bauform - Transistor: TO-225AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BD680AG. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: 1
Bauform - Transistor: TO-225AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2SA2210-1E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2210-1E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 20 A, 30 W, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SC-67
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 2SA2210-1E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 20 A, 30 W, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SC-67
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 187.37 грн |
| 10+ | 92.06 грн |
| 100+ | 81.47 грн |
| 500+ | 61.12 грн |
| 2SA2222SG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2222SG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 25 W, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-67
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SA2222SG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 25 W, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-67
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 104.28 грн |
| 18+ | 45.70 грн |
| 100+ | 44.72 грн |
| 500+ | 40.55 грн |
| 1000+ | 36.59 грн |
| 2SA2125-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 45.54 грн |
| 24+ | 34.05 грн |
| 100+ | 22.00 грн |
| 500+ | 15.58 грн |
| 1000+ | 12.92 грн |
| 2SA2039-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2039-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - 2SA2039-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 306442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 36.82 грн |
| 2SA2040-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 114.05 грн |
| 12+ | 72.91 грн |
| 100+ | 48.39 грн |
| 500+ | 37.67 грн |
| 1000+ | 28.00 грн |
| 2SA2040-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 48.39 грн |
| 500+ | 37.67 грн |
| 1000+ | 28.00 грн |
| 2SA2013-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 67.94 грн |
| 20+ | 42.44 грн |
| 100+ | 27.78 грн |
| 500+ | 19.82 грн |
| 1000+ | 16.48 грн |
| 5000+ | 16.13 грн |
| 2SA2013-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 27.78 грн |
| 500+ | 19.82 грн |
| 1000+ | 16.48 грн |
| 5000+ | 16.13 грн |
| NCP81080DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81080DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 5.5V-20V Versorgung, 800mAout, 30ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 800
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 5.5
Quellstrom: 500
Spitzenausgangsstrom: 800
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 44
Ausgabeverzögerung: 30
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP81080DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 5.5V-20V Versorgung, 800mAout, 30ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 800
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 5.5
Quellstrom: 500
Spitzenausgangsstrom: 800
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 44
Ausgabeverzögerung: 30
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 141.75 грн |
| 10+ | 121.38 грн |
| 100+ | 92.87 грн |
| 500+ | 60.06 грн |
| NCP1252BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1252BDR2G - PWM-Controller, Current-Mode, 9V bis 28V Versorgungsspannung, 500kHz, 800mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 500kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 50kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Flyback, Forward
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 84%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP1252BDR2G - PWM-Controller, Current-Mode, 9V bis 28V Versorgungsspannung, 500kHz, 800mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 500kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 50kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Flyback, Forward
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 84%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1N5371BRLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5371BRLG - Zener-Diode, 60 V, 5 W, T-18, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: T-18
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5371
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 60V
Description: ONSEMI - 1N5371BRLG - Zener-Diode, 60 V, 5 W, T-18, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: T-18
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5371
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 60V
на замовлення 1837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 20.69 грн |
| 51+ | 16.13 грн |
| 100+ | 13.36 грн |
| 500+ | 10.59 грн |
| 1000+ | 9.57 грн |
| NLV14077BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14077BDR2G - Logik-IC, XNOR (Exclusive NOR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4077
Logikfunktion: XNOR (Exclusive NOR)
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4077
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLV14077BDR2G - Logik-IC, XNOR (Exclusive NOR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4077
Logikfunktion: XNOR (Exclusive NOR)
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4077
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NLV14077BDG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14077BDG - Logik-IC, XNOR (Exclusive NOR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4077
Logikfunktion: XNOR (Exclusive NOR)
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4077
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NLV14077BDG - Logik-IC, XNOR (Exclusive NOR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4077
Logikfunktion: XNOR (Exclusive NOR)
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4077
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику
од. на суму грн.
| HUF75344G3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 375.56 грн |
| 10+ | 171.89 грн |
| 100+ | 164.56 грн |
| QED234 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QED234 - Infrarot-Emitter, 940 nm, 40 °, T-1 3/4 (5mm), 27 mW/Sr, 1 µs, 1 µs
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
euEccn: NLR
Durchlassspannung Vf max.: 1.6V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 1µs
isCanonical: Y
MSL: -
Spitzenwellenlänge: 940nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 27mW/Sr
Halbwertswinkel: 40°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 1µs
Description: ONSEMI - QED234 - Infrarot-Emitter, 940 nm, 40 °, T-1 3/4 (5mm), 27 mW/Sr, 1 µs, 1 µs
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
euEccn: NLR
Durchlassspannung Vf max.: 1.6V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 1µs
isCanonical: Y
MSL: -
Spitzenwellenlänge: 940nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 27mW/Sr
Halbwertswinkel: 40°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 1µs
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 35.76 грн |
| 34+ | 24.36 грн |
| 100+ | 15.64 грн |
| 500+ | 13.31 грн |
| FUSB302BUCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FUSB302BUCX - USB-Schnittstelle, Programmierbarer USB-C-Controller, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 9 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Anschlüsse: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: Programmierbarer USB-C-Controller
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - FUSB302BUCX - USB-Schnittstelle, Programmierbarer USB-C-Controller, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 9 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Anschlüsse: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: Programmierbarer USB-C-Controller
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 3628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 58.82 грн |
| 20+ | 41.79 грн |
| 100+ | 32.99 грн |
| 500+ | 27.38 грн |
| 1000+ | 24.09 грн |
| 2500+ | 23.04 грн |
| FUSB302TGEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FUSB302TGEVB - Evaluationsboard FUSB302TMPX, USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ C
Prozessorkern: FUSB302TMPX
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FUSB302TMPX
Unterart Anwendung: USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ C
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FUSB302TGEVB - Evaluationsboard FUSB302TMPX, USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ C
Prozessorkern: FUSB302TMPX
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FUSB302TMPX
Unterart Anwendung: USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ C
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BAV70LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAV70LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BAV70LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 112+ | 7.28 грн |
| 303+ | 2.70 грн |
| 387+ | 2.11 грн |
| 1000+ | 1.35 грн |
| 5000+ | 1.22 грн |
| D45H11G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 93.69 грн |
| 19+ | 44.24 грн |
| 100+ | 40.81 грн |
| BC850BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 43140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 87+ | 9.37 грн |
| 148+ | 5.52 грн |
| 244+ | 3.35 грн |
| 500+ | 2.24 грн |
| 1500+ | 1.80 грн |
| NCV5701CDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5701CDR2G - IGBT Driver, High Side and Low Side, 6.8 A, 20 V, -40 °C to 125 °C, SOIC-8
Sinkstrom: 15
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: IGBT
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Quellstrom: 20
Spitzenausgangsstrom: 6.8
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 56
Ausgabeverzögerung: 63
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCV5701CDR2G - IGBT Driver, High Side and Low Side, 6.8 A, 20 V, -40 °C to 125 °C, SOIC-8
Sinkstrom: 15
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: IGBT
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Quellstrom: 20
Spitzenausgangsstrom: 6.8
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 56
Ausgabeverzögerung: 63
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC517-D74Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC517-D74Z - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 1.2 A, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC517-D74Z - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 1.2 A, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 34.22 грн |
| 39+ | 21.26 грн |
| 100+ | 13.44 грн |
| 500+ | 9.46 грн |
| 1000+ | 7.75 грн |
| FQT7N10TF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT7N10TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.28 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQT7N10TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.28 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 68.11 грн |
| 14+ | 60.04 грн |
| 100+ | 46.03 грн |
| 500+ | 24.59 грн |
| 74ACT00SCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT00SCX - NAND-Gatter, 74ACT00, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - 74ACT00SCX - NAND-Gatter, 74ACT00, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 13854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 33.65 грн |
| 35+ | 23.30 грн |
| 100+ | 18.17 грн |
| 500+ | 14.90 грн |
| 1000+ | 13.13 грн |
| NCP1239JD65R2G. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1239JD65R2G. - PWM-Controller, Festfrequenz-Current-Mode, 10V-30V Versorgungsspannung, 65kHz, 500mAout, SOIC-7
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 84%
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Schaltfrequenz, max.: -
Ausgangsstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Schaltfrequenz, min.: -
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Tastverhältnis, min.: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Versorgungsspannung, min.: -
Ausgangsspannung: -
Qualifikation: -
Frequenz: 65kHz
Topologie: Flyback
Bauform - Controller-IC: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsspannung: 35V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - NCP1239JD65R2G. - PWM-Controller, Festfrequenz-Current-Mode, 10V-30V Versorgungsspannung, 65kHz, 500mAout, SOIC-7
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 84%
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Schaltfrequenz, max.: -
Ausgangsstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Schaltfrequenz, min.: -
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Tastverhältnis, min.: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Versorgungsspannung, min.: -
Ausgangsspannung: -
Qualifikation: -
Frequenz: 65kHz
Topologie: Flyback
Bauform - Controller-IC: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsspannung: 35V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 74.95 грн |
| 16+ | 53.85 грн |
| 100+ | 42.69 грн |
| 500+ | 29.50 грн |
| 1000+ | 26.32 грн |
| 2500+ | 25.14 грн |
| NCP12700BDNR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP12700BDNR2G - PWM-Controller, 9V bis 120V Eingangsspannung, 1MHz, 8V/2Aout, MSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 1MHz
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Schaltfrequenz, min.: 1kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 500kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Sekundärseitiger Regler
Topologie: Flyback, Forward
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Tastverhältnis, min.: 0%
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 84%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCP12700BDNR2G - PWM-Controller, 9V bis 120V Eingangsspannung, 1MHz, 8V/2Aout, MSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 1MHz
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Schaltfrequenz, min.: 1kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 500kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Sekundärseitiger Regler
Topologie: Flyback, Forward
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Tastverhältnis, min.: 0%
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 84%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 119.75 грн |
| 10+ | 87.98 грн |
| 50+ | 80.16 грн |
| 100+ | 65.66 грн |
| 250+ | 56.91 грн |
| 500+ | 54.74 грн |
| 1000+ | 52.93 грн |
| NCP1271D65R2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1271D65R2G - PWM-Controller, monolithisches Schaltnetzteil, 20V-9.1V Versorgungsspannung, 65kHz, 500mAout, SOIC-7
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9.1V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Tastverhältnis, max.: 85%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCP1271D65R2G - PWM-Controller, monolithisches Schaltnetzteil, 20V-9.1V Versorgungsspannung, 65kHz, 500mAout, SOIC-7
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9.1V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Tastverhältnis, max.: 85%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 68.68 грн |
| 17+ | 49.29 грн |
| 50+ | 43.67 грн |
| 100+ | 36.31 грн |
| 250+ | 31.42 грн |
| 500+ | 30.03 грн |
| 1000+ | 28.84 грн |
| 2500+ | 28.14 грн |





































